CN112540082A - 检测系统及检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了检测系统及方法,所述检测系统包括:检测光生成单元、信号探测单元以及处理单元;检测光生成单元被配置向待测物发射第二检测光,其中,所述待测物包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二检测光自所述第一表面透过所述待测物并经所述第二表面散射形成第二信号光;信号探测单元被配置为成像式收集所述第二信号光,并根据所述第二信号光生成第二检测信息;处理单元被配置为基于所述第二检测信息来获取所述第二表面的缺陷信息。与现有技术相比,本发明在检测透明膜状结构的表面的过程中具有检测速度快、检测结果精度高等优点。
Description
技术领域
本发明涉及高精度缺陷检测领域,尤其涉及一种检测系统及检测方法。
背景技术
随着现代工业的发展,透明膜状结构越来越多应用到半导体领域,例如硅晶圆上镀膜、玻璃晶圆、玻璃保护膜等。透明芯片也是未来半导体行业发展的重要方向之一。与硅等非透明材料相似的是,透明膜材料上存在的缺陷也将影响其功能,因此,对透明膜材料进行检测是及时发现缺陷、提高半导体良品率、降低成本的重要技术手段。
目前,散射光检测是现有半导体行业进行高精度缺陷检测的主要方法,然而这种方法通常主要针对非透明材料设计,当检测透明材料时,由于透明材料中相对的两个表面均可能存在缺陷,传统方法难以确定散射信号源于该待测透明材料的具体位置。
此外,光学成像法也是半导体缺陷检测的一种常用方法,然而受光学衍射极限的限制,光学成像法仅能检测大约几百纳米尺寸的缺陷,且实现高分辨率检测时速度较慢,难以满足工业应用中高吞吐量的需求。
发明内容
针对上述问题,本发明提出了检测系统及检测方法。
本发明一方面提出了一种检测系统,其包括:
检测光生成单元,被配置为向待测物发射第二检测光,其中,所述待测物包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二检测光自所述第一表面透过所述待测物并经所述第二表面散射形成第二信号光;
信号探测单元,被配置为成像式收集所述第二信号光,并根据所述第二信号光生成第二检测信息;以及
处理单元,被配置为基于所述第二检测信息来获取所述第二表面的缺陷信息。
本发明另一方面还提出了一种检测方法,其包括:
向待测物发射第二检测光,其中,所述待测物包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二检测光自所述第一表面透过所述待测物并经所述第二表面散射形成第二信号光;
成像式收集所述第二信号光,并根据所述第二信号光生成第二检测信息;以及
基于所述第二检测信息来获取所述第二表面的缺陷信息。
本文所公开的检测系统及检测方法能够对待测物进行扫描式检测,并通过接收待测物的表面的缺陷(例如,污染物)形成的散射光判断该缺陷的有无、位置及尺寸。本发明通过对信号探测单元等部件的设计,确保信号探测单元仅能接收到位于指定表面的待测位置形成的散射光,从而实现对透明膜状结构的多个表面进行缺陷检测。
附图说明
参考附图示出并阐明实施例。这些附图用于阐明基本原理,从而仅仅示出了对于理解基本原理必要的方面。这些附图不是按比例的。在附图中,相同的附图标记表示相似的特征。
图1示出了根据本发明的检测系统的结构示意图;
图2示出了与本发明所公开的检测系统的相关的现有技术示意图;
图3A-3B示出了根据本发明的检测系统的第一示例性结构示意图;
图4A-4B示出了根据本发明的检测系统的第二示例性结构示意图;
图4C示出了根据本发明的检测系统的示例性光位移单元的结构示意图;以及
图5示出了根据本发明的检测方法的流程图。
具体实施方式
以下参考附图详细描述本公开的各个示例性实施例。附图中的流程图和框图示出了根据本公开的各种实施例的方法和设备的可能实现的体系架构、功能和操作。应当注意,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分,所述模块、程序段、或代码的一部分可以包括一个或多个用于实现各个实施例中所规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意,在有些作为备选的实现中,方框中所标注的功能也可以按照不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行,或者它们有时也可以按照相反的顺序执行,这取决于所涉及的功能。同样应当注意的是,流程图和/或框图中的每个方框、以及流程图和/或框图中的方框的组合,可以使用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的设备来实现,或者可以使用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
本公开内容的实施例主要关注以下技术问题:现有技术中使用的成像检测方法一般需要采用面阵探测器进行光电检测,而面阵探测器的采样率较低,限制了检测速度的提高;此外,成像检测方法的检测精度还受到光学衍射极限的限制,使得该方法仅能够对特征尺寸大于检测波长一半的物体清楚成像,对于常用的可见光波段光源,精度仅处于几百纳米量级。另外,在现有技术中还采用散射光收集法实现对半导体中的缺陷进行检测,但是针对待测物是透明膜状结构的情况下,当待测物的相对的两个表面均存在缺陷时,将同时形成散射光,则现有的散射光收集法无法辨别散射信号来自于该透明膜状结构的具体位置,也即,现有的散射光收集法不能得到准确的检测结果。
为了解决上述问题,本公开内容所公开的检测系统至少包括:检测光生成单元、信号探测单元、处理单元,其中,信号探测单元所包括的光电探测器可以采用具有较高的采样率的线探测器或光功率计,并且配合能够移动待测物的承载台,与现有的成像检测方法相比,大大提高了检测速度。此外,本发明基于接收的信号光的光强来判断缺陷的存在及尺寸,通过噪声控制能够检测到几十纳米量级的缺陷,显著提高了检测精度。另外,基于信号探测单元与承载台或光位移单元的配合,实现了对透明膜状结构的相对的两个表面缺陷形成的散射光的选择性接收。
实施例1
如图1、图3A以及图3B所示,本文所公开检测系统,所述系统包括:承载台100、检测光生成单元(附图中未示出)、信号探测单元200以及处理单元(附图中未示出)。其中,承载台100被配置为承载待测物300;检测光生成单元被配置为向待测物300发射第一检测光和第二检测光(第一检测光和第二检测光也即图1中的入射光),其中,待测物300包括相对设置的第一表面310和第二表面320,第一检测光经第一表面310散射形成第一信号光,第二检测光自第一表面310透过待测物300并经第二表面320散射形成第二信号光;信号探测单元200被配置为分别成像式地收集第一信号光或第二信号光,并根据所述第一信号光生成第一检测信息或根据第二信号光生成第二检测信息;处理单元被配置为基于第一检测信息来获取第一表面310的缺陷信息,基于第二检测信息来获取第二表面320的缺陷信息。
在本实施例中,在沿第一方向上承载台100的承载面与信号探测单元200之间的距离可调,并且该第一方向与信号探测单元200的光轴不垂直。此外,在本实施例中,检测系统还包括控制单元,该控制单元被配置为控制承载台100与信号探测单元200之间的相对运动。
如图1所示,所述检测光的入射方向与待测物300的法线方向之间呈第一角度α,信号探测单元200的法线方向与待测物300的法线方向之间呈第二角度β。在本发明中,所述第二角度β的绝对值与所述第一角度α的绝对值不同,也即,信号探测单元200仅接收由待测物300的待测位置所形成的散射光,而不接收由待测物300的待测位置所形成的反射光。
如图1、图3A以及图3B所示,信号探测单元200包括:信号光收集器210和光电探测器220。其中,信号光收集器210被配置为分别收集第一信号光和第二信号光;光电探测器220被配置为接收由所述信号光收集器210传送的第一信号光或第二信号光,并生成相应的检测信息。
在本实施例中,检测系统可以包括多个信号探测单元200,多个信号探测单元用于探测不同方位角的第一信号光和第二信号光。
在本实施例中,如图1所示,信号光收集器210的法线方向与待测物300的法线方向之间呈所述第二角度β。
在本实施例中,检测光生成单元可以是点光斑生成器或线光斑生成器,并且在检测光生成单元是点光斑生成器的情况下,光电探测器220是光功率计,以便采用点扫描的检测方式对待测物表面进行检测;在检测光生成单元是线光斑生成器的情况下,光电探测器220是线探测器,以便采用线扫描的检测方式对待测物表面进行检测。
如图1所示,本实施例所公开的系统的工作原理具体如下:在第一检测光和第二检测光(例如,图1中的入射光)分别入射至待测物300的相对的两个表面的待测位置的情况下,当所照射的待测位置不存在缺陷时,所有检测光将从待测物300透射出去,透射光传输至底部的承载台100后以相同的角度反射至待测物300(例如,图1中的反射光),同时信号光收集器210仅能够检测到非常微弱的噪声。当所照射的待测位置存在缺陷时,该缺陷使得检测光发生散射,并且散射光朝向待测物300的各个方向传输,在该待测物300的某个避开反射光角度范围内(例如,第二角度β)设置信号探测单元200,该信号探测单元200收集特定空间角度内的散射光,并对该散射光进行探测和处理。
如图2所示,如果待测物300的第一表面310和第二表面320的对应位置处均存在的缺陷,则两处的缺陷产生的散射光均会被信号光收集器210收集。但是当光电探测器220被设计处于某个位置时,光电探测器220仅能够接收由第一表面310形成的散射光(例如,图2中实线所示散射光线)或仅能够接收由第二表面320形成的散射光(例如,图2中虚线所示散射光线)。
为了实现对待测物300的第一表面310和第二表面320的单独检测,本实施例所公开的系统可以进一步采用能够移动待测物的承载台100和控制单元,以下将结合图3A-3B以及图5来描述本实施例所公开的系统检测透明膜状结构的表面的具体步骤。
步骤510:检测光生成单元向待测物300发射第一检测光和第二检测光,其中,第一检测光经第一表面310形成第一信号光,第二检测光自第一表面310透过待测物300并经第二表面320散射形成第二信号光。
步骤520:信号探测单元200成像式地收集第一信号光,并根据第一信号光形成第一检测信息。本步骤具体操作如下:
如图3A所示,首先,承载台100被配置为将所述待测物300移动至第一相对位置,其中,在所述第一相对位置处,光电探测器220的感光面位置221与第一表面310的第一待测位置311相互共轭。
具体地,控制单元控制承载台100相对于信号探测单元200的运动,使得待测物300与信号探测单元200具有第一相对位置。
在待测物300处于所述第一相对位置的情况下,使得第一表面310为物平面,光电探测器220处于相应的像平面。光电探测器220能够接收由信号光收集器210传送的第一信号光,并根据第一信号光形成第一检测信息。
步骤530:信号探测单元200成像式地收集第二信号光,并根据第二信号光形成第二检测信息。本步骤具体操作如下:
如图3B所示,承载台100进一步被配置为将所述待测物300移动至第二相对位置,其中,在所述第二相对位置处,所述光电探测器220的感光面位置221与第二表面320的第二待测位置321相互共轭。
具体地,控制单元控制承载台100相对于信号探测单元200的运动,使得待测物300与信号探测单元200具有第二相对位置。
在待测物300处于所述第二相对位置的情况下,使得第二表面320为物平面,光电探测器220处于相应的像平面,光电探测器220进一步被配置为接收由信号光收集器210传送的第二信号光,并根据第二信号光生成第二检测信息。
在本实施例中,与第一信号光相对应的第一检测信息以及与第二信号光相对应的第二检测信息分别与所接收的第一信号光、第二信号光的光强相关联。
步骤540:基于第一检测信息来获取第一表面310的缺陷信息,并且基于第二检测信息来获取第二表面320的缺陷信息。
在本实施例中,待测物300的表面缺陷信息包括以下信息中的一项或多项:待测物300是否存在表面缺陷,在存在表面缺陷的情况下该表面缺陷的位置、该表面缺陷的大小。
在实施例1中,信号探测单元200相对于检测光生成单元(图中未示出)的位置是固定的,也即,本实施例中的信号探测单元200仅能够收集固定高度、固定位置发出的散射光。同时,在本实施例中,经由承载台100来改变待测物300的位置,使得在两次检测中待测物300的第一表面310、第二表面320分别位于信号探测单元200收集散射光的位置,从而排除了待测物300的另一个表面对于正在检测的表面的干扰。在其他实施例中,所述信号探测单元的位置可调,可以通过调节信号探测单元的位置,使信号探测单元与待测物具有第一相对位置或第二相对位置。
实施例2
如图2、图4A-4C所示,本实施例所公开的检测系统类似于实施例1所公开的检测系统,因此,本实施例所公开的系统中相似或相同的部件在此不再赘述。此外,本实施例所公开的检测系统还包括光位移单元400,该光位移单元400被配置为使信号探测单元200在光位移单元400进出光路时分别收集第一信号光和第二信号光,或者使第一表面310和/或第二表面320的待测位置的成像位置的改变量可调。如图2所示,如果待测物300的第一表面310和第二表面320的对应位置处均存在的缺陷,则两处的缺陷产生的散射光均会被信号光收集器210收集。但是当光电探测器220被设计处于某个位置时,光电探测器220仅能够接收由第一表面310形成的散射光(例如,图2中实线所示散射光线)或仅能够接收由第二表面320形成的散射光(例如,图2中虚线所示散射光线)。
为了实现对待测物300的第一表面310和第二表面320的单独检测,本实施例所公开的系统可以采用光位移单元400实现对待测物300的相对的两个表面分别进行检测,以下将结合图4A-4C以及图5来描述本实施例所公开的系统检测透明膜状结构的表面的具体步骤。
步骤510:检测光生成单元向待测物300发射第一检测光和第二检测光,其中,第一检测光经第一表面310形成第一信号光,第二检测光自第一表面310透过待测物300并经第二表面320散射形成第二信号光。
步骤520:信号探测单元200成像式地收集第一信号光,并根据第一信号光形成第一检测信息。本步骤具体操作如下:
如图4A所示,承载台100将待测物300移动至第一相对位置,其中,在该第一相对位置处,光电探测器220的感光面位置221与第一表面310的第一待测位置311相互共轭。使得信号光收集器210能够在该第一待测位置311处收集第一检测光被第一表面310形成的第一信号光(如图4A的实线所示)。
在待测物300处于第一相对位置的情况下,光电探测器220被配置为接收由信号光收集器210传送的第一信号光(例如,图4A中的实线所示),并生成与该第一信号光相对应的第一检测信息。
或者,在步骤520之前,检测方法进一步包括:使光位移单元400进入光路,以使光电探测器220的感光面位置221与第一表面310的第一待测位置311相互共轭,以便于步骤520的执行。
步骤530:信号探测单元200成像式地收集第二信号光,并根据第二信号光形成第二检测信息。本步骤具体操作如下:
如图4A所示,信号光收集器210同时能够成像式地收集第二检测光透过待测物300经第二表面320散射形成的第二信号光(如图4A的虚线所示)。
在本发明中,当待测物300第一表面和第二表面的像位置之间的距离过小时,使得光位移单元400进入光路,使光电探测器220在光位移单元400进入光路时收集第二信号光。
如图4B所示,在待测物300处于第一相对位置的情况下,将光位移单元400优选地设置在信号光收集器210与光电探测器220之间,使得光电探测器220的感光面位置221与第二表面320的第二待测位置321相互共轭,以便光电探测器220能够基于所改变的接收路径接收由信号光收集器210传送的第二信号光(例如,图4B中的虚线所示),并生成与第二信号光相对应的第二检测信息。
在本实施例中,光位移单元400是一种由透明薄膜材料制成单个棱镜或双楔棱镜,所述双楔棱镜包括斜边平行设置的第一楔形棱镜和第二楔形棱镜,所述第一楔形棱镜和所述第二楔形棱镜的相对距离可调。并且该光位移单元400与信号光收集器210、光电探测器220之间的角度至少取决于该光位移片本身的厚度、材料的折射率以及待测物300的厚度。
可选择地,本实施例所公开的检测方法还包括:收集第一信号光和第二信号光之前分别调节光位移单元400,以便于信号探测单元200能够分别收集第一信号光和第二信号光。
具体地,调节第一楔形棱镜和第二楔形棱镜之间的距离。
在具体使用中,当检测光生成单元是点光斑生成器时,检测系统还可以包括光阑,以保证仅接收特定表面发射的散射光,从而排除非待测表面污染或缺陷散射光的影响;当检测光生成单元是线光斑生成器时,检测系统还可以包括狭缝,以保证仅接收特定表面发射的散射光,从而排除非待测表面污染或缺陷散射光的影响。此外,如图4C所示,光位移单元400还可以是一种光位移片承载单元,其上可以包括一个或多个光位移位置(例如,光位移位置410-450)以便于承载一个或多个相同或不同性质的光位移片。在实际使用中,光位移单元400可以一直设置在信号探测单元200内。
在本实施例中,光位移片承载单元还具有通光孔,该光位移片承载单元还用于使该通光孔进入光路。
具体地,在本实施例中,光位移片承载单元还具有旋转轴,使得该光位移片承载单元能够带动多个光位移片和通光孔围绕该旋转轴旋转;其中,多个光位移片和通光孔围绕该旋转轴分布。在其他实施例中,所述多个光位移片和通光孔沿平移直线排列,所述光位移片承载单元用于带动多个光位移片和通光孔沿所述平移直线平移。
具体地,在本实施例中,当信号探测单元200处于第一高度并检测待测物300的第一表面310时,可以旋转光位移单元400,使得光电探测器220经由第一光位移位置410接收第一信号光;此时,第一光位移位置410是通光孔所在位置,以便实现光电探测器220在没有光位移片的帮助下接收第一信号光。当信号探测单元200处于第一高度并检测待测物300的第二表面320时,可以旋转光位移单元400,使得光电探测器220经由例如第三光位移位置430接收第二信号光;此时,在第三光位移位置430中设置有某种光位移片,以便实现光电探测器220在该光位移片的帮助下改变接收路径来接收第二信号光。以此类推,当待测物的材料和/或折射率发生改变时,可以旋转光位移单元400来选择光位移单元400中第二光位移位置420或其他光位移位置中的光位移片来接收检测该待测物的第一表面或第二表面的信号光。从而提高本文所公开的装置的使用灵活度。
实施例1、2所公开的光位移片可选地是一种平行平板,所述光位移片可以由玻璃制成。
步骤540:基于第一检测信息来获取第一表面310的缺陷信息,并且基于第二检测信息来获取第二表面320的缺陷信息。
在本实施例中,与第一信号光相对应的第一检测信息以及与第二信号光相对应的第二检测信息分别包括所接收的第一信号光的光强、第二信号光的光强。此外,待测物300的表面缺陷信息包括以下信息中的一项或多项:所述待测物300是否存在表面缺陷,在存在所述表面缺陷的情况下所述表面缺陷的位置、所述表面缺陷的大小。
实施例1、2所公开的第一检测光和第二检测光的波长可以是相同的或不同的。待测物对第一检测光的透过率小于对第二检测光的透过率;待测物对第一检测光的反射率大于对第二检测光的反射率。
本文所公开的检测系统及方法所检测的透明膜状结构,既可以是独立存在的,也可以是紧贴在某非透明材料上(如硅晶圆上镀的透明厚膜)的。本文的实施例1、2均以全透明膜状结构为例进行说明,而针对紧贴在某非透明光滑材料上的透明膜状结构而言,大部分检测光入射至待测物所附着的材料而非由承载台反射出去。由于本发明所公开的技术方案所接收的信号光为散射光,接收通道并不包含反射光角度范围,因此,针对非透明光滑材料上的透明膜状结构的检测的实现原理及效果与全透明膜状结构一致,在此不再进行单独阐述。
本文所公开的实施例1、2均能够采用光散射法依次进行透明膜状结构相对的两个表面的缺陷检测。该系统的检测光生成单元与信号探测单元相对固定,待测物放置于承载台,检测中该承载台带动待测物按照指定轨迹以指定速度运动,使得光电探测器持续采集信号最终完成对待测物的各个位置的测量。
以上所述仅为本公开的实施例可选实施例,并不用于限制本公开的实施例,对于本领域的技术人员来说,本公开的实施例可以有各种更改和变化。凡在本公开的实施例的精神和原则之内,所作的任何修改、等效替换、改进等,均应包含在本公开的实施例的保护范围之内。
虽然已经参考若干具体实施例描述了本公开的实施例,但是应该理解,本公开的实施例并不限于所公开的具体实施例。本公开的实施例旨在涵盖在所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。所附权利要求的范围符合最宽泛的解释,从而包含所有这样的修改及等同结构和功能。
Claims (20)
1.一种检测系统,其特征在于,所述系统包括:
检测光生成单元,被配置为向待测物发射第二检测光,其中,所述待测物包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二检测光自所述第一表面透过所述待测物并经所述第二表面散射形成第二信号光;
信号探测单元,被配置为成像式收集所述第二信号光,并根据所述第二信号光生成第二检测信息;以及
处理单元,被配置为基于所述第二检测信息来获取所述第二表面的缺陷信息。
2.根据权利要求1所述的检测系统,其特征在于,
所述检测光生成单元还被配置为向所述待测物发射第一检测光,所述第一检测光经所述第一表面散射形成第一信号光;
所述信号探测单元还被配置为成像式收集所述第一信号光,并根据所述第一信号光形成第一检测信息;
所述处理单元还被配置为基于所述第一检测信息获取所述第一表面的缺陷信息。
3.根据权利要求1所述的检测系统,其特征在于,还包括承载台,所述承载台被配置为承载所述待测物;在沿第一方向上所述承载台的承载面与所述信号探测单元之间的距离可调,所述第一方向与所述信号探测单元的光轴不垂直。
4.根据权利要求3所述的检测系统,其特征在于,还包括控制单元,所述控制单元被配置为控制所述承载台与所述信号探测单元之间的相对运动;
所述控制单元进一步被配置为使所述待测物与所述信号探测单元具有第一相对位置,其中,在所述第一相对位置处,所述信号探测单元的感光面位置与所述第一表面的待测位置相互共轭;和/或
所述控制单元进一步被配置为使所述待测物与所述信号探测单元具有第二相对位置,其中,在所述第二相对位置处,所述信号探测单元的感光面位置与所述第二表面的待测位置相互共轭。
5.根据权利要求2所述的检测系统,其特征在于,所述系统进一步包括:
光位移单元,被配置为改变所述第一表面和/或所述第二表面的待测位置的成像位置。
6.根据权利要求5所述的检测系统,其特征在于,所述信号探测单元包括:信号光收集器和光电探测器,所述信号光收集器被配置为分别收集所述第一信号光和所述第二信号光,并使所述第一信号光或所述第二信号光经由所述光位移单元汇聚至所述光电探测器。
7.根据权利要求5所述的检测系统,其特征在于,
所述光位移单元进一步被配置为使所述信号探测单元在所述光位移单元进出光路时分别收集所述第一信号光和所述第二信号光;或者
所述光位移单元进一步被配置为使所述第一表面和/或所述第二表面的待测位置的成像位置的改变量可调。
8.根据权利要求5所述的检测系统,其特征在于,所述光位移单元包括单个棱镜或双楔棱镜,所述双楔棱镜包括斜边平行设置的第一楔形棱镜和第二楔形棱镜。
9.根据权利要求8所述的检测系统,其特征在于,所述第一楔形棱镜和所述第二楔形棱镜的相对距离可调。
10.根据权利要求5所述的检测系统,其特征在于,所述光位移单元包括光位移片承载单元和位于所述光位移片承载单元的多个光位移片,所述多个光位移片对所述第一信号光或所述第二信号光传播方向的改变量不同,所述光位移片承载单元被配置使不同的光位移片进入光路。
11.根据权利要求10所述的检测系统,其特征在于,所述光位移片承载单元还具有通光孔,所述光位移片承载单元还用于使所述通光孔进入光路。
12.根据权利要求2所述的检测系统,其特征在于,所述第一检测光和所述第二检测光的波长相同或不同。
13.根据权利要求6所述的检测系统,其特征在于,所述检测光生成单元是点光斑生成器或线光斑生成器,并且在所述检测光生成单元是点光斑生成器的情况下,所述光电探测器是光功率计;在所述检测光生成单元是线光斑生成器的情况下,所述光电探测器是线探测器。
14.根据权利要求1所述的检测系统,其特征在于,所述第二检测信息包括所述第二信号光的光强;
所述待测物的表面缺陷信息包括以下信息中的一项或多项:所述待测物是否存在表面缺陷,在存在所述表面缺陷的情况下所述表面缺陷的大小。
15.一种检测方法,其特征在于,所述方法包括:
向待测物发射第二检测光,其中,所述待测物包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二检测光自所述第一表面透过所述待测物并经所述第二表面散射形成第二信号光;
成像式收集所述第二信号光,并根据所述第二信号光生成第二检测信息;以及
基于所述第二检测信息来获取所述第二表面的缺陷信息。
16.根据权利要求15所述的检测方法,其特征在于,所述方法进一步包括:
向所述待测物发射第一检测光,所述第一检测光经所述第一表面散射形成第一信号光;
成像式收集所述第一信号光,并根据所述第一信号光形成第一检测信息;以及
基于所述第一检测信息来获取所述第一表面的缺陷信息。
17.根据权利要求16所述的检测方法,其特征在于,在向待测物发射第一检测光之前,所述方法进一步包括:
使所述待测物与所述信号探测单元处于第一相对位置,其中,在所述第一相对位置处,所述信号探测单元的感光面位置与所述第一表面的待测位置相互共轭。
18.根据权利要求15所述的检测方法,其特征在于,在向待测物发射第二检测光之前,所述方法进一步包括:
使所述待测物与所述信号探测单元处于第二相对位置,其中,在所述第二相对位置处,所述信号探测单元的感光面位置与所述第二表面的待测位置相互共轭。
19.根据权利要求16所述的检测方法,其特征在于,
成像式收集所述第一信号光之前,所述方法包括:使光位移单元进入光路,并且成像式收集所述第二信号光之前,所述方法包括:使所述光位移单元移出光路;或者
成像式收集所述第二信号光之前,所述方法包括:使所述光位移单元进入光路;
所述检测方法进一步包括:收集所述第一信号光和所述第二信号光之前分别对所述光位移单元进行调节,使所述信号探测单元分别收集所述第一信号光和所述第二信号光。
20.根据权利要求19所述的检测方法,其特征在于,所述光位移单元为双楔棱镜,所述双楔棱镜包括斜边平行设置的第一楔形棱镜和第二楔形棱镜,其中,所述第一楔形棱镜和所述第二楔形棱镜的相对距离可调;
收集所述第一信号光和第二信号光之前分别对所述光位移单元进行调节的步骤包括:
调节所述第一楔形棱镜和所述第二楔形棱镜之间的距离。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910892194.3A CN112540082A (zh) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | 检测系统及检测方法 |
PCT/CN2020/116188 WO2021052463A1 (zh) | 2019-09-20 | 2020-09-18 | 检测系统及检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201910892194.3A CN112540082A (zh) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | 检测系统及检测方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112540082A true CN112540082A (zh) | 2021-03-23 |
Family
ID=75012615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910892194.3A Pending CN112540082A (zh) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | 检测系统及检测方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112540082A (zh) |
Citations (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW492244B (en) * | 2000-12-30 | 2002-06-21 | Ind Tech Res Inst | Apparatus and method for enhancing the image resolution by displacement-perturbed modulation |
JP2004327660A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US20060152716A1 (en) * | 2001-03-26 | 2006-07-13 | Meeks Steven W | Double sided optical inspection of thin film disks or wafers |
CN2812292Y (zh) * | 2005-07-12 | 2006-08-30 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪 |
US7274445B1 (en) * | 2005-03-11 | 2007-09-25 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Confocal scatterometer and method for single-sided detection of particles and defects on a transparent wafer or disk |
US20080013076A1 (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Surface Inspection Method and Surface Inspection Apparatus |
CN101526746A (zh) * | 2009-01-07 | 2009-09-09 | 上海微电子装备有限公司 | 可调整零平面位置的垂向测量系统 |
JP2010249965A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Japan Aerospace Exploration Agency | 光学素子を用いた異焦点画像の撮影方法、及びその装置 |
US20110075148A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Surface defect inspection method and apparatus |
CN201876608U (zh) * | 2010-10-22 | 2011-06-22 | 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 | 一种采用双光楔调焦的红外光学系统 |
CN102759533A (zh) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆检测方法以及晶圆检测装置 |
JP2012220903A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2013164281A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
CN103913857A (zh) * | 2014-04-01 | 2014-07-09 | 深圳市艾格莱光电科技有限公司 | 一种光隔离方法及装置 |
CN105043612A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-11-11 | 清华大学 | 一种光学材料应力测量系统 |
US20160041092A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for inspecting defects |
US20160327494A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-10 | Nanoprotech Co., Ltd. | Upper Surface Foreign Material Detecting Device of Ultra-Thin Transparent Substrate |
CN106363306A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-02-01 | 清华大学 | 一种喷油嘴喷孔的加工方法及系统 |
US20170184511A1 (en) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus and Method for Performing a Measurement |
US20180038803A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Kla-Tencor Corporation | Surface Defect Inspection With Large Particle Monitoring And Laser Power Control |
CN107884318A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-06 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种平板颗粒度检测方法 |
CN108507909A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种平板颗粒度检测装置 |
CN109459438A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-03-12 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种缺陷检测设备及方法 |
CN209028014U (zh) * | 2018-08-21 | 2019-06-25 | 深圳中科飞测科技有限公司 | 检测系统 |
-
2019
- 2019-09-20 CN CN201910892194.3A patent/CN112540082A/zh active Pending
Patent Citations (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW492244B (en) * | 2000-12-30 | 2002-06-21 | Ind Tech Res Inst | Apparatus and method for enhancing the image resolution by displacement-perturbed modulation |
US20060152716A1 (en) * | 2001-03-26 | 2006-07-13 | Meeks Steven W | Double sided optical inspection of thin film disks or wafers |
JP2004327660A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US7274445B1 (en) * | 2005-03-11 | 2007-09-25 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Confocal scatterometer and method for single-sided detection of particles and defects on a transparent wafer or disk |
CN2812292Y (zh) * | 2005-07-12 | 2006-08-30 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪 |
US20080013076A1 (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Surface Inspection Method and Surface Inspection Apparatus |
CN101526746A (zh) * | 2009-01-07 | 2009-09-09 | 上海微电子装备有限公司 | 可调整零平面位置的垂向测量系统 |
JP2010249965A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Japan Aerospace Exploration Agency | 光学素子を用いた異焦点画像の撮影方法、及びその装置 |
US20110075148A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Surface defect inspection method and apparatus |
CN201876608U (zh) * | 2010-10-22 | 2011-06-22 | 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 | 一种采用双光楔调焦的红外光学系统 |
JP2012220903A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Canon Inc | 撮像装置 |
CN102759533A (zh) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆检测方法以及晶圆检测装置 |
JP2013164281A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
CN103913857A (zh) * | 2014-04-01 | 2014-07-09 | 深圳市艾格莱光电科技有限公司 | 一种光隔离方法及装置 |
US20160041092A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for inspecting defects |
US20160327494A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-10 | Nanoprotech Co., Ltd. | Upper Surface Foreign Material Detecting Device of Ultra-Thin Transparent Substrate |
CN105043612A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-11-11 | 清华大学 | 一种光学材料应力测量系统 |
US20170184511A1 (en) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus and Method for Performing a Measurement |
US20180038803A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Kla-Tencor Corporation | Surface Defect Inspection With Large Particle Monitoring And Laser Power Control |
CN107884318A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-06 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种平板颗粒度检测方法 |
CN106363306A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-02-01 | 清华大学 | 一种喷油嘴喷孔的加工方法及系统 |
CN108507909A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种平板颗粒度检测装置 |
CN209028014U (zh) * | 2018-08-21 | 2019-06-25 | 深圳中科飞测科技有限公司 | 检测系统 |
CN109459438A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-03-12 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种缺陷检测设备及方法 |
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