JP5132982B2 - パターン欠陥検査装置および方法 - Google Patents
パターン欠陥検査装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5132982B2 JP5132982B2 JP2007121741A JP2007121741A JP5132982B2 JP 5132982 B2 JP5132982 B2 JP 5132982B2 JP 2007121741 A JP2007121741 A JP 2007121741A JP 2007121741 A JP2007121741 A JP 2007121741A JP 5132982 B2 JP5132982 B2 JP 5132982B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- illumination
- light
- wafer
- defect
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4704—Angular selective
- G01N2021/4711—Multiangle measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
図1は、本発明の第1の実施形態が適用されたパターン欠陥検査装置の概略構成図である。以下、本発明を半導体ウエハの検査に適用した場合を例として説明する。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。この第2の実施形態は、第1の実施形態である欠陥検査装置の照明手段3及び4の構成が異なるものであり、他の構成は同等であるため、その詳細な説明は省略する。
つまり、本発明の第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な効果を得ることができる他、欠陥検査装置の装置構成を小型化することができるという効果がある。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。この第3の実施形態は、第1の実施形態である欠陥検査装置の照明手段3の構成が異なるものであり、他の構成は同等であるため、その詳細な説明は省略する。
次に、図15乃至図17を参照して、本発明の第4の実施形態について説明する。この第4の実施形態は、第1の実施形態における多方向照明手段5と構成が異なるものであり、その他の構成は第1の実施形態と同等となっている。
次に、図18を参照して、本発明の第5の実施形態について説明する。この第5の実施形態は、第1の実施形態における複数領域検出部7の構成が異なるものであり、その他の構成は第1の実施形態と同等となっている。
次に、図19を参照して、本発明の第6の実施形態について説明する。この第6の実施形態は、第1の実施形態に光量評価部3901を追加した(ADC部9は省略している)例であり、その他の構成は第1の実施形態と同等となっている。
次に、図20を参照して、本発明の第7の実施形態について説明する。この第7の実施形態は、第1の実施形態にビームスプリッタ4001、4003、フーリエ変換像観察ユニット4002、4004、フーリエ変換像解析部4005を追加した(ADC部9は省略)例である。そして、この第7の実施形態は、ビームスプリッタ701で分岐された2個の光路のうち、一方でフーリエ変換像を撮像、空間フィルタの条件の決定を行ない、他方の光路で欠陥検出を行う例である。なお、第2の実施形態と同様に、検出器3902および検出器3903は検出器702と同じものである。さらに、その他の構成は第1の実施形態と同等となっている。
次に、図21〜図25を参照して、本発明の第8の実施形態について説明する。この第8の実施形態は、第1〜7の実施形態である欠陥検査装置にウエハ1のベベル部を検査する構成を追加した例である。ここで、ベベル部とは、図22に示したウエハ1の断面図の端面部であり、概ねウエハ1のエッジから3mm程度の範囲である。
Claims (2)
- 試料面上の欠陥を検査する欠陥検査装置において、
試料を固定し、移動する搬送手段と、
試料面上の2つの照明領域を照明する照明手段と、
上記照明手段で照明された上記試料面の2つの照明領域の光学像を単一の対物レンズで集光し、集光した2つの照明の光学像からの光の光路を各々の照明領域の光学像からの光に分岐し、分岐した光路のそれぞれの光を複数の結像レンズで結像する結像手段と、
上記結像手段で結像させた光学像を検出して上記試料面からの反射光を検出する2つの検出手段と、
上記2つの検出手段で検出された反射光を処理して上記試料面上の欠陥を検出する欠陥検出手段と、
上記搬送手段、上記照明手段、上記2つの検出手段、及び上記欠陥検出手段の動作を制御するコントローラと、
を備え、上記コントローラは、上記搬送手段、上記照明手段及び上記欠陥検出手段を制御して、上記試料上の2つの照明領域を照射し、上記試料面上のほぼ同一領域を異なるタイミングで照明し、上記2つの検出手段が互いに異なるタイミングで上記同一領域から反射光を検出して得られた検出信号を平均化し、この平均化した信号に基づいて、上記同一領域の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項1記載の欠陥検査装置において、上記照明手段は、照明条件が互いに異なる複数の照明手段であり、互いに異なる照明角度で上記試料面上の領域を照明することを特徴とする欠陥検査装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007121741A JP5132982B2 (ja) | 2007-05-02 | 2007-05-02 | パターン欠陥検査装置および方法 |
US12/113,781 US7746453B2 (en) | 2007-05-02 | 2008-05-01 | Pattern defect inspection apparatus and method |
US12/781,682 US8233145B2 (en) | 2007-05-02 | 2010-05-17 | Pattern defect inspection apparatus and method |
US13/535,955 US8467048B2 (en) | 2007-05-02 | 2012-06-28 | Pattern defect inspection apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007121741A JP5132982B2 (ja) | 2007-05-02 | 2007-05-02 | パターン欠陥検査装置および方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008275540A JP2008275540A (ja) | 2008-11-13 |
JP5132982B2 true JP5132982B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=39939291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007121741A Expired - Fee Related JP5132982B2 (ja) | 2007-05-02 | 2007-05-02 | パターン欠陥検査装置および方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7746453B2 (ja) |
JP (1) | JP5132982B2 (ja) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102203590A (zh) * | 2008-11-04 | 2011-09-28 | 株式会社尼康 | 表面检查装置 |
JP5301293B2 (ja) * | 2009-01-08 | 2013-09-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
US8223327B2 (en) | 2009-01-26 | 2012-07-17 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
US8605275B2 (en) | 2009-01-26 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
JP2010190722A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US20120167663A1 (en) * | 2009-07-17 | 2012-07-05 | Continental Engineering Services Gmbh | Laser-based method for friction coefficient classification in motor vehicles |
JP5602530B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2014-10-08 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 目視検査装置及び目視検査用映像の作成方法 |
US8440969B2 (en) | 2010-08-02 | 2013-05-14 | Omniprobe, Inc. | Method and apparatus for acquiring simultaneous and overlapping optical and charged particle beam images |
SG190678A1 (en) | 2010-12-16 | 2013-07-31 | Kla Tencor Corp | Wafer inspection |
JP2012132791A (ja) | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
US9001327B2 (en) * | 2011-02-15 | 2015-04-07 | Kla-Tencor Corporation | Composite polarizer with adjustable polarization angles |
JP5963453B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2016-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置 |
US20120327410A1 (en) * | 2011-06-23 | 2012-12-27 | Cvg Management Corporation | Non-contact media detection system using reflection/absoption spectroscopy |
US9279774B2 (en) * | 2011-07-12 | 2016-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection |
US8755044B2 (en) * | 2011-08-15 | 2014-06-17 | Kla-Tencor Corporation | Large particle detection for multi-spot surface scanning inspection systems |
CN102353697B (zh) * | 2011-08-31 | 2015-04-29 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 在线测评缺陷的方法 |
JP5865738B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2016-02-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
TW201346286A (zh) * | 2012-05-10 | 2013-11-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 光電轉換晶片測試裝置及測試方法 |
US9128064B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-09-08 | Kla-Tencor Corporation | Super resolution inspection system |
US9947813B2 (en) * | 2012-07-27 | 2018-04-17 | Zfx Gmbh | System and method for illuminating a sample and collecting light reflected from the sample |
JP5944850B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2016-07-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びこれを用いた装置 |
US9008410B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-04-14 | Kla-Tencor Corporation | Single die inspection on a dark field inspection tool |
JP6252598B2 (ja) * | 2013-12-09 | 2017-12-27 | 株式会社ニコン | 光学装置、測定装置、測定方法、スクリーニング装置及びスクリーニング方法 |
WO2015127547A1 (en) * | 2014-02-27 | 2015-09-03 | Walter Surface Technologies Inc. | Industrial cleanliness measurement methodology |
US10234395B2 (en) | 2014-09-12 | 2019-03-19 | Seagate Technology Llc | Raman apparatus and methods |
JP6493136B2 (ja) * | 2015-10-06 | 2019-04-03 | 株式会社Sumco | ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置 |
CN113063755A (zh) | 2015-11-17 | 2021-07-02 | 韩国科学技术院 | 利用混沌波传感器的样品特性探测装置 |
US9770808B2 (en) * | 2016-01-12 | 2017-09-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing pads |
US20170244904A1 (en) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | The Boeing Company | Optical monitoring system and method for imaging a component under test |
WO2017163318A1 (ja) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
KR101739696B1 (ko) * | 2016-07-13 | 2017-05-25 | 서장일 | 재질인식 조명 시스템 및 이를 이용한 재질인식 방법 |
JP6544313B2 (ja) * | 2016-07-28 | 2019-07-17 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 読取モジュール及びそれを備えた画像読取装置並びに画像形成装置 |
KR102650388B1 (ko) | 2016-11-23 | 2024-03-25 | 삼성전자주식회사 | 검사 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
RU174673U1 (ru) * | 2017-04-13 | 2017-10-25 | Юрий Николаевич Драгошанский | Устройство для оптического мониторинга поверхностей твёрдых тел |
US10955361B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-03-23 | Hitachi High-Tech Corporation | Defect inspection apparatus and pattern chip |
WO2019147730A1 (en) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | Corning Incorporated | Apparatus and methods for inspecting damage intensity |
US11143600B2 (en) | 2018-02-16 | 2021-10-12 | Hitachi High-Tech Corporation | Defect inspection device |
US10705026B2 (en) * | 2018-10-26 | 2020-07-07 | Kla Corporation | Scanning differential interference contrast in an imaging system design |
CN111326433B (zh) * | 2018-12-17 | 2024-01-19 | 紫创(南京)科技有限公司 | 半导体检测装置及检测方法 |
KR102055310B1 (ko) * | 2019-03-15 | 2019-12-13 | 주식회사 더웨이브톡 | 혼돈파 센서를 이용한 항생제 적합성 검사 장치 |
US20210097674A1 (en) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Ford Global Technologies, Llc | System for identifying and correcting irregularities of the surfaces of an object |
WO2021205650A1 (ja) * | 2020-04-10 | 2021-10-14 | 株式会社日立ハイテク | 照明光学系および基板検査装置 |
CN112767398B (zh) * | 2021-04-07 | 2021-08-06 | 高视科技(苏州)有限公司 | 晶圆缺陷的检测方法及装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0656294B2 (ja) * | 1985-03-18 | 1994-07-27 | 株式会社日立製作所 | 多層パターン欠陥検出方法及びその装置 |
JPH0781956B2 (ja) * | 1985-10-16 | 1995-09-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体用基板上の異物検出装置 |
JPS62153737A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Toshiba Corp | 物品表面検査装置 |
JPS6417024A (en) | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Seiko Epson Corp | Active device |
JPH0786465B2 (ja) * | 1987-10-30 | 1995-09-20 | 株式会社日立製作所 | 異物検出方法及び装置 |
US5046847A (en) * | 1987-10-30 | 1991-09-10 | Hitachi Ltd. | Method for detecting foreign matter and device for realizing same |
JPH04152545A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Hitachi Ltd | 異物検査方法 |
JPH04279846A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-05 | Fujitsu Ltd | 光学式検査装置 |
US6411377B1 (en) * | 1991-04-02 | 2002-06-25 | Hitachi, Ltd. | Optical apparatus for defect and particle size inspection |
JPH05218163A (ja) * | 1991-12-11 | 1993-08-27 | Hitachi Ltd | 異物検査方法及びその装置 |
JPH05340725A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-21 | Fujitsu Ltd | 外観検査装置 |
JPH0855889A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Kiyousera Opt Kk | 画像結合装置 |
JP3279868B2 (ja) * | 1995-05-26 | 2002-04-30 | 株式会社日立製作所 | 被検査パターンの欠陥検査方法及びその装置 |
US5798829A (en) * | 1996-03-05 | 1998-08-25 | Kla-Tencor Corporation | Single laser bright field and dark field system for detecting anomalies of a sample |
US6175645B1 (en) * | 1998-01-22 | 2001-01-16 | Applied Materials, Inc. | Optical inspection method and apparatus |
JPH11258157A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 異物検査装置 |
US5917602A (en) * | 1998-04-30 | 1999-06-29 | Inex Inc. | System and method for image acquisition for inspection of articles on a moving conveyor |
JP3566589B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2004-09-15 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2001343336A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US6552783B1 (en) * | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Teradyne, Inc. | Optical system |
JP4183492B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2008-11-19 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
JP2005156516A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
US7286218B2 (en) * | 2004-12-19 | 2007-10-23 | Kla-Tencor Technologies Corporation | System and method for inspecting a workpiece surface using surface structure spatial frequencies |
US7489393B2 (en) * | 2005-03-02 | 2009-02-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Enhanced simultaneous multi-spot inspection and imaging |
US7602488B2 (en) * | 2006-06-12 | 2009-10-13 | Neptec Optical Solutions, Inc. | High-speed, rugged, time-resolved, raman spectrometer for sensing multiple components of a sample |
JP4931502B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2012-05-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査方法及び検査装置 |
-
2007
- 2007-05-02 JP JP2007121741A patent/JP5132982B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-05-01 US US12/113,781 patent/US7746453B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-05-17 US US12/781,682 patent/US8233145B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-28 US US13/535,955 patent/US8467048B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8467048B2 (en) | 2013-06-18 |
US8233145B2 (en) | 2012-07-31 |
US20100225903A1 (en) | 2010-09-09 |
JP2008275540A (ja) | 2008-11-13 |
US7746453B2 (en) | 2010-06-29 |
US20080273193A1 (en) | 2008-11-06 |
US20120268734A1 (en) | 2012-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5132982B2 (ja) | パターン欠陥検査装置および方法 | |
TWI656338B (zh) | 暗場系統中之時間延遲積分感測器 | |
US8134699B2 (en) | Illumination system for optical inspection | |
US6400454B1 (en) | Apparatus and method for inspector defects | |
US6819416B2 (en) | Defect inspection method and apparatus therefor | |
US8427634B2 (en) | Defect inspection method and apparatus | |
JP5171744B2 (ja) | 欠陥検査方法およびその装置 | |
JP4564910B2 (ja) | ウェハ欠陥検査方法および装置 | |
US8416292B2 (en) | Defect inspection apparatus and method | |
US20060012780A1 (en) | Method and apparatus for inspecting pattern defects | |
JP4521240B2 (ja) | 欠陥観察方法及びその装置 | |
US7265900B2 (en) | Inspection system with oblique viewing angle | |
JP2005283190A (ja) | 異物検査方法及びその装置 | |
KR101445463B1 (ko) | 결함 검사 방법 및 그 장치 | |
WO2011010425A1 (ja) | パターン欠陥検査装置および方法 | |
US7924517B2 (en) | Spatial filter, a system and method for collecting light from an object | |
TW201312099A (zh) | 圖案檢查裝置及方法 | |
JP4637642B2 (ja) | パターン間の欠陥検査装置および方法 | |
JP2012068261A (ja) | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
JP2006098156A (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
JP2010230611A (ja) | パターン欠陥検査装置および方法 | |
JP2021167794A (ja) | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、散乱光検出系 | |
JP2011141135A (ja) | 表面検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110613 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111003 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120321 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120619 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120807 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121106 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121107 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |