JPH0781956B2 - 半導体用基板上の異物検出装置 - Google Patents
半導体用基板上の異物検出装置Info
- Publication number
- JPH0781956B2 JPH0781956B2 JP60228637A JP22863785A JPH0781956B2 JP H0781956 B2 JPH0781956 B2 JP H0781956B2 JP 60228637 A JP60228637 A JP 60228637A JP 22863785 A JP22863785 A JP 22863785A JP H0781956 B2 JPH0781956 B2 JP H0781956B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foreign matter
- stage
- semiconductor substrate
- detected
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体LSIウェハ、特にLSI製造中間工程での
パターン付ウエハ等の半導体用基板上に生じる微小異物
を高感度で、且つ高信頼度で検出するのに好適な半導体
用基板上の異物検出装置に関する。
パターン付ウエハ等の半導体用基板上に生じる微小異物
を高感度で、且つ高信頼度で検出するのに好適な半導体
用基板上の異物検出装置に関する。
従来のウェハ上の異物検査装置では、（ｉ）レーザ光の
一次元高速走査と試料の並進低速移動の組合せや、（i
i）試料の高速回転と並進低速移動との組合せによるら
線状走査を用いて、試料全面の走査・検出を行なってい
る。又、特開昭57-80546号公報記載の従来技術では、自
己走査型一次元光電変換素子アレイの電気的走査と試料
低速移動を組合せて上記（ｉ）と同等の走査を実現して
いる。更に、最新半導体工場自動化システム総合技術集
成、第７節評化システムに記載の従来技術では、試料ウ
ェハの半径位置に自己走査型一次元光電変換素子アレイ
を配置し、これと試料の回転移動とを組合せて上記（i
i）と同等の走査を実現している。
一次元高速走査と試料の並進低速移動の組合せや、（i
i）試料の高速回転と並進低速移動との組合せによるら
線状走査を用いて、試料全面の走査・検出を行なってい
る。又、特開昭57-80546号公報記載の従来技術では、自
己走査型一次元光電変換素子アレイの電気的走査と試料
低速移動を組合せて上記（ｉ）と同等の走査を実現して
いる。更に、最新半導体工場自動化システム総合技術集
成、第７節評化システムに記載の従来技術では、試料ウ
ェハの半径位置に自己走査型一次元光電変換素子アレイ
を配置し、これと試料の回転移動とを組合せて上記（i
i）と同等の走査を実現している。
しかし、上記従来技術の方法は、試料上にレーザ光を照
射し、その散乱光を検出しているため、パターンが生成
されたウェハでは、異物と同時にパターンも検出されて
しまい、パターン付ウェハには適用できないという不都
合がある。
射し、その散乱光を検出しているため、パターンが生成
されたウェハでは、異物と同時にパターンも検出されて
しまい、パターン付ウェハには適用できないという不都
合がある。
LSI製造の中間工程でのパターン付ウェハ上の異物検査
作業は、製品歩留り向上、信頼性向上の為に不可欠であ
る。この作業の自動化は、特開昭55-149829号の他、特
開昭54-101390号、55-94145号、56-30630号等の一連の
公開特許公報に示されている様に、偏光を利用した検出
方法により実現されている。この原理を第８図〜第14図
を用いて説明する。
作業は、製品歩留り向上、信頼性向上の為に不可欠であ
る。この作業の自動化は、特開昭55-149829号の他、特
開昭54-101390号、55-94145号、56-30630号等の一連の
公開特許公報に示されている様に、偏光を利用した検出
方法により実現されている。この原理を第８図〜第14図
を用いて説明する。
第８図に示す如く、照明光４をウェハ１表面に対して傾
斜角度φで照射したのみでは、パターン２と異物３から
同時に散乱光５と散乱光６が発生するので、パターン２
と異物３とを弁別して検出することはできない。そこで
照明光４として、偏光レーザ光を使用し、異物３のみを
検出する工夫を行なっている。
斜角度φで照射したのみでは、パターン２と異物３から
同時に散乱光５と散乱光６が発生するので、パターン２
と異物３とを弁別して検出することはできない。そこで
照明光４として、偏光レーザ光を使用し、異物３のみを
検出する工夫を行なっている。
第９図に示す如く、ウェハ１上に存在するパターン２に
Ｓ偏光レーザ光４を照射する。（ここでレーザ光４の電
気ベクトル10がウェハ表面に平行な場合をＳ偏光レーザ
照明と呼ぶ。）一般に、パターン２の表面凹凸は微視的
に見ると照明光の波長に比べ十分小さく、光学的に滑ら
かであるので、その反射光５もＳ偏光成分11が保たれ
る。従って、Ｓ偏光遮光の検光子13を反射光５の光路中
に挿入すれば、反射光５は遮光され、光電変換素子７に
は到達しない。一方、第10図に示す如く、異物３からの
散乱光６にはＳ偏光成分に加えて、Ｐ偏光成分12も含ま
れる。これは、異物３表面は粗く、偏光が解消される結
果、Ｐ偏光成分12が発生するからである。従って、検光
子13を通過するＰ偏光成分14を光電変換素子７により検
出すれば異物３の検出が可能となる。
Ｓ偏光レーザ光４を照射する。（ここでレーザ光４の電
気ベクトル10がウェハ表面に平行な場合をＳ偏光レーザ
照明と呼ぶ。）一般に、パターン２の表面凹凸は微視的
に見ると照明光の波長に比べ十分小さく、光学的に滑ら
かであるので、その反射光５もＳ偏光成分11が保たれ
る。従って、Ｓ偏光遮光の検光子13を反射光５の光路中
に挿入すれば、反射光５は遮光され、光電変換素子７に
は到達しない。一方、第10図に示す如く、異物３からの
散乱光６にはＳ偏光成分に加えて、Ｐ偏光成分12も含ま
れる。これは、異物３表面は粗く、偏光が解消される結
果、Ｐ偏光成分12が発生するからである。従って、検光
子13を通過するＰ偏光成分14を光電変換素子７により検
出すれば異物３の検出が可能となる。
ここでパターン反射光は、第８図に示す様に、レーザ光
４に対してパターン２の長手方向となす角度が直角の場
合には、反射光５は検光子13により完全に遮光される
が、この角度が直角と異なる場合は完全には遮光されな
い。この考察は計測自動制御学会論文集Vol.17,NO.2,P2
32〜P242,1981に述べられている。これによれば、この
角度が直角より±30°以内の範囲のパターンからの反射
光のみが、ウェハ上方に設置した対物レンズに入射する
ので、この範囲のパターン反射光５は検光子13により完
全には遮光されないが、その強度は２〜３μｍの異物か
らの散乱光と弁別できる程度に小さいので実用上問題と
ならない。
４に対してパターン２の長手方向となす角度が直角の場
合には、反射光５は検光子13により完全に遮光される
が、この角度が直角と異なる場合は完全には遮光されな
い。この考察は計測自動制御学会論文集Vol.17,NO.2,P2
32〜P242,1981に述べられている。これによれば、この
角度が直角より±30°以内の範囲のパターンからの反射
光のみが、ウェハ上方に設置した対物レンズに入射する
ので、この範囲のパターン反射光５は検光子13により完
全には遮光されないが、その強度は２〜３μｍの異物か
らの散乱光と弁別できる程度に小さいので実用上問題と
ならない。
ここで、偏光レーザ光４の傾斜角度φは１〜３°程度に
設定している。これは以下に示す理由による。第11図に
示す実験では、Ｓ偏光レーザ４に対する２μｍ異物散乱
光の検光子13通過成分14の強度ＶS（第13図）と、パタ
ーン反射光５の検光子通過成分強度ＶP（第14図）を対
物レンズ９（倍率40×,N・Ａ＝0.55）を用いて測定し
た。実験結果を第12図に示す。これはレーザ傾斜角度φ
を横軸にとり、異物・パターンの弁別比VS／VPをプロッ
トしたものである。同図より傾斜角度φが５°以下の場
合にVSはVPと容易に弁別できるので、安定な異物検出が
可能となる。又、設計的な事柄を考慮すると、φ＝１°
〜３°が最適である。
設定している。これは以下に示す理由による。第11図に
示す実験では、Ｓ偏光レーザ４に対する２μｍ異物散乱
光の検光子13通過成分14の強度ＶS（第13図）と、パタ
ーン反射光５の検光子通過成分強度ＶP（第14図）を対
物レンズ９（倍率40×,N・Ａ＝0.55）を用いて測定し
た。実験結果を第12図に示す。これはレーザ傾斜角度φ
を横軸にとり、異物・パターンの弁別比VS／VPをプロッ
トしたものである。同図より傾斜角度φが５°以下の場
合にVSはVPと容易に弁別できるので、安定な異物検出が
可能となる。又、設計的な事柄を考慮すると、φ＝１°
〜３°が最適である。
ここで、レーザ光源15を左右から２個用いているのは、
異物性を有する散乱光を発生する異物に対して安定な検
出を可能とする目的からである。
異物性を有する散乱光を発生する異物に対して安定な検
出を可能とする目的からである。
次に、この検出原理を用いた異物検査方法を第15図〜第
18図で説明する。
18図で説明する。
第15図に示す様に、検出範囲を制限する為にスリット８
を使用結像面に設ける。これによりスリット８の開口部
の試料上への投影面積8aの範囲内の散乱光のみが一度に
検出されるので、この面積内でのパターン反射光Ｐ成分
の積算強度14Pに比べて異物散乱光Ｐ成分14dが十分大き
ければ、異物３が安定に検出できる。故に、この面積8a
を、検出すべき異物の大きさ（２〜３μｍ）と同程度の
大きさにすれば、検出感度が最適となる。しかし、第16
図に示す様に、面積が小さいとそれだけ走査回数が多く
なり、長時間の検査時間を要する。逆に開口面積8aを大
きくすると、短時間に検査できるが、検出感度が劣化す
る結果となる。この様子を第17図，第18図を用いて説明
する。
を使用結像面に設ける。これによりスリット８の開口部
の試料上への投影面積8aの範囲内の散乱光のみが一度に
検出されるので、この面積内でのパターン反射光Ｐ成分
の積算強度14Pに比べて異物散乱光Ｐ成分14dが十分大き
ければ、異物３が安定に検出できる。故に、この面積8a
を、検出すべき異物の大きさ（２〜３μｍ）と同程度の
大きさにすれば、検出感度が最適となる。しかし、第16
図に示す様に、面積が小さいとそれだけ走査回数が多く
なり、長時間の検査時間を要する。逆に開口面積8aを大
きくすると、短時間に検査できるが、検出感度が劣化す
る結果となる。この様子を第17図，第18図を用いて説明
する。
第17図ではウェハ表面の平面図（ａ）と断面図（ｂ）を
示す。パターン２にはパターンの僅かな凹みや、レーザ
光４の照射方向に対して直角以外の角度を有する個所が
あり、この個所の各々から僅かな散乱光Ｐ成分14pが発
生する。一方0.5〜２μｍ程度の大きさの小異物3aと２
μｍ以上の大異物3bからは、上記パターン個所の各々に
比べて大きな強度のＰ成分14dが発生する。
示す。パターン２にはパターンの僅かな凹みや、レーザ
光４の照射方向に対して直角以外の角度を有する個所が
あり、この個所の各々から僅かな散乱光Ｐ成分14pが発
生する。一方0.5〜２μｍ程度の大きさの小異物3aと２
μｍ以上の大異物3bからは、上記パターン個所の各々に
比べて大きな強度のＰ成分14dが発生する。
第18図に開口8aが試料上を走査した場合の光電変換素子
７の信号出力を示す。同図（ａ）ではＰ成分14p及び14d
の試料上の分布を示す。この分布上を開口8aが走査する
と、同図（ｂ）に示す出力を得る。この例では小異物3a
とパターン２のエッジからの出力が同一であるので、破
線で示す閾値はこの出力より高い位置に設定せざるを得
ない。この結果、欠陥信号は大異物のみの検出に限定さ
れるという課題を有していた。
７の信号出力を示す。同図（ａ）ではＰ成分14p及び14d
の試料上の分布を示す。この分布上を開口8aが走査する
と、同図（ｂ）に示す出力を得る。この例では小異物3a
とパターン２のエッジからの出力が同一であるので、破
線で示す閾値はこの出力より高い位置に設定せざるを得
ない。この結果、欠陥信号は大異物のみの検出に限定さ
れるという課題を有していた。
第19図に示す様に、ウェハ上にはテストパターン16aや
アライメントパターン16bが存在している。テストパタ
ーン16aは回路パターンのでき具合をチェックするため
のものであり、アライメントパターン16bはマスクアラ
イメント用のパターンである。これらは通常の回路パタ
ーン17に比べて細くなっていたり、著しく高いパターン
段差を有している。異物と紛らわしい形状をしているも
のがあり、上記異物検出限界はこれらのテストパターン
やアライメントパターンにより決定される。これらは回
路パターン17外にあり、その機能はLSI本来の機能とは
異なる為厳密な異物検査を行なう必要はないが、これら
が存在するために異物検出性能を劣化させた状態で検査
せざるを得ない。感度を高くすると、テストパターンや
アライメントパターンが虚報となってしまうという課題
を有していた。
アライメントパターン16bが存在している。テストパタ
ーン16aは回路パターンのでき具合をチェックするため
のものであり、アライメントパターン16bはマスクアラ
イメント用のパターンである。これらは通常の回路パタ
ーン17に比べて細くなっていたり、著しく高いパターン
段差を有している。異物と紛らわしい形状をしているも
のがあり、上記異物検出限界はこれらのテストパターン
やアライメントパターンにより決定される。これらは回
路パターン17外にあり、その機能はLSI本来の機能とは
異なる為厳密な異物検査を行なう必要はないが、これら
が存在するために異物検出性能を劣化させた状態で検査
せざるを得ない。感度を高くすると、テストパターンや
アライメントパターンが虚報となってしまうという課題
を有していた。
パターン欠陥検査の場合にも上記の事情は同様である。
テストパターン16aは回路パターン17に比べ異なる。条
件で作られているため、存在する場所によりその形状が
微妙に異なっている。従って検査する必要のないテスト
パターン16により欠陥検出感度が制限されるという課題
を有していた。
テストパターン16aは回路パターン17に比べ異なる。条
件で作られているため、存在する場所によりその形状が
微妙に異なっている。従って検査する必要のないテスト
パターン16により欠陥検出感度が制限されるという課題
を有していた。
本発明の目的は、上記課題を解決すべく、各半導体用基
板をステージ上に粗い位置決め状態で搭載したとしても
各半導体用基板上のパターンからの散乱反射光による虚
報を消去して、各半導体用基板上に存在する真の微小異
物を高感度で、且つ安定して高信頼度で検出できるよう
にした半導体用基板上の異物検出装置を提供することに
ある。
板をステージ上に粗い位置決め状態で搭載したとしても
各半導体用基板上のパターンからの散乱反射光による虚
報を消去して、各半導体用基板上に存在する真の微小異
物を高感度で、且つ安定して高信頼度で検出できるよう
にした半導体用基板上の異物検出装置を提供することに
ある。
本発明は、上記目的を達成するために、少なくとも２個
所に形成された基準パターンを基準にして多数のチップ
回路パターンが配列されて形成された複数の半導体用基
板を搭載し、Ｘ軸及びＹ軸方向並びにΘ回転方向に移動
するステージと、前記ステージを移動して該ステージの
位置座標を検知するステージ位置座標検知手段と、前記
ステージを移動して該ステージ上に搭載された各半導体
用基板上の少なくとも２個所に形成された基準パターン
の各々からの反射光を検出光学系で集光して光電変換手
段で受光して基準パターン信号を検出し、該検出された
少なくとも２つの基準パターン信号と前記ステージ位置
座標検知手段から検知されるステージの位置座標とに基
づいて少なくとも前記２つの基準パターンの位置座標を
検出する基準パターンの位置座標検出手段と、該基準パ
ターンの位置座標検出手段で検出された少なくとも２つ
の基準パターンの位置座標に基づいて基準座標系に対す
る各半導体基板の傾き誤差を算出し、該算出された傾き
誤差に基づいて前記ステージを少なくともΘ回転方向に
微回動させて前記ステージに搭載された各半導体用基板
の傾き誤差を補正する各半導体用基板の傾き誤差補正手
段と、該各半導体用基板の傾き誤差補正手段で補正され
た状態において前記ステージ位置座標検知手段によって
検知されるステージの位置座標に対して前記基準パター
ンの位置座標検出手段から検出される基準パターンの位
置座標に基づいて各半導体基板に対する基準座標系を設
定する各半導体基板に対する基準座標系設定手段と、前
記各半導体用基板の傾き誤差補正手段で補正された状態
において前記ステージを移動させて前記各半導体用基板
の表面に対して斜め方向からレーザ光を照射して各半導
体用基板の表面からの散乱反射光を検出光学系により集
光して前記回路パターンのエッジからの散乱反射光を遮
光手段で低減して光電変換手段で受光して異物候補信号
に変換して検出する異物検出光学手段と、前記基準座標
系設定手段で設定された各半導体基板に対する基準座標
系において、前記ステージ位置座標検知手段によって検
知されるステージの位置座標に基づいて、前記異物検出
光学手段で検出される異物候補信号についてその位置座
標を算出する異物候補信号の位置座標算出手段と、該異
物候補信号の位置座標算出手段で算出された基準座標系
における異物候補信号の位置座標を記憶させる記憶手段
と、前記異物候補信号の位置座標算出手段で基準座標系
に基づいて算出される半導体基板からの異物候補信号の
位置座標と前記記憶手段に基準座標系に基づいて記憶さ
れた前の半導体基板からの異物候補信号の位置座標とを
比較して該異物候補信号の位置座標同志が許容位置誤差
範囲内に発生したときパターンからの異物候補信号とみ
なして該虚報を消去して前記異物候補信号の位置座標同
志が許容位置誤差範囲外において不一致として検出され
たとき一方の半導体基板上に真の異物が存在するとして
検出する比較手段とを備えたことを特徴とする半導体用
基板上の異物検出装置である。ところで、前記基準パタ
ーンであるテストパターンやアライメントパターンは、
ウェハ（レクチル，フォトマスクを含む）の品種ごとに
同一個所に配置されている。回路パターンを誤検出しな
いレベルで異物あるいはパターン欠陥を検出し、直前に
検査した同一品種ウェハの検査結果と比較すると、テス
トパターンやアライメントパターンによる虚報はウェハ
が同一品種の場合には必ず同じ個所で検出される。一
方、異物あるいはパターン欠陥は確率的に同一個所で検
出されることは少ないので、同一個所で検出されたもの
をテストパターンやアライメントパターンによる虚報で
あるとして検査結果から排除することにより、高感度か
つ高信頼度な異物あるいはパターン欠陥の検査が可能と
なる。
所に形成された基準パターンを基準にして多数のチップ
回路パターンが配列されて形成された複数の半導体用基
板を搭載し、Ｘ軸及びＹ軸方向並びにΘ回転方向に移動
するステージと、前記ステージを移動して該ステージの
位置座標を検知するステージ位置座標検知手段と、前記
ステージを移動して該ステージ上に搭載された各半導体
用基板上の少なくとも２個所に形成された基準パターン
の各々からの反射光を検出光学系で集光して光電変換手
段で受光して基準パターン信号を検出し、該検出された
少なくとも２つの基準パターン信号と前記ステージ位置
座標検知手段から検知されるステージの位置座標とに基
づいて少なくとも前記２つの基準パターンの位置座標を
検出する基準パターンの位置座標検出手段と、該基準パ
ターンの位置座標検出手段で検出された少なくとも２つ
の基準パターンの位置座標に基づいて基準座標系に対す
る各半導体基板の傾き誤差を算出し、該算出された傾き
誤差に基づいて前記ステージを少なくともΘ回転方向に
微回動させて前記ステージに搭載された各半導体用基板
の傾き誤差を補正する各半導体用基板の傾き誤差補正手
段と、該各半導体用基板の傾き誤差補正手段で補正され
た状態において前記ステージ位置座標検知手段によって
検知されるステージの位置座標に対して前記基準パター
ンの位置座標検出手段から検出される基準パターンの位
置座標に基づいて各半導体基板に対する基準座標系を設
定する各半導体基板に対する基準座標系設定手段と、前
記各半導体用基板の傾き誤差補正手段で補正された状態
において前記ステージを移動させて前記各半導体用基板
の表面に対して斜め方向からレーザ光を照射して各半導
体用基板の表面からの散乱反射光を検出光学系により集
光して前記回路パターンのエッジからの散乱反射光を遮
光手段で低減して光電変換手段で受光して異物候補信号
に変換して検出する異物検出光学手段と、前記基準座標
系設定手段で設定された各半導体基板に対する基準座標
系において、前記ステージ位置座標検知手段によって検
知されるステージの位置座標に基づいて、前記異物検出
光学手段で検出される異物候補信号についてその位置座
標を算出する異物候補信号の位置座標算出手段と、該異
物候補信号の位置座標算出手段で算出された基準座標系
における異物候補信号の位置座標を記憶させる記憶手段
と、前記異物候補信号の位置座標算出手段で基準座標系
に基づいて算出される半導体基板からの異物候補信号の
位置座標と前記記憶手段に基準座標系に基づいて記憶さ
れた前の半導体基板からの異物候補信号の位置座標とを
比較して該異物候補信号の位置座標同志が許容位置誤差
範囲内に発生したときパターンからの異物候補信号とみ
なして該虚報を消去して前記異物候補信号の位置座標同
志が許容位置誤差範囲外において不一致として検出され
たとき一方の半導体基板上に真の異物が存在するとして
検出する比較手段とを備えたことを特徴とする半導体用
基板上の異物検出装置である。ところで、前記基準パタ
ーンであるテストパターンやアライメントパターンは、
ウェハ（レクチル，フォトマスクを含む）の品種ごとに
同一個所に配置されている。回路パターンを誤検出しな
いレベルで異物あるいはパターン欠陥を検出し、直前に
検査した同一品種ウェハの検査結果と比較すると、テス
トパターンやアライメントパターンによる虚報はウェハ
が同一品種の場合には必ず同じ個所で検出される。一
方、異物あるいはパターン欠陥は確率的に同一個所で検
出されることは少ないので、同一個所で検出されたもの
をテストパターンやアライメントパターンによる虚報で
あるとして検査結果から排除することにより、高感度か
つ高信頼度な異物あるいはパターン欠陥の検査が可能と
なる。
以下、本発明の一実施例を第１図乃至第７図を参照して
説明する。尚、異物を検査する場合について述べるが、
パターン欠陥を検査することも同様にできる。
説明する。尚、異物を検査する場合について述べるが、
パターン欠陥を検査することも同様にできる。
第１図は異物検査装置の構成図である。ウェハ１をＳ偏
光レーザ光４により照射し、反射光を対物レンズ９で集
光し、光電変換素子７で検出する。また検出光路中に
は、反射光のＳ偏光成分を遮光する検光子13と、検出範
囲を制限するスリット８を挿入してある。
光レーザ光４により照射し、反射光を対物レンズ９で集
光し、光電変換素子７で検出する。また検出光路中に
は、反射光のＳ偏光成分を遮光する検光子13と、検出範
囲を制限するスリット８を挿入してある。
ウェハ１は、その全面を検査するために、Ｘステージ18
及びＹステージ21により夫々X,Y方向に走査する。Ｘス
テージ18はモータ19により、Ｙステージ21はモータ22に
より駆動される。ここで、ウェハの走査を、第16図に示
した如くする為に、Ｘ方向には連続送り、Ｙ方向には間
欠送りとする。Ｘステージ18は連続送りでかつ高速移動
が要求される為、モータ19には通常直流モータを使用す
る。またＸ方向のステージ座標を知るためにリニアスケ
ール等のポジションセンサ20が必要となる。Ｙステージ
21は間欠送りで高速移動が要求されない為、モータ22は
通常ステップモータを使用し、Ｙ方向ステージ座標はス
テップモータ送り量から知ることができる。25はステー
ジ制御回路であり、モータ19とモータ22を制御して第16
図に示したようなウェハ走査を行なう。このときＸ方向
走査とウェハパターン方向とが平行になるようにモータ
23を駆動し、ウェハ回転方向を調整する。この場合、予
めアライメントパターン16bの位置を検出し、回転方向
の位置ずれを後述のように測定する。
及びＹステージ21により夫々X,Y方向に走査する。Ｘス
テージ18はモータ19により、Ｙステージ21はモータ22に
より駆動される。ここで、ウェハの走査を、第16図に示
した如くする為に、Ｘ方向には連続送り、Ｙ方向には間
欠送りとする。Ｘステージ18は連続送りでかつ高速移動
が要求される為、モータ19には通常直流モータを使用す
る。またＸ方向のステージ座標を知るためにリニアスケ
ール等のポジションセンサ20が必要となる。Ｙステージ
21は間欠送りで高速移動が要求されない為、モータ22は
通常ステップモータを使用し、Ｙ方向ステージ座標はス
テップモータ送り量から知ることができる。25はステー
ジ制御回路であり、モータ19とモータ22を制御して第16
図に示したようなウェハ走査を行なう。このときＸ方向
走査とウェハパターン方向とが平行になるようにモータ
23を駆動し、ウェハ回転方向を調整する。この場合、予
めアライメントパターン16bの位置を検出し、回転方向
の位置ずれを後述のように測定する。
26x,26yは座標カウンタであり、各々ポジションセンサ2
0の出力と、Ｙ方向間欠送り量をカウントする。
0の出力と、Ｙ方向間欠送り量をカウントする。
33は２値化回路であり、光電変換素子７の検出信号35を
２値化して、異物信号37を発生する。２値化は第２図に
示すように、検出信号35を閾値36と比較することにより
行なうが、このとき閾値36のレベルは、回路パターン検
出信号35bを２値化せず、テストパターンあるいはアラ
イメントパターン検出信号35cと微小異物検出信号35aを
２値化するレベルに設定する。
２値化して、異物信号37を発生する。２値化は第２図に
示すように、検出信号35を閾値36と比較することにより
行なうが、このとき閾値36のレベルは、回路パターン検
出信号35bを２値化せず、テストパターンあるいはアラ
イメントパターン検出信号35cと微小異物検出信号35aを
２値化するレベルに設定する。
第１図の異物信号処理回路34は、検出した異物が虚報で
あるか否かを判断し、虚報の場合には実異物信号50を出
力しないようにする。虚報の除去は次のように行なう。
異物信号37が来たときの座標カウンタ26x,26yの内容
が、前に検査したウェハでも存在した場合には、検出し
た異物は虚報であるとして実異物信号50をインヒビット
（除外）する。この機能を遂行するには、ウェハが入れ
替ってもテストパターンやアライメントパターンが毎回
同じ座標になる必要があり、このため検査開始前にウェ
ハのXYΘ方向の位置合せを行なう。
あるか否かを判断し、虚報の場合には実異物信号50を出
力しないようにする。虚報の除去は次のように行なう。
異物信号37が来たときの座標カウンタ26x,26yの内容
が、前に検査したウェハでも存在した場合には、検出し
た異物は虚報であるとして実異物信号50をインヒビット
（除外）する。この機能を遂行するには、ウェハが入れ
替ってもテストパターンやアライメントパターンが毎回
同じ座標になる必要があり、このため検査開始前にウェ
ハのXYΘ方向の位置合せを行なう。
ウェハ位置合せの一例を第３図に示す。同図に示すよう
に照明ランプ29、ハーフミラー27,28およびTVカメラ等
のイメージセンサ30を異物検出光学系内に挿入する。
尚、まったく別な光学系としても良いが、異物検出光学
系の対物レンズ９を共用した方が、光学系がコンパクト
になる。照明ランプ29によりウェハ１表面を照明し、対
物レンズ９によるウェハパターン拡大像をイメージセン
サ30で検出する。検出するウェハパターンはアライメン
トパターン16b又は任意の特定パターンであるが、第４
図に示すように、A,B2個所で検出する。一例として、イ
メージセンサ30がTVカメラ、検出パターンが特定パター
ンの例としてガードラインコーナである場合を第５図，
第６図で説明する。まず点Ａでガードラインコーナ31を
検出し、TVカメラ内基準線51とのずれΔXA，ΔYAを求め
る。次にＸテーブル18を移動させ、点ＢにおけるずれΔ
XB，ΔYBを求める。移動量はチップサイズの整数倍であ
る。２個所でのずれ量を求めたら、移動量Xmと各ずれ量
により、ウェハパターンとＸテーブル走査方向の角度Θ
＝（ΔYA‐ΔYB）／xmを求め、これが零となる（Ｘテー
ブルの走査方向に対するウエハ１のΘ回転方向の傾きを
なくす）ようにウエハ１を搭載したステージをΘ回転方
向に微回動させるべくモータ23を駆動する。次にΔXA，
ΔYA（又はΔXB，ΔYB）が零となる（TVカメラ内基準線
51で設定される基準座標系に対するＸ軸およびＹ軸方向
の位置ずれをなくす）ようにＸテーブル18を微移動させ
るべくモータ19を、Ｙテーブル21を微移動させるべくモ
ータ22を駆動してステージに搭載されたウエハ１がTVカ
メラ内基準線51で設定される基準座標系に対して位置補
正が行なわれて基準座標系に位置合わせされる。これ等
の位置補正の演算は、演算回路70で行なう。その後座標
カウンタ26x及び26yをゼロクリアし（ステージ位置座標
検知手段であるポジションセンサ20によって検知される
ステージのＸ軸およびＹ軸方向の位置座標に対して前記
基準座標系が定める）てやれば、ウエハ１がステージに
搭載されて入れ替わっても、前記基準座標系においてテ
ストパターンやアライメントパターンを常に同じ座標
（位置及び傾き）として検出することができる。
に照明ランプ29、ハーフミラー27,28およびTVカメラ等
のイメージセンサ30を異物検出光学系内に挿入する。
尚、まったく別な光学系としても良いが、異物検出光学
系の対物レンズ９を共用した方が、光学系がコンパクト
になる。照明ランプ29によりウェハ１表面を照明し、対
物レンズ９によるウェハパターン拡大像をイメージセン
サ30で検出する。検出するウェハパターンはアライメン
トパターン16b又は任意の特定パターンであるが、第４
図に示すように、A,B2個所で検出する。一例として、イ
メージセンサ30がTVカメラ、検出パターンが特定パター
ンの例としてガードラインコーナである場合を第５図，
第６図で説明する。まず点Ａでガードラインコーナ31を
検出し、TVカメラ内基準線51とのずれΔXA，ΔYAを求め
る。次にＸテーブル18を移動させ、点ＢにおけるずれΔ
XB，ΔYBを求める。移動量はチップサイズの整数倍であ
る。２個所でのずれ量を求めたら、移動量Xmと各ずれ量
により、ウェハパターンとＸテーブル走査方向の角度Θ
＝（ΔYA‐ΔYB）／xmを求め、これが零となる（Ｘテー
ブルの走査方向に対するウエハ１のΘ回転方向の傾きを
なくす）ようにウエハ１を搭載したステージをΘ回転方
向に微回動させるべくモータ23を駆動する。次にΔXA，
ΔYA（又はΔXB，ΔYB）が零となる（TVカメラ内基準線
51で設定される基準座標系に対するＸ軸およびＹ軸方向
の位置ずれをなくす）ようにＸテーブル18を微移動させ
るべくモータ19を、Ｙテーブル21を微移動させるべくモ
ータ22を駆動してステージに搭載されたウエハ１がTVカ
メラ内基準線51で設定される基準座標系に対して位置補
正が行なわれて基準座標系に位置合わせされる。これ等
の位置補正の演算は、演算回路70で行なう。その後座標
カウンタ26x及び26yをゼロクリアし（ステージ位置座標
検知手段であるポジションセンサ20によって検知される
ステージのＸ軸およびＹ軸方向の位置座標に対して前記
基準座標系が定める）てやれば、ウエハ１がステージに
搭載されて入れ替わっても、前記基準座標系においてテ
ストパターンやアライメントパターンを常に同じ座標
（位置及び傾き）として検出することができる。
テストパターンやアライメントパターンを虚報として除
去する方法を第７図により説明する。
去する方法を第７図により説明する。
異物メモリ38は、前に検査したウェハにおける検出異物
（虚報も含む）の座標の値を記憶しておく。異物信号37
が発生したとき、座標カウンタ26x,26yの値をラッチ41,
42にストアする。同時に、異物メモリ38の内容を順次読
み出し、ラッチ39,40に一時ストアする。ラッチ39とラ
ッチ41の差の絶対値を、演算回路43で算出し、Ｘ方向座
標のずれを求める。このずれ量と許容値εXとを比較回
路45で比較し、ずれ量が許容値εX以下のときに一致信
号を出力する。同様に演算回路44で、ラッチ40とラッチ
42の差の絶対値を求め、Ｙ方向座標のずれを求める。比
較回路46でＹ方向のずれ量と許容値εYと比較し、ずれ
量が許容値εY以下のときに一致信号を出力する。そし
て、ANDゲート47で比較回路45と比較回路46の出力の論
理積をとり、インバータ48でANDゲート47の出力を反転
させる。異物メモリ38の中に検出した異物と同じ座標の
値が記憶されていれば、インバータ48の出力は“0"とな
る。ANDゲート49でインバータ48出力と異物信号37の論
理積をとると、前に検査したウェハにも同座標の異物
（あるいは虚報）があったときには、それは虚報である
として実異物信号50は出力されなくなる。
（虚報も含む）の座標の値を記憶しておく。異物信号37
が発生したとき、座標カウンタ26x,26yの値をラッチ41,
42にストアする。同時に、異物メモリ38の内容を順次読
み出し、ラッチ39,40に一時ストアする。ラッチ39とラ
ッチ41の差の絶対値を、演算回路43で算出し、Ｘ方向座
標のずれを求める。このずれ量と許容値εXとを比較回
路45で比較し、ずれ量が許容値εX以下のときに一致信
号を出力する。同様に演算回路44で、ラッチ40とラッチ
42の差の絶対値を求め、Ｙ方向座標のずれを求める。比
較回路46でＹ方向のずれ量と許容値εYと比較し、ずれ
量が許容値εY以下のときに一致信号を出力する。そし
て、ANDゲート47で比較回路45と比較回路46の出力の論
理積をとり、インバータ48でANDゲート47の出力を反転
させる。異物メモリ38の中に検出した異物と同じ座標の
値が記憶されていれば、インバータ48の出力は“0"とな
る。ANDゲート49でインバータ48出力と異物信号37の論
理積をとると、前に検査したウェハにも同座標の異物
（あるいは虚報）があったときには、それは虚報である
として実異物信号50は出力されなくなる。
ここで、異物メモリ38は異物座標を記憶しておくもので
ある。記憶しておく座標が１枚目（最初）に検査したウ
ェハのものであるならば、第７図に示す構成で良いが、
直前に検査したウェハのものを使用するのであれば、異
物メモリをもう１組用意する必要がある。つまり検査中
のウェハの異物座標（26x,26y出力）をもう１組の異物
メモリに記憶しながら、異物メモリ38の内容と比較す
る。次のウェハを検査する場合には異物メモリを入れ替
え、異物座標を異物メモリ38に記憶しながらもう１組の
異物メモリの内容と比較する。
ある。記憶しておく座標が１枚目（最初）に検査したウ
ェハのものであるならば、第７図に示す構成で良いが、
直前に検査したウェハのものを使用するのであれば、異
物メモリをもう１組用意する必要がある。つまり検査中
のウェハの異物座標（26x,26y出力）をもう１組の異物
メモリに記憶しながら、異物メモリ38の内容と比較す
る。次のウェハを検査する場合には異物メモリを入れ替
え、異物座標を異物メモリ38に記憶しながらもう１組の
異物メモリの内容と比較する。
上述の方法は、検査中に異物を検出する毎に判定を行な
っているが、検査終了後に一括して判定することもでき
る。例えば前回検査した異物座標を異物メモリ38に記憶
し、今回検査した異物座標をもう１組の異物メモリに記
憶する。検査終了後に異物メモリ38ともう１組の異物メ
モリとに記憶されている異物座標を各々の異物について
比較することにより、上述方法と同様な機能にすること
ができる。
っているが、検査終了後に一括して判定することもでき
る。例えば前回検査した異物座標を異物メモリ38に記憶
し、今回検査した異物座標をもう１組の異物メモリに記
憶する。検査終了後に異物メモリ38ともう１組の異物メ
モリとに記憶されている異物座標を各々の異物について
比較することにより、上述方法と同様な機能にすること
ができる。
尚、第３図〜第６図で説明した光学的位置合せは、必ず
しも必要でないが、組合せとしてのウェハ外形基準位置
合せは最低限必要である。検査前にウェハ外形基準の位
置合せを行ない、第７図に示した許容値εX，εYを大き
くすれば、光学的位置合せと同様の機能を有することが
できる。
しも必要でないが、組合せとしてのウェハ外形基準位置
合せは最低限必要である。検査前にウェハ外形基準の位
置合せを行ない、第７図に示した許容値εX，εYを大き
くすれば、光学的位置合せと同様の機能を有することが
できる。
ウェハパターン欠陥検査の場合にも、照明系、検出器及
び検出信号処理回路が変更するのみで、上述効果が得ら
れることは明白である。
び検出信号処理回路が変更するのみで、上述効果が得ら
れることは明白である。
以上のように、前に検査したウェハと同一座標に存在し
たものは、テストパターンやアライメントパターンであ
るとして異物信号として出力しないようにすることによ
り、異物検出精度を向上させることができる。
たものは、テストパターンやアライメントパターンであ
るとして異物信号として出力しないようにすることによ
り、異物検出精度を向上させることができる。
本発明によれば、テストパターンやアライメントパター
ン、その他回路パターンなどのように、微小異物に類似
した形状のものが形成された半導体用基板をステージ上
に粗い位置決め状態で搭載したとしても、それらのパタ
ーンを微小異物と誤検出することなく、半導体用基板上
に存在する微小異物のみを高感度で、且つ安定して高信
頼度で検出することができ、しかも記憶手段により複数
の半導体用基板に亘っての微小異物の発生情報を把握す
ることができ、その結果微小異物の発生を低減して半導
体の歩留まりに大きく寄与することができる効果を奏す
る。
ン、その他回路パターンなどのように、微小異物に類似
した形状のものが形成された半導体用基板をステージ上
に粗い位置決め状態で搭載したとしても、それらのパタ
ーンを微小異物と誤検出することなく、半導体用基板上
に存在する微小異物のみを高感度で、且つ安定して高信
頼度で検出することができ、しかも記憶手段により複数
の半導体用基板に亘っての微小異物の発生情報を把握す
ることができ、その結果微小異物の発生を低減して半導
体の歩留まりに大きく寄与することができる効果を奏す
る。
尚、本発明はウェハに限定されず、ホトマスクやレチク
ル等の他の製品の検査にも適用可能である。
ル等の他の製品の検査にも適用可能である。
第１図は本発明の一実施例に係る異物検査装置の構成
図、第２図は検出信号処理説明図、第３図はウェハ位置
決め装置の一例を示す構成図、第４図はウェハの平面
図、第５図及び第６図は第４図に示すウェハの部分拡大
図、第７図は異物信号処理回路の詳細構成図、第８図は
反射光と散乱光の説明図、第９図はパターンからの反射
光の説明図、第10図は異物からの散乱光の説明図、第11
図はレーザ光照射方法説明図、第12図はパターン・異物
弁別性能の実験結果を示すグラフ、第13図及び第14図は
夫々第12図に示すVS及びVPの説明図、第15図は検査装置
の要部概観図、第16図は走査説明図、第17図（ａ）及び
（ｂ）は夫々ウェハの部分拡大平面図及び断面図、第18
図（ａ）はウェハ上のパターン・異物の一方向の分布
図、第18図（ｂ）は検出信号及び欠陥信号の波形図、第
19図はウェハの詳細平面図である。 １……ウェハ、２……パターン ３……異物、４……照明光 ５……反射光、６……散乱光 ７……光電変換素子、８……スリット ９……対物レンズ、13……検光子 16……テストパターン、17……回路パターン 18……Ｘステージ、19……Ｘ用モータ 20……ポジションセンサ、21……Ｙステージ 22……Ｙ用モータ、23……Θ用モータ 29……照明ランプ、30……イメージセンサ 33……２値化回路、34……異物信号処理回路 38……座標メモリ、39,42……ラッチ 43,44……演算回路、45,46……比較回路
図、第２図は検出信号処理説明図、第３図はウェハ位置
決め装置の一例を示す構成図、第４図はウェハの平面
図、第５図及び第６図は第４図に示すウェハの部分拡大
図、第７図は異物信号処理回路の詳細構成図、第８図は
反射光と散乱光の説明図、第９図はパターンからの反射
光の説明図、第10図は異物からの散乱光の説明図、第11
図はレーザ光照射方法説明図、第12図はパターン・異物
弁別性能の実験結果を示すグラフ、第13図及び第14図は
夫々第12図に示すVS及びVPの説明図、第15図は検査装置
の要部概観図、第16図は走査説明図、第17図（ａ）及び
（ｂ）は夫々ウェハの部分拡大平面図及び断面図、第18
図（ａ）はウェハ上のパターン・異物の一方向の分布
図、第18図（ｂ）は検出信号及び欠陥信号の波形図、第
19図はウェハの詳細平面図である。 １……ウェハ、２……パターン ３……異物、４……照明光 ５……反射光、６……散乱光 ７……光電変換素子、８……スリット ９……対物レンズ、13……検光子 16……テストパターン、17……回路パターン 18……Ｘステージ、19……Ｘ用モータ 20……ポジションセンサ、21……Ｙステージ 22……Ｙ用モータ、23……Θ用モータ 29……照明ランプ、30……イメージセンサ 33……２値化回路、34……異物信号処理回路 38……座標メモリ、39,42……ラッチ 43,44……演算回路、45,46……比較回路
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−173736（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−192943（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−21523（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも２個所に形成された基準パター
ンを基準にして多数のチップ回路パターンが配列されて
形成された複数の半導体用基板を搭載し、Ｘ軸及びＹ軸
方向並びにΘ回転方向に移動するステージと、 前記ステージを移動して該ステージの位置座標を検知す
るステージ位置座標検知手段と、 前記ステージを移動して該ステージ上に搭載された各半
導体用基板上の少なくとも２個所に形成された基準パタ
ーンの各々からの反射光を検出光学系で集光して光電変
換手段で受光して基準パターン信号を検出し、該検出さ
れた少なくとも２つの基準パターン信号と前記ステージ
位置座標検知手段から検知されるステージの位置座標と
に基づいて少なくとも前記２つの基準パターンの位置座
標を検出する基準パターンの位置座標検出手段と、 該基準パターンの位置座標検出手段で検出された少なく
とも２つの基準パターンの位置座標に基づいて基準座標
系に対する各半導体基板の傾き誤差を算出し、該算出さ
れた傾き誤差に基づいて前記ステージを少なくともΘ回
転方向に微回動させて前記ステージに搭載された各半導
体用基板の傾き誤差を補正する各半導体用基板の傾き誤
差補正手段と、 該各半導体用基板の傾き誤差補正手段で補正された状態
において前記ステージ位置座標検知手段によって検知さ
れるステージの位置座標に対して前記基準パターンの位
置座標検出手段から検出される基準パターンの位置座標
に基づいて各半導体基板に対する基準座標系を設定する
各半導体基板に対する基準座標系設定手段と、 前記各半導体用基板の傾き誤差補正手段で補正された状
態において前記ステージを移動させて前記各半導体用基
板の表面に対して斜め方向からレーザ光を照射して各半
導体用基板の表面からの散乱反射光を検出光学系により
集光して前記回路パターンのエッジからの散乱反射光を
遮光手段で低減して光電変換手段で受光して異物候補信
号に変換して検出する異物検出光学手段と、 前記基準座標系設定手段で設定された各半導体基板に対
する基準座標系において、前記ステージ位置座標検知手
段によって検知されるステージの位置座標に基づいて、
前記異物検出光学手段で検出される異物候補信号につい
てその位置座標を算出する異物候補信号の位置座標算出
手段と、 該異物候補信号の位置座標算出手段で算出された基準座
標系における異物候補信号の位置座標を記憶させる記憶
手段と、 前記異物候補信号の位置座標算出手段で基準座標系に基
づいて算出される半導体基板からの異物候補信号の位置
座標と前記記憶手段に基準座標系に基づいて記憶された
前の半導体基板からの異物候補信号の位置座標とを比較
して該異物候補信号の位置座標同志が許容位置誤差範囲
内に発生したときパターンからの異物候補信号とみなし
て該虚報を消去して前記異物候補信号の位置座標同志が
許容位置誤差範囲外において不一致として検出されたと
き一方の半導体基板上に真の異物が存在するとして検出
する比較手段とを備えたことを特徴とする半導体用基板
上の異物検出装置。 - 【請求項２】前記基準パターンの位置座標検出手段と異
物検出光学手段とを同一光学系で構成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体用基板上の異物
検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60228637A JPH0781956B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 半導体用基板上の異物検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60228637A JPH0781956B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 半導体用基板上の異物検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289336A JPS6289336A (ja) | 1987-04-23 |
| JPH0781956B2 true JPH0781956B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=16879459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60228637A Expired - Lifetime JPH0781956B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 半導体用基板上の異物検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781956B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010325A (ja) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4740708A (en) * | 1987-01-06 | 1988-04-26 | International Business Machines Corporation | Semiconductor wafer surface inspection apparatus and method |
| JPH02278169A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 半導体検査装置 |
| US6411377B1 (en) | 1991-04-02 | 2002-06-25 | Hitachi, Ltd. | Optical apparatus for defect and particle size inspection |
| US6797975B2 (en) | 2000-09-21 | 2004-09-28 | Hitachi, Ltd. | Method and its apparatus for inspecting particles or defects of a semiconductor device |
| US6936835B2 (en) | 2000-09-21 | 2005-08-30 | Hitachi, Ltd. | Method and its apparatus for inspecting particles or defects of a semiconductor device |
| US8072597B2 (en) | 2000-09-21 | 2011-12-06 | Hitachi, Ltd. | Method and its apparatus for inspecting particles or defects of a semiconductor device |
| JP4183492B2 (ja) | 2002-11-27 | 2008-11-19 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
| JP2004177377A (ja) | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 検査方法および検査装置 |
| JP2005283190A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 異物検査方法及びその装置 |
| JP4751617B2 (ja) | 2005-01-21 | 2011-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
| JP4713185B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-06-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 異物欠陥検査方法及びその装置 |
| JP4988223B2 (ja) | 2005-06-22 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
| JP4988224B2 (ja) | 2006-03-01 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2007248086A (ja) | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
| WO2008001891A1 (fr) | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Dispositif d'inspection et procédé d'inspection |
| JP5147202B2 (ja) | 2006-06-30 | 2013-02-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式欠陥検査装置 |
| JP4928862B2 (ja) | 2006-08-04 | 2012-05-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
| US7664608B2 (en) | 2006-07-14 | 2010-02-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection method and apparatus |
| JP5221858B2 (ja) | 2006-08-30 | 2013-06-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置、及び欠陥検査方法 |
| US7847927B2 (en) | 2007-02-28 | 2010-12-07 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection method and defect inspection apparatus |
| JP4876019B2 (ja) | 2007-04-25 | 2012-02-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
| JP5132982B2 (ja) | 2007-05-02 | 2013-01-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査装置および方法 |
| JP5178079B2 (ja) | 2007-07-23 | 2013-04-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法およびその装置 |
| JP5171524B2 (ja) | 2007-10-04 | 2013-03-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 物体表面の欠陥検査装置および方法 |
| US8351683B2 (en) | 2007-12-25 | 2013-01-08 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection apparatus and inspection method |
| JP5202462B2 (ja) | 2009-07-23 | 2013-06-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査装置および方法 |
| JP5259669B2 (ja) | 2010-09-27 | 2013-08-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
| US11143600B2 (en) | 2018-02-16 | 2021-10-12 | Hitachi High-Tech Corporation | Defect inspection device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0675038B2 (ja) * | 1983-03-11 | 1994-09-21 | ケイエルエイ・インストラメンツ・コ−ポレ−シヨン | 光学検査装置 |
| JPS59192943A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | 繰返しパタ−ンの欠陥検査装置 |
| JPS6021523A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Toshiba Corp | マスク欠陥検査方法 |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP60228637A patent/JPH0781956B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010325A (ja) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6289336A (ja) | 1987-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0781956B2 (ja) | 半導体用基板上の異物検出装置 | |
| US5539514A (en) | Foreign particle inspection apparatus and method with front and back illumination | |
| US4595289A (en) | Inspection system utilizing dark-field illumination | |
| US7499156B2 (en) | Closed region defect detection system | |
| US6282309B1 (en) | Enhanced sensitivity automated photomask inspection system | |
| US5563702A (en) | Automated photomask inspection apparatus and method | |
| US5625193A (en) | Optical inspection system and method for detecting flaws on a diffractive surface | |
| US20050122508A1 (en) | Method and apparatus for reviewing defects | |
| EP0935747A1 (en) | Automated inspection system with bright field and dark field illumination | |
| WO2002093200A2 (en) | Advanced phase shift inspection method | |
| IL125216A (en) | Apparatus and method for microscopic inspection of articles | |
| JPH02114154A (ja) | 欠陥または異物の検査方法およびその装置 | |
| JPH061370B2 (ja) | マスク欠陥検査装置 | |
| JP3087384B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| US4365163A (en) | Pattern inspection tool - method and apparatus | |
| JP3803109B2 (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
| KR950013433B1 (ko) | 반도체 양산 라인에 있어서의 실시간에 의한 이물검사방법 및 장치 | |
| JPH0562821B2 (ja) | ||
| JPH0523061B2 (ja) | ||
| KR100255254B1 (ko) | 반도체의 생산방법 및 그 제조설비 | |
| US7457454B1 (en) | Detailed grey scale inspection method and apparatus | |
| JP3064459B2 (ja) | マスクの異物検査方法 | |
| JPH04344447A (ja) | 透明ガラス基板の欠陥検出装置 | |
| JPH06186168A (ja) | 欠陥検査方法及び装置 | |
| TW202303127A (zh) | 缺陷檢查裝置、缺陷檢查方法及空白光罩之製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |