CN102203590A - 表面检查装置 - Google Patents

Abstract

表面检查装置(1)，具备：载台(10)，用以支承晶圆(W)；照明系统(20)，对载台(10)所支承的晶圆(W)的表面照射紫外光；受光系统(30)，使来自晶圆(W)表面的光成像于既定摄影面上；摄影机部(34)，拍摄通过受光系统(30)成像于摄影面上的晶圆(W)的像；像素补足驱动部(35)，用以进行像素补足；控制部(40)，控制像素补足驱动部(35)及摄影机部(34)的作动，据以一边使像素补足驱动部(35)进行像素补足，一边使摄影机部(34)拍摄多个晶圆(W)的像；以及影像处理部(45)，产生晶圆(W)的合成影像，该合成影像，对应像素补足的顺序将摄影机部(34)所拍摄的多个影像的各像素排列合成。

Description

表面检查装置

技术领域

本发明关于一种在半导体制造工艺检查半导体晶圆等的基板表面的表面检查装置。

背景技术

作为上述表面检查装置，已知有一种对硅晶圆表面照射照明光，拍摄来自形成于该硅晶圆表面的反复图案的绕射光，从摄影面内的亮度变化进行图案是否良好的判断的表面检查装置(例如，参照专利文献1)。此种表面检查装置中，伴随反复图案的间距的微细化，为了产生绕射光照明光的波长缩短至紫外线的区域。因此，拍摄绕射光的摄影机所装载的摄影元件，孔径率小且受光效率低。

为了提升受光效率，较佳为仅可能加大摄影元件的受光部的开口，但由于必须配置用以实现噪声的减少或信息的传输等功能的周边电路，因此必须将无助于受光的区域的不感光区域设置于摄影元件的像素内。亦即，如图17所示，在摄影元件C，用以受光的有效区域(开口部)A与不感光区域B合起来的部分为1个像素所占的区域。此外，如图18(a)所示，成像于有效区域A的像(晶圆W的像)的信息虽可取得为影像信息(亮度数据)，但如图18(b)所示，成像于不感光区域B的像的信息无法取得为影像信息(亮度数据)。因此，使像再生的影像不包含不感光区域的信息。

因此，为了将更多光导至摄影元件的开口部(有效区域)，在多数个摄影元件的摄影面配置微透镜或内部透镜等聚光部，藉此提升孔径率，减少不感光区域。然而，拍摄短波长的光的摄影元件的情形，由于在上述微透镜或内部透镜(由于微透镜或内部透镜一般而言是以PMMA(聚甲基丙烯酸甲基树脂)等成形性优异、可见区域的透明性高的材料制作)吸收紫外线等的短波长的光，因此无法使用该等。因此，短波长对应的摄影元件孔径率较小。

先前技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-151663号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

为了使用短波长的光必须使用孔径率小的摄影元件的表面检查装置中，由于摄影元件的孔径率小因此不感光区域广，在摄影面成像的像的信息的缺少区域变大，成为像的再现性降低、检查精度降低的原因。

本发明有鉴于上述问题而构成，其目的在于提供一种降低不感光区域的影响以提升检查精度的表面检查装置。

解决前述课题的技术手段

为了达成上述目的，本发明的表面检查装置，用以检查基板的表面，其特征在于，具备：载台，用以支承该基板；照明部，对该载台所支承的该基板的表面照射紫外光；受光光学系统，接受来自该紫外光所照射的该基板的表面的光，以使该基板的表面的像成像；摄影元件，在拍摄该受光光学系统所成像的该像的位置具有摄影面，并具备多个像素，该多个像素由具有在该摄影面接受以检测来自该像的光的受光部、及设于该受光部周围不检测光的不感光部所构成；以及设定部，设定该摄影元件相对成像于该摄影面的该像的位置；该设定部，以该摄影元件在仅错开小于该像素彼此之间隔的相对移动量的多个相对位置拍摄多个该像的方式设定该相对位置；具备产生合成影像的影像处理部，该合成影像，对应该多个相对位置将该摄影元件所拍摄的该多个影像的各像素排列合成。

此外，上述表面检查装置中，较佳为，该设定部由使该摄影元件与该像在该摄影面上相对移动的相对移动部构成；具备控制该相对移动部及该摄影元件的作动的控制部，据以一边使该相对移动部以小于该像素彼此的间隔的该相对移动量进行该相对移动、一边使该摄影元件在该多个相对位置拍摄该多个该像；该影像处理部，对应该相对移动的顺序将该摄影元件所拍摄的该多个影像的各像素排列合成以产生该合成影像。

又，上述表面检查装置中，较佳为，该相对移动部，是以该受光部位于该相对移动之前该不感光部原本所在位置的方式，进行该相对移动。

又，上述表面检查装置中，较佳为，该相对移动部具有使该载台移动于正交2方向的载台驱动部；该控制部，是以能从该相对移动量获得根据该受光光学系统的成像倍率换算后的该载台的移动量的方式，控制该载台驱动部的作动。

又，上述表面检查装置中，较佳为，具备：测定部，根据该摄影元件所拍摄的该多个影像测定实际的该相对移动情况；以及修正部，修正该控制部对该相对移动部的控制量，据以使该测定部所测定的实际的该相对移动情况与目标的该相对移动情况无差异。

又，上述表面检查装置中，较佳为，该测定部通过对该多个影像进行影像处理，以小于该像素彼此之间隔的精度测定该相对移动情况。

又，上述表面检查装置中，较佳为，该测定部是通过在该影像设定多个参照区域，并分别求出在该多个影像的该多个参照区域的位置，以测定实际的该相对移动情况。

此外，上述表面检查装置中，具备多个该摄影元件；该受光光学系统分别使该像成像于该多个摄影元件的摄影面；该多个摄影元件，以该设定部对应各该多个相对位置配置以在该拍摄时彼此补足该不感光部，于该对应的相对位置分别拍摄该像；该影像处理部，从该多个摄影元件分别拍摄的该多个影像产生该合成影像亦可。

又，上述表面检查装置中，较佳为，在该多个摄影元件中的一个摄影元件的该受光部，接受来自在其他摄影元件到达该不感光部的该像的光加以检测。

又，上述表面检查装置中，较佳为，该受光光学系统具有使来自该紫外光所照射的该基板的表面的光分歧成多个光束的分歧部、及将该多个光束分别导至该多个摄影元件的摄影面以使该多个该像成像的成像部。

又，上述表面检查装置中，较佳为，该多个摄影元件为4个摄影元件。

又，上述表面检查装置中，较佳为，具备根据该影像处理部所产生的该合成影像进行该基板的表面的检查的检查部。

发明的效果

根据本发明，可提升检查精度。

附图说明

图1为显示第1实施形态的表面检查装置的图。

图2为显示一边进行像素补足一边拍摄晶圆表面的像的步骤的流程图。

图3(a)为显示错开1/2像素进行像素补足的顺序例的示意图，图3(b)为显示错开1/3像素进行像素补足的顺序例的示意图。

图4为显示错开1/2像素的像素补足的影像合成的情形的示意图。

图5为比较未进行像素补足的影像与进行像素补足的影像的图。

图6为显示晶圆影像的参照区域的一例的图。

图7为比较像素补足量偏移时的影像与修正像素补足量时的影像的图。

图8为显示第2实施形态的表面检查装置的图。

图9为显示第3实施形态的表面检查装置的图。

图10为显示第3实施形态的DUV摄影装置的图。

图11为显示摄影构件的详细的示意图。

图12为显示微细缺陷像成像于摄影构件的例的示意图。

图13为显示微细缺陷像与4个摄影构件的位置关系的示意图。

图14为显示影像处理部的影像处理的图。

图15为显示第4实施形态的DUV摄影装置的图。

图16为显示第5实施形态的DUV摄影装置的图。

图17为摄影元件的立体图。

图18为显示晶圆像成像的情形的图。

具体实施方式

以下，参照图式说明本发明较佳实施形态。图1为显示第1实施形态的表面检查装置，以此装置检查被检查基板的半导体晶圆W(以下，称为晶圆W)的表面。第1实施形态的表面检查装置1具备用以支承大致圆盘形的晶圆W的载台10，通过未图示的搬送装置搬送的晶圆W装载于载台10之上且通过真空吸附固定保持。载台10，以晶圆W的旋转对称轴(载台10的中心轴)为旋转轴，将晶圆W支承成可旋转(在晶圆W表面内旋转)。又，载台10，以通过晶圆W表面的轴为中心，能使晶圆W倾斜(倾动)，可调整照明光的入射角。

表面检查装置1进一步具有对载台10所支承的晶圆W的表面照射照明光(紫外光)作为平行光的照明系统20、将接受照明光的照射时的来自晶圆W的绕射光加以聚光的受光系统30、接受受光系统30所聚光的光并拍摄晶圆W的表面像的DUV(深紫外)摄影机32、控制部40、及影像处理部45。照明系统20具有射出照明光的照明单元21、及使从照明单元21射出的照明光反射向晶圆W表面的照明侧凹面镜25。照明单元21具有金属卤素灯或水银灯等的光源部22、将来自光源部22的光取出具有紫外域波长的光并调节强度的调光部23、及将来自调光部23的光作为照明光导至照明侧凹面镜25的光导光纤24。

此外，来自光源部22的光通过调光部23，具有紫外域波长(例如，248nm之波长)的紫外光从光导光纤24射出至照明侧凹面镜25作为照明光，从光导光纤24射出至照明侧凹面镜25的照明光，由于光导光纤24的射出部配置于照明侧凹面镜25的焦点面，因此通过照明侧凹面镜25成为平行光束照射至载台10所保持的晶圆W的表面。此外，照明光对晶圆W的入射角与出射角的关系，可通过使载台10倾斜(倾动)使晶圆W的装载角度变化来调整。

来自晶圆W表面的出射光(绕射光)通过受光系统30聚光。受光系统30以与载台10对向配置的受光侧凹面镜31为主体构成，由受光侧凹面镜31所聚光的出射光(绕射光)，经过DUV摄影机32的物镜33到达形成于摄影机部34的摄影面上，成像为晶圆W的像(绕射像)。

DUV摄影机32具有上述物镜33及摄影机部34、像素补足驱动部35。物镜33与上述受光侧凹面镜31偕同动作，将来自晶圆W表面的出射光(绕射光)聚光于摄影机部34的摄影面上，在该摄影面上使晶圆W表面的像(绕射像)成像。摄影机部34，具有图17所示的摄影元件C，在该摄影元件C的表面形成摄影面。此外，摄影元件C将形成于摄影面上的晶圆W的表面像进行光电转换以产生影像信号，将影像信号输出至影像处理部45。像素补足驱动部35，使用压电元件构成，能使具有摄影元件C的摄影机部34在与摄影面平行及正交的方向(2轴方向)移动。藉此，能使摄影元件C相对受光系统30的光轴移动，因此能使在摄影面上成像的晶圆W的像相对摄影元件C在该摄影面上相对移动，通过具备压电驱动装置的像素补足驱动部35，以小于构成摄影元件C的像素间隔的移动量使摄影元件C移动，则能通过像素补足拍摄晶圆W的像。

控制部40控制DUV摄影机32的像素补足驱动部35或摄影元件C、载台10等的作动。影像处理部45，根据从DUV摄影机32的摄影元件C输入的晶圆W的影像信号，产生晶圆W的数字影像。在影像处理部45的内部存储器(未图示)预先储存良品晶圆的影像数据，影像处理部45，在产生晶圆W的影像(数字影像)时，比较晶圆W的影像数据与良品晶圆的影像数据，以检查在晶圆W表面有无缺陷(异常)。此外，以未图示的影像显示装置输出显示影像处理部45的检查结果及此时的晶圆W的影像。

然而，晶圆W在最上层光阻膜的曝光、显影后，通过未图示的搬送系统从未图示的晶圆匣或显影装置搬送至载台10上。此外，此时，晶圆W在以晶圆W的图案或外缘部(凹口或定向平面等)为基准进行对准的状态下，搬送至载台10上。此外，在晶圆W表面，如图6所示，多个晶片区域WA(照射区域)纵横排列，在各晶片区域WA之中形成线状图案或球状图案等的反复图案(未图示)。

为了使用以上述方式构成的表面检查装置1进行晶圆W的表面检查，首先，通过控制部40的控制，像素补足驱动部35一边以小于构成摄影元件C的像素间隔的移动量使摄影元件C(摄影机部34)移动于与受光系统30的摄影面平行的方向、亦即一边进行像素补足，摄影元件C一边拍摄多个晶圆W的表面像。因此，关于一边进行像素补足一边拍摄晶圆W的表面像的步骤，以下参照图2所示的流程图进行说明。

首先，设n＝1(步骤S101)。接着，判定n是否小于步骤数S(步骤S102)。此处，步骤数S，由于设像素分割数为j时成为j×j，因此错开1/2像素的像素补足的情形S＝4，错开1/3像素的像素补足的情形S＝9。又，n为一边进行像素补足一边拍摄晶圆W的表面像的顺序(编号)。图3为显示一边进行像素补足一边拍摄晶圆W的表面像的顺序的例。此外，图3(a)为错开1/2像素的情形，此情形，像素补足驱动部35以构成摄影元件C的像素的1/2的移动量逐次使摄影元件C移动。又，图3(b)为错开1/3像素的情形，此情形，像素补足驱动部35以构成摄影元件C的像素的1/3的移动量逐次使摄影元件C移动。若以上述顺序拍摄晶圆W的表面像，则摄影元件C如一笔划般移动，因此不易受到迟滞或反冲的影响，可提升位置控制性，且能高效率使摄影元件C移动，缩短拍摄所需的时间。又，一边进行像素补足一边拍摄晶圆W的表面像的顺序，不为图3所示的顺序亦可。

在步骤S102，判定为“是”时，前进至步骤S103，通过像素补足驱动部35使摄影元件C移动至与第n个像素补足位置对应的坐标。接着，在第n个像素补足位置，摄影元件C拍摄晶圆W的表面像(步骤S104)，设n＝n+1后(步骤S105)，返回步骤S102。此外，此时，以在晶圆W表面上的照明方向与图案的反复方向一致的方式使载台10旋转，且设图案的间距为P、照射至晶圆W表面的照明光的波长为λ、照明光的入射角为θ1、n次绕射光的出射角为θ2时，以惠更斯原理进行设定以满足下式(1)(使载台10倾斜)。

P＝n×λ/{sin(θ1)-sin(θ2)}...(1)

以上述条件将照明光照射至晶圆W表面时，来自照明单元21的光源部22的光通过调光部23，具有紫外域波长(例如，248nm的波长)的紫外光从光导光纤24射出至照明侧凹面镜25作为照明光，被照明侧凹面镜25反射的照明光成为平行光束照射至晶圆W的表面。从晶圆W表面射出的绕射光通过受光侧凹面镜31聚光，经过DUV摄影机32的物镜33到达摄影元件C的摄影面上，成像为绕射光的晶圆W的表面像。接着，摄影元件C拍摄形成于摄影面上的晶圆W的像。此时，摄影元件C将形成于摄影面上的晶圆W的像进行光电转换以产生影像信号，将影像信号输出至影像处理部45。

另一方面，在步骤S102，判定为“否”时，亦即，在所有像素补足位置，摄影元件C拍摄晶圆W的表面像时，前进至步骤S106，设n＝1后，在次一步骤S107，通过像素补足驱动部35使摄影元件C移动至与第n个(第1个)像素补足位置对应的坐标。

接着，在次一步骤S108，根据在所有像素补足位置摄影元件C拍摄的多个晶圆W的影像，影像处理部45产生晶圆W的合成影像，并结束处理。此时，影像处理部45，对在所有像素补足位置摄影元件C拍摄的多个晶圆W的影像的各像素，一边进行像素补足一边依照拍摄顺序排列合成，产生晶圆W的合成影像。例如，错开1/2像素的像素补足的情形，如图4所示，若设在第n个(n＝1～4)步骤取得的K×L像素的影像中任意像素的坐标为(k，l，n)，则如图4所示将像素逐次4个(依拍摄顺序)排列合成，如图5(b)所示，原本成像在摄影元件C的不感光区域(摄影面)的像的亮度数据再现于影像上。此外，图4所示的错开1/2像素的像素补足的情形，合成影像的像素数成为2K×2L(摄影时像素数的4倍)。

以此方式拍摄晶圆W的像时，若像素补足驱动部35的摄影元件C的移动量(像素补足量)不适当，则会有无法取得成像于摄影元件C的不感光区域的像的信息之虞。又，影像包含晶片区域的边缘部的情形时，若像素补足量不适当则出现于边缘部影像的阶度会出现偏差(晶片切割路径的部分的亮度信息混入)，因此如图7(a)所示，导致边缘部产生不自然缺陷等，降低合成影像的画质。为了避免上述情况，在晶圆W的检查前预先如前所述的一边进行像素补足一边拍摄晶圆W的表面像，进行像素补足驱动部35的实际的像素补足量(摄影元件C的移动量)的测定，求出目标的理想像素补足量(摄影元件C的移动量)与实际像素补足量(摄影元件C的移动量)之差，修正控制部40对像素补足驱动部35的控制量(驱动信号)以消除该差，实现适当的像素补足驱动。

具体而言，首先，设在第1个(n＝1)步骤取得的影像为基准影像，设图6中以一点链线的框围绕的3个区域(晶圆W的中心部及左右外周部附近的区域)为参照区域WS。所得的影像中图案的边缘部，通过受光系统30的光学性能或图案形成时的形成条件获得为具有阶度的像。亦即，在与边缘的延伸方向正交的方向排列的像素，从有图案的部分朝向无图案的部分遍布数个像素具有亮度变化。本实施形态中，通过影像处理从亮度变化以子像素单位求出边缘的位置。接着，通过影像处理测定在第2个以后的各步骤取得的影像的参照区域WS相对基准影像的参照区域WS的位移(亦即，像素补足量)。此时，利用晶圆W的晶片区域与晶片切割路径之间的亮度差，通过影像处理以子像素单位检测参照区域WS中晶片区域的边缘部的位置，与上述基准影像相同，从各步骤的边缘部的位移量求出参照区域WS的影像位移。

接着，算出在各步骤的影像位移(像素补足量)与理想的影像位移(像素补足量)之差，修正控制部40对像素补足驱动部35的控制量(对2轴方向的驱动信号)以消除该差。又，对3个参照区域WS分别求出影像位移量，以在3个参照区域WS满足的方式修正可提高像素补足的精度。此外，该等修正是对X、Y两者的驱动轴方向进行。藉此，由于能使像素在摄影元件C的排列方向与像素补足驱动部35的驱动方向平行，因此能使在晶圆W表面的摄影感度均匀，能获得如图7(b)所示无边缘部的缺陷、误差较少的合成影像。此外，为了提升像素补足量的测定精度，至少必须在晶圆W的左右外周部附近的2个部位设定参照区域WS。又，若在晶圆W的中心部及以该中心部为基准的上下及左右对称的区域(5个区域)设定参照区域WS则更佳。

根据以上述方式一边进行像素补足摄影元件C一边拍摄的多个晶圆W的影像，影像处理部45产生晶圆W的合成影像时，影像处理部45比较晶圆W的影像数据与良品晶圆的影像数据，检查在晶圆W表面有无缺陷(异常)。接着，以未图示的影像显示装置输出显示影像处理部45的检查结果及此时的晶圆W的影像(合成影像)。

然而，如上述，为了使用短波长的光而必须使用孔径率小的摄影元件的表面检查装置中，由于摄影元件的孔径率小因此不感光区域广，在摄影面成像的像的信息的缺少区域变大，导至像的再现性降低、检查精度降低。又，由于到达摄影元件的受光部的光较少，因此受光感度变低，此外，由于半导体图案间距的微细化从图案产生的绕射光的光量变小，因此导至检查信号的感度的二重降低。相对于此，为了取得可使用于检查程度的检查影像增加摄影部的曝光时间时，产生噪声导致的感度降低与产率降低的不良影响。又，若欲制造提升受光感度的摄影元件，则无法避免庞大的开发、制造成本。

相对于此，根据第1实施形态的表面检查装置1，根据一边进行像素补足摄影元件C一边拍摄的多个晶圆W的影像，影像处理部45产生晶圆W的合成影像，因此能使在摄影元件C的不感光区域(摄影面)成像的像的亮度数据在影像上再现，可缩小不感光区域的影响提升检查精度。

此外，通过像素补足驱动部35使摄影元件C在与受光系统30的摄影面平行的方向移动，能使在摄影面上成像的晶圆W的像相对摄影元件C高精度移动(高精度进行像素补足)。

又，影像处理部45，以消除实际的像素补足量(相对移动量)与目标的理想像素补足量(相对移动量)的差的方式，修正控制部40对像素补足驱动部35的控制量，能使像素在摄影元件C的排列方向与像素补足驱动部35的驱动方向平行，因此能获得误差较少的合成影像。

又，此时，在晶圆W的影像设定多个参照区域WS，一边进行像素补足一边分别求出拍摄的多个晶圆W的影像的参照区域WS的位置，若测定实际的像素补足量(相对移动量)，则能高精度测定实际的像素补足量。

此外，上述第1实施形态中，为了实现适当的像素补足驱动，虽修正像素补足驱动部35的驱动量，但并不限于此，除了像素补足驱动部35之外，修正载台10的旋转驱动量亦可。

接着，说明表面检查装置的第2实施形态。第2实施形态的表面检查装置101，如图8所示，具备用以支承晶圆W的载台部110、对载台部110所支承的晶圆W的表面照射照明光(紫外光)作为平行光的照明系统20、将接受照明光的照射时的来自晶圆W的绕射光加以聚光的受光系统130、接受受光系统130所聚光的光并拍摄晶圆W的表面像的DUV摄影机132、控制部140、及影像处理部145。

载台部110具有θ载台111、X载台112、Y载台113，通过未图示的搬送装置搬送的晶圆W装载于θ载台111之上且通过真空吸附固定保持。θ载台111，以晶圆W的旋转对称轴(θ载台111的中心轴)为旋转轴，将晶圆W支承成可旋转(在晶圆W表面内旋转)。又，θ载台111，以通过晶圆W表面的轴为中心，能使晶圆W倾斜(倾动)，可调整照明光的入射角。X载台112将θ载台111支承成可朝图8中左右方向移动。Y载台113将θ载台111及X载台112支承成可朝图8中前后方向移动。亦即，通过X载台112及Y载台113，能使θ载台111所支承的晶圆W在大致水平面内移动于前后左右方向。

照明系统20与第1实施形态的照明系统20构成相同，赋予相同符号以省略详细说明。受光系统130以与载台部110(θ载台111)对向配置的受光侧凹面镜131为主体构成，由受光侧凹面镜131所聚光的出射光(绕射光)，经过DUV摄影机132的物镜133到达形成于摄影机部134的摄影面上，成像为晶圆W的像。如上述，由于受光侧凹面镜131与载台部110(θ载台111)对向配置，因此通过X载台112及Y载台113，能使θ载台111所支承的晶圆W相对受光系统130的光轴移动于直角方向(2轴方向)，能使在摄影面上成像的晶圆W的像相对摄影元件C在该摄影面上移动，因此若以小于构成摄影元件C的像素间隔的移动量使晶圆W的像相对移动，则能通过像素补足拍摄晶圆W的像。

DUV摄影机132具有上述物镜133及摄影机部134。物镜133与上述受光侧凹面镜131偕同动作，将来自晶圆W表面的出射光(绕射光)聚光于摄影机部134的摄影面上，在该摄影面上使晶圆W表面的像成像。摄影机部134，具有图17所示的摄影元件C，在该摄影元件C的表面形成摄影面。此外，摄影元件C将形成于摄影面上的晶圆W的表面像进行光电转换以产生影像信号，将影像信号输出至影像处理部145。

控制部140控制DUV摄影机132的摄影元件C、载台部110等的作动。影像处理部145，根据从DUV摄影机132的摄影元件C输入的晶圆W的影像信号，与第1实施形态同样地，产生晶圆W的合成影像，且根据产生的晶圆W的合成影像，与第1实施形态同样地，检查在晶圆W表面有无缺陷(异常)。

以上述方式构成的第2实施形态的表面检查装置101，取代第1实施形态的像素补足驱动部35，使用X载台112及Y载台113，使θ载台111所支承的晶圆W在和与受光系统130的摄影面共轭之面平行的方向(2轴方向)移动，则能使在摄影面上成像的晶圆W的像相对摄影元件C在该摄影面上移动。因此，通过控制部140的控制，一边使θ载台111所支承的晶圆W在和与受光系统130的摄影面共轭之面平行的方向(2轴方向)移动、亦即一边进行像素补足，与第1实施形态同样地，摄影元件C一边拍摄多个晶圆W的表面像。此外，影像处理部145，与第1实施形态同样地，根据一边进行像素补足摄影元件C一边拍摄的多个晶圆W的影像，产生晶圆W的合成影像，且根据产生的晶圆W的合成影像，检查在晶圆W表面有无缺陷(异常)。此外，以未图示的影像显示装置输出显示影像处理部145的检查结果及此时的晶圆W的影像。

如上所述，根据第2实施形态的表面检查装置101，能获得与第1实施形态同样的效果。此外，相对物体面的晶圆W表面在摄影面上成像的晶圆W的表面像通过受光系统130改变倍率，因此控制部140以从晶圆W的像相对摄影元件C的移动量(像素补足量)获得对应受光系统130的成像倍率换算的θ载台111的移动量的方式，控制X载台112及Y载台113的作动。具体而言，设受光系统130的成像倍率为β、构成摄影元件C的像素的尺寸为L、像素分割数为j时，以β×L/j的移动量使θ载台111逐次移动。以此方式，使用X载台112及Y载台113使θ载台111所支承的晶圆W相对受光系统130的光轴移动于直角方向，则能以较简单的构成使晶圆W的像相对摄影元件C移动。

又，第2实施形态中，为了实现适当的像素补足驱动，替代第1实施形态的像素补足驱动部35，修正控制部140对X载台112及Y载台113的控制量即可。再者，除了X载台112及Y载台113的修正外，修正θ载台111的旋转驱动量亦可。

此外，上述第1～第2实施形态中，虽利用在晶圆W表面产生的绕射光检查晶圆W表面，但并不限于此，利用在晶圆W表面产生的散射光检查晶圆W表面的表面检查装置中亦可适用。

又，上述第1～第2实施形态中，虽检查晶圆W表面，但并不限于此，例如检查玻璃基板表面亦可。

接着，说明表面检查装置的第3实施形态。图9为显示第3实施形态的表面检查装置，以此装置检查半导体基板的半导体晶圆W(以下，称为晶圆W)的表面。第3实施形态的表面检查装置201具备用以支承大致圆盘形的晶圆W的载台210，通过未图示的搬送装置搬送的晶圆W装载于载台210之上且通过真空吸附固定保持。载台210，以晶圆W的旋转对称轴(载台210的中心轴)为旋转轴，将晶圆W支承成可旋转(在晶圆W表面内旋转)。又，载台210，以通过晶圆W表面的轴为中心，能使晶圆W倾斜(倾动)，可调整照明光的入射角。

表面检查装置201进一步具有对载台210所支承的晶圆W的表面照射照明光(紫外光)作为平行光的照明系统220、将接受照明光的照射时的来自晶圆W的绕射光加以聚光的受光系统230、接受受光系统230所聚光的光并拍摄晶圆W的表面像的DUV摄影装置250、及影像处理部245。照明系统220具有射出照明光的照明单元221、及使从照明单元221射出的照明光反射向晶圆W表面的照明侧凹面镜225。照明单元221具有金属卤素灯或水银灯等的光源部222、将来自光源部222的光取出具有紫外域波长的光并调节强度的调光部223、及将来自调光部223的光作为照明光导至照明侧凹面镜225的光导光纤224。

此外，来自光源部222的光通过调光部223，具有紫外域波长(例如，248nm的波长)的紫外光从光导光纤224射出至照明侧凹面镜225作为照明光，从光导光纤224射出至照明侧凹面镜225的照明光，由于光导光纤224的射出部配置于照明侧凹面镜225的焦点面，因此通过照明侧凹面镜225成为平行光束照射至载台210所保持的晶圆W的表面。此外，照明光对晶圆W的入射角与出射角的关系，可通过使载台210倾斜(倾动)使晶圆W的装载角度变化来调整。

来自晶圆W表面的出射光(绕射光)通过受光系统230聚光。受光系统230以与载台210对向配置的受光侧凹面镜231为主体构成，由受光侧凹面镜231所聚光的出射光(绕射光)，到达DUV摄影装置250的摄影面上，成像为晶圆W的像(绕射像)。

DUV摄影装置250，如图10所示，具有透镜群251、3个分束器252～254、反射镜255、4个成像透镜258a～258d、及4个摄影构件260a～260d。被受光侧凹面镜231反射的来自晶圆W表面的出射光(绕射光)射入DUV摄影装置250后，透射过透镜群251成为平行光。透射过透镜群251所获得的平行光(绕射光)射入第1分束器252。此时，入射的平行光的1/4被第1分束器252反射，通过第1成像透镜258a所聚光后成像于第1摄影构件260a的摄影面上。另一方面，入射的平行光的3/4透射过第1分束器252，射入第2分束器253。此时，入射的平行光的1/3被第2分束器253反射，通过第2成像透镜258b所聚光后成像于第2摄影构件260b的摄影面上。

另一方面，射入第2分束器253的平行光的2/3透射过第2分束器253，射入第3分束器254。此时，入射的平行光的1/2被第3分束器254反射，通过第3成像透镜258c所聚光后成像于第3摄影构件260c的摄影面上。另一方面，射入第3分束器254的平行光的1/2透射过第3分束器254，被反射镜255大致100％反射，通过第4成像透镜258d所聚光后成像于第4摄影构件260d的摄影面上。此外，作为第1～第3分束器252～254，可使用例如以在平行玻璃基板等蒸镀金属膜或电介质膜而成为所欲特性的方式制作的半反射镜。又，作为反射镜255，可使用例如在玻璃基板等蒸镀金属膜等制作的反射镜。

在4个摄影构件260a～260d的表面上分别形成摄影面。此外，各摄影构件260a～260d将形成于摄影面上的晶圆W的表面像进行光电转换以产生影像信号，将影像信号输出至影像处理部245。接着，针对在4个摄影构件260a～260d(以下，适当总称为摄影构件260)的摄影面上分别成像的晶圆W的像与摄影构件260的位置关系进行说明。图11(a)为以示意方式显示摄影构件260的图，图11(b)为显示在摄影构件260的各像素区域261实际上受光的受光区域261a与不感光区域261b～261d。亦即，图11(b)所示的像素区域261集中形成图11(a)所示的摄影构件260的受光面(摄影面)。此外，图11～图13中，为图示方便像素区域261的右下区域成为受光区域261a。

接着，使用图12对微细缺陷像成像于摄影构件260的摄影面上的例进行说明。图12为显示缺陷270的像成像于摄影构件260的摄影面上的状态的图。从图12(a)可知，由于缺陷270的两端进入受光区域261a，因此能产生缺陷270的影像信号，但由于其他部分未进入受光区域261a，因此无法产生影像信号。假设实际的摄影像的情形，从受光区域261a产生影像信号时判断为在像素区域261有像，因此影像信号视为如图12(b)所示般(从涂黑的像素区域261)产生，在影像处理部245产生图12(c)所示的影像作为最终像。因此，其结果，成为与缺陷270的形状完全不同的形状(如涂黑的部分)。

因此，本实施形态中，相对晶圆W的像将4个摄影构件260a～260d分别配置成晶圆W的像错开像素间隔的1/2成像。此外，像素间隔是相邻像素区域261的像素中心间的间隔。此处，关于各摄影构件260a～260d的配置，使用图13及图14详细进行说明。图13(a)为显示缺陷270与第1摄影构件260a的像素的位置关系。同样地，图13(b)为显示缺陷270与第2摄影构件260b的像素的位置关系，图13(c)为显示缺陷270与第3摄影构件260c的像素的位置关系，图13(d)为显示缺陷270与第4摄影构件260d的像素的位置关系。又，图13(a’)～(d’)为分别将图13(a)～(d)中椭圆围绕的部分裁切出显示。从此等图可知，由于相对晶圆W的像将4个摄影构件260a～260d分别配置成错开像素间隔的1/2，因此各摄影构件260a～260d的不感光区域261b～261d彼此补足。

此外，如图10所示，第1～第4摄影构件260a～260d分别通过第1～第4保持机构265a～265d保持成可(往与光轴垂直的方向)调整位置，通过各保持机构265a～265d以分别错开像素间隔的1/2的方式(以各摄影构件260a～260d的不感光区域261b～261d彼此补足的方式)设定调整配置。又，并不限于此，第1～第4摄影构件260a～260d为分别以错开像素间隔的1/2之方式预先固定保持于保持构件(未图示)亦可。

图14为显示影像处理部245的影像处理的图。图14(a)为将图13(a)～(d)所示的各像素区域261加以合成的影像。图14(a)中，图14(a)中从左上往右下延伸的斜线区域266a相当于第1摄影构件260a的受光区域261a，图14(a)中纵线区域266b相当于第2摄影构件260b的受光区域261a，图14(a)中从右上往左下延伸的斜线区域266c相当于第3摄影构件260c的受光区域261a，图14(a)中横线区域266d相当于第4摄影构件260d的受光区域261a。由于影像处理部245以图14(a)所示的位置关系(亦即，在纵横错开像素间隔之1/2的位置关系)将各摄影构件260a～260d所获得的像加以合成，因此各摄影构件260a～260d的不感光区域261b～261d彼此补足，可产生图14(b)所示的合成影像。从图14(b)可知缺陷270的形状(如涂黑的部分)大致再现。

此外，作为第1～第3分束器252～254，使用例如以在平行玻璃基板等蒸镀金属膜或电介质膜而成为所欲特性的方式制作的半反射镜的情形，针对1个波长能较容易设计、制作成成为所欲性能(反射率或透射率等)。然而，针对多个波长同样地设计、制作成成为所欲性能需要高度的技术，而会导致成本增加。此时，设计、制作成在使用频率最高的波长(例如365nm)呈现所欲性能，针对其他波长预先求出反射率或透射率并储存于影像处理部245，在将影像加以合成时调整各影像的增益可获得良好的合成影像。

影像处理部245，根据从DUV摄影装置250的4个构件260a～260d输入的影像信号，产生以上述方式进行像素补足的晶圆W的合成影像。在影像处理部245的内部存储器(未图示)预先储存良品晶圆的影像数据，影像处理部245，在产生晶圆W的合成影像时，比较晶圆W的影像数据与良品晶圆的影像数据，以检查在晶圆W表面有无缺陷(异常)。此外，以未图示的影像显示装置输出显示影像处理部245的检查结果及此时的晶圆W的影像(合成影像)。

然而，晶圆W在最上层光阻膜的曝光、显影后，通过未图示的搬送装置从未图示的晶圆匣或显影装置搬送至载台210上。此外，此时，晶圆W在以晶圆W的图案或外缘部(凹口或定向平面等)为基准进行对准的状态下，搬送至载台210上。此外，虽省略详细图示，在晶圆W表面，多个晶片区域(照射区域)纵横排列，在各晶片区域之中形成线状图案或球状图案等的反复图案。

为了使用以上述方式构成的表面检查装置201进行晶圆W的表面检查，首先，通过未图示的搬送装置，将晶圆W搬送至载台210上。此外，在搬送途中通过未图示的对准机构取得形成于晶圆W表面的图案的位置信息，可将晶圆W以既定方向装载于载台210上的既定位置。

接着，以在晶圆W表面上的照明方向与图案的反复方向一致的方式使载台210旋转，且设图案的间距为P、照射至晶圆W表面的照明光的波长为λ、照明光的入射角为θ1、n次绕射光的出射角为θ2时，以惠更斯原理进行设定以满足上述式(1)(使载台210倾斜)。此外，此处，再次揭示上述式(1)。

P＝n×λ/{sin(θ1)-sin(θ2)}...(1)

以上述条件将照明光照射至晶圆W表面时，来自照明单元221的光源部222的光通过调光部223，具有紫外域波长(例如，248nm的波长)的紫外光从光导光纤224射出至照明侧凹面镜225作为照明光，被照明侧凹面镜225反射的照明光成为平行光束照射至晶圆W的表面。从晶圆W表面射出的绕射光通过受光侧凹面镜231聚光，射入DUV摄影装置250，透射过透镜群251成为平行光。透射过透镜群251所获得的平行光(绕射光)通过第1～第3分束器252～254及反射镜255分歧成4个平行光束。分歧后的4个平行光束分别通过第1～第4成像透镜258a～258d聚光，到达第1～第4摄影构件260a～260d的摄影面上，成像为晶圆W的像。

第1～第4摄影构件260a～260d将形成于摄影面上的晶圆W的表面像进行光电转换以产生影像信号，将影像信号输出至影像处理部245。影像处理部245，根据从4个摄影构件260a～260d输入的影像信号，产生以上述方式进行像素补足的晶圆W的合成影像。又，影像处理部245，在产生晶圆W的合成影像时，比较晶圆W的影像数据与良品晶圆的影像数据，以检查在晶圆W表面有无缺陷(异常)。此外，以未图示的影像显示装置输出显示影像处理部245的检查结果及此时的晶圆W的影像(合成影像)。

如上述，根据第3实施形态的表面检查装置201，根据以拍摄时不感光区域261b～261d彼此补足的方式配置的多个摄影构件260a～260d分别拍摄的晶圆W的影像，影像处理部245产生晶圆W的合成影像以进行晶圆W的表面检查，因此能使在摄影构件的不感光区域成像的像的亮度数据在影像上再现，可缩小不感光区域的影响提升检查精度。

此外，不驱动各摄影构件260a～260d，影像处理部245即可产生进行像素补足的晶圆W的合成影像，因此可进行可靠度高的像素补足。

又，多个摄影构件260a～260d之中一个摄影构件的受光区域261a，接受在其他摄影构件到达不感光区域261b～261d的来自晶圆W表面的光形成的像，可进行高效率的像素补足。

又，通过第1～第3分束器252～254将来自晶圆W表面的光分歧成多个光束，通过第1～第4成像透镜258a～258d分别聚光成像于各摄影构件260a～260d的摄影面上，可一次拍摄用以进行像素补足的多个影像。

又，本实施形态，相对晶圆W的像将摄影构件错开像素间隔的1/2配置的情形，较佳为，使用4个摄影构件260a～260d。

接着，使用图15说明表面检查装置的第4实施形态。第4实施形态的表面检查装置，与第3实施形态的表面检查装置201相较，仅DUV摄影装置250的构成不同，其他构成皆相同，因此对相同构件赋予相同符号以省略详细说明。第4实施形态的DUV摄影装置280，如图15(a)所示，具有透镜群251、分歧光学元件282、4个成像透镜283a～283d、及4个摄影构件260a～260d。此外，4个成像透镜283a～283d之中，第2成像透镜283b及第4成像透镜283d在图15(a)中省略图示。又，4个摄影构件260a～260d之中，第2摄影构件260b及第4摄影构件260d在图15(a)中省略图示。

第4实施形态中，与第3实施形态相同，从晶圆W表面射出的绕射光通过受光侧凹面镜231聚光，射入DUV摄影装置280，透射过透镜群251成为平行光。透射过透镜群251所获得的平行光(绕射光)射入分歧光学元件282。分歧光学元件282，如图15(b)所示，具有在四角柱的一面(顶部)组合正四角锥的形状、无色透明且低色散的一体光学元件。此种分歧光学元件282，配置成四角柱部282a的延伸方向(与四角锥底面连接的棱线)与平行光的行进方向一致，且四角锥部282b的顶点与平行光的中心一致。因此，从四角柱部282a的底面射入分歧光学元件282内部的平行光，从与四角锥部282b的顶点相连的4个侧面均匀地以既定角度分歧射出。从分歧光学元件282分歧射出的4个平行光束，分别通过第1～第4成像透镜283a～283d聚光，成像于第1～第4摄影构件260a～260d的摄影面上。

第1～第4摄影构件260a～260d，与第3实施形态相同，分别通过上述保持机构265a～265d等配置成相对晶圆W的像彼此错开像素间隔的1/2(亦即，拍摄时不感光区域彼此补足)，将形成于摄影面上的晶圆W的表面像进行光电转换以产生影像信号，将影像信号输出至影像处理部245。此外，影像处理部245，根据从4个摄影构件260a～260d输入的影像信号，与第3实施形态相同产生进行像素补足的晶圆W的合成影像，使用产生的晶圆W的合成影像检查在晶圆W表面有无缺陷(异常)。

如上述，根据第4实施形态，可获得与第3实施形态相同的效果。再者，第4实施形态中，由于使用分歧光学元件282，因此从透射过透镜群251后至以分歧光学元件282分歧后到达各摄影构件260a～260d之前的光学条件相同。因此，各摄影构件260a～260d所获得的影像亮度相同，即使产生像差亦同样地产生，因此合成后的影像亦为良好的影像。又，由于不使用制作复杂的半反射镜，因此可抑制制作成本。

此外，分歧光学元件282虽为低色散的光学元件(例如，萤石或石英玻璃、ED(低色散)玻璃等)，但依光的波长会有射出得到角度稍微不同的情形。为了仅可能不受到其影响，较佳为，增加四角锥部282b的顶角，缩小从分歧光学元件282射出的光与射入分歧光学元件282的平行光的延伸线的夹角。

接着，使用图16说明表面检查装置的第5实施形态。第5实施形态的表面检查装置，与第3实施形态的表面检查装置201相较，仅DUV摄影装置250的构成不同，其他构成皆相同，因此对相同构件赋予相同符号以省略详细说明。第5实施形态的DUV摄影装置290，如图16(a)所示，具有透镜群251、分歧反射镜元件292、4个成像透镜293a～293d、及4个摄影构件260a～260d。此外，4个成像透镜293a～293d之中，第2成像透镜293b及第4成像透镜293d在图16(a)中省略图示。又，4个摄影构件260a～260d之中，第2摄影构件260b及第4摄影构件260d在图16(a)中省略图示。

第5实施形态中，与第3实施形态相同，从晶圆W表面射出的绕射光通过受光侧凹面镜231聚光，射入DUV摄影装置290，透射过透镜群251成为平行光。透射过透镜群251所获得的平行光(绕射光)射入分歧反射镜元件292。分歧反射镜元件292，如图16(b)所示，在侧面与底面的夹角为45度的正四角锥形的基体的侧面以蒸镀等方法使银等反射精度高的物质附着的光学元件。又，分歧反射镜元件292的侧面形成为平面度非常高，反射面的平面度变高，能使射入分歧反射镜元件292的光不散乱地反射。此种分歧反射镜元件292，配置成底面相对射入分歧反射镜元件292的平行光垂直，且顶点与平行光的中心一致。因此，射入分歧反射镜元件292的平行光，在与顶点相连的4个侧面均匀地分歧反射至与入射方向垂直的方向。被分歧反射镜元件292分歧反射的4个平行光束，分别通过第1～第4成像透镜293a～293d聚光，成像于第1～第4摄影构件260a～260d的摄影面上。

第1～第4摄影构件260a～260d，与第3实施形态相同，分别通过上述保持机构265a～265d等配置成相对晶圆W的像彼此错开像素间隔的1/2(亦即，拍摄时不感光区域彼此补足)，将形成于摄影面上的晶圆W的表面像进行光电转换以产生影像信号，将影像信号输出至影像处理部245。此外，影像处理部245，根据从4个摄影构件260a～260d输入的影像信号，与第3实施形态相同产生进行像素补足的晶圆W的合成影像，使用产生的晶圆W的合成影像检查在晶圆W表面有无缺陷(异常)。

如上述，根据第5实施形态，可获得与第3实施形态相同的效果。再者，第5实施形态中，由于使用分歧反射镜元件292，因此从透射过透镜群251后至以分歧反射镜元件292分歧后到达各摄影构件260a～260d之前的光学条件相同。因此，各摄影构件260a～260d所获得的影像亮度相同，即使产生像差亦同样地产生，因此合成后的影像亦为良好的影像。又，第5实施形态中，由于使用反射镜，因此不会因光的波长受到影响，能使从透射过透镜群251后至以分歧反射镜元件292分歧后到达各摄影构件260a～260d之前的光学条件相同。

此外，作为摄影构件可使用CCD(电荷耦合元件)或CMOS(互补金属氧化半导体)等固态摄影元件。上述第3～第5实施形态中，为了补足固态摄影元件的不感光部分使用多个固态摄影元件。作为此固态摄影元件，即使具有微透镜阵列等的光学构件亦可适用于具有不感光部分的摄影构件。又，上述第3～第5实施形态中，虽利用晶圆W的表面产生的绕射光检查晶圆W的表面，但并不限于此，利用在晶圆W表面产生的散射光检查晶圆W表面的表面检查装置中亦可适用。

又，上述第3～第5实施形态中，虽检查晶圆W表面，但并不限于此，例如检查玻璃基板表面亦可。

符号的说明

W：晶圆

C：摄影元件

1：表面检查装置(第1实施形态)

10：载台

20：照明系统(照明部)

30：受光系统(受光光学系统)

32：DUV摄影机

33：物镜

34：摄影机部

35：像素补足驱动部(相对移动部)

40：控制部

45：影像处理部(测定部及修正部)

101：表面检查装置(第2实施形态)

110：载台部

111：θ载台

112：X载台(载台驱动部)

113：Y载台(载台驱动部)

130：受光系统(受光光学系统)

132：DUV摄影机

133：物镜

134：摄影机部

140：控制部

145：影像处理部(测定部及修正部)

201：表面检查装置(第3实施形态)

210：载台

220：照明系统(照明部)

230：受光系统(受光光学系统)

245：影像处理部(检查部)

250：DUV摄影装置

252：第1分束器(分歧部)

253：第2分束器(分歧部)

254：第3分束器(分歧部)

258a：第1成像透镜(成像部)

258b：第2成像透镜(成像部)

258c：第3成像透镜(成像部)

258d：第4成像透镜(成像部)

260a：第1摄影构件

260b：第2摄影构件

260c：第3摄影构件

260d：第4摄影构件

261：像素区域

261a：受光区域(受光部)

261b：不感光区域(不感光部)

261c：不感光区域(不感光部)

261d：不感光区域(不感光部)

265a：第1保持机构(设定部)

265b：第2保持机构(设定部)

265c：第3保持机构(设定部)

265d：第4保持机构(设定部)

280：DUV摄影装置(第4实施形态)

282：分歧光学元件(分歧部)

283a：第1成像透镜(成像部)

283b：第2成像透镜(成像部)

283c：第3成像透镜(成像部)

283d：第4成像透镜(成像部)

290：DUV摄影装置(第5实施形态)

292：分歧反射镜元件(分歧部)

293a：第1成像透镜(成像部)

293b：第2成像透镜(成像部)

293c：第3成像透镜(成像部)

293d：第4成像透镜(成像部)

Claims (12)

1.一种表面检查装置，用以检查基板的表面，具备：

载台，用以支承该基板；

照明部，对该载台所支承的该基板的表面照射紫外光；

受光光学系统，接受来自该紫外光所照射的该基板的表面的光，以使该基板的表面的像成像；

摄影元件，在拍摄该受光光学系统所成像的该像的位置具有摄影面，并具备多个像素，该多个像素由具有在该摄影面接受以检测来自该像的光的受光部、及设于该受光部周围不检测光的不感光部所构成；以及

设定部，设定该摄影元件相对成像于该摄影面的该像的位置；

该设定部，以该摄影元件在仅错开小于该像素彼此的间隔的相对移动量的多个相对位置拍摄多个该像的方式设定该相对位置；

具备产生合成影像的影像处理部，该合成影像，对应该多个相对位置将该摄影元件所拍摄的该多个影像的各像素排列合成。

2.如权利要求1的表面检查装置，其中，该设定部由使该摄影元件与该像在该摄影面上相对移动的相对移动部构成；

具备控制该相对移动部及该摄影元件的作动的控制部，据以一边使该相对移动部以小于该像素彼此的间隔的该相对移动量进行该相对移动、一边使该摄影元件在该多个相对位置拍摄该多个该像；

该影像处理部，对应该相对移动的顺序将该摄影元件所拍摄的该多个影像的各像素排列合成以产生该合成影像。

3.如权利要求2的表面检查装置，其中，该相对移动部，以该受光部位于该相对移动之前该不感光部原本所在位置的方式，进行该相对移动。

4.如权利要求2或3的表面检查装置，其中，该相对移动部具有使该载台移动于正交2方向的载台驱动部；

该控制部，以能从该相对移动量获得根据该受光光学系统的成像倍率换算后的该载台的移动量的方式，控制该载台驱动部的作动。

5.如权利要求2至4中任一项的表面检查装置，其具备：

测定部，根据该摄影元件所拍摄的该多个影像测定实际的该相对移动情况；以及

修正部，修正该控制部对该相对移动部的控制量，据以使该测定部所测定的实际的该相对移动情况与目标的该相对移动情况无差异。

6.如权利要求5的表面检查装置，其中，该测定部通过对该多个影像进行影像处理，以小于该像素彼此的间隔的精度测定该相对移动情况。

7.如权利要求5或6的表面检查装置，其中，该测定部通过在该影像设定多个参照区域，并分别求出在该多个影像的该多个参照区域的位置，以测定实际的该相对移动情况。

8.如权利要求1的表面检查装置，其具备多个该摄影元件；

该受光光学系统分别使该像成像于该多个摄影元件的摄影面；

该多个摄影元件，以该设定部对应各该多个相对位置配置以在该拍摄时彼此补足该不感光部，于该对应的相对位置分别拍摄该像；

该影像处理部，从该多个摄影元件分别拍摄的多个影像产生该合成影像。

9.如权利要求8的表面检查装置，其中，在该多个摄影元件中的一个摄影元件的该受光部，接受来自在其他摄影元件到达该不感光部的该像的光加以检测。

10.如权利要求8或9的表面检查装置，其中，该受光光学系统具有使来自该紫外光所照射的该基板的表面的光分歧成多个光束的分歧部、及将该多个光束分别导至该多个摄影元件的摄影面以使该多个该像成像的成像部。

11.如权利要求8至10中任一项的表面检查装置，其中，该多个摄影元件为4个摄影元件。

12.如权利要求1至11中任一项的表面检查装置，其具备根据该影像处理部所产生的该合成影像进行该基板的表面的检查的检查部。

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