TW201312099A - 圖案檢查裝置及方法 - Google Patents

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Takayoshi Fujii
Yusaku Konno
Makoto Kaneko
Yuichiro Yamazaki
Mitsutoshi Watabiki
Kiminori Yoshino
Yusuke Iida
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Toshiba Kk
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Abstract

在一實施例中，一種圖案檢查裝置包括：一光源，其經組態以產生光；及一聚光器，其經組態以將該光塑形成一線光束以藉由該線光束對一晶圓進行照明。該裝置進一步包括一光譜儀，該光譜儀經組態以使自該晶圓反射之該線光束色散。該裝置進一步包括一個二維偵測器，該二維偵測器經組態以偵測藉由該光譜儀色散之該線光束，且輸出包括該線光束之光譜資訊的一信號。該裝置進一步包括：一比較單元，其經組態以相互比較自該晶圓上之一重複圖案之對應處所獲得的該光譜資訊；及一判定單元，其經組態以基於該光譜資訊之一比較結果判定該晶圓是否包括一缺陷。

Description

圖案檢查裝置及方法
本文中所描述之實施例係關於一種圖案檢查裝置及方法。
本申請案係基於在2011年9月12日申請之日本專利申請案第2011-198656號且主張其優先權之權利，該案之完整內容係以引用之方式併入本文中。
習知圖案檢查裝置藉由來自燈光源之光來對晶圓進行照明，藉由來自該晶圓之反射光在二維偵測器上形成影像以便獲得該影像，且相互比較自晶圓上之重複圖案之對應處所獲得的像素值比較，藉此判定該晶圓是否包括缺陷。
藉由使用帶通濾波器自燈光源之寬波長範圍選擇適合於晶圓之結構及缺陷的波長範圍來設定用於晶圓照明之光的波長。在此種狀況中，該合適波長歸因於晶圓平面中、晶圓之間及批之間的下伏結構之變化及缺陷高度之變化而改變。此情形常常導致缺陷之漏測。
此外，儘管習知圖案檢查裝置藉由對限定區域進行照明的光來對晶圓進行照明，但可藉由點束而非此類光來對晶圓進行照明。然而，在此種狀況中有必要藉由該點束來掃描晶圓。與藉由對限定區域進行照明的光來對晶圓進行照明的狀況相比較，此情形導致生產力緩慢的問題。
本文中所描述之一實施例為一種圖案檢查裝置，其包 括：一光源，其經組態以產生光；及一聚光器，其經組態以將該光塑形成一線光束以藉由該線光束對一晶圓進行照明。該裝置進一步包括一光譜儀，該光譜儀經組態以使自該晶圓反射之該線光束色散。該裝置進一步包括一個二維偵測器，該二維偵測器經組態以偵測藉由該光譜儀色散之該線光束，且輸出包括該線光束之光譜資訊的一信號。該裝置進一步包括：一比較單元，其經組態以相互比較自該晶圓上之一重複圖案之對應處所獲得的該光譜資訊比較；及一判定單元，其經組態以基於該光譜資訊之一比較結果判定該晶圓是否包括一缺陷。
現將參看附隨圖式解釋諸實施例。
(第一實施例)
圖1為展示第一實施例之圖案檢查裝置中的光學系統之組態的示意圖。
圖1之圖案檢查裝置包括光源11、凸透鏡12、作為聚光透鏡之第一柱面透鏡13、作為物鏡之第二柱面透鏡14、作為成像透鏡之第三柱面透鏡15、光柵16、電荷耦合器件(CCD)感測器17、比較單元18及判定單元19。
光源11為具有寬波長帶之白光光源。在本發明實施例中，將燈光源用作光源11。燈光源之實例包括Hg(水銀)燈、Xe(氙氣)燈、鹵素燈及其類似者。
自光源11產生之白光藉由凸透鏡12轉換成平行光。該白光藉由第一柱面透鏡13進一步塑形成線光束以藉由該線光 束對晶圓21進行照明。該第一柱面透鏡13為聚光器之實例。
自晶圓21反射之線光束穿過將藉由散射而發散之光轉換成平行光的第二柱面透鏡14，且接著穿過第三柱面透鏡15以在光柵16上形成影像。接著藉由光柵16使線光束色散。光柵16為光譜儀之實例。
入射於光柵16上之線光束為白光，且因此其含有各種波長之光分量。藉由光柵16根據該等波長來改變白光之該等光分量的行進角度，以藉由彼等光分量對CCD感測器17進行照明。因此，CCD感測器17之光接收平面偵測對應於沿第一方向之波長差的資訊，且偵測對應於沿垂直於第一方向之第二方向的線光束中之位置差的資訊。在圖1中，將第一方向指示為X方向，且將第二方向指示為Y方向。
以此方式，CCD感測器17偵測作為一整體而藉由光柵16色散的線光束。CCD感測器17接著輸出包括線光束之經偵測之光譜資訊的信號。將輸出信號供應至比較單元18。CCD感測器17為二維偵測器之實例。
圖1之圖案檢查裝置進行用於在晶圓21之重複圖案上獲得此光譜資訊的程序。接著，將自晶圓21上之重複圖案之對應處所獲得的光譜資訊供應至比較單元18。
比較單元18相互比較自晶圓21上之重複圖案之對應處所獲得的光譜資訊。具體言之，重複圖案包括具有相同形狀之複數個圖案，且因此比較單元18相互比較自彼等圖案之對應處所獲得的光譜。舉例而言，在製造於晶圓21上之鄰 近IC晶片之間或在一IC晶片中之重複電路圖案中進行藉由比較單元18進行之比較程序。
判定單元19接著基於光譜資訊之比較結果判定晶圓21是否包括缺陷。以此方式，在本發明實施例中，有可能藉由相互比較自晶圓21上之重複圖案之對應處所獲得的光譜資訊來判定晶圓21是否包括缺陷。
如上所描述，藉由使用來自晶圓21之反射光的光譜資訊進行本發明實施例中之缺陷偵測。因此，使用白光而非波長設定於適合於晶圓21之結構及缺陷的波長區域中之光作為用於晶圓照明之光。因此，根據本發明實施例，可藉由一次使用複數個波長來進行檢查。因此，即使晶圓21之結構及缺陷變化以改變合適波長，仍可高度精確地偵測缺陷。
晶圓21之結構變化的實例包括晶圓21上之層之厚度的變化、電路圖案之線寬度或高度的變化，及晶圓21上之層之物質的變化，該物質變化引起折射率及吸收指數之改變。晶圓21之缺陷變化的實例包括缺陷高度及大小之變化及缺陷之材料(諸如，介電質或金屬)的差異。
此外，在本發明實施例中，用於晶圓照明之光並非點束而是線光束。因此，與藉由點束掃描晶圓21之狀況相比較，可藉由用線光束掃描晶圓21來快速獲得晶圓平面中之光譜資訊。因此，本發明實施例可進行在生產力方面快速的圖案檢查。
用於晶圓照明之光可為除白光之外的光，只要該光在波 長範圍內展佈即可。結果，類似於使用白光之狀況，變得有可能甚至在合適波長歸因於晶圓21之結構及缺陷的變化而改變的情況中仍高度精確地偵測缺陷。
(1)圖案檢查方法之第一實例
現將參看圖2A至圖3C描述第一實施例之圖案檢查方法的第一實例。
圖2A至圖3C為用於解釋第一實施例之圖案檢查方法之第一實例的晶圓截面圖及曲線圖。
圖2A展示圖1之晶圓21之截面的實例。在圖2A中，晶圓21包括半導體基板101、接連地形成於半導體基板101上之堆疊層102至105，及形成於堆疊層105上之圖案層111。圖案層111之實例包括互連層，該互連層包括互連圖案。
類似於圖2A，圖2B展示圖1之晶圓21之截面的實例。圖2A展示合格產品之截面，而圖2B展示具有缺陷X之不合格產品的截面。
在下文中，圖2A中之檢查位置被稱為第一檢查位置，且圖2B中之檢查位置被稱為第二檢查位置。
藉由比較單元18進行之比較方法的實例包括計算自晶圓21上之重複圖案之對應處所獲得的光譜之差的方法。在此比較程序中，計算(例如)第一IC晶片上之第一圖案與具有與第一圖案之形狀相同的形狀且位於第二IC晶片上之對應處中的第二圖案之間的差。在此種狀況中，第一圖案及第二圖案中之每一者無需為重複圖案。然而，藉由在IC晶片間重複形狀與第一圖案及第二圖案之形狀相同的複數個圖 案來形成重複圖案。此外，在比較程序中，計算(例如)第一圖案與第二圖案之間的差，該第一圖案形成IC晶片上之重複圖案，該第二圖案之形狀與同一IC晶片上之同一重複圖案中之第一圖案相同。
圖3A及圖3B分別展示自為晶圓21上之重複圖案之對應處的第一檢查位置及第二檢查位置所獲得的光譜。圖3C展示彼等光譜之間的差。因此，圖3C展示在將第一檢查位置及第二檢查位置選擇為比較目標之狀況中的比較結果。圖3A至圖3C中之橫座標軸指示線光束之波長，且圖3A至圖3C中之縱座標軸指示線光束之強度。
若第一檢查位置及第二檢查位置不包括缺陷，則在任何波長圖3C中之差異強度的值應為小的。然而，在此實例中，第二檢查位置包括缺陷。因此，在第二檢查位置中之光譜中，在特定波長強度改變，如圖3B中所展示。結果，在此波長圖3C中所展示之差異強度變為大的值。
因此，判定單元19基於圖3C中所展示之差異強度判定晶圓21是否包括缺陷。具體言之，若在一波長該差異強度大於臨限值，則判定單元19判定晶圓21包括缺陷。另一方面，若在任何波長該差異強度皆小於臨限值，則判定單元19判定晶圓21不包括缺陷。在圖3C中，藉由Ith表示臨限值之實例。
當相互比較兩個檢查位置中之強度時，比較單元18可將一檢查位置設定為業已完成判定之檢查位置，且將另一檢查位置設定為尚未進行判定之檢查位置。在此種狀況中， 判定單元19判定晶圓21上之第二檢查位置是否包括缺陷。
此外，當相互比較兩個檢查位置中之強度時，比較單元18可將兩個檢查位置均設定為尚未進行判定之檢查位置。在此種狀況中，判定單元19輸出判定結果，例如，「檢查位置中之任一者包括缺陷」或「兩個檢查位置均不包括缺陷」。
若晶圓21之結構及缺陷並未變化，則圖3B中所展示之強度改變出現在特定的固定波長。然而，若晶圓21之結構或缺陷變化，則適合於晶圓21之結構或缺陷的波長改變，使得強度改變所處之波長改變。因此，若晶圓21之結構或缺陷變化，則習知圖案檢查裝置常常漏測缺陷。另一方面，根據本發明實施例，亦可高度精確地偵測此缺陷，如下所描述。
類似於圖2A至圖3C，圖4A至圖5C為用於解釋第一實施例之圖案檢查方法之第一實例的晶圓截面圖及曲線圖。
類似於圖2A及圖2B，圖4A及圖4B展示合格產品及不合格產品之截面。然而，圖2A及圖2B中所展示之堆疊層104具有厚度T1，而圖4A及圖4B中所展示之堆疊層104具有大於T1之厚度T2。換言之，圖4A及圖4B中之晶圓21之結構不同於圖2A及圖2B中之晶圓21之彼等結構。
在下文中，圖4A中之檢查位置被稱為第一檢查位置，且圖4B中之檢查位置被稱為第二檢查位置。
類似於圖3A及圖3B，圖5A及圖5B分別展示自為晶圓21上之重複圖案之對應處的第一檢查位置及第二檢查位置所 獲得的光譜。類似於圖3C，圖5C展示彼等光譜之間的差。
在此實例中，第二檢查位置包括缺陷。因此，在第二檢查位置中之光譜中，在特定波長強度改變，如圖5B中所展示。然而，此波長不同於圖3B中強度改變所處之波長。結果，在不同於圖3C之波長的波長圖5C中所展示之差異強度變為大的值。
若在晶圓結構中存在此改變，則習知圖案檢查裝置不能高度精確地偵測缺陷。然而，在本發明實施例中，若在一波長該差異強度大於臨限值，則判定晶圓21包括缺陷。因此，在本發明實施例中，即使在晶圓結構中存在此改變，仍可高度精確地偵測缺陷。
(2)圖案檢查方法之第二實例
現將參看圖6A至圖7E描述第一實施例之圖案檢查方法的第二實例。
圖6A至圖7E為用於解釋第一實施例之圖案檢查方法之第二實例的晶圓截面圖及曲線圖。
圖6A展示圖1之晶圓21之截面的實例。在圖6A中，晶圓21包括半導體基板201及形成於半導體基板201上之圖案層202。圖案層202之實例包括互連層，該互連層包括互連圖案。
類似於圖6A，圖6B及圖6C展示圖1中所展示之晶圓21之截面的實例。圖6A展示合格產品之截面，而圖6B及圖6C中之每一者展示具有缺陷211之不合格產品的截面。圖6B 中之缺陷211具有高度H1，而圖6C中之缺陷211具有小於H1之高度H2。換言之，在圖6B與圖6C之間存在缺陷高度之變化。
在下文中，圖6A至圖6C中之檢查位置分別被稱為第一檢查位置至第三檢查位置。
類似於第一實例之狀況，比較單元18計算自晶圓21上之重複圖案之對應處所獲得的光譜之間的差。圖7A至7C分別展示自第一檢查位置至第三檢查位置所獲得之光譜。圖7D展示自第一檢查位置及第二檢查位置所獲得之光譜之間的差，且圖7E展示自第一檢查位置及第三檢查位置所獲得之光譜之間的差。類似於第一實例之狀況，判定單元19基於彼等差判定晶圓21是否包括缺陷。
圖7B中之強度改變及圖7C中之強度改變出現在反映缺陷高度之變化的不同波長。結果，在不同波長圖7D及圖7E中所展示之差異強度變為大的值。
若在缺陷結構中存在此改變，則習知圖案檢查裝置不能高度精確地偵測缺陷。然而，在本發明實施例中，若在一波長該差異強度大於臨限值，則判定晶圓21包括缺陷。因此，在本發明實施例中，即使在缺陷結構中存在此改變，仍可高度精確地偵測缺陷。
在300 nm之波長圖7B中之強度改變，且在550 nm之波長圖7C中之強度改變。根據本發明之發明人的發現，強度改變所處之波長取決於缺陷之高度。因此，本發明實施例之圖案檢查裝置可基於強度改變所處之波長估計缺陷高度。 此估計程序可(例如)藉由查驗缺陷高度與強度改變所處之波長之間的對應關係且先前將該對應關係之表儲存於圖案檢查裝置中來實現。
(3)第一實施例之效應
最後，將描述第一實施例之效應。
如上所描述，在本發明實施例中，藉由使用來自晶圓21之反射光的光譜資訊進行缺陷偵測。因此，根據本發明實施例，有可能甚至在晶圓21之結構及缺陷變化且因此合適波長改變的情況中仍高度精確地偵測缺陷。
此外，在本發明實施例中，用於晶圓照明之光並非點束而是線光束。因此，根據本發明實施例，與使用點束之狀況相比較，有可能以較快生產力進行圖案檢查。
(第二實施例)
圖8為展示第二實施例之圖案檢查裝置中的光學系統之組態的示意圖。
圖1之圖案檢查裝置中的光學系統包括第三柱面透鏡(成像透鏡)15，此係因為該光學系統之數值孔徑NA為相對大的。另一方面，第三柱面透鏡15未提供於圖8之圖案檢查裝置中之光學系統中，此係因為該光學系統之數值孔徑NA為相對小的。圖8中所展示之組態具有可減小製造成本之優勢，此係因為不需要第三柱面透鏡15。
根據第二實施例，類似於第一實施例，有可能甚至在晶圓21之結構及缺陷變化且因此合適波長改變的情況中仍高度精確地偵測缺陷，且有可能以快速生產力進行圖案檢 查。
在第一實施例及第二實施例中，將光柵16及CCD感測器17整體地形成為一個單元的光譜相機可用作光柵16及CCD感測器17。
(第三實施例)
圖9為展示第三實施例之圖案檢查裝置中的光學系統之組態的示意圖。
圖9中所展示之圖案檢查裝置包括分別替代燈光源11、光柵16及CCD感測器17之超連續光源31、稜鏡32及CMOS感測器33。
超連續光源31為白光光源，其產生稱作超連續光之寬頻雷射光作為白光。超連續光源31具有可使亮度大於燈光源11之亮度使得可改良信雜比的優點。在本發明實施例中，超連續光源31可用諸如超發光二極體光源之另一白光光源來代替。
類似於光柵16，稜鏡32為使自晶圓21反射之線光束色散的光譜儀。類似於CCD感測器17，CMOS感測器33為偵測經色散之線光束的二維偵測器。
第一柱面透鏡13及第三柱面透鏡15可分別由除柱面透鏡之外的聚光器及成像器來代替。
在本發明實施例中，偏光器或分析器可安置於光源31與晶圓21之設定位置之間的光學路徑或晶圓21之設定位置與稜鏡32之間的光學路徑上。結果，例如，有可能選擇適合於每一缺陷之偵測的偏振光(諸如，p偏振光、s偏振光、 右旋橢圓偏振光或左旋橢圓偏振光)，藉此改良缺陷偵測敏感性。
舉例而言，若在檢查互連圖案時檢查到具有斷開之互連的線切斷缺陷(開路缺陷)，則需要使用平行於互連方向而振動的偏振光。另一方面，若檢查到具有互連之間的短路之橋接缺陷(短路缺陷)，則需要使用垂直於互連方向而振動的偏振光。因此，當檢查互連圖案時，可選擇適合於缺陷類型之偏振光。
若安置了偏光器或分析器，則可在CMOS感測器33中偵測自線光束所獲得的p偏振光與s偏振光之間的強度比率或相位差而非線光束之強度。
圖9中所展示之符號P1表示凸透鏡12與第一柱面透鏡13之間的光學路徑上之點。符號P2表示第二柱面透鏡14與第三柱面透鏡15之間的光學路徑上之點。在本發明實施例中，例如，偏光器或分析器安置於點P1或P2處。
圖9中所展示之符號α表示照明光學系統相對於晶圓21之角度，亦即，線光束之入射角。符號β表示成像光學系統相對於晶圓21之角度，亦即，線光束之輸出角。若彼等角度彼此相等，則圖案檢查裝置中之光學系統變為明視場光學系統。若彼等角度彼此不同，則圖案檢查裝置中之光學系統變為暗視場光學系統。本發明實施例可應用於兩種光學系統。
即使入射角α及輸出角β彼此相等，仍可藉由在照明光學系統及成像光學系統之光學路徑上分別安置圖10A及圖 10B之空間濾光片來建構暗視場光學系統。
圖10A及圖10B為展示第三實施例中之空間濾光片之組態的示意圖。圖10A展示照明光學系統之光學路徑上的空間濾光片34，且圖10B展示成像光學系統之光學路徑上的空間濾光片35。參考數字41及43分別指示至空間濾光片34及35上之入射光。參考數字42及44分別指示透射穿過空間濾光片34及35之光。
空間濾光片34安置於(例如)圖9中所展示之點P1處，且空間濾光片35安置於(例如)圖9中所展示之點P2處。歸因於彼等空間濾光片34及35，有可能選擇形成至晶圓21上之照明光之光分量的角度及形成至稜鏡32上之入射光之光分量的角度。
此外，在本發明實施例中，取決於缺陷之類型、下伏圖案之結構或其類似者，著重指出缺陷之空間濾光片或減少雜訊之空間濾光片可安置於照明光學系統或成像光學系統之光學路徑上。
此外，本發明實施例之圖案檢查裝置可包括除上述組件之外的組件。此組件之實例包括具有轉換放大率之功能的光學元件，諸如中繼透鏡。
根據第三實施例，類似於第一實施例及第二實施例，有可能甚至在晶圓21之結構及缺陷變化的情況中仍高度精確地偵測缺陷，且有可能以快速生產力進行圖案檢查。
第一實施例至第三實施例之組態可部分地組合。舉例而言，在第一實施例中，僅燈光源11、光柵16及CCD感測器 17當中之燈光源11可藉由超連續光源31來代替。
雖然已描述了特定實施例，但此等實施例僅藉由實例來呈現且並不意欲限制本發明之範疇。實際上，本文中所描述之新穎裝置及方法可以多種其他形式來體現；此外，可在不脫離本發明之精神的情況中對本文中所描述之裝置及方法之形式進行各種省略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其等效物意欲涵蓋將屬於本發明之範疇及精神內之此類形式或修改。
11‧‧‧燈光源
12‧‧‧凸透鏡
13‧‧‧第一柱面透鏡
14‧‧‧第二柱面透鏡
15‧‧‧第三柱面透鏡
16‧‧‧光柵
17‧‧‧電荷耦合器件(CCD)感測器
18‧‧‧比較單元
19‧‧‧判定單元
21‧‧‧晶圓
31‧‧‧超連續光源
32‧‧‧稜鏡
33‧‧‧CMOS感測器
34‧‧‧空間濾光片
35‧‧‧空間濾光片
41‧‧‧入射光
42‧‧‧透射穿過空間濾光片之光
43‧‧‧入射光
44‧‧‧透射穿過空間濾光片之光
101‧‧‧半導體基板
102‧‧‧堆疊層
103‧‧‧堆疊層
104‧‧‧堆疊層
105‧‧‧堆疊層
111‧‧‧圖案層
201‧‧‧半導體基板
202‧‧‧圖案層
211‧‧‧缺陷
H1‧‧‧缺陷高度
H2‧‧‧缺陷高度
P1‧‧‧凸透鏡與第一柱面透鏡之間的光學路徑上之點
P2‧‧‧第二柱面透鏡與第三柱面透鏡之間的光學路徑上之點
T1‧‧‧圖案層厚度
T2‧‧‧圖案層厚度
X‧‧‧缺陷
α‧‧‧照明光學系統相對於晶圓之角度
β‧‧‧成像光學系統相對於晶圓之角度
圖1為展示第一實施例之圖案檢查裝置中的光學系統之組態的示意圖；圖2A至圖3C為用於解釋第一實施例之圖案檢查方法之第一實例的晶圓截面圖及曲線圖；圖4A至圖5C為用於解釋第一實施例之圖案檢查方法之第一實例的晶圓截面圖及曲線圖；圖6A至圖7E為用於解釋第一實施例之圖案檢查方法之第二實例的晶圓截面圖及曲線圖；圖8為展示第二實施例之圖案檢查裝置中的光學系統之組態的示意圖；及圖9為展示第三實施例之圖案檢查裝置中的光學系統之組態的示意圖；及圖10A及圖10B為展示第三實施例之空間濾光片之組態的示意圖。
11‧‧‧燈光源
12‧‧‧凸透鏡
13‧‧‧第一柱面透鏡
14‧‧‧第二柱面透鏡
15‧‧‧第三柱面透鏡
16‧‧‧光柵
17‧‧‧電荷耦合器件(CCD)感測器
18‧‧‧比較單元
19‧‧‧判定單元
21‧‧‧晶圓

Claims (20)

  1. 一種圖案檢查裝置，其包含：一光源，其經組態以產生光；一聚光器，其經組態以將該光塑形成一線光束以藉由該線光束對一晶圓進行照明；一光譜儀，其經組態以使自該晶圓反射之該線光束色散；一個二維偵測器，其經組態以偵測藉由該光譜儀色散之該線光束，且輸出包括該線光束之光譜資訊的一信號；一比較單元，其經組態以相互比較自該晶圓上之一重複圖案之對應處所獲得的該光譜資訊；及一判定單元，其經組態以基於該光譜資訊之一比較結果判定該晶圓是否包括一缺陷。
  2. 如請求項1之裝置，其中該光源為經組態以產生白光之一白光光源。
  3. 如請求項2之裝置，其中該白光光源為一燈光源、一超連續光源或一超發光二極體光源。
  4. 如請求項1之裝置，其中該比較單元計算自該晶圓上之該重複圖案之該等對應處所獲得的該等線光束之強度的一差。
  5. 如請求項4之裝置，其中若在一波長該等線光束之該等強度的該差大於一臨限值，則該判定單元判定該晶圓包括該缺陷。
  6. 如請求項1之裝置，其中該比較單元比較提供於該晶圓上之不同晶片之間的該光譜資訊。
  7. 如請求項1之裝置，其中該比較單元比較自該晶圓上之同一晶片中之該重複圖案所獲得的該光譜資訊。
  8. 如請求項1之裝置，其中該聚光器為一柱面透鏡。
  9. 如請求項1之裝置，其中該光譜儀為一光柵或一稜鏡。
  10. 如請求項1之裝置，其進一步包含一成像器，該成像器經組態以藉由自該晶圓反射之該線光束在該光譜儀上形成一影像。
  11. 如請求項1之裝置，其進一步包含一偏光器或一分析器，該偏光器或該分析器安置於該光源與該晶圓之一設定位置之間或該晶圓之該設定位置與該光譜儀之間。
  12. 如請求項11之裝置，該二維偵測器偵測自該線光束所獲得之p偏振光與s偏振光之間的一強度比率或一相位差。
  13. 如請求項1之裝置，其進一步包含一空間濾光片，該空間濾光片安置於該光源與該晶圓之一設定位置之間或該晶圓之該設定位置與該光譜儀之間，且經組態以選擇至該晶圓上之照明光或至該二維偵測器上之入射光的一光分量之一角度。
  14. 一種圖案檢查方法，其包含：產生光；將該光塑形成一線光束以藉由該線光束對一晶圓進行照明；使自該晶圓反射之該線光束色散； 藉由一個二維偵測器偵測該經色散之線光束，且自該二維偵測器輸出包括該線光束之光譜資訊的一信號；相互比較自該晶圓上之一重複圖案之對應處所獲得的該光譜資訊；及基於該光譜資訊之一比較結果判定該晶圓是否包括一缺陷。
  15. 如請求項14之方法，其中該光為白光。
  16. 如請求項15之方法，其中該白光為燈光、超連續光或超發光二極體光。
  17. 如請求項14之方法，其中該比較包含：計算自該晶圓上之該重複圖案之該等對應處所獲得的該等線光束之強度的一差。
  18. 如請求項17之方法，其中該判定包含：若在一波長該等線光束之該等強度的該差大於一臨限值，則判定該晶圓包括該缺陷。
  19. 如請求項14之方法，其中該比較包含：比較提供於該晶圓上之不同晶片之間的該光譜資訊。
  20. 如請求項14之方法，其中該比較包含：比較自該晶圓上之同一晶片中之該重複圖案所獲得的該光譜資訊。
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