JPH1027833A - 異物分析方法 - Google Patents
異物分析方法Info
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- JPH1027833A JPH1027833A JP8179416A JP17941696A JPH1027833A JP H1027833 A JPH1027833 A JP H1027833A JP 8179416 A JP8179416 A JP 8179416A JP 17941696 A JP17941696 A JP 17941696A JP H1027833 A JPH1027833 A JP H1027833A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
- H01J37/256—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers using scanning beams
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/25—Tubes for localised analysis using electron or ion beams
- H01J2237/2505—Tubes for localised analysis using electron or ion beams characterised by their application
- H01J2237/2555—Microprobes, i.e. particle-induced X-ray spectrometry
- H01J2237/2561—Microprobes, i.e. particle-induced X-ray spectrometry electron
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 極めて能率的な異常物分析方法を提供する事
を目的とする。 【解決手段】 異物データリスト上で分析したい異物点
を全てマーキング登録し、登録異物テーブル３６に登録
する。分析時の照射条件を設定する。Ｘ線分析をスター
トする。登録異物テーブル３６からの異物の寸法データ
に応じた倍率で陰極線管２４の画面上に登録された異物
の二次電子像を表示させる。フレームメモリ２２の全て
の番地を調査し、該調査に基づいて異物の位置座標を測
定し、陰極線管２４の画面の中心位置と異物の位置座標
との各方向の差分を演算して、該各差分をステージ駆動
機構１９及び／又はイメージシフト電源ＳＳに送る。セ
ンタリングされた異物のセンターに集束された電子ビー
ムが照射し、Ｘ線を発生させる。分析が１ウエハについ
て最後のものでなければ、続けて登録異物テーブルから
次の異物点のデータが呼出され、前記と同様なステップ
が繰返される。
を目的とする。 【解決手段】 異物データリスト上で分析したい異物点
を全てマーキング登録し、登録異物テーブル３６に登録
する。分析時の照射条件を設定する。Ｘ線分析をスター
トする。登録異物テーブル３６からの異物の寸法データ
に応じた倍率で陰極線管２４の画面上に登録された異物
の二次電子像を表示させる。フレームメモリ２２の全て
の番地を調査し、該調査に基づいて異物の位置座標を測
定し、陰極線管２４の画面の中心位置と異物の位置座標
との各方向の差分を演算して、該各差分をステージ駆動
機構１９及び／又はイメージシフト電源ＳＳに送る。セ
ンタリングされた異物のセンターに集束された電子ビー
ムが照射し、Ｘ線を発生させる。分析が１ウエハについ
て最後のものでなければ、続けて登録異物テーブルから
次の異物点のデータが呼出され、前記と同様なステップ
が繰返される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、半導体基板上の
異物をＸ線分析する異物分析方法に関する。
異物をＸ線分析する異物分析方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 近時、ＩＣはＬＳＩ，超ＬＳＩ，超々
ＬＳＩと益々高密度化すると共に、ＩＣの需要は依然と
して極めて活発であり、ここに来てＩＣ量産段階におけ
る歩留まり向上が最も重要な課題となっている。その
為、ＩＣ製造過程においてのＩＣ検査の重要性が極めて
高くなっている。
ＬＳＩと益々高密度化すると共に、ＩＣの需要は依然と
して極めて活発であり、ここに来てＩＣ量産段階におけ
る歩留まり向上が最も重要な課題となっている。その
為、ＩＣ製造過程においてのＩＣ検査の重要性が極めて
高くなっている。
【０００３】さて、この様なＩＣの検査を行う装置の１
つとして異物分析装置がある。図１は異物分析装置の一
概略を示したブロック図である。図中１はウエハの如き
半導体基板上の異物（ごみ等）を検査する為の欠陥検査
装置である。この欠陥検査装置は市販されているもの
で、該欠陥検査装置の載置台に載せられた検査すべきウ
エハ全面に光を照射し、その反射光を検出し、該反射光
に基づいてウエハ上の異物情報（異物の位置座標と大き
さ）を出力するものである。この欠陥検査装置１の出力
データである異物の位置座標は図２に示す様に、異物Ｄ
のＸ，Ｙ方向の端部の座標（ｘ1 ，ｘ2 ），（ｙ1 ，ｙ
2 ）の中間の座標（ｘ1 ＋ｘ2 ）／２，（ｙ1 ＋ｙ2 ）
／２を取っている。又、異物の大きさは異物Ｄの各Ｘ，
Ｙ方向の端部間の寸法Ｘ1 ，Ｙ1 を取っている。２は操
作・制御用ワークステーション（以後ＥＷＳと称す）
で、前記欠陥検査装置１の出力データが入力されると、
該欠陥検査装置１座標系上での異物出力データを後述す
る走査電子顕微鏡の座標系上でのデータに座標変換する
座標変換部３、該座標変換された異物データを記憶する
メモリ４、該座標変換された異物出力データ（異物の位
置座標と異物の大きさ）をリスト形式で表示するモニタ
５、ウエハ上の異物の分布を表示するモニタ６、Ｘ線分
析時と走査電子顕微鏡での観察時との照射条件（加速電
圧、照射電流、倍率等）を登録した照射条件テーブル７
等を備えており、各種操作・制御を行う中央制御装置的
役割を担っている。尚、８は前記ＥＷＳ２の操作卓、９
は該ＥＷＳ２に接続されたマウスである。１０は走査電
子顕微鏡鏡体で、電子銃１１、集束レンズ１２、偏向レ
ンズ１３、シフトコイルＳＣ、二次電子検出器１４、Ｘ
線検出器（例えば、エネルギー分散型Ｘ線検出器）１
５、ステージ１６が備えられている。尚、１７，１８は
夫々加速電源，レンズ電源で、前記ＥＷＳ２からの照射
条件に基づいた加速電圧，励磁電流を夫々電子銃１１，
集束レンズ１２に供給するもの、又、ＳＳはイメージシ
フト電源で、入力されて来た位置信号に応じて電子ビー
ム位置を移動させるものである。１９は前記ＥＷＳ２か
らの指令により作動するステージ駆動機構で、前記ステ
ージの移動を制御するものである。２０は前記ＥＷＳ２
からの指令に従って作動する走査信号発生器で、倍率設
定回路２１を介して前記走査電子顕微鏡鏡体中の偏向レ
ンズ１３とフレームメモリ２２に走査信号を供給する。
前記二次電子検出器１４で検出された二次電子信号はア
ンプ２３を介して前記フレームメモリ２２に記憶され
る。該フレームメモリは前記ＥＷＳ２からの指令に従っ
て陰極線管２４に前記二次電子信号に基づく画像信号を
供給し、該陰極線管画面上に二次電子像を表示させる。
２５はカーソル発生回路で、前記陰極線管２４画面上
に、例えば、十字上のカーソルを発生させる回路であ
る。２６は前記画面上で該カーソルの位置を移動させる
為のカーソル移動器である。２７は演算回路で、カーソ
ルの基準位置（前記画面の中央）と移動後のカーソルの
センターの距離を算出し、該算出した距離に相当する信
号を前記ステージ駆動機構１９及び／又は前記イメージ
シフト電源ＳＳに供給するものである。前記Ｘ線検出器
１５で検出されたＸ線信号はアンプ２８及び信号処理回
路２９を介してフレームメモリ３０に記憶される。該フ
レームメモリは前記ＥＷＳ２からの指令に従って陰極線
管３１に前記Ｘ線信号に基づく画像信号を供給し、該陰
極線管画面上に、例えば、Ｘ線スペクトルを表示させ
る。尚、３２は記録計で、前記Ｘ線スペクトルを記録
し、プリントアウトするものである。この様な構成の異
物分析装置の動作を以下に説明する。
つとして異物分析装置がある。図１は異物分析装置の一
概略を示したブロック図である。図中１はウエハの如き
半導体基板上の異物（ごみ等）を検査する為の欠陥検査
装置である。この欠陥検査装置は市販されているもの
で、該欠陥検査装置の載置台に載せられた検査すべきウ
エハ全面に光を照射し、その反射光を検出し、該反射光
に基づいてウエハ上の異物情報（異物の位置座標と大き
さ）を出力するものである。この欠陥検査装置１の出力
データである異物の位置座標は図２に示す様に、異物Ｄ
のＸ，Ｙ方向の端部の座標（ｘ1 ，ｘ2 ），（ｙ1 ，ｙ
2 ）の中間の座標（ｘ1 ＋ｘ2 ）／２，（ｙ1 ＋ｙ2 ）
／２を取っている。又、異物の大きさは異物Ｄの各Ｘ，
Ｙ方向の端部間の寸法Ｘ1 ，Ｙ1 を取っている。２は操
作・制御用ワークステーション（以後ＥＷＳと称す）
で、前記欠陥検査装置１の出力データが入力されると、
該欠陥検査装置１座標系上での異物出力データを後述す
る走査電子顕微鏡の座標系上でのデータに座標変換する
座標変換部３、該座標変換された異物データを記憶する
メモリ４、該座標変換された異物出力データ（異物の位
置座標と異物の大きさ）をリスト形式で表示するモニタ
５、ウエハ上の異物の分布を表示するモニタ６、Ｘ線分
析時と走査電子顕微鏡での観察時との照射条件（加速電
圧、照射電流、倍率等）を登録した照射条件テーブル７
等を備えており、各種操作・制御を行う中央制御装置的
役割を担っている。尚、８は前記ＥＷＳ２の操作卓、９
は該ＥＷＳ２に接続されたマウスである。１０は走査電
子顕微鏡鏡体で、電子銃１１、集束レンズ１２、偏向レ
ンズ１３、シフトコイルＳＣ、二次電子検出器１４、Ｘ
線検出器（例えば、エネルギー分散型Ｘ線検出器）１
５、ステージ１６が備えられている。尚、１７，１８は
夫々加速電源，レンズ電源で、前記ＥＷＳ２からの照射
条件に基づいた加速電圧，励磁電流を夫々電子銃１１，
集束レンズ１２に供給するもの、又、ＳＳはイメージシ
フト電源で、入力されて来た位置信号に応じて電子ビー
ム位置を移動させるものである。１９は前記ＥＷＳ２か
らの指令により作動するステージ駆動機構で、前記ステ
ージの移動を制御するものである。２０は前記ＥＷＳ２
からの指令に従って作動する走査信号発生器で、倍率設
定回路２１を介して前記走査電子顕微鏡鏡体中の偏向レ
ンズ１３とフレームメモリ２２に走査信号を供給する。
前記二次電子検出器１４で検出された二次電子信号はア
ンプ２３を介して前記フレームメモリ２２に記憶され
る。該フレームメモリは前記ＥＷＳ２からの指令に従っ
て陰極線管２４に前記二次電子信号に基づく画像信号を
供給し、該陰極線管画面上に二次電子像を表示させる。
２５はカーソル発生回路で、前記陰極線管２４画面上
に、例えば、十字上のカーソルを発生させる回路であ
る。２６は前記画面上で該カーソルの位置を移動させる
為のカーソル移動器である。２７は演算回路で、カーソ
ルの基準位置（前記画面の中央）と移動後のカーソルの
センターの距離を算出し、該算出した距離に相当する信
号を前記ステージ駆動機構１９及び／又は前記イメージ
シフト電源ＳＳに供給するものである。前記Ｘ線検出器
１５で検出されたＸ線信号はアンプ２８及び信号処理回
路２９を介してフレームメモリ３０に記憶される。該フ
レームメモリは前記ＥＷＳ２からの指令に従って陰極線
管３１に前記Ｘ線信号に基づく画像信号を供給し、該陰
極線管画面上に、例えば、Ｘ線スペクトルを表示させ
る。尚、３２は記録計で、前記Ｘ線スペクトルを記録
し、プリントアウトするものである。この様な構成の異
物分析装置の動作を以下に説明する。
【０００４】先ず、検査すべきウエハが欠陥検査装置１
のステージ（図示せず）に載せられて検査が行われる
と、該ウエハ上で検出された各異物（ごみ）の位置座標
と大きさのデータがペアで出力され、前記ＥＷＳ２へ入
力される。ＥＷＳの座標変換部３は入力されてきた異物
データを座標変換し、メモリ４に記憶する。そして、モ
ニタ５に該座標変換された異物データ（異物の位置座標
と異物の大きさ）をリスト形式で表示する。図３は異物
データのリスト形式の表示例を示したもので、異物番号
Ｎ０、異物位置のＸ座標，Ｙ座標ＰＸ，ＰＹ、異物のＸ
方向，Ｙ方向寸法ＳＸ，ＳＹが表示される。以後このリ
ストを異物データリストと称す。又、モニタ６には図４
に示す様に、ウエハ上の異物の分布が表示される。この
異物の分布は前記異物データリストの各異物の位置に対
応した夫々の位置に異物が存在している事を示してい
る。この後、異物検査の終了したウエハを前記欠陥検査
装置１から取出し、走査型電子顕微鏡本体１０のステー
ジ１６の所定の位置に置く。
のステージ（図示せず）に載せられて検査が行われる
と、該ウエハ上で検出された各異物（ごみ）の位置座標
と大きさのデータがペアで出力され、前記ＥＷＳ２へ入
力される。ＥＷＳの座標変換部３は入力されてきた異物
データを座標変換し、メモリ４に記憶する。そして、モ
ニタ５に該座標変換された異物データ（異物の位置座標
と異物の大きさ）をリスト形式で表示する。図３は異物
データのリスト形式の表示例を示したもので、異物番号
Ｎ０、異物位置のＸ座標，Ｙ座標ＰＸ，ＰＹ、異物のＸ
方向，Ｙ方向寸法ＳＸ，ＳＹが表示される。以後このリ
ストを異物データリストと称す。又、モニタ６には図４
に示す様に、ウエハ上の異物の分布が表示される。この
異物の分布は前記異物データリストの各異物の位置に対
応した夫々の位置に異物が存在している事を示してい
る。この後、異物検査の終了したウエハを前記欠陥検査
装置１から取出し、走査型電子顕微鏡本体１０のステー
ジ１６の所定の位置に置く。
【０００５】さて、次から、異物の分析、即ち、異物の
元素分析（Ｘ線分析）が図５に示す如きフローに従って
行われる。
元素分析（Ｘ線分析）が図５に示す如きフローに従って
行われる。
【０００６】先ず、異物データリストの上で分析したい
異物点を指定する。この指定はＥＷＳ２に接続されたマ
ウス９により前記モニタ５に表示された異物データリス
ト上でカーソルを移動し、分析したい異物番号の所で止
めてクリックすることにより指定される。例えば、Ｎ
０．３の異物が指定されたとすると、該Ｎ０．３の異物
の位置座標（ＰＸ3 ，ＰＹ3 ）がＥＷＳ２からステージ
駆動機構１９及び／又は前記イメージシフト電源ＳＳに
送られるので、該異物が走査電子顕微鏡の電子線光軸上
に位置する様にステージ１６及び／又は電子ビーム位置
が移動する。尚、前記異物の位置座標値の内、大まかな
値（例えば、２０μｍ以上の値）が前記ステージ駆動機
構１９に与えられ、微小値（例えば、２０μｍより小さ
い値）が前記イメージシフト電源ＳＳに与えられる。
異物点を指定する。この指定はＥＷＳ２に接続されたマ
ウス９により前記モニタ５に表示された異物データリス
ト上でカーソルを移動し、分析したい異物番号の所で止
めてクリックすることにより指定される。例えば、Ｎ
０．３の異物が指定されたとすると、該Ｎ０．３の異物
の位置座標（ＰＸ3 ，ＰＹ3 ）がＥＷＳ２からステージ
駆動機構１９及び／又は前記イメージシフト電源ＳＳに
送られるので、該異物が走査電子顕微鏡の電子線光軸上
に位置する様にステージ１６及び／又は電子ビーム位置
が移動する。尚、前記異物の位置座標値の内、大まかな
値（例えば、２０μｍ以上の値）が前記ステージ駆動機
構１９に与えられ、微小値（例えば、２０μｍより小さ
い値）が前記イメージシフト電源ＳＳに与えられる。
【０００７】次に操作卓８から照射条件を入力しても良
いが、通常は、予めテーブル化されている分析時の照射
条件が前記ＥＷＳ２に取付けられた選択ボタン（図示せ
ず）により分析モードを選択することにより設定され
る。該分析モード選択により、前記ＥＷＳ２の照射条件
テーブル７から分析時の照射条件、即ち、例えば、加速
電圧が１２ＫＶ、照射電流が３００ｐＡ、倍率が１００
０倍に成る様な信号が夫０々加速電源１７、レンズ電源
１８、倍率設定回路２１に送られる。同時に、ＥＷＳ２
から走査信号発生器２０に走査指令が送られているの
で、この設定後、電子銃１１から射出されウエハ上で集
束された電子ビームは、前記設定倍率に従った走査幅で
ウエハ上を走査する。該走査により該ウエハ上から発生
した二次電子は二次電子検出器１４に検出され、該検出
された信号がアンプ２３を介してフレームメモリ２２に
記憶される。ＥＷＳ２の指令により、この記憶された信
号を呼出して陰極線管２４に供給することにより、該陰
極線管の画面上には前記指定されたＮ０．３の異物の二
次電子像が所定倍率で表示される。所で、この異物の二
次電子像は理想的には陰極線管画面の中央に表示される
はずであるが、前記欠陥検査装置１での異物の検出精度
や該欠陥検査装置のステージ移動精度、更に、走査型電
子顕微鏡のステージ移動精度等により、実際には陰極線
管画面の中央からずれて表示されるので、異物の二次電
子像が画面の中央に表示されるようにセンタリングをす
ることがある。
いが、通常は、予めテーブル化されている分析時の照射
条件が前記ＥＷＳ２に取付けられた選択ボタン（図示せ
ず）により分析モードを選択することにより設定され
る。該分析モード選択により、前記ＥＷＳ２の照射条件
テーブル７から分析時の照射条件、即ち、例えば、加速
電圧が１２ＫＶ、照射電流が３００ｐＡ、倍率が１００
０倍に成る様な信号が夫０々加速電源１７、レンズ電源
１８、倍率設定回路２１に送られる。同時に、ＥＷＳ２
から走査信号発生器２０に走査指令が送られているの
で、この設定後、電子銃１１から射出されウエハ上で集
束された電子ビームは、前記設定倍率に従った走査幅で
ウエハ上を走査する。該走査により該ウエハ上から発生
した二次電子は二次電子検出器１４に検出され、該検出
された信号がアンプ２３を介してフレームメモリ２２に
記憶される。ＥＷＳ２の指令により、この記憶された信
号を呼出して陰極線管２４に供給することにより、該陰
極線管の画面上には前記指定されたＮ０．３の異物の二
次電子像が所定倍率で表示される。所で、この異物の二
次電子像は理想的には陰極線管画面の中央に表示される
はずであるが、前記欠陥検査装置１での異物の検出精度
や該欠陥検査装置のステージ移動精度、更に、走査型電
子顕微鏡のステージ移動精度等により、実際には陰極線
管画面の中央からずれて表示されるので、異物の二次電
子像が画面の中央に表示されるようにセンタリングをす
ることがある。
【０００８】即ち、次に、マニアルでのセンタリングが
行われる。前記した様に、カーソル発生器２５により前
記陰極線管２４の画面には十字状のカーソルが表示され
る。この際、カーソル移動器２６を操作していない場合
に、カーソル発生器２５を作動させると、図６に示す様
に、十字状のカーソルＫは、そのセンターが画面Ｐの中
央に来る様に表示される。そこで、オペレータは画面に
表示されている異物像ＤＩを見ながら、カーソル移動器
２６によりカーソルＫを異物の中心に移動させる。する
と、演算回路２７はカーソルの基準位置（前記画面の中
央）と移動後のカーソルのセンターの距離（Ｘ0 ，
Ｙ0 ）を算出し、該算出した距離に相当する信号を前記
ステージ駆動機構１９及び／又は前記イメージシフト電
源ＳＳに供給する。すると、ステージ１６及び／又は電
子ビーム位置が移動し、前記異物像のセンターが前記画
面中央に位置する様に異物像が表示される。
行われる。前記した様に、カーソル発生器２５により前
記陰極線管２４の画面には十字状のカーソルが表示され
る。この際、カーソル移動器２６を操作していない場合
に、カーソル発生器２５を作動させると、図６に示す様
に、十字状のカーソルＫは、そのセンターが画面Ｐの中
央に来る様に表示される。そこで、オペレータは画面に
表示されている異物像ＤＩを見ながら、カーソル移動器
２６によりカーソルＫを異物の中心に移動させる。する
と、演算回路２７はカーソルの基準位置（前記画面の中
央）と移動後のカーソルのセンターの距離（Ｘ0 ，
Ｙ0 ）を算出し、該算出した距離に相当する信号を前記
ステージ駆動機構１９及び／又は前記イメージシフト電
源ＳＳに供給する。すると、ステージ１６及び／又は電
子ビーム位置が移動し、前記異物像のセンターが前記画
面中央に位置する様に異物像が表示される。
【０００９】この状態において、前記ＥＷＳ２に取付け
られたＸ線分析コントロールボタン（図示せず）を押
し、Ｘ線分析（異物の元素分析）をスタートする。尚、
このステップに入る前に、既に異物を含むウエハからＸ
線が発生しており、Ｘ線検出器は発生したＸ線を検出し
ているが、前記Ｘ線分析コントロールボタンを押さなけ
れば、検出したＸ線信号は、例えば、信号処理回路２９
へ入力されない様に構成されている。
られたＸ線分析コントロールボタン（図示せず）を押
し、Ｘ線分析（異物の元素分析）をスタートする。尚、
このステップに入る前に、既に異物を含むウエハからＸ
線が発生しており、Ｘ線検出器は発生したＸ線を検出し
ているが、前記Ｘ線分析コントロールボタンを押さなけ
れば、検出したＸ線信号は、例えば、信号処理回路２９
へ入力されない様に構成されている。
【００１０】この様にＸ線分析がスタートすると、同時
にＥＷＳ２は走査信号発生回路２０の動作を停止させ
る。すると、異物のセンターにのみ集束された電子ビー
ムが照射され、該異物からＸ線が発生し、Ｘ線検出器１
５に検出される。該検出されたＸ線信号はアンプ２８及
び信号処理回路２９を介してフレームメモリ３０に記憶
される。そして、ＥＷＳ２の指令により、この記憶され
た信号を呼出して陰極線管３１及び記録計３２に供給さ
れるので、該陰極線管の画面上には前記指定されたＮ
０．３の異物のＸ線スペクトルが表示される。同時に、
記録計３２からは該異物のＸ線スペクトルがプリントア
ウトされる。
にＥＷＳ２は走査信号発生回路２０の動作を停止させ
る。すると、異物のセンターにのみ集束された電子ビー
ムが照射され、該異物からＸ線が発生し、Ｘ線検出器１
５に検出される。該検出されたＸ線信号はアンプ２８及
び信号処理回路２９を介してフレームメモリ３０に記憶
される。そして、ＥＷＳ２の指令により、この記憶され
た信号を呼出して陰極線管３１及び記録計３２に供給さ
れるので、該陰極線管の画面上には前記指定されたＮ
０．３の異物のＸ線スペクトルが表示される。同時に、
記録計３２からは該異物のＸ線スペクトルがプリントア
ウトされる。
【００１１】次に、Ｘ線スペクトルにより異物の元素と
異物の種類を同定し、その結果を前記ＥＷＳ２の記憶部
にファイルする。この元素の同定は、Ｘ線プローブアナ
ラザーで行われている検出されたＸ線データから自動定
性分析する方法、又はＸ線スペクトルを見ながらピーク
の示す元素を同定する手動定性分析法等の何れかをその
まま使用する。又、異物の種類の同定は、予めＸ線スペ
クトルと異物の種類を対応させたデータを沢山取ってお
き、今回得られたＸ線スペクトルと照合するＸ線ペクト
ルを検索することにより異物の種類を同定する。
異物の種類を同定し、その結果を前記ＥＷＳ２の記憶部
にファイルする。この元素の同定は、Ｘ線プローブアナ
ラザーで行われている検出されたＸ線データから自動定
性分析する方法、又はＸ線スペクトルを見ながらピーク
の示す元素を同定する手動定性分析法等の何れかをその
まま使用する。又、異物の種類の同定は、予めＸ線スペ
クトルと異物の種類を対応させたデータを沢山取ってお
き、今回得られたＸ線スペクトルと照合するＸ線ペクト
ルを検索することにより異物の種類を同定する。
【００１２】以上のステップで１異物点のＸ線分析が終
了する。
了する。
【００１３】そして、この分析が１ウエハについて最後
のものでなければ、再び、前記異物データリストの上で
分析したい異物点を指定し、前記と同様なステップが繰
り返される。
のものでなければ、再び、前記異物データリストの上で
分析したい異物点を指定し、前記と同様なステップが繰
り返される。
【００１４】そして、そのＸ線分析が１ウエハについて
最後のものであれば、１ウエハについての分析が終了す
る。
最後のものであれば、１ウエハについての分析が終了す
る。
【００１５】この後、次のウエハについてのＸ線分析が
始まるか、又は、走査電子顕微鏡でのウエハの観察が行
われる。前者のＸ線分析が行われる場合には、既にその
ウエハの異物検査が終了していれば、前記図５に示す如
きフローに従ってＸ線分析が行われ、未だそのウエハの
異物検査が行われていなければ、前記欠陥検査装置１で
の異物検査から始める。
始まるか、又は、走査電子顕微鏡でのウエハの観察が行
われる。前者のＸ線分析が行われる場合には、既にその
ウエハの異物検査が終了していれば、前記図５に示す如
きフローに従ってＸ線分析が行われ、未だそのウエハの
異物検査が行われていなければ、前記欠陥検査装置１で
の異物検査から始める。
【００１６】尚、前記例では、異物データリストの上で
分析したい異物点を指定したが、モニタ６に表示された
異物分布図の異物表示点をクリックすることにより指定
出来る様に構成しても良い。
分析したい異物点を指定したが、モニタ６に表示された
異物分布図の異物表示点をクリックすることにより指定
出来る様に構成しても良い。
【００１７】又、前記例では異物点を指定してから分析
時の照射条件を設定したが、共通の照射条件が使用され
れば、先に照射条件を設定を行っても良い。
時の照射条件を設定したが、共通の照射条件が使用され
れば、先に照射条件を設定を行っても良い。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】 さて、前記従来の異
物分析方法においては、欠陥検査装置から出力される異
物データに基づく異物データリストの上で分析したい異
物点を１点１点指定する毎にＸ線分析を行っているの
で、極めて能率が悪く、ＩＣ製造における歩留向上に支
障を来していた。
物分析方法においては、欠陥検査装置から出力される異
物データに基づく異物データリストの上で分析したい異
物点を１点１点指定する毎にＸ線分析を行っているの
で、極めて能率が悪く、ＩＣ製造における歩留向上に支
障を来していた。
【００１９】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、極めて能率的な異物分析方法を提供する事を目
的とする。
もので、極めて能率的な異物分析方法を提供する事を目
的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】 請求項１の発明に基づ
く異物分析方法は、検査すべきウエハ上に存在する異物
の少なくとも位置と大きさデータを出力する様に成した
欠陥検査装置からのデータに基づいて異物のＸ線分析を
行う様にした異物分析方法において、前記元素分析前
に、前記欠陥検査装置で検出された多数の異物の中から
元素分析すべき異物をまとめて識別しておき、該各識別
された異物を元素分析する様にした事を特徴とする。
く異物分析方法は、検査すべきウエハ上に存在する異物
の少なくとも位置と大きさデータを出力する様に成した
欠陥検査装置からのデータに基づいて異物のＸ線分析を
行う様にした異物分析方法において、前記元素分析前
に、前記欠陥検査装置で検出された多数の異物の中から
元素分析すべき異物をまとめて識別しておき、該各識別
された異物を元素分析する様にした事を特徴とする。
【００２１】請求項２の発明に基づく異常物分析方法
は、検査すべきウエハ上に存在する異物の少なくとも位
置と大きさデータを出力する様に成した欠陥検査装置
と、Ｘ線分析機構を備えた走査電子顕微鏡を備え、前記
検査すべきウエハを前記走査電子顕微鏡のステージに載
せ、前記欠陥検査装置で検出された異物を前記走査電子
顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析する様にした異物
分析方法において、前記元素分析前に、前記欠陥検査装
置で検出された多数の異物の中から元素分析すべき異物
をまとめて識別しておき、該各識別された異物を前記走
査電子顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析する様にし
た事を特徴とする。
は、検査すべきウエハ上に存在する異物の少なくとも位
置と大きさデータを出力する様に成した欠陥検査装置
と、Ｘ線分析機構を備えた走査電子顕微鏡を備え、前記
検査すべきウエハを前記走査電子顕微鏡のステージに載
せ、前記欠陥検査装置で検出された異物を前記走査電子
顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析する様にした異物
分析方法において、前記元素分析前に、前記欠陥検査装
置で検出された多数の異物の中から元素分析すべき異物
をまとめて識別しておき、該各識別された異物を前記走
査電子顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析する様にし
た事を特徴とする。
【００２２】請求項３の発明に基づく異常物分析方法
は、検査すべきウエハ上に存在する異物の少なくとも位
置と大きさデータを出力する様に成した欠陥検査装置
と、Ｘ線分析機構を備えた走査電子顕微鏡を備え、前記
検査すべきウエハを前記走査電子顕微鏡のステージに載
せ、前記欠陥検査装置で検出された異物を前記走査電子
顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析する様にした異物
分析方法において、前記元素分析前に、前記欠陥検査装
置で検出された多数の異物の中から元素分析すべき異物
をまとめて識別しておき、該各識別された異物を元素分
析する際、異物の位置データに基づいて前記ステージ及
び／又は電子ビームを移動制御し、該移動制御後、異物
を含むウエハ上を電子ビームで走査することにより検出
された二次電子信号に基づいて異物の位置を求め、該求
めた位置と電子光軸中心との距離を求め、該距離に基づ
いて前記ステージ及び／又は電子ビームを移動制御する
様にした事を特徴とする。
は、検査すべきウエハ上に存在する異物の少なくとも位
置と大きさデータを出力する様に成した欠陥検査装置
と、Ｘ線分析機構を備えた走査電子顕微鏡を備え、前記
検査すべきウエハを前記走査電子顕微鏡のステージに載
せ、前記欠陥検査装置で検出された異物を前記走査電子
顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析する様にした異物
分析方法において、前記元素分析前に、前記欠陥検査装
置で検出された多数の異物の中から元素分析すべき異物
をまとめて識別しておき、該各識別された異物を元素分
析する際、異物の位置データに基づいて前記ステージ及
び／又は電子ビームを移動制御し、該移動制御後、異物
を含むウエハ上を電子ビームで走査することにより検出
された二次電子信号に基づいて異物の位置を求め、該求
めた位置と電子光軸中心との距離を求め、該距離に基づ
いて前記ステージ及び／又は電子ビームを移動制御する
様にした事を特徴とする。
【００２３】請求項４の発明に基づく異常物分析方法
は、検査すべきウエハ上に存在する異物の少なくとも位
置と大きさデータを出力する様に成した欠陥検査装置
と、Ｘ線分析機構を備えた走査電子顕微鏡を備え、前記
検査すべきウエハを前記走査電子顕微鏡のステージに載
せ、前記欠陥検査装置で検出された異物を前記走査電子
顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析する様にした異物
分析方法において、前記元素分析前に、前記欠陥検査装
置で検出された多数の異物の中から元素分析すべき異物
をまとめて識別しておき、該各識別の際、識別された異
物の位置データに基づいて前記ステージ及び／又は電子
ビームを移動制御し、該移動制御後、異物を含むウエハ
上を電子ビームで走査することにより検出された二次電
子信号に基づいて異物の位置を求め、該求めた位置と電
子光軸中心との距離を求め、該距離をセンタリング値と
して各元素分析すべき異物のデータに付加し、該各識別
された異物を元素分析する際、前記付加したセンタリン
グ値に基づいて前記ステージ及び／又は電子ビームを移
動制御するようにした事を特徴とする。
は、検査すべきウエハ上に存在する異物の少なくとも位
置と大きさデータを出力する様に成した欠陥検査装置
と、Ｘ線分析機構を備えた走査電子顕微鏡を備え、前記
検査すべきウエハを前記走査電子顕微鏡のステージに載
せ、前記欠陥検査装置で検出された異物を前記走査電子
顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析する様にした異物
分析方法において、前記元素分析前に、前記欠陥検査装
置で検出された多数の異物の中から元素分析すべき異物
をまとめて識別しておき、該各識別の際、識別された異
物の位置データに基づいて前記ステージ及び／又は電子
ビームを移動制御し、該移動制御後、異物を含むウエハ
上を電子ビームで走査することにより検出された二次電
子信号に基づいて異物の位置を求め、該求めた位置と電
子光軸中心との距離を求め、該距離をセンタリング値と
して各元素分析すべき異物のデータに付加し、該各識別
された異物を元素分析する際、前記付加したセンタリン
グ値に基づいて前記ステージ及び／又は電子ビームを移
動制御するようにした事を特徴とする。
【００２４】請求項５の発明に基づく異常物分析方法
は、予め異物の大きさに応じて異物を含むウエハ上の電
子ビーム走査範囲を制御する倍率値を異物の大きさと対
応づけてテーブルに登録しておき、各識別された異物を
元素分析する際、異物の大きさデータに対応した倍率値
を前記テーブルから呼出し、該倍率値に基づいて異物を
含むウエハ上を電子ビームで走査することにより検出さ
れた二次電子信号に基づいて異物の位置を求め、該位置
と電子光軸中心との距離に基づいて前記ステージ及び／
又は電子ビームを移動制御するようにした。
は、予め異物の大きさに応じて異物を含むウエハ上の電
子ビーム走査範囲を制御する倍率値を異物の大きさと対
応づけてテーブルに登録しておき、各識別された異物を
元素分析する際、異物の大きさデータに対応した倍率値
を前記テーブルから呼出し、該倍率値に基づいて異物を
含むウエハ上を電子ビームで走査することにより検出さ
れた二次電子信号に基づいて異物の位置を求め、該位置
と電子光軸中心との距離に基づいて前記ステージ及び／
又は電子ビームを移動制御するようにした。
【００２５】請求項６の発明に基づく異常物分析方法
は、予め異物の大きさに応じて異物を含むウエハ上の電
子ビーム走査範囲を制御する倍率値を異物の大きさと対
応づけてテーブルに登録しておき、元素分析すべき異物
を識別する際、異物の大きさデータに対応した倍率値を
前記テーブルから呼出し、該倍率値に基づいて異物を含
むウエハ上を電子ビームで走査することにより検出され
た二次電子信号に基づいて異物の位置を求め、該位置と
電子光軸中心との距離を求め、該距離をセンタリング値
として元素分析すべき異物のデータに付加した。
は、予め異物の大きさに応じて異物を含むウエハ上の電
子ビーム走査範囲を制御する倍率値を異物の大きさと対
応づけてテーブルに登録しておき、元素分析すべき異物
を識別する際、異物の大きさデータに対応した倍率値を
前記テーブルから呼出し、該倍率値に基づいて異物を含
むウエハ上を電子ビームで走査することにより検出され
た二次電子信号に基づいて異物の位置を求め、該位置と
電子光軸中心との距離を求め、該距離をセンタリング値
として元素分析すべき異物のデータに付加した。
【００２６】請求項７の発明に基づく異常物分析方法
は、欠陥検査装置から出力される異物のデータ中、Ｘ方
向，Ｙ方向の何れかの方向の大きさデータ値が予め設定
した値以上の異物のみが識別される様にした。
は、欠陥検査装置から出力される異物のデータ中、Ｘ方
向，Ｙ方向の何れかの方向の大きさデータ値が予め設定
した値以上の異物のみが識別される様にした。
【００２７】請求項８の発明に基づく異常物分析方法
は、欠陥検査装置から出力される異物のデータ中、Ｘ方
向の大きさデータ値とＹ方向の大きさデータ値に基づい
て求められる異物の面積が予め設定した値以上の異物の
みが識別される様にし、該識別された異物のみを元素分
析する様にした。
は、欠陥検査装置から出力される異物のデータ中、Ｘ方
向の大きさデータ値とＹ方向の大きさデータ値に基づい
て求められる異物の面積が予め設定した値以上の異物の
みが識別される様にし、該識別された異物のみを元素分
析する様にした。
【００２８】請求項９の発明に基づく異常物分析方法
は、欠陥検査装置から出力される異物データ中、Ｘ方向
の大きさデータ値とＹ方向の大きさデータ値の比が予め
設定した値以上の異物のみが識別される様にし、該識別
された異物のみを元素分析する様にした。
は、欠陥検査装置から出力される異物データ中、Ｘ方向
の大きさデータ値とＹ方向の大きさデータ値の比が予め
設定した値以上の異物のみが識別される様にし、該識別
された異物のみを元素分析する様にした。
【００２９】
【発明の実施の形態】 以下、図面を参照して本発明の
実施の形態を詳細に説明する。図７は本発明の異物分析
方法を実施する装置例の概略を示している。図中、前記
図１にて使用した記号と同一記号の付されたものは同一
構成要素を示す。
実施の形態を詳細に説明する。図７は本発明の異物分析
方法を実施する装置例の概略を示している。図中、前記
図１にて使用した記号と同一記号の付されたものは同一
構成要素を示す。
【００３０】図中３３は異物位置測定回路で、ＥＷＳ２
からの指令によりフレームメモリ２２の全ての番地を当
たって行き、各番地の異物信号の有無を調べ、該調査に
基づいて、前記図２の様に、異物のＸ，Ｙ方向の端部の
座標（ｘ1 ，ｘ2 ），（ｙ1，ｙ2 ）の中間の座標（ｘ
1 ＋ｘ2 ）／２，（ｙ1 ＋ｙ2 ）／２を算出し、これを
異物の位置座標として、演算回路３４に送っている。該
演算回路は、陰極線管２４の画面の中心位置と前記異物
の位置座標との各方向の差分を演算して、該各差分をス
テージ駆動機構１９及び／又はイメージシフト電源ＳＳ
に送るものである。３５は倍率テーブルで、異物の寸法
に対して倍率設定回路２１に設定すべき倍率を該寸法と
対応させて記憶しているもので、異物の寸法データが入
力されるとそれに対応した倍率設定信号を前記倍率設定
回路２１に供給するものである。３６，３７は分析した
い異物のデータを記憶する為の登録異物テーブルであ
る。
からの指令によりフレームメモリ２２の全ての番地を当
たって行き、各番地の異物信号の有無を調べ、該調査に
基づいて、前記図２の様に、異物のＸ，Ｙ方向の端部の
座標（ｘ1 ，ｘ2 ），（ｙ1，ｙ2 ）の中間の座標（ｘ
1 ＋ｘ2 ）／２，（ｙ1 ＋ｙ2 ）／２を算出し、これを
異物の位置座標として、演算回路３４に送っている。該
演算回路は、陰極線管２４の画面の中心位置と前記異物
の位置座標との各方向の差分を演算して、該各差分をス
テージ駆動機構１９及び／又はイメージシフト電源ＳＳ
に送るものである。３５は倍率テーブルで、異物の寸法
に対して倍率設定回路２１に設定すべき倍率を該寸法と
対応させて記憶しているもので、異物の寸法データが入
力されるとそれに対応した倍率設定信号を前記倍率設定
回路２１に供給するものである。３６，３７は分析した
い異物のデータを記憶する為の登録異物テーブルであ
る。
【００３１】この様な構成の異物分析装置の動作による
異物の元素分析（Ｘ線分析）が図８に示す如きフローに
従って行われる。尚、該Ｘ線分析しようとする異物検査
の終了したウエハは前記欠陥検査装置１から取出し、走
査型電子顕微鏡本体１０のステージ１６の所定の位置に
置かれている。
異物の元素分析（Ｘ線分析）が図８に示す如きフローに
従って行われる。尚、該Ｘ線分析しようとする異物検査
の終了したウエハは前記欠陥検査装置１から取出し、走
査型電子顕微鏡本体１０のステージ１６の所定の位置に
置かれている。
【００３２】先ず、欠陥検査装置１からＥＷＳ２へ入力
され、座標変換された検査すべきウエハの異物データリ
ストの上で分析したい異物点を全てマーキングすること
により登録し、分析しない異物との識別を行う。そし
て、該登録したものを全て登録異物テーブル３６に記憶
する。この指定はＥＷＳ２に接続されたマウス９により
前記モニタ５の異物データリスト上でカーソルを移動
し、分析したい全ての異物番号の所で順次止めてクリッ
クすることによりマーキング登録される。そして、ＥＷ
Ｓ２にセットされている作表ソフトに従って、マーキン
グ登録された異物データだけの異物データリストを作成
し、該リストを登録異物テーブル３６に記憶する。
され、座標変換された検査すべきウエハの異物データリ
ストの上で分析したい異物点を全てマーキングすること
により登録し、分析しない異物との識別を行う。そし
て、該登録したものを全て登録異物テーブル３６に記憶
する。この指定はＥＷＳ２に接続されたマウス９により
前記モニタ５の異物データリスト上でカーソルを移動
し、分析したい全ての異物番号の所で順次止めてクリッ
クすることによりマーキング登録される。そして、ＥＷ
Ｓ２にセットされている作表ソフトに従って、マーキン
グ登録された異物データだけの異物データリストを作成
し、該リストを登録異物テーブル３６に記憶する。
【００３３】次に、予めテーブル化されている分析時の
照射条件が前記ＥＷＳ２に取付けられた選択ボタン（図
示せず）により分析モードを選択することにより設定さ
れる。該分析モード選択により、前記ＥＷＳ２の照射条
件テーブル７から分析時の照射条件、即ち、例えば、加
速電圧が１２ＫＶ、照射電流が３００ｐＡに成る様な信
号が夫々加速電源１７、レンズ電源１８に送られる。
照射条件が前記ＥＷＳ２に取付けられた選択ボタン（図
示せず）により分析モードを選択することにより設定さ
れる。該分析モード選択により、前記ＥＷＳ２の照射条
件テーブル７から分析時の照射条件、即ち、例えば、加
速電圧が１２ＫＶ、照射電流が３００ｐＡに成る様な信
号が夫々加速電源１７、レンズ電源１８に送られる。
【００３４】この状態において、前記ＥＷＳ２に取付け
られたＸ線分析コントロールボタン（図示せず）を押
し、Ｘ線分析（異物の元素分析）をスタートする。
られたＸ線分析コントロールボタン（図示せず）を押
し、Ｘ線分析（異物の元素分析）をスタートする。
【００３５】すると、登録異物テーブル３６から順次異
物データが呼出され、その都度順次Ｘ線分析が行われる
のであるが、各Ｘ線分析は次の様に行われる。
物データが呼出され、その都度順次Ｘ線分析が行われる
のであるが、各Ｘ線分析は次の様に行われる。
【００３６】先ず、登録異物テーブル３６から呼出され
た異物データのＸ，Ｙ方向の寸法データの内、短い方の
データが倍率テーブル３５に送られ、該データに応じた
倍率設定信号が倍率設定回路２１に送られる。異物の大
きさに応じて倍率を変えるのは、若し、異物のＸ，Ｙ寸
法の何れか若しくは何れも極めて小さく、且つセンタリ
ング前の状態において該異物が光軸から可成離れている
場合、全ての異物に共通の固定倍率で電子ビーム走査す
ると、異物に関する二次電子信号が十分取れないことが
ある。そこで、異物の大きさに応じて倍率を変える必要
がある。この時同時に、ＥＷＳ２から走査信号発生器２
０に走査指令が送られているので、この設定後、電子銃
１１から射出されウエハ上で集束された電子ビームは光
軸を中心に、前記設定倍率に従った走査幅でウエハ上を
走査する。該走査により該ウエハ上から発生した二次電
子は二次電子検出器１４に検出され、該検出された信号
がアンプ２３を介してフレームメモリ２２に記憶され
る。ＥＷＳ２の指令により、この記憶された信号を呼出
して陰極線管２４に供給することにより、該陰極線管の
画面上には登録された最初の異物の二次電子像が設定倍
率で表示される。
た異物データのＸ，Ｙ方向の寸法データの内、短い方の
データが倍率テーブル３５に送られ、該データに応じた
倍率設定信号が倍率設定回路２１に送られる。異物の大
きさに応じて倍率を変えるのは、若し、異物のＸ，Ｙ寸
法の何れか若しくは何れも極めて小さく、且つセンタリ
ング前の状態において該異物が光軸から可成離れている
場合、全ての異物に共通の固定倍率で電子ビーム走査す
ると、異物に関する二次電子信号が十分取れないことが
ある。そこで、異物の大きさに応じて倍率を変える必要
がある。この時同時に、ＥＷＳ２から走査信号発生器２
０に走査指令が送られているので、この設定後、電子銃
１１から射出されウエハ上で集束された電子ビームは光
軸を中心に、前記設定倍率に従った走査幅でウエハ上を
走査する。該走査により該ウエハ上から発生した二次電
子は二次電子検出器１４に検出され、該検出された信号
がアンプ２３を介してフレームメモリ２２に記憶され
る。ＥＷＳ２の指令により、この記憶された信号を呼出
して陰極線管２４に供給することにより、該陰極線管の
画面上には登録された最初の異物の二次電子像が設定倍
率で表示される。
【００３７】次に、異物位置測定回路３３は、ＥＷＳ２
からの指令によりフレームメモリ２２の全ての番地を当
たって行き、各番地の異物信号の有無を調べ、該調査に
基づいて異物の位置座標を測定し、該位置座標を演算回
路３４に送っている。該演算回路は、陰極線管２４の画
面の中心位置と前記異物の位置座標との各方向の差分を
演算して、該各差分をステージ駆動機構１９及び／又は
イメージシフト電源ＳＳに送る。それにより、異物の二
次電子像が画面の中央に表示される。
からの指令によりフレームメモリ２２の全ての番地を当
たって行き、各番地の異物信号の有無を調べ、該調査に
基づいて異物の位置座標を測定し、該位置座標を演算回
路３４に送っている。該演算回路は、陰極線管２４の画
面の中心位置と前記異物の位置座標との各方向の差分を
演算して、該各差分をステージ駆動機構１９及び／又は
イメージシフト電源ＳＳに送る。それにより、異物の二
次電子像が画面の中央に表示される。
【００３８】次に、センタリングされた異物のセンター
に集束された電子ビームが照射され、該異物からＸ線が
発生し、Ｘ線検出器１５に検出される。該検出されたＸ
線信号はアンプ２８及び信号処理回路２９を介してフレ
ームメモリ３０に記憶される。そして、ＥＷＳ２の指令
により、この記憶された信号を呼出して陰極線管３１及
び記録計３２に供給されるので、該陰極線管の画面上に
は前記登録された最初の異物のＸ線スペクトルが表示さ
れる。同時に、記録計３２からは該異物のＸ線スペクト
ルがプリントアウトされる。
に集束された電子ビームが照射され、該異物からＸ線が
発生し、Ｘ線検出器１５に検出される。該検出されたＸ
線信号はアンプ２８及び信号処理回路２９を介してフレ
ームメモリ３０に記憶される。そして、ＥＷＳ２の指令
により、この記憶された信号を呼出して陰極線管３１及
び記録計３２に供給されるので、該陰極線管の画面上に
は前記登録された最初の異物のＸ線スペクトルが表示さ
れる。同時に、記録計３２からは該異物のＸ線スペクト
ルがプリントアウトされる。
【００３９】次に、Ｘ線スペクトルにより異物の元素と
異物の種類を同定し、その結果を前記登録異物テーブル
３６に記憶する。
異物の種類を同定し、その結果を前記登録異物テーブル
３６に記憶する。
【００４０】以上のステップで１異常点のＸ線分析が終
了する。
了する。
【００４１】そして、この分析が１ウエハについて最後
のものでなければ、続けて前記登録異物テーブルから次
の異物点のデータが呼出され、自動倍率設定、自動セン
タリング、………と、前記と同様なステップが繰り返さ
れる。
のものでなければ、続けて前記登録異物テーブルから次
の異物点のデータが呼出され、自動倍率設定、自動セン
タリング、………と、前記と同様なステップが繰り返さ
れる。
【００４２】そして、そのＸ線分析が１ウエハについて
最後のものであれば、１ウエハについての分析が終了す
る。
最後のものであれば、１ウエハについての分析が終了す
る。
【００４３】尚、前記例では、異物点のマーキング登録
の後に分析時の照射条件を設定する様にしたが、先に、
分析時の照射条件を設定する様にしても良い。
の後に分析時の照射条件を設定する様にしたが、先に、
分析時の照射条件を設定する様にしても良い。
【００４４】図９は，異物のＸ線分析方法の他の実施例
を行う為のフローを示したものである。
を行う為のフローを示したものである。
【００４５】この方法は、前記本発明の実施例に対し、
特に、Ｘ線分析開始前に行う異物点のマーキング登録に
よる識別の仕方が異なる。
特に、Ｘ線分析開始前に行う異物点のマーキング登録に
よる識別の仕方が異なる。
【００４６】先ず、分析時の照射条件が前記ＥＷＳ２に
取付けられた選択ボタン（図示せず）により分析モード
を選択することにより設定される。該分析モード選択に
より、前記ＥＷＳ２の照射条件テーブル７から分析時の
照射条件、即ち、例えば、加速電圧が１２ＫＶ、照射電
流が３００ｐＡ、倍率が１０００倍に成る様な信号が夫
々加速電源１７、レンズ電源１８、倍率設定回路２１に
送られる。
取付けられた選択ボタン（図示せず）により分析モード
を選択することにより設定される。該分析モード選択に
より、前記ＥＷＳ２の照射条件テーブル７から分析時の
照射条件、即ち、例えば、加速電圧が１２ＫＶ、照射電
流が３００ｐＡ、倍率が１０００倍に成る様な信号が夫
々加速電源１７、レンズ電源１８、倍率設定回路２１に
送られる。
【００４７】次に、欠陥検査装置１からＥＷＳ２へ入力
され、座標変換された検査すべきウエハの異物データリ
ストの上で分析したい異物点を指定し、且つマーキング
登録する。この時同時に、ＥＷＳ２から走査信号発生器
２０に走査指令が送られているので、電子銃１１から射
出されウエハ上で集束された電子ビームは光軸を中心
に、前記設定倍率に従った走査幅でウエハ上を走査す
る。該走査により該ウエハ上から発生した二次電子は二
次電子検出器１４に検出され、該検出された信号がアン
プ２３を介してフレームメモリ２２に記憶される。ＥＷ
Ｓ２の指令により、この記憶された信号を呼出して陰極
線管２４に供給することにより、該陰極線管の画面上に
は前記指定された異物の二次電子像が所定倍率で表示さ
れる。
され、座標変換された検査すべきウエハの異物データリ
ストの上で分析したい異物点を指定し、且つマーキング
登録する。この時同時に、ＥＷＳ２から走査信号発生器
２０に走査指令が送られているので、電子銃１１から射
出されウエハ上で集束された電子ビームは光軸を中心
に、前記設定倍率に従った走査幅でウエハ上を走査す
る。該走査により該ウエハ上から発生した二次電子は二
次電子検出器１４に検出され、該検出された信号がアン
プ２３を介してフレームメモリ２２に記憶される。ＥＷ
Ｓ２の指令により、この記憶された信号を呼出して陰極
線管２４に供給することにより、該陰極線管の画面上に
は前記指定された異物の二次電子像が所定倍率で表示さ
れる。
【００４８】次に、センタリング値が測定される。先
ず、前記図５で説明した様に、マニアルでのセンタリン
グが行われる。前記した様に、カーソル移動器２６を操
作して前記画面中央に表示されている十字状のカーソル
を異物像の中心に移動させ、演算回路２７によりカーソ
ルの基準位置（前記画面の中央）と移動後のカーソルの
センターの距離を算出する。
ず、前記図５で説明した様に、マニアルでのセンタリン
グが行われる。前記した様に、カーソル移動器２６を操
作して前記画面中央に表示されている十字状のカーソル
を異物像の中心に移動させ、演算回路２７によりカーソ
ルの基準位置（前記画面の中央）と移動後のカーソルの
センターの距離を算出する。
【００４９】次に、前記算出値（指定された異物のセン
タリング値）を前記マーキング登録した異物点の異物デ
ータに付加し、更に、前記異物点と該算出値を登録異物
テーブル３７に記憶する。
タリング値）を前記マーキング登録した異物点の異物デ
ータに付加し、更に、前記異物点と該算出値を登録異物
テーブル３７に記憶する。
【００５０】次に、又、異物データリストの上で分析し
たい次の異物点を指定し、且つマーキング登録し、前記
の様にセンタリング値の付加と、該異物点と該センタリ
ング値を登録異物テーブル３７に記憶するというステッ
プを繰り返す。そして、このマーキング登録が１ウエハ
について最後のものであれば、１ウエハについての異物
点登録が終了する。
たい次の異物点を指定し、且つマーキング登録し、前記
の様にセンタリング値の付加と、該異物点と該センタリ
ング値を登録異物テーブル３７に記憶するというステッ
プを繰り返す。そして、このマーキング登録が１ウエハ
について最後のものであれば、１ウエハについての異物
点登録が終了する。
【００５１】この状態において、前記ＥＷＳ２に取付け
られたＸ線分析コントロールボタン（図示せず）を押
し、Ｘ線分析（異物の元素分析）をスタートする。
られたＸ線分析コントロールボタン（図示せず）を押
し、Ｘ線分析（異物の元素分析）をスタートする。
【００５２】すると、登録異物テーブル３７から順次異
物データが呼出され、その都度順次Ｘ線分析が行われる
のであるが、各Ｘ線分析は次の様に行われる。
物データが呼出され、その都度順次Ｘ線分析が行われる
のであるが、各Ｘ線分析は次の様に行われる。
【００５３】先ず、登録異物テーブル３７からセンタリ
ング値が呼出され、ステージ駆動機構１９及び／又はイ
メージシフト電源ＳＳに送られので、異物が走査電子顕
微鏡の電子光軸上に正確にセンタリングされる。
ング値が呼出され、ステージ駆動機構１９及び／又はイ
メージシフト電源ＳＳに送られので、異物が走査電子顕
微鏡の電子光軸上に正確にセンタリングされる。
【００５４】該センタリングにより、陰極線管２４の画
面上には異物の二次電子像が設定倍率で表示される。
面上には異物の二次電子像が設定倍率で表示される。
【００５５】次に、センタリングされた異物のセンター
に集束された電子ビームが照射され、該異物からＸ線が
発生し、Ｘ線検出器１５に検出される。該検出されたＸ
線信号はアンプ２８及び信号処理回路２９を介してフレ
ームメモリ３０に記憶される。そして、ＥＷＳ２の指令
により、この記憶された信号を呼出して陰極線管３１及
び記録計３２に供給されるので、該陰極線管の画面上に
は前記異物のＸ線スペクトルが表示される。同時に、記
録計３２からは該異物のＸ線スペクトルがプリントアウ
トされる。
に集束された電子ビームが照射され、該異物からＸ線が
発生し、Ｘ線検出器１５に検出される。該検出されたＸ
線信号はアンプ２８及び信号処理回路２９を介してフレ
ームメモリ３０に記憶される。そして、ＥＷＳ２の指令
により、この記憶された信号を呼出して陰極線管３１及
び記録計３２に供給されるので、該陰極線管の画面上に
は前記異物のＸ線スペクトルが表示される。同時に、記
録計３２からは該異物のＸ線スペクトルがプリントアウ
トされる。
【００５６】次に、Ｘ線スペクトルにより異物の元素と
異物の種類を同定し、その結果を前記登録異物テーブル
３７に記憶する。
異物の種類を同定し、その結果を前記登録異物テーブル
３７に記憶する。
【００５７】以上のステップで１異常点のＸ線分析が終
了する。
了する。
【００５８】そして、この分析が１ウエハについて最後
のものでなければ、続けて前記登録異物テーブル３７か
ら次の異物点のデータが呼出され、前記と同様なステッ
プが繰り返される。
のものでなければ、続けて前記登録異物テーブル３７か
ら次の異物点のデータが呼出され、前記と同様なステッ
プが繰り返される。
【００５９】そして、そのＸ線分析が１ウエハについて
最後のものであれば、１ウエハについての分析が終了す
る。
最後のものであれば、１ウエハについての分析が終了す
る。
【００６０】尚、この実施例においては、固定倍率を設
定してセンタリング値を測定したが、前記図８に示す実
施例の様に、倍率を異物の大きさに応じて変えてセンタ
リング値を測定しても良い。
定してセンタリング値を測定したが、前記図８に示す実
施例の様に、倍率を異物の大きさに応じて変えてセンタ
リング値を測定しても良い。
【００６１】前記各実施例では、異物データリストから
分析したい異物点を手動にてマーキングしてから登録し
ているが、異物の寸法とか、異物の種類を基準にして選
択されて自動的に登録される様に、プログラミングして
もよい。例えば、座標変換されメモリ４に記憶された欠
陥検査装置１からの異物データの内、大きさデータの何
れかの方向の寸法が特定の値以上のものだけが選択され
て登録される様にプログラミングするとか、Ｘ方向寸法
とＹ方向寸法を元にして求められた異物の面積が特定の
値以上のものだけが選択されて登録される様にプログラ
ミングするとか、Ｘ方向寸法とＹ方向寸法の比が特定の
大きさ以上若しくは以下のものだけが選択されて登録さ
れる様にプログラミングする。この様に自動的に登録さ
れるようにすれば、異物分析の能率アップに繋がる。
分析したい異物点を手動にてマーキングしてから登録し
ているが、異物の寸法とか、異物の種類を基準にして選
択されて自動的に登録される様に、プログラミングして
もよい。例えば、座標変換されメモリ４に記憶された欠
陥検査装置１からの異物データの内、大きさデータの何
れかの方向の寸法が特定の値以上のものだけが選択され
て登録される様にプログラミングするとか、Ｘ方向寸法
とＹ方向寸法を元にして求められた異物の面積が特定の
値以上のものだけが選択されて登録される様にプログラ
ミングするとか、Ｘ方向寸法とＹ方向寸法の比が特定の
大きさ以上若しくは以下のものだけが選択されて登録さ
れる様にプログラミングする。この様に自動的に登録さ
れるようにすれば、異物分析の能率アップに繋がる。
【００６２】又、Ｘ線分析をスタートすると前記図８の
実施例では、登録異物テーブル３６からマーキング登録
された異物データを呼出し、前記図９の実施例では、登
録異物テーブル３７からマーキング登録された異物デー
タとセンタリング値を呼出す様にしたが、異物点がマー
キング登録されている異物データリストから異物データ
や異物点のデータとして付加されているセンタリング値
を呼出すようにしても良い。
実施例では、登録異物テーブル３６からマーキング登録
された異物データを呼出し、前記図９の実施例では、登
録異物テーブル３７からマーキング登録された異物デー
タとセンタリング値を呼出す様にしたが、異物点がマー
キング登録されている異物データリストから異物データ
や異物点のデータとして付加されているセンタリング値
を呼出すようにしても良い。
【図１】 従来の異物分析方法を実施する装置例の概略
を示している。
を示している。
【図２】 異物の位置座標の取り方の一例を示してい
る。
る。
【図３】 異物データリストの一表示例を示している。
【図４】 ウエハ上の異物分布の一表示例を示してい
る。
る。
【図５】 従来の異物の元素分析（Ｘ線分析）のフロー
を示している。
を示している。
【図６】 マニアルセンタリングの説明を補足する為に
使用した図である。
使用した図である。
【図７】 本発明の異物分析方法を実施する装置例の概
略を示している。
略を示している。
【図８】 本発明の異物の元素分析（Ｘ線分析）のフロ
ーを示している。
ーを示している。
【図９】 本発明の他の異物の元素分析（Ｘ線分析）の
フローを示している。
フローを示している。
１ 欠陥検査装置 ２ 操作・制御用ワークステーション（ＥＷＳ） ３ 座標変換部 ４ メモリ ５，６ モニタ ７ 照射条件テーブル ８ 操作卓 ９ マウス １０ 走査電子顕微鏡鏡体 １１ 電子銃 １２ 集束レンズ １３ 偏向レンズ ＳＣ シフトコイル １４ 二次電子検出器 １５ Ｘ線検出器 １６ ステージ １７ 加速電源 １８ レンズ電源 ＳＳ イメージシフト電源 １９ ステージ駆動機構 ２０ 走査信号発生器 ２１ 倍率設定回路 ２２，３０ フレームメモリ ２３，２８ アンプ ２４，３１ 陰極線管 ２５ カーソル発生回路 ２６ カーソル移動器 ２７ 演算回路 ２９ 信号処理回路 ３２ 記録計 ３３ 異物位置測定回路 ３４ 演算回路 ３５ 倍率テーブル ３６，３７ 登録異物テーブル
Claims (9)
- 【請求項１】 検査すべきウエハ上に存在する異物の少
なくとも位置と大きさデータを出力する様に成した欠陥
検査装置からのデータに基づいて異物のＸ線分析を行う
様にした異物分析方法において、前記元素分析前に、前
記欠陥検査装置で検出された多数の異物の中から元素分
析すべき異物をまとめて識別しておき、該各識別された
異物を元素分析する様にした異物分析方法。 - 【請求項２】 検査すべきウエハ上に存在する異物の少
なくとも位置と大きさデータを出力する様に成した欠陥
検査装置と、Ｘ線分析機構を備えた走査電子顕微鏡を備
え、前記検査すべきウエハを前記走査電子顕微鏡のステ
ージに載せ、前記欠陥検査装置で検出された異物を前記
走査電子顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析する様に
した異物分析方法において、前記元素分析前に、前記欠
陥検査装置で検出された多数の異物の中から元素分析す
べき異物をまとめて識別しておき、該各識別された異物
を前記走査電子顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析す
る様にした異物分析方法。 - 【請求項３】 検査すべきウエハ上に存在する異物の少
なくとも位置と大きさデータを出力する様に成した欠陥
検査装置と、Ｘ線分析機構を備えた走査電子顕微鏡を備
え、前記検査すべきウエハを前記走査電子顕微鏡のステ
ージに載せ、前記欠陥検査装置で検出された異物を前記
走査電子顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析する様に
した異物分析方法において、前記元素分析前に、前記欠
陥検査装置で検出された多数の異物の中から元素分析す
べき異物をまとめて識別しておき、該各識別された異物
を元素分析する際、異物の位置データに基づいて前記ス
テージ及び／又は電子ビームを移動制御し、該移動制御
後、異物を含むウエハ上を電子ビームで走査することに
より検出された二次電子信号に基づいて異物の位置を求
め、該求めた位置と電子光軸中心との距離を求め、該距
離に基づいて前記ステージ及び／又は電子ビームを移動
制御する様にした異物分析方法。 - 【請求項４】 検査すべきウエハ上に存在する異物の少
なくとも位置と大きさデータを出力する様に成した欠陥
検査装置と、Ｘ線分析機構を備えた走査電子顕微鏡を備
え、前記検査すべきウエハを前記走査電子顕微鏡のステ
ージに載せ、前記欠陥検査装置で検出された異物を前記
走査電子顕微鏡のＸ線分析機構により元素分析する様に
した異物分析方法において、前記元素分析前に、前記欠
陥検査装置で検出された多数の異物の中から元素分析す
べき異物をまとめて識別しておき、該各識別の際、識別
された異物の位置データに基づいて前記ステージ及び／
又は電子ビームを移動制御し、該移動制御後、異物を含
むウエハ上を電子ビームで走査することにより検出され
た二次電子信号に基づいて異物の位置を求め、該求めた
位置と電子光軸中心との距離を求め、該距離をセンタリ
ング値として各元素分析すべき異物のデータに付加し、
該各識別された異物を元素分析する際、前記付加したセ
ンタリング値に基づいて前記ステージ及び／又は電子ビ
ームを移動制御するようにした異物分析方法。 - 【請求項５】 予め異物の大きさに応じて異物を含むウ
エハ上の電子ビーム走査範囲を制御する倍率値を異物の
大きさと対応づけてテーブルに登録しておき、各識別さ
れた異物を元素分析する際、異物の大きさデータに対応
した倍率値を前記テーブルから呼出し、該倍率値に基づ
いて異物を含むウエハ上を電子ビームで走査することに
より検出された二次電子信号に基づいて異物の位置を求
め、該位置と電子光軸中心との距離に基づいて前記ステ
ージ及び／又は電子ビームを移動制御するようにした前
記請求項３記載の異物分析方法。 - 【請求項６】 予め異物の大きさに応じて異物を含むウ
エハ上の電子ビーム走査範囲を制御する倍率値を異物の
大きさと対応づけてテーブルに登録しておき、元素分析
すべき異物を識別する際、異物の大きさデータに対応し
た倍率値を前記テーブルから呼出し、該倍率値に基づい
て異物を含むウエハ上を電子ビームで走査することによ
り検出された二次電子信号に基づいて異物の位置を求
め、該位置と電子光軸中心との距離を求め、該距離をセ
ンタリング値として元素分析すべき異物のデータに付加
した前記請求項４記載の異物分析方法。 - 【請求項７】 前記欠陥検査装置から出力される異物の
データ中、Ｘ方向，Ｙ方向の何れかの方向の大きさデー
タ値が予め設定した値以上の異物のみが識別される様に
し、該識別された異物のみを元素分析する様にした前記
請求項１〜４のいずれかに記載の異物分析方法。 - 【請求項８】 前記欠陥検査装置から出力される異物の
データ中、Ｘ方向の大きさデータ値とＹ方向の大きさデ
ータ値に基づいて求められる異物の面積が予め設定した
値以上の異物のみが識別される様にし、該識別された異
物のみを元素分析する様にした前記請求項１〜４のいず
れかに記載の異物分析方法。 - 【請求項９】 前記欠陥検査装置から出力される異物デ
ータ中、Ｘ方向の大きさデータ値とＹ方向の大きさデー
タ値の比が予め設定した値以上の異物のみが識別される
様にし、該識別された異物のみを元素分析する様にした
前記請求項１〜４のいずれかに記載の異物分析方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8179416A JPH1027833A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 異物分析方法 |
| US08/889,659 US5801382A (en) | 1996-07-09 | 1997-07-08 | Method of analyzing foreign materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8179416A JPH1027833A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 異物分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027833A true JPH1027833A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16065491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8179416A Pending JPH1027833A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 異物分析方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5801382A (ja) |
| JP (1) | JPH1027833A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000314710A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
| JP2003086645A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Hitachi Ltd | 検査装置および検査システム並びに半導体デバイスの製造方法 |
| JP2004191187A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 欠陥組成分析方法及び装置 |
| US6855930B2 (en) | 2001-09-28 | 2005-02-15 | Hitachi, Ltd. | Defect inspection apparatus and defect inspection method |
| JP2005114658A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Rigaku Industrial Co | 蛍光ｘ線分析装置 |
| JP2006074065A (ja) * | 2005-10-20 | 2006-03-16 | Hitachi Ltd | 試料の検査装置 |
| JP2009544980A (ja) * | 2006-07-27 | 2009-12-17 | サーモ エレクトロン サイエンティフィック インストルメンツ リミテッド ライアビリティ カンパニー | スペクトル映像データ取得中の自動的材料ラベリング |
| JP2020181897A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの分析方法、半導体ウェーハ製造工程評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6727911B1 (en) * | 1999-04-28 | 2004-04-27 | Jeol Ltd. | Method and apparatus for observing specimen image on scanning charged-particle beam instrument |
| JP3688160B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2005-08-24 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
| JP3934854B2 (ja) * | 2000-05-29 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
| WO2004034044A1 (en) * | 2002-10-08 | 2004-04-22 | Applied Materials Israel, Ltd. | Methods and systems for process monitoring using x-ray emission |
| US7365320B2 (en) * | 2002-10-08 | 2008-04-29 | Applied Materials Israel, Ltd. | Methods and systems for process monitoring using x-ray emission |
| US9520263B2 (en) * | 2013-02-11 | 2016-12-13 | Novaray Medical Inc. | Method and apparatus for generation of a uniform-profile particle beam |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5233191A (en) * | 1990-04-02 | 1993-08-03 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of inspecting foreign matters during mass production start-up and mass production line in semiconductor production process |
-
1996
- 1996-07-09 JP JP8179416A patent/JPH1027833A/ja active Pending
-
1997
- 1997-07-08 US US08/889,659 patent/US5801382A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000314710A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
| JP2003086645A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Hitachi Ltd | 検査装置および検査システム並びに半導体デバイスの製造方法 |
| US6855930B2 (en) | 2001-09-28 | 2005-02-15 | Hitachi, Ltd. | Defect inspection apparatus and defect inspection method |
| US7205555B2 (en) | 2001-09-28 | 2007-04-17 | Hitachi, Ltd. | Defect inspection apparatus and defect inspection method |
| JP2004191187A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 欠陥組成分析方法及び装置 |
| US6870169B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-03-22 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for analyzing composition of defects |
| JP2005114658A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Rigaku Industrial Co | 蛍光ｘ線分析装置 |
| JP2006074065A (ja) * | 2005-10-20 | 2006-03-16 | Hitachi Ltd | 試料の検査装置 |
| JP2009544980A (ja) * | 2006-07-27 | 2009-12-17 | サーモ エレクトロン サイエンティフィック インストルメンツ リミテッド ライアビリティ カンパニー | スペクトル映像データ取得中の自動的材料ラベリング |
| JP2020181897A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの分析方法、半導体ウェーハ製造工程評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5801382A (en) | 1998-09-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030909 |