JPH0921630A - 寸法測定装置 - Google Patents
寸法測定装置Info
- Publication number
- JPH0921630A JPH0921630A JP7173245A JP17324595A JPH0921630A JP H0921630 A JPH0921630 A JP H0921630A JP 7173245 A JP7173245 A JP 7173245A JP 17324595 A JP17324595 A JP 17324595A JP H0921630 A JPH0921630 A JP H0921630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector
- signal
- dimension
- modulation frequency
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＬＳＩのデバイス構造に依存することなく、
かつ、従来の測定精度より一桁以上の高精度で寸法測定
を行なうことが可能な寸法測定装置を提供する。 【解決手段】 電子レンズ１で集光した電子ビーム２を
被測定物３上に走査し、被測定物から発生する２次電子
１６、１７を検出して被測定物の寸法を測定する寸法測
定装置において、電子ビーム２を変調周波数で変調する
変調部１１と、電子ビームの照射により発生する２次電
子の変調周波数関係成分である第１信号２８を検出する
第１検出器２６と、電子ビームの照射により発生する２
次電子の変調周波数関係成分である第２信号２９を検出
する、第１検出器２６と異なる位置に配設された第２検
出器３１と、第１信号２８と第２信号２９の位相信号を
検出する位相検出手段３５と、位相検出手段３５により
検出した位相信号から寸法を算出する寸法演算手段３６
とを備える。
かつ、従来の測定精度より一桁以上の高精度で寸法測定
を行なうことが可能な寸法測定装置を提供する。 【解決手段】 電子レンズ１で集光した電子ビーム２を
被測定物３上に走査し、被測定物から発生する２次電子
１６、１７を検出して被測定物の寸法を測定する寸法測
定装置において、電子ビーム２を変調周波数で変調する
変調部１１と、電子ビームの照射により発生する２次電
子の変調周波数関係成分である第１信号２８を検出する
第１検出器２６と、電子ビームの照射により発生する２
次電子の変調周波数関係成分である第２信号２９を検出
する、第１検出器２６と異なる位置に配設された第２検
出器３１と、第１信号２８と第２信号２９の位相信号を
検出する位相検出手段３５と、位相検出手段３５により
検出した位相信号から寸法を算出する寸法演算手段３６
とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、寸法測定装置に係
り、特に電子ビーム（ＥＢ）を用いて微細なＬＳＩのパ
ターン寸法を測定するための寸法測定装置に関する。
り、特に電子ビーム（ＥＢ）を用いて微細なＬＳＩのパ
ターン寸法を測定するための寸法測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に、従来の電子ビーム（ＥＢ）を用
いた寸法測定装置の構成を示す。図４において、符号１
は電子レンズとしての対物レンズであり、対物レンズ１
の上方から電子ビーム（ＥＢ）２が入射する。対物レン
ズ１の上部には走査コイル８が配設されており、走査コ
イル８は、走査部９で発生された鋸歯状波形信号１９に
より駆動され、電子ビーム２を横方向に走査する。
いた寸法測定装置の構成を示す。図４において、符号１
は電子レンズとしての対物レンズであり、対物レンズ１
の上方から電子ビーム（ＥＢ）２が入射する。対物レン
ズ１の上部には走査コイル８が配設されており、走査コ
イル８は、走査部９で発生された鋸歯状波形信号１９に
より駆動され、電子ビーム２を横方向に走査する。
【０００３】電子ビーム２はステージ５上にチヤックさ
れた半導体基板４上のパターン３に集光されて走査さ
れ、パターン３から発生した二次電子（以下ＳＥと略
す）が検出器６で検出される。演算部７では、検出機６
で検出した波形信号から長さ寸法値が演算されるように
なっている。
れた半導体基板４上のパターン３に集光されて走査さ
れ、パターン３から発生した二次電子（以下ＳＥと略
す）が検出器６で検出される。演算部７では、検出機６
で検出した波形信号から長さ寸法値が演算されるように
なっている。
【０００４】電子ビーム２をパターン３上を走査したと
き、二次電子はパターン３の両側エッジ部で多く発生す
る。パターン３の両側で検出される二次電子をモニター
しながら、電子ビーム２の走査時間から両エッジ間の寸
法が演算される。
き、二次電子はパターン３の両側エッジ部で多く発生す
る。パターン３の両側で検出される二次電子をモニター
しながら、電子ビーム２の走査時間から両エッジ間の寸
法が演算される。
【０００５】すなわち、演算器７では、図５（ａ）に示
されたような波形が入力されるので、例えばこれを微分
して波形整形し図５（ｂ）に示すような波形が出力さ
れ、微分値が０となる点２２ａ〜点２２ｂ間の時間間隔
を求め、この時間間隔と走査時間とからパターン３の長
さ寸法が得られる。
されたような波形が入力されるので、例えばこれを微分
して波形整形し図５（ｂ）に示すような波形が出力さ
れ、微分値が０となる点２２ａ〜点２２ｂ間の時間間隔
を求め、この時間間隔と走査時間とからパターン３の長
さ寸法が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４で
示された従来の装置において、信号成分には必ずノイズ
成分が含まれており、このノイズ２３と信号成分２４の
大きさの比Ｓ／Ｎが寸法の測定精度を決定している。こ
のような状況下で、ＬＳＩのパターンから発生する信号
には、非常にノイズ分が大のものが含まれているものが
多く、特にエッチングパターン等では、標準偏差σとし
て３σの値が約０．０２μｍ程度の再現性しか得られて
いないものが多かった。この一因としては、デバイス構
造の依存性と呼ばれるものがあり、例えばパターン３の
膜厚が薄く３０００〜５０００Ａの厚さしかないもの
や、下地とパターンの材質とが同じようなものでは、大
きな信号成分を得ることが困難であることによる。
示された従来の装置において、信号成分には必ずノイズ
成分が含まれており、このノイズ２３と信号成分２４の
大きさの比Ｓ／Ｎが寸法の測定精度を決定している。こ
のような状況下で、ＬＳＩのパターンから発生する信号
には、非常にノイズ分が大のものが含まれているものが
多く、特にエッチングパターン等では、標準偏差σとし
て３σの値が約０．０２μｍ程度の再現性しか得られて
いないものが多かった。この一因としては、デバイス構
造の依存性と呼ばれるものがあり、例えばパターン３の
膜厚が薄く３０００〜５０００Ａの厚さしかないもの
や、下地とパターンの材質とが同じようなものでは、大
きな信号成分を得ることが困難であることによる。
【０００７】このように従来は、波形信号を微分する等
して振幅成分の大小からパターン３のエッジを求めてい
るため、検出精度に限界があり、例えば、測定再現性と
して３σの値として約０．０２μｍ程度であった。この
ため、さらに高い精度の測定を行えないという問題があ
った。
して振幅成分の大小からパターン３のエッジを求めてい
るため、検出精度に限界があり、例えば、測定再現性と
して３σの値として約０．０２μｍ程度であった。この
ため、さらに高い精度の測定を行えないという問題があ
った。
【０００８】そこで本発明の目的は、上記従来技術の有
する問題を解消し、ＬＳＩのデバイス構造に依存するこ
となく、かつ、従来の測定精度より一桁以上の高精度で
寸法測定を行なうことが可能な寸法測定装置を提供する
ことである。
する問題を解消し、ＬＳＩのデバイス構造に依存するこ
となく、かつ、従来の測定精度より一桁以上の高精度で
寸法測定を行なうことが可能な寸法測定装置を提供する
ことである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的の達成のため
に、本発明は、電子レンズで集光した電子ビームを被測
定物上に走査し、被測定物から発生する２次電子を検出
して被測定物の寸法を測定する寸法測定装置において、
前記電子ビームを変調周波数で変調する変調部と、前記
電子ビームの照射により発生する２次電子の変調周波数
関係成分である第１信号を検出する第１検出器と、前記
電子ビームの照射により発生する２次電子の変調周波数
関係成分である第２信号を検出する、前記第１検出器と
異なる位置に配設された第２検出器と、前記第１信号と
前記第２信号の位相信号を検出する位相検出手段と、前
記位相検出手段により検出した位相信号から寸法を算出
する寸法演算手段とを備えることを特徴とする。
に、本発明は、電子レンズで集光した電子ビームを被測
定物上に走査し、被測定物から発生する２次電子を検出
して被測定物の寸法を測定する寸法測定装置において、
前記電子ビームを変調周波数で変調する変調部と、前記
電子ビームの照射により発生する２次電子の変調周波数
関係成分である第１信号を検出する第１検出器と、前記
電子ビームの照射により発生する２次電子の変調周波数
関係成分である第２信号を検出する、前記第１検出器と
異なる位置に配設された第２検出器と、前記第１信号と
前記第２信号の位相信号を検出する位相検出手段と、前
記位相検出手段により検出した位相信号から寸法を算出
する寸法演算手段とを備えることを特徴とする。
【００１０】好適には、前記第１検出器と前記第２検出
器とは、前記電子レンズの光軸に対して対称な位置に配
設されている。
器とは、前記電子レンズの光軸に対して対称な位置に配
設されている。
【００１１】また、好適には、前記第１検出器と前記第
２検出器とは、前記電子ビームの走査方向に配設されて
いる。
２検出器とは、前記電子ビームの走査方向に配設されて
いる。
【００１２】また、好適には、前記変調周波数は、電子
ビームを走査する走査周波数より高い周波数である。
ビームを走査する走査周波数より高い周波数である。
【００１３】また、好適には、前記変調周波数関係成分
は、前記変調周波数の２倍の周波数成分である。
は、前記変調周波数の２倍の周波数成分である。
【００１４】第１検出器と第２検出器とは異なる位置に
配設されているので、２次電子が各検出器に到達する時
間は一般に異なり、従って第１信号と第２信号の位相は
異なる。第１信号と第２信号の位相の差は、２次電子が
発生した被測定物の位置に依存するので、これらの位相
信号から寸法を算出することができる。
配設されているので、２次電子が各検出器に到達する時
間は一般に異なり、従って第１信号と第２信号の位相は
異なる。第１信号と第２信号の位相の差は、２次電子が
発生した被測定物の位置に依存するので、これらの位相
信号から寸法を算出することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施例について説明する。図１において、符号１は電子レ
ンズとしての対物レンズであり、対物レンズ１の上方か
ら電子ビーム（ＥＢ）２が入射する。対物レンズ１の上
部には走査コイル８が配設されている。
施例について説明する。図１において、符号１は電子レ
ンズとしての対物レンズであり、対物レンズ１の上方か
ら電子ビーム（ＥＢ）２が入射する。対物レンズ１の上
部には走査コイル８が配設されている。
【００１６】走査部９では電子ビーム２を横方向に走査
するための鋸歯状波形信号１９が生成される。発信器１
０では、鋸歯状波形信号１９により高周波数の変調周波
数の変調信号２０が生成される。変調部１１では、鋸歯
状波形信号１９と変調信号２０とが混合され、走査信号
２１が生成される。走査信号２１は、鋸歯状波形信号１
９の包絡線上に変調周波数の変調信号２０が重畳して形
成されている。この走査信号２１が走査コイル８に印加
される。
するための鋸歯状波形信号１９が生成される。発信器１
０では、鋸歯状波形信号１９により高周波数の変調周波
数の変調信号２０が生成される。変調部１１では、鋸歯
状波形信号１９と変調信号２０とが混合され、走査信号
２１が生成される。走査信号２１は、鋸歯状波形信号１
９の包絡線上に変調周波数の変調信号２０が重畳して形
成されている。この走査信号２１が走査コイル８に印加
される。
【００１７】使用される周波数としては、鋸歯状波形信
号１９の周波数より変調信号２０の周波数の方が約２桁
以上高い周波数とすることが望ましい。例として、鋸歯
状波形信号１９が１０Ｈｚであれば変調信号２０は１Ｋ
Ｈｚであり、鋸歯状波形信号１９が１ＫＨｚであれば変
調信号２０は１００ＫＨｚに設定される。
号１９の周波数より変調信号２０の周波数の方が約２桁
以上高い周波数とすることが望ましい。例として、鋸歯
状波形信号１９が１０Ｈｚであれば変調信号２０は１Ｋ
Ｈｚであり、鋸歯状波形信号１９が１ＫＨｚであれば変
調信号２０は１００ＫＨｚに設定される。
【００１８】電子ビーム２はステージ５上にチヤックさ
れた半導体基板４上のパターン３に集光されて走査さ
れ、パターン３から発生した二次電子（ＳＥ）が検出器
６で検出される。演算部７では、検出機６で検出した波
形信号から長さ寸法値が演算されるようになっている。
れた半導体基板４上のパターン３に集光されて走査さ
れ、パターン３から発生した二次電子（ＳＥ）が検出器
６で検出される。演算部７では、検出機６で検出した波
形信号から長さ寸法値が演算されるようになっている。
【００１９】被測定物としてのパターン３の近傍の対物
レンズ１の光軸１５に対して対称な位置に、二次電子を
検出するための第１検出器２６と第２検出器２７が配設
されている。
レンズ１の光軸１５に対して対称な位置に、二次電子を
検出するための第１検出器２６と第２検出器２７が配設
されている。
【００２０】第１検出器２６と第２検出器２７の背後に
は、各々の検出器２６、２７で検出される各々の信号か
らノイズ成分を除去し変調周波数成分の２倍の周波数成
分のみを取り出すためのフィルター３０、３１が設けら
れており、フィルター３０、３１を通過して第１信号２
８と第２信号２９とが生成される。ここで、変調周波数
成分の２倍の周波数成分が検出されるのは、変調周波数
の半周期毎に信号が変調されるためのである。
は、各々の検出器２６、２７で検出される各々の信号か
らノイズ成分を除去し変調周波数成分の２倍の周波数成
分のみを取り出すためのフィルター３０、３１が設けら
れており、フィルター３０、３１を通過して第１信号２
８と第２信号２９とが生成される。ここで、変調周波数
成分の２倍の周波数成分が検出されるのは、変調周波数
の半周期毎に信号が変調されるためのである。
【００２１】第１信号２８と第２信号２９は位相検出器
３５へ送られ、位相検出器３５において第１信号２８と
第２信号２９の位相差が検出される。演算器３６では、
位相検出器３５において検出された位相差から対応する
寸法が検出される。
３５へ送られ、位相検出器３５において第１信号２８と
第２信号２９の位相差が検出される。演算器３６では、
位相検出器３５において検出された位相差から対応する
寸法が検出される。
【００２２】次に図２を参照して、本実施例の作用を説
明する。電子ビーム２がパターン３上を走査され、パタ
ーン３の左側エッジに照射されたときに大量の二次電子
が種々の方向へ放出される。
明する。電子ビーム２がパターン３上を走査され、パタ
ーン３の左側エッジに照射されたときに大量の二次電子
が種々の方向へ放出される。
【００２３】放出された二次電子のうちパターン３の左
方へ向かう二次電子信号１６は第１検出器２６で検出さ
れ、右方へ向かう二次電子信号１７は第２検出器２７で
検出される。
方へ向かう二次電子信号１６は第１検出器２６で検出さ
れ、右方へ向かう二次電子信号１７は第２検出器２７で
検出される。
【００２４】第１検出器２６と第２検出器２７で検出さ
れた信号はフィルタ３０、３１によって変調信号２０の
２倍の周波数の交流信号のみが選択され、第１信号２８
と第２信号２９が得られる。
れた信号はフィルタ３０、３１によって変調信号２０の
２倍の周波数の交流信号のみが選択され、第１信号２８
と第２信号２９が得られる。
【００２５】図３に、第１信号２８と第２信号２９とを
横時間軸を共通にして示す。第１信号２８は第２信号２
９に比べて進んだ位相を呈し、位相差２５が生じてい
る。二次電子信号１６と二次電子信号１７は対物レンズ
１の光軸１５より左側に位置する左エッジから生じたも
のであり、二次電子信号１７に比べて二次電子信号１６
の方のパスが短いため、位相差２５が生じるのである。
横時間軸を共通にして示す。第１信号２８は第２信号２
９に比べて進んだ位相を呈し、位相差２５が生じてい
る。二次電子信号１６と二次電子信号１７は対物レンズ
１の光軸１５より左側に位置する左エッジから生じたも
のであり、二次電子信号１７に比べて二次電子信号１６
の方のパスが短いため、位相差２５が生じるのである。
【００２６】光軸１５に対して二次電子の放出するエッ
ジ部が右方にある場合には、位相差２５は逆符号にな
る。また、光軸１５とパターン３のエッジとの距離１８
が大きいほど位相差２５の絶対値は大きくなる。パター
ン３の左エッジを照射したときに得られる位相差２５と
右エッジを照射したときに得られる位相差２５とを加算
して得られる位相差が、左エッジと右エッジの間の寸法
に対応する。演算部３６では位相差に対応する寸法を算
出する。
ジ部が右方にある場合には、位相差２５は逆符号にな
る。また、光軸１５とパターン３のエッジとの距離１８
が大きいほど位相差２５の絶対値は大きくなる。パター
ン３の左エッジを照射したときに得られる位相差２５と
右エッジを照射したときに得られる位相差２５とを加算
して得られる位相差が、左エッジと右エッジの間の寸法
に対応する。演算部３６では位相差に対応する寸法を算
出する。
【００２７】従来は、ノイズ成分を伴う信号の中から振
幅成分を検出していたため、Ｓ／Ｎが改善されずに大幅
な精度向上は望めなかった。
幅成分を検出していたため、Ｓ／Ｎが改善されずに大幅
な精度向上は望めなかった。
【００２８】これに対して、本発明では、振幅成分とは
直接的には無関係な位相差２５から寸法を測定するよう
にしているので、二次電子信号１６、１７の信号波形等
やＳ／Ｎに直接的には影響されず、したがってＬＳＩの
デバイス構造に依存することなく、高精度な寸法測定を
達成できる。
直接的には無関係な位相差２５から寸法を測定するよう
にしているので、二次電子信号１６、１７の信号波形等
やＳ／Ｎに直接的には影響されず、したがってＬＳＩの
デバイス構造に依存することなく、高精度な寸法測定を
達成できる。
【００２９】次に、本実施例の装置と従来の装置を比較
した結果について説明する。測定は、パターン３の膜厚
と材質を変えて比較測定した。測定は１０回繰り返して
行われ、標準偏差をσとして３σを求めた。
した結果について説明する。測定は、パターン３の膜厚
と材質を変えて比較測定した。測定は１０回繰り返して
行われ、標準偏差をσとして３σを求めた。
【００３０】従来の場合 （１） Ｓｉ基板上の1.5 μｍ厚のレジスト（厚さが厚
い） ３σ＝0.012 μｍ （２） ＳｉＯ2 基板上の0.5 μｍ厚のPolySi（厚さが
薄い） ３σ＝0.012 μｍ であるのに対し、 本実施例の場合 （１） Ｓｉ基板上の1.5 μｍ厚のレジスト（厚さが厚
い） ３σ≦0.003 μｍ （２） ＳｉＯ2 基板上の0.5 μｍ厚のPolySi（厚さが
薄い） ３σ≦0.003 μｍ であった。
い） ３σ＝0.012 μｍ （２） ＳｉＯ2 基板上の0.5 μｍ厚のPolySi（厚さが
薄い） ３σ＝0.012 μｍ であるのに対し、 本実施例の場合 （１） Ｓｉ基板上の1.5 μｍ厚のレジスト（厚さが厚
い） ３σ≦0.003 μｍ （２） ＳｉＯ2 基板上の0.5 μｍ厚のPolySi（厚さが
薄い） ３σ≦0.003 μｍ であった。
【００３１】本実施例では、測定精度がパターン３の膜
厚や材質等のデバイス構造に依存することなく、また、
従来に比べて約１桁向上した測定精度で寸法測定を行う
ことができる。
厚や材質等のデバイス構造に依存することなく、また、
従来に比べて約１桁向上した測定精度で寸法測定を行う
ことができる。
【００３２】なお、以上説明したように本発明では、位
相差によってパターン寸法を求める手法を用いている。
このことは、放送波の検波においても、ＦＭ（周波数変
調）検波による位相成分を取り出す方法がＡＭ（振幅変
調）検波より原信号の忠実度、Ｓ／Ｎ等の点で優れてい
ることが知られていることからも、理解できることであ
る。
相差によってパターン寸法を求める手法を用いている。
このことは、放送波の検波においても、ＦＭ（周波数変
調）検波による位相成分を取り出す方法がＡＭ（振幅変
調）検波より原信号の忠実度、Ｓ／Ｎ等の点で優れてい
ることが知られていることからも、理解できることであ
る。
【００３３】また、本発明では、第検出器と第２検出器
との異なる位置に２個の検出器が配設された場合を示し
たが、検出器を３個以上配設し、各検出器で検出される
検出信号の間の位相差を求めるようにし、複数の位相差
のデータから寸法を演算するようにしてもよく、この場
合はさらに測定精度の向上が期待される。
との異なる位置に２個の検出器が配設された場合を示し
たが、検出器を３個以上配設し、各検出器で検出される
検出信号の間の位相差を求めるようにし、複数の位相差
のデータから寸法を演算するようにしてもよく、この場
合はさらに測定精度の向上が期待される。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、異なる位置に第１検出器と第２検出器とを配設
し、検出した信号の位相から寸法を測定するようにした
ので、デバイス構造に依存することなく、高精度な寸法
測定を達成できる。
れば、異なる位置に第１検出器と第２検出器とを配設
し、検出した信号の位相から寸法を測定するようにした
ので、デバイス構造に依存することなく、高精度な寸法
測定を達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の寸法測定装置の一実施例の全体構成を
示すブロック図。
示すブロック図。
【図２】本発明の測定原理を説明する図。
【図３】本発明において検出される信号の位相差につい
て説明する図。
て説明する図。
【図４】従来の寸法測定装置の全体構成を示すブロック
図。
図。
【図５】従来の寸法測定装置の測定原理を説明する図。
１ 対物レンズ（電子レンズ） ２ 電子ビーム ３ パターン ４ 半導体基板 ５ ステージ ６ 検出器 ７ 演算部 ８ 走査コイル ９ 走査部 １０ 発信器 １１ 変調部 １５ 光軸 １６ 左へ向う二次電子 １７ 右へ向う二次電子 １８ 光軸からエッジまでの長さ １９ 鋸歯状波形信号 ２０ 変調信号 ２１ 走査信号 ２５ 位相差 ２６ 第１検出器 ２７ 第２検出器 ２８ 第１信号 ２９ 第２信号 ３０、３１ フィルター ３５ 位相検出器 ３６ 演算器
Claims (5)
- 【請求項１】電子レンズで集光した電子ビームを被測定
物上に走査し、被測定物から発生する２次電子を検出し
て被測定物の寸法を測定する寸法測定装置において、 前記電子ビームを変調周波数で変調する変調部と、 前記電子ビームの照射により発生する２次電子の変調周
波数関係成分である第１信号を検出する第１検出器と、 前記電子ビームの照射により発生する２次電子の変調周
波数関係成分である第２信号を検出する、前記第１検出
器と異なる位置に配設された第２検出器と、 前記第１信号と前記第２信号の位相信号を検出する位相
検出手段と、 前記位相検出手段により検出した位相信号から寸法を算
出する寸法演算手段とを備えることを特徴とする寸法測
定装置。 - 【請求項２】前記第１検出器と前記第２検出器とは、前
記電子レンズの光軸に対して対称な位置に配設されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の寸法測定装置。 - 【請求項３】前記第１検出器と前記第２検出器とは、前
記電子ビームの走査方向に配設されていることを特徴と
する請求項２に記載の寸法測定装置。 - 【請求項４】前記変調周波数は、電子ビームを走査する
走査周波数より高い周波数であることを特徴とする請求
項１に記載の寸法測定装置。 - 【請求項５】前記変調周波数関係成分は、前記変調周波
数の２倍の周波数成分であることを特徴とする請求項１
に記載の寸法測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173245A JPH0921630A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 寸法測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173245A JPH0921630A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 寸法測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0921630A true JPH0921630A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15956858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7173245A Withdrawn JPH0921630A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 寸法測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0921630A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6715822B2 (en) | 2001-02-06 | 2004-04-06 | Jac Products Deutschland Gmbh | Vehicle roof |
| JP2006266808A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | 基板検査方法、半導体装置の製造方法および基板検査装置 |
| JP2007171193A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Carl Zeiss Nts Gmbh | 距離を測定するための方法および装置 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP7173245A patent/JPH0921630A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6715822B2 (en) | 2001-02-06 | 2004-04-06 | Jac Products Deutschland Gmbh | Vehicle roof |
| JP2006266808A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | 基板検査方法、半導体装置の製造方法および基板検査装置 |
| JP4498185B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2010-07-07 | 株式会社東芝 | 基板検査方法、半導体装置の製造方法および基板検査装置 |
| JP2007171193A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Carl Zeiss Nts Gmbh | 距離を測定するための方法および装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4145597A (en) | Electron beam lithographic system | |
| JPH0921630A (ja) | 寸法測定装置 | |
| GB2151778A (en) | Detecting the relative positions of two members | |
| CA1254670A (en) | Method and apparatus for identifying points on a specimen having a defined time-dependent signal | |
| JP2658871B2 (ja) | 電子線露光におけるマーク位置検出方法およびその装置 | |
| JP2701764B2 (ja) | 荷電粒子ビームの寸法測定装置および測定方法 | |
| JPS61140136A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPH01169862A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPS6341186B2 (ja) | ||
| JPS6378443A (ja) | 電子ビ−ム焦点合せ装置 | |
| JPS6228572B2 (ja) | ||
| JPS59105317A (ja) | 電子ビ−ム露光法 | |
| JPH1050244A (ja) | ビーム検出信号の処理回路 | |
| JPH0523501B2 (ja) | ||
| JPH03104109A (ja) | 位置検出方法及び装置 | |
| JPS6135367A (ja) | 電子ビ−ムを用いた電圧測定装置 | |
| JPS58155306A (ja) | パタ−ンエツジ検出用信号処理方法と信号処理装置 | |
| JPS58210614A (ja) | 電子ビ−ム露光方法および装置 | |
| JPS592336A (ja) | 電子ビ−ム装置 | |
| JPH04127416A (ja) | マーク位置検出方法 | |
| JPH0428155A (ja) | 集束荷電粒子ビームのビーム径測定方法 | |
| JPS63238413A (ja) | 形状測定方法 | |
| JPH06229991A (ja) | 超音波探傷装置 | |
| JPS6142408B2 (ja) | ||
| JPS59159082A (ja) | 荷電粒子線露光装置等におけるマ−ク検出方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021001 |