JPS592336A - 電子ビ−ム装置 - Google Patents

電子ビ−ム装置

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Publication number
JPS592336A
JPS592336A JP57111015A JP11101582A JPS592336A JP S592336 A JPS592336 A JP S592336A JP 57111015 A JP57111015 A JP 57111015A JP 11101582 A JP11101582 A JP 11101582A JP S592336 A JPS592336 A JP S592336A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
analysis
voltage
objective lens
energy
electron beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57111015A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Ito
昭夫 伊藤
Yoshiaki Goto
後藤 善朗
Yasuo Furukawa
古川 泰男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57111015A priority Critical patent/JPS592336A/ja
Publication of JPS592336A publication Critical patent/JPS592336A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)1発明の技術分野 本発明は試料の高さの変動によって生ずる分析曲線への
影響を除去するように改善した電子ビーム装置に関する
(2)、技術の背景 走査形電子顕微鏡を用いて集積回路の内部電圧を測定し
うろことが知られている。このような測定に供される集
積回路が同じであってもそのパッケージの構造によって
は電子ビームの焦点位置遥こ集積回路の被測定部位が米
ない。そり)ために、被測定部位の電圧を正確に測定し
得ないという不具合があり、それを解決しうる技術的手
段の開発が要望されている。
(3)、従来技術と問題点 上述のように、パッケージの構造によって集積回路の高
さが異なって来た場合に、対物レンズの励磁電流が調節
されて電子ビームの焦点が ゛合わせられると、そのと
きに得られるエネルギー分析曲線にシフトが生じてしま
い、その結果として、その分析曲線ヲ用いての電圧測定
が不正確になってしまうという測定−Eの不具合がある
(4)2発明の目的 本発明は上述したような従来装置の有する欠゛点に鑑み
て創案されたもので、その目的は試料の高さに変動があ
ってもエネルギー分析曲線にシフトを生じさせず、エネ
ルギー分析を正確に遂行しりる電子ビーム装置tを提供
することにある。
(5)1発明の構成 そして、この目的は試料へ照射される電子ビームの焦点
合わせをする対物Vンズと、上記電子ビームが照射され
て試料から放出される二次電子のエネルギーを1分析グ
リッドに分析電圧を供給しつ一1分析するエネルギー分
析器とを有する電子ビー人装置において、上記対物Vン
ズヘ供給される電気信号に応答してオフセット電圧を発
生ずるオフセット電圧発生回路手段と。
そのオフセット電圧を上記分析電圧に加算する加算回路
手段とを設けることによって達成される。
(6)1発明の実m例 以下、添+i図面を診照しながら1本発明の詳細な説明
する。
第1図は本発明を実施する装置構成図を示し。
その1照番号1はその全体を図示しない走査形電子顕微
鏡の対物Vンズで、この対物Vンズと制御回路2との間
iこ制御回路2から対物Vンズ1へ向けて対物Vンズ用
ディジタルーアナログ変換器(対物レンズ用1)AC)
3.電流増幅器4がこれらの順に設けられている。
5は電子ビームEBを受ける試料で、6は試料から放出
婆れる二次電子で、7は二次電子6を検知する二次電子
検知器である。
8は分析グリッドで、制御回路2からこの分析グリッド
へ向けて分析電圧用1)AC9,加掬増幅器10がこれ
らの順で設けられている。
一方の人力へ分析電圧用DAC9の出力が接続されてい
る加算増幅器10の他方の入力と、対物Vンズ用DAC
3の出力との間にオフセット電圧発生回路11が接続さ
れて本発明の特徴部分が構成されている。
次に、上記構成の本発明装置の動作を説明するO 走査形電子w4微鏡の試料室内のテーブルに置かレタ試
料9例えばパッケージに実装された集積回路5が、し1
]えば本来なら実線の位置5Aに位置すべきであったの
が、そのパッケージの構造により、点線の位置を取って
いるものとすると、このような集積回路の取るべき高さ
の差違に対し、焦点合わせ制(財)系(対物Vンズlに
至る系)がそのような高式の差違から生ずる焦点ずれを
補正するようlこ動作し、それによって焦点は合わせら
れるが、それが原因して二次電子検知器7で分析される
エネルギー分析曲線は第2図に示す如く、実線から点線
ヘシフトしようとする。なお、この実線は集積回路が第
1図の位置5Aを取っている場合に得られるエネルギー
分析曲線である。
このようなシフトの発生は次のようにして防止される。
即ち、対物Vンズ用DAC3の対物Vンズ制御電圧Vが
オフセット電圧制両回路10へ供給されてそこから実験
データに基づいて予め決められた関数関係にあるオフセ
ラ)を圧■が発生される。このオフセット電圧Vが加算
増5− 幅器10へ供給されて分析電圧用DAC8の出力電圧と
加算されて分析グリッド8へ印加される。
これにより、第2図の点線の如くシフトしようとするエ
ネルギー分析曲線を第2図の実線で示すエネルギー分析
曲線として測定することが出来る。従って1本発明によ
らなければ、エネルギー分析曲線がシフトしてしまい、
正しいエネルギー分析1例えば集積回路の内部電圧測定
をなし得なくされるのが上述説明のところから明らかな
如く、試料に高さの差違が生じる場合であっても、エネ
ルギー分析曲線のシフトなく正しいエネルギー分析をな
し得ることになる。
上記実施例においては、オフセット電圧の発生をアナロ
グ信号処理回路系の中で生ぜしめているが、ディジタル
信号処理系の中で生せしめるように構成してもよい。
(7)3発明の効果 以上要するに、本発明によれば、試料の高さの変動に伴
って変わる対物Vンズ制at圧からオフセット電圧を発
生してこの電圧を分析電圧6− と加算し、その加纂値を分析グリッドに印加するように
しているから、試料の高さの変動に伴うエネルギー分析
曲線のシフトを防止し得ることになり、従って正確なエ
ネルギー分析を行いうろことになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図は本発明装
置の動作を説明するための分析曲線図である。 図において、1は対物Vンズ、2は制御11411g回
路、3は対物Vンズ用1)AC,4は電流増幅器、5は
試料、7はエネルギー分析器、8は分析グリッド。 9は分析電圧用1)AC’、 I Oは加算増幅器、1
1はオフセット電圧発生回路である。 特詐出願人 富士通株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 試料へ照射される電子ビームの焦点合わせをする対物レ
    ンズと、上記電子ビームが照射されて上記試料から放出
    される二次電子のエネルギーを、分析グリッドに分析電
    圧を供給しつ\1分析するエネルギー分析器を有する電
    子ビーム装置において、上記対物レンズへ供給される電
    気信号に応答してオフセット電圧を発生するオフセット
    電圧発生回路手段と、そのオフセット電圧を上記分析電
    圧に加算する加算回路手段とを設けたことを特徴とする
    電子ビーム装置。
JP57111015A 1982-06-28 1982-06-28 電子ビ−ム装置 Pending JPS592336A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57111015A JPS592336A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 電子ビ−ム装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP57111015A JPS592336A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 電子ビ−ム装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS592336A true JPS592336A (ja) 1984-01-07

Family

ID=14550229

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57111015A Pending JPS592336A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 電子ビ−ム装置

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JP (1) JPS592336A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0348173A (ja) * 1989-07-17 1991-03-01 Fujitsu Ltd 電子ビーム装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0348173A (ja) * 1989-07-17 1991-03-01 Fujitsu Ltd 電子ビーム装置

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