JPS59842A - 電子ビ−ム装置 - Google Patents
電子ビ−ム装置Info
- Publication number
- JPS59842A JPS59842A JP57111014A JP11101482A JPS59842A JP S59842 A JPS59842 A JP S59842A JP 57111014 A JP57111014 A JP 57111014A JP 11101482 A JP11101482 A JP 11101482A JP S59842 A JPS59842 A JP S59842A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- output
- dac
- analysis
- sample
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）０発明の技術分野
本発明はエネルギー分析に対する分析電圧の影響を除去
した電子ビーム装置に関する。
した電子ビーム装置に関する。
（２）、技術の背景
従来から走査群電子顕微鏡を用いて集積回路内部電圧を
測定し得ることが知られているが。
測定し得ることが知られているが。
この種の測定において走査形電子顕微鏡の中でエネルギ
ー分析器が用いられる。このエネルギー分析器において
、その分析電圧値の変化番こより電子ビームに有害な影
響を与え、集積回路内部電圧の測定に支障を来たすので
、これを解決しうる技術的手段の開発が要望されてＧ）
る。
ー分析器が用いられる。このエネルギー分析器において
、その分析電圧値の変化番こより電子ビームに有害な影
響を与え、集積回路内部電圧の測定に支障を来たすので
、これを解決しうる技術的手段の開発が要望されてＧ）
る。
（３）、従来技術と問題点
即ち、エネルギー分析器による二次電子エネルギーの分
析のため、その分析電圧を変えると。
析のため、その分析電圧を変えると。
電子ビームが所望の位置よりシフトしてしまうという現
象が現われる。このＣとはとりもなおさず、集積回路の
うちの真に測定せんきする位置からずれた位置での内部
電圧を測定することになってしまい、正しい測定結果が
得られなし）ことになる。
象が現われる。このＣとはとりもなおさず、集積回路の
うちの真に測定せんきする位置からずれた位置での内部
電圧を測定することになってしまい、正しい測定結果が
得られなし）ことになる。
（４）０発明の目的
本発明は上述のような技術的課題を解決すべく創案され
たもので、その目的はエネルギー分析中に生ずる電子ビ
ームのシフトを防止して電子ビームを所望の位置に照射
させつる電子ビーム装置を提供することにある。
たもので、その目的はエネルギー分析中に生ずる電子ビ
ームのシフトを防止して電子ビームを所望の位置に照射
させつる電子ビーム装置を提供することにある。
（５）０発明の構成
そして、この目的は電子ビームが照射されて試料から放
出される二次電子のエネルギーを。
出される二次電子のエネルギーを。
分析グリッドへ印加される分析電圧の変更を生じさせつ
＼１分析するエネルギー分析器を有する電子ビーム装置
において、上記分析電圧の変更に応答して上記電子ビー
ムの偏向位置を補正する手段を設けることによって達成
される。
＼１分析するエネルギー分析器を有する電子ビーム装置
において、上記分析電圧の変更に応答して上記電子ビー
ムの偏向位置を補正する手段を設けることによって達成
される。
（６）０発明の実施例
以下、添付図面を参照しながら、本発明の詳細な説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す。１は走査形電子顕微
鏡（その全体を図示せず）の偏向器で、この偏向器によ
って電子ビームＦＢが掃引されるように構成されている
。電子ビームＥＢを照射される試料、例えば集積回路が
参照番号２で示されている。３は分析グリッドで、これ
はバッファ用増幅器４の出力へ接続され、その入力は分
析電圧ディジタル−アナログ変換器（分析電圧ＤＡＣ）
５の出力へ接続されている。
鏡（その全体を図示せず）の偏向器で、この偏向器によ
って電子ビームＦＢが掃引されるように構成されている
。電子ビームＥＢを照射される試料、例えば集積回路が
参照番号２で示されている。３は分析グリッドで、これ
はバッファ用増幅器４の出力へ接続され、その入力は分
析電圧ディジタル−アナログ変換器（分析電圧ＤＡＣ）
５の出力へ接続されている。
ＤＡＣ５の入力は制御回路６へ接続されている。
７：Ｉ：は補正係数Ｖジスタで３、人力を制（ホ）回路
６から受け、その値を乗算型ＤＡＣ８：ｒへ送り、ＤＡ
Ｃ８□においてＤＡＣ５の出力値と乗算するように構成
されている。
６から受け、その値を乗算型ＤＡＣ８：ｒへ送り、ＤＡ
Ｃ８□においてＤＡＣ５の出力値と乗算するように構成
されている。
９．２．は制御回路６へ接続されたビーム位置決め用Ｄ
ＡＣで、その出力はＤＡＣ８：ｔの出力と共に加算増幅
器１０工の各別の入力へ接続されている。
ＡＣで、その出力はＤＡＣ８：ｔの出力と共に加算増幅
器１０工の各別の入力へ接続されている。
加算増幅器１０□の出力は偏向用増幅器１１：ｃを経て
偏向器１のＸ偏向入力へ接続されている。
偏向器１のＸ偏向入力へ接続されている。
偏向器１はＸ偏向入力も有するが、制御回路６からＸ偏
向入力までにも、制御回路６からＸ偏向入力までと同一
の構成要素を有する。これらの構成要素は対応する参照
番号の添字をＸをｙに替えて示しである。
向入力までにも、制御回路６からＸ偏向入力までと同一
の構成要素を有する。これらの構成要素は対応する参照
番号の添字をＸをｙに替えて示しである。
次に、上記構成装置の動作を説明する。
走査形電子顕微鏡の試料室内に置かれた試料。
例えば集積回路に電子ビームＥＢが照射されてそこから
放出される二次電子のエネルギー分析のため、制御回路
６からディジタル分析電圧データが分析電圧ＤＡ”Ｃ５
へ与えられてその出力電圧が増幅器４を経て分析グリッ
ド３へ印加されるさ同時に、予め実験で求められている
補正係数データが制御回路６から補正係数Ｖジスタフ：
ｔ。
放出される二次電子のエネルギー分析のため、制御回路
６からディジタル分析電圧データが分析電圧ＤＡ”Ｃ５
へ与えられてその出力電圧が増幅器４を経て分析グリッ
ド３へ印加されるさ同時に、予め実験で求められている
補正係数データが制御回路６から補正係数Ｖジスタフ：
ｔ。
７、へ与えられてそのデータとＤＡＣ５の出力電圧とが
乗算形ＤＡＣ８ｘ 、 ｓｙで掛は合わされて偏向補正
信号が発生される。
乗算形ＤＡＣ８ｘ 、 ｓｙで掛は合わされて偏向補正
信号が発生される。
これらの偏向補正信号は夫々の対応するビーム位置決め
用ＤＡＣ９，ｚ 、 ９．からの偏向信号き加算増幅器
１０ｚ、１０ｙで加算されてから対応する偏向用増幅器
１１□、１１ｙを経て偏向器のＸ偏向入力及びＸ偏向入
力へ供給されて電子ビームの掃引に供される。
用ＤＡＣ９，ｚ 、 ９．からの偏向信号き加算増幅器
１０ｚ、１０ｙで加算されてから対応する偏向用増幅器
１１□、１１ｙを経て偏向器のＸ偏向入力及びＸ偏向入
力へ供給されて電子ビームの掃引に供される。
このように１本発明番こよれば１分析電圧に応じた偏向
補正信号が発生されて偏向信号の補正を生ぜしめている
から、電子ビームＥＢが試料２の二次電子放出比が成る
値をとる領域２人（第２図お照）を掃引している場合に
は第３図のような分析的ｍ （Ｌｔ ＝ ０ボルト、Ｌ
２＝５ボルト）が得られる筈であったのが１分析電圧の
変更によって本来なら領域２人を掃引すべき電子ビーム
ＥＢＩＥＢｏは分析電圧が０ボルト、ＥＢｔ。
補正信号が発生されて偏向信号の補正を生ぜしめている
から、電子ビームＥＢが試料２の二次電子放出比が成る
値をとる領域２人（第２図お照）を掃引している場合に
は第３図のような分析的ｍ （Ｌｔ ＝ ０ボルト、Ｌ
２＝５ボルト）が得られる筈であったのが１分析電圧の
変更によって本来なら領域２人を掃引すべき電子ビーム
ＥＢＩＥＢｏは分析電圧が０ボルト、ＥＢｔ。
は分析電圧が１０ボルトである場合を示す。）が二次電
子放出比が他の値をとる領域２Ｂを掃引するに至ろう（
即ち、電子ビームＥＢの偏向位置にシフトが生じよう）
とするが、上述の如き偏向補正信号が掃引動作に効いて
来る。従って、上述のようなシフトが生じてしまったな
ら第４図の実線で示す如き分析曲線しか得られなくなる
のを、第４図の点線で示す分析曲線、即ち第３図の分析
曲線を得ることが出来るようになるから、二次電子のエ
ネルギー分析を確実になしうる。例えば、試料が集積回
路であるならば、その内部電圧の確実な測定をなしうろ
ことになる。
子放出比が他の値をとる領域２Ｂを掃引するに至ろう（
即ち、電子ビームＥＢの偏向位置にシフトが生じよう）
とするが、上述の如き偏向補正信号が掃引動作に効いて
来る。従って、上述のようなシフトが生じてしまったな
ら第４図の実線で示す如き分析曲線しか得られなくなる
のを、第４図の点線で示す分析曲線、即ち第３図の分析
曲線を得ることが出来るようになるから、二次電子のエ
ネルギー分析を確実になしうる。例えば、試料が集積回
路であるならば、その内部電圧の確実な測定をなしうろ
ことになる。
なお、上記実施例では、偏向器１へ入る信号を偏向信号
と偏向補正信号との和としているが。
と偏向補正信号との和としているが。
この和をとらず、補正用偏向器を新らたに設け。
これに偏向補正信号を供給するように構成してもよい。
（７）０発明の効果
以上要するに１本発明によれば、電子ビームの偏向シフ
トを生じさせる分析電圧に応答して偏向補止信号を発生
し、これを偏向器に印加するように構成したこさにより
１分析電圧の変更ｌこよる電子ビームの偏向位置シフト
を防止しうる。従って、二次電子のエネルギー分析を確
実になしうる等の効果が得られる。
トを生じさせる分析電圧に応答して偏向補止信号を発生
し、これを偏向器に印加するように構成したこさにより
１分析電圧の変更ｌこよる電子ビームの偏向位置シフト
を防止しうる。従って、二次電子のエネルギー分析を確
実になしうる等の効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は分析型、
圧の値による電子ビームの偏向位置シフトを示す図、第
３図は電子ビームの偏向位置シフトがない場合に得られ
る分析曲線図、第４図は電子ビームの偏向位置シフトが
生じた場合の分析曲線図である。 図において、１は偏向器、２は試料、３は分析グリッド
、４はバッファ用増幅器、５は分析電圧ＤＡＣ、７ｘ、
７ｙは補正係舷レジスタ、８．．８．は乗算型ＤＡＣ，
９２，９，はビーム位置決め用ＤＡＣ，ＩＯｘ。 １０ｙは加算増幅器、１１．ｒ−１１ｙは偏向用増幅器
である。 第１図
圧の値による電子ビームの偏向位置シフトを示す図、第
３図は電子ビームの偏向位置シフトがない場合に得られ
る分析曲線図、第４図は電子ビームの偏向位置シフトが
生じた場合の分析曲線図である。 図において、１は偏向器、２は試料、３は分析グリッド
、４はバッファ用増幅器、５は分析電圧ＤＡＣ、７ｘ、
７ｙは補正係舷レジスタ、８．．８．は乗算型ＤＡＣ，
９２，９，はビーム位置決め用ＤＡＣ，ＩＯｘ。 １０ｙは加算増幅器、１１．ｒ−１１ｙは偏向用増幅器
である。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電子ビームが照射されて試料から放出される二次電子の
エネルギーを、分析グリッドへ印加される分析電圧の変
更を生じさせつ＼、分析するエネルギー分析器を有する
電子ビーム装置において。 上記分析電圧の変更に応答して上記電子ビームの偏向位
置を補正する手段を設けたことを特徴とする電子ビーム
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111014A JPS59842A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 電子ビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111014A JPS59842A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 電子ビ−ム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59842A true JPS59842A (ja) | 1984-01-06 |
| JPS6341186B2 JPS6341186B2 (ja) | 1988-08-16 |
Family
ID=14550204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111014A Granted JPS59842A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 電子ビ−ム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59842A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03261057A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-20 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
| JP2010219013A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-30 | Jeol Ltd | Ｓｅｍ−ｆｉｂ複合装置におけるビーム照射位置の補正方法及び装置 |
| EP2426559A2 (en) | 2010-09-06 | 2012-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Device and method for measuring surface charge distribution |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4899184A (en) * | 1989-04-24 | 1990-02-06 | Westinghouse Electric Corp. | Multiplexed thin film electroluminescent edge emitter structure and electronic drive system therefrom |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS514797A (ja) * | 1974-05-30 | 1976-01-16 | Sheldahl Inc | |
| JPS55110908A (en) * | 1979-02-21 | 1980-08-27 | Hitachi Ltd | Measuring device |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57111014A patent/JPS59842A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS514797A (ja) * | 1974-05-30 | 1976-01-16 | Sheldahl Inc | |
| JPS55110908A (en) * | 1979-02-21 | 1980-08-27 | Hitachi Ltd | Measuring device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03261057A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-20 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
| JP2010219013A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-30 | Jeol Ltd | Ｓｅｍ−ｆｉｂ複合装置におけるビーム照射位置の補正方法及び装置 |
| EP2426559A2 (en) | 2010-09-06 | 2012-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Device and method for measuring surface charge distribution |
| US8847158B2 (en) | 2010-09-06 | 2014-09-30 | Ricoh Company, Ltd. | Device and method for measuring surface charge distribution |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6341186B2 (ja) | 1988-08-16 |
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