JPS62219534A - 粒子ゾンデを使用する時間に関係する信号の測定方法と装置 - Google Patents
粒子ゾンデを使用する時間に関係する信号の測定方法と装置Info
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- JPS62219534A JPS62219534A JP62024434A JP2443487A JPS62219534A JP S62219534 A JPS62219534 A JP S62219534A JP 62024434 A JP62024434 A JP 62024434A JP 2443487 A JP2443487 A JP 2443487A JP S62219534 A JPS62219534 A JP S62219534A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、少くとも１つの時間に関係する信号を導く
測定点に焦点を合わされその信号に同期して操作される
粒子ゾンデが使用され１粒子ゾンデから放出される二次
粒子のエネルギー分布の測定点電位に関係する移動がエ
ネルギー分析器において決定され、その出力端で測定さ
れた信号がエネルギー分析器を制御する帰還回路を通し
て一定（二保持され、それから導かれた信号が記録され
る時間に関係する信号の測定方法とそれを実施する装置
に関するものである。
測定点に焦点を合わされその信号に同期して操作される
粒子ゾンデが使用され１粒子ゾンデから放出される二次
粒子のエネルギー分布の測定点電位に関係する移動がエ
ネルギー分析器において決定され、その出力端で測定さ
れた信号がエネルギー分析器を制御する帰還回路を通し
て一定（二保持され、それから導かれた信号が記録され
る時間に関係する信号の測定方法とそれを実施する装置
に関するものである。
高密度集積回路の機能の試験は通常計算機制御の試験系
において行われ、構成素子の誤機能は蓄積されたビット
構成に関係して測定された出力信号の分析を通して検出
される。しかしこのように実施される試験は多くの場合
不完全であシ、不良回路部分を極めて複雑な構造内で周
定する（二は長時間を要する。従って特に開発段階にお
いて構成部品内部（二付加的な試験測定を実施すること
が必要である。この目的に対してはマイクロエレクトロ
ニクスの開発と製作の分野で採用されている電子ビーム
測定法が特に好適であることが明らかにされている。現
在実施されている方法は文献フオイエルパウム著［電子
ビーム試験・方法と応用」（Ｈ，Ｐ、Ｆｅｕｅｒｂａｕ
ｍ ： ｌ′Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｒｎ Ｔｅｓ
ｔ−ｉｎｇ ： Ｍｅｔｈｏｄｓ ａｎｄ Ａｐｐｌｉ
ｃａｔＸｓ ” Ｓｃａｎｎｉ−ｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ Ｍｉｃｒｏｓｃθｐｙ、５ （１９８３）ｐ。
において行われ、構成素子の誤機能は蓄積されたビット
構成に関係して測定された出力信号の分析を通して検出
される。しかしこのように実施される試験は多くの場合
不完全であシ、不良回路部分を極めて複雑な構造内で周
定する（二は長時間を要する。従って特に開発段階にお
いて構成部品内部（二付加的な試験測定を実施すること
が必要である。この目的に対してはマイクロエレクトロ
ニクスの開発と製作の分野で採用されている電子ビーム
測定法が特に好適であることが明らかにされている。現
在実施されている方法は文献フオイエルパウム著［電子
ビーム試験・方法と応用」（Ｈ，Ｐ、Ｆｅｕｅｒｂａｕ
ｍ ： ｌ′Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｒｎ Ｔｅｓ
ｔ−ｉｎｇ ： Ｍｅｔｈｏｄｓ ａｎｄ Ａｐｐｌｉ
ｃａｔＸｓ ” Ｓｃａｎｎｉ−ｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ Ｍｉｃｒｏｓｃθｐｙ、５ （１９８３）ｐ。
１４〜２４）に記載され公知である。高密度集積回路の
故障個所の位置決定（二特に有効な方法は。
故障個所の位置決定（二特に有効な方法は。
対象部品の選定された結節点ｃ二おいて電位の時間経過
を定量測定することであるＩ （例えば文献フオイエル
パウム著［電子プローブを使用するＶＬＳＩ試験Ｊ試験
Ｉｌ、 Ｐ、 Ｆｅｕｅｒｂａｕｍ ： ” ＶＬＳ
Ｉ Ｔｅｓｔｉｎｇｕｓｉｎｇ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ″、 ＳｃａｎｎｉｎｇＢｌｅｃ
ｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、 １９７９／１．
Ｉ）、２８５−２９６参照）。この方法では走査型電
子顕微鏡の電子光学筒で作られた一次電子ビームが測定
点に向けられ、測定点から放出された二次重子のエネル
ギー分布の素子の電位（二関係する移動がスペクトロメ
ータ・検出器系において′ｆＪ１す定される。ナノ秒領
域の時間分解能をもって電位経過の定量測定を行うこと
はサンプリング原］］１ （二基くストロボ法によって
のみ可能である。電気測定技術においてよく知られてい
るこの方法では一次電子ビームが被測定信号の周波数に
同期してパルス化され。
を定量測定することであるＩ （例えば文献フオイエル
パウム著［電子プローブを使用するＶＬＳＩ試験Ｊ試験
Ｉｌ、 Ｐ、 Ｆｅｕｅｒｂａｕｍ ： ” ＶＬＳ
Ｉ Ｔｅｓｔｉｎｇｕｓｉｎｇ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ″、 ＳｃａｎｎｉｎｇＢｌｅｃ
ｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、 １９７９／１．
Ｉ）、２８５−２９６参照）。この方法では走査型電
子顕微鏡の電子光学筒で作られた一次電子ビームが測定
点に向けられ、測定点から放出された二次重子のエネル
ギー分布の素子の電位（二関係する移動がスペクトロメ
ータ・検出器系において′ｆＪ１す定される。ナノ秒領
域の時間分解能をもって電位経過の定量測定を行うこと
はサンプリング原］］１ （二基くストロボ法によって
のみ可能である。電気測定技術においてよく知られてい
るこの方法では一次電子ビームが被測定信号の周波数に
同期してパルス化され。
電位経過は一次電子パルスの走査時点の移動（二よって
連続的（二記録される。この方法では一次電子パルスを
短くすることにより高い時間分解能が達成される。しか
しパルス時間の短縮と共Ｃニスペクトロメータ・検出器
装置の出力端においての信号レベルが大きく低下し、測
定電子回路に高い性能が要求される。通常のビーム走査
系（二おいて達成可能のパルス幅１００ｐＳとゾンデ電
流］ｎＡの一次電子パルスに含まれる電子数は統計的に
１個以下であるから、通常の方法による電流測定には極
めて高い増幅が必要となる。計測可能の最も短い信号を
導くパルス長とそれに応じて可能な最高時間分解能を決
定する検出感度を高感度の検出器と指向性の高い電子ビ
ーム源の使用によって更ｆ二高めることが試みられた。
連続的（二記録される。この方法では一次電子パルスを
短くすることにより高い時間分解能が達成される。しか
しパルス時間の短縮と共Ｃニスペクトロメータ・検出器
装置の出力端においての信号レベルが大きく低下し、測
定電子回路に高い性能が要求される。通常のビーム走査
系（二おいて達成可能のパルス幅１００ｐＳとゾンデ電
流］ｎＡの一次電子パルスに含まれる電子数は統計的に
１個以下であるから、通常の方法による電流測定には極
めて高い増幅が必要となる。計測可能の最も短い信号を
導くパルス長とそれに応じて可能な最高時間分解能を決
定する検出感度を高感度の検出器と指向性の高い電子ビ
ーム源の使用によって更ｆ二高めることが試みられた。
しかしサンプル・アンド・ホールド法によっても最後に
は電子部品の強く増幅された雑音が達成可能の検出限界
と可能な最高時間分解能を限定する。
は電子部品の強く増幅された雑音が達成可能の検出限界
と可能な最高時間分解能を限定する。
この発明の目的は、粒子線測定装置においてその電子部
品の雑音が装置の達成可能な時間分解能に及ぼす影響を
ほとんど完全に抑制することができる測定方法とその実
施装置を提供することである。
品の雑音が装置の達成可能な時間分解能に及ぼす影響を
ほとんど完全に抑制することができる測定方法とその実
施装置を提供することである。
この目的は特許請求の範囲第１項に特徴として挙げた測
定方法と特許請求の範囲第６項に特徴として挙げた装置
構成によって達成される。
定方法と特許請求の範囲第６項に特徴として挙げた装置
構成によって達成される。
この発明によって達成される利点は１時間分解能が主と
して二次電子パルスの長さＣ：よって決まシミ子部品の
雑音には関係しないことである。その上この発明の方法
を実施する装置は在来の試験装置の測定電子回路に対し
て極めて簡単に集積することができる。
して二次電子パルスの長さＣ：よって決まシミ子部品の
雑音には関係しないことである。その上この発明の方法
を実施する装置は在来の試験装置の測定電子回路に対し
て極めて簡単に集積することができる。
この発明の方法を実施する装置の一例を示す図面につい
てこの発明を更に詳細に説明する。
てこの発明を更に詳細に説明する。
第１図に示した時間に関係する信号の測定装置において
は、試験対象としてのＩＣが電子線測定装置ＥＭＧの電
子光学筒内に発生する一次電子ピームＰＥによって走査
される。この電子光学筒の主要部は電子ビーム発生器Ｂ
Ｇ、ビーム形成用のレンズ系、ビームの偏向系と集束系
の外に図に示されていない一連の開口絞シである。この
開口絞りは軸から遠く離れた電子ビームを遮断して投像
特性を改善する。陰極Ｋから放出され陽極Ａに向つぞ加
速された電子はウェーネルト電極Ｗにより第１ビーム交
差点に集められる。細い一次電子ビームを作るため陰極
にのこの電子源像はコンデンサレンズＫ】とに２および
対物レンズＯＬによって縮小されて試験試料ＩＣ上（二
投像される。その際一次電子ＰＥの軌道は各レンズ系で
作られた磁場を通過した復改のビーム交差点を通シ抜け
る。
は、試験対象としてのＩＣが電子線測定装置ＥＭＧの電
子光学筒内に発生する一次電子ピームＰＥによって走査
される。この電子光学筒の主要部は電子ビーム発生器Ｂ
Ｇ、ビーム形成用のレンズ系、ビームの偏向系と集束系
の外に図に示されていない一連の開口絞シである。この
開口絞りは軸から遠く離れた電子ビームを遮断して投像
特性を改善する。陰極Ｋから放出され陽極Ａに向つぞ加
速された電子はウェーネルト電極Ｗにより第１ビーム交
差点に集められる。細い一次電子ビームを作るため陰極
にのこの電子源像はコンデンサレンズＫ】とに２および
対物レンズＯＬによって縮小されて試験試料ＩＣ上（二
投像される。その際一次電子ＰＥの軌道は各レンズ系で
作られた磁場を通過した復改のビーム交差点を通シ抜け
る。
これらの交差点の１つにパルス発生器ＢＢＧを通して制
御されるビーム走査系ＢＢＳを設けると有利である。ビ
ーム走査系ＢＢＳの位置調節を可能にするため多くの場
合このコンデンサ板から成る装置を第１図に示すように
電子ビーム発生器ＥＧと第１コンデンサレンズに１の間
だけに設けるのが普通である。
御されるビーム走査系ＢＢＳを設けると有利である。ビ
ーム走査系ＢＢＳの位置調節を可能にするため多くの場
合このコンデンサ板から成る装置を第１図に示すように
電子ビーム発生器ＥＧと第１コンデンサレンズに１の間
だけに設けるのが普通である。
試料ＩＣの一点又はその表面の走査線に対する一次電子
ビームＰＥの位置調整は、走査偏向電圧を供給する偏向
ユニッ）ＤＳｉ使用して行われる。高エネルギー一次電
子ＰＥと固体物質との間の交互作用に基き試料ＩＣの一
点がら放出される二次電子ＳＥを検出するため例えば遮
蔽格子、シンチレータおよび光波導体から成る検出系Ｄ
Ｔとそれに続く光電子増倍管ＰＭが設けられる。検出系
ＤＴで検出可能であシ放出過程の統計的性質ｃ二基いて
変動する二次電子流はシンチレータ内に光パルスを発生
させ、この元パルスは）し電子増倍管ＰＭで二次電気信
号に変換される。検出系ＤＴの前には試料電位に関係す
る二次電子Ｓ Ｆ、のエネルギー分布の移動を測定する
スペクトロメータＳＰ、％（二静電型逆電場スペクトロ
メータが対物レンズＯＬと試料ＩＣの間に接続されてい
る。この逆電場スペクトロメータはよく知られているも
のであって多くの場合吸引網、一つ又はそれ以上の平面
又は半球形の逆電場電極および二次電子ＳＥｉシンチレ
ータに向けて加速する偏向電極から構成される。
ビームＰＥの位置調整は、走査偏向電圧を供給する偏向
ユニッ）ＤＳｉ使用して行われる。高エネルギー一次電
子ＰＥと固体物質との間の交互作用に基き試料ＩＣの一
点がら放出される二次電子ＳＥを検出するため例えば遮
蔽格子、シンチレータおよび光波導体から成る検出系Ｄ
Ｔとそれに続く光電子増倍管ＰＭが設けられる。検出系
ＤＴで検出可能であシ放出過程の統計的性質ｃ二基いて
変動する二次電子流はシンチレータ内に光パルスを発生
させ、この元パルスは）し電子増倍管ＰＭで二次電気信
号に変換される。検出系ＤＴの前には試料電位に関係す
る二次電子Ｓ Ｆ、のエネルギー分布の移動を測定する
スペクトロメータＳＰ、％（二静電型逆電場スペクトロ
メータが対物レンズＯＬと試料ＩＣの間に接続されてい
る。この逆電場スペクトロメータはよく知られているも
のであって多くの場合吸引網、一つ又はそれ以上の平面
又は半球形の逆電場電極および二次電子ＳＥｉシンチレ
ータに向けて加速する偏向電極から構成される。
試験試料ＩＣは主として集積回路であシ、これ（二適当
な試験プログラムが試料制御装置Ｃ０Ｎｉ通して供給さ
れる。試験サイクル中に試料ＩＣの回路構成に対応して
動作状態を定義づける信号が結節点と導体路に現われ、
その時間経過が一次電子ビームＰＥｉ使用して求められ
、シミュレーション計算で得られた信号経過と比較する
ことができる。高周波信号の時間経過は現在電子ビーム
測定装置ＥＭＧにおいてサンプリング法と呼はれている
方法によってのみ測定可能である。この方法では一次電
子ビームＰＥを試料ＩＣの一点（二位置合せし、試料制
御装置ＣＯＮおよびパルス発生器ＢＢＧの前に置かれた
遅延ユニット■Ｅ全通してパルス発生器ＢＢ（］を制御
して、一次電子ビームＰＥが測定信号（二同期して走査
するようにする。
な試験プログラムが試料制御装置Ｃ０Ｎｉ通して供給さ
れる。試験サイクル中に試料ＩＣの回路構成に対応して
動作状態を定義づける信号が結節点と導体路に現われ、
その時間経過が一次電子ビームＰＥｉ使用して求められ
、シミュレーション計算で得られた信号経過と比較する
ことができる。高周波信号の時間経過は現在電子ビーム
測定装置ＥＭＧにおいてサンプリング法と呼はれている
方法によってのみ測定可能である。この方法では一次電
子ビームＰＥを試料ＩＣの一点（二位置合せし、試料制
御装置ＣＯＮおよびパルス発生器ＢＢＧの前に置かれた
遅延ユニット■Ｅ全通してパルス発生器ＢＢ（］を制御
して、一次電子ビームＰＥが測定信号（二同期して走査
するようにする。
測定信号が必要な信号・雑音間隔をもって求められると
、遅延二二ッ）ＶＢ２−制御する移送器ＰＳを使用して
一次電子パルスの位相を測定点電位に関連して変化させ
る。一次電子パルスの走査時点を連続的ｆ二移動させる
ととによシＪっの測定点ｌ二おいての電位の時間経過を
決定し、例えばディスプレイ装置ＣＲＴ上に表示するこ
とができる。ディスプレイ装置ＣＲＴのＹ軸はスペクト
ロメータｓｐおよび試料ＩＣと逆電場電極間の電位差を
一定に保持する帰還回路で決められた測定点電位を表わ
すのに対して、時間軸Ｘ方向の変位は位相器Ｐ８ののこ
ぎり波電圧（二よって決められる。
、遅延二二ッ）ＶＢ２−制御する移送器ＰＳを使用して
一次電子パルスの位相を測定点電位に関連して変化させ
る。一次電子パルスの走査時点を連続的ｆ二移動させる
ととによシＪっの測定点ｌ二おいての電位の時間経過を
決定し、例えばディスプレイ装置ＣＲＴ上に表示するこ
とができる。ディスプレイ装置ＣＲＴのＹ軸はスペクト
ロメータｓｐおよび試料ＩＣと逆電場電極間の電位差を
一定に保持する帰還回路で決められた測定点電位を表わ
すのに対して、時間軸Ｘ方向の変位は位相器Ｐ８ののこ
ぎり波電圧（二よって決められる。
高周波信号経過を所定の時間分解能をもって測定できる
ためには、極めて短い一次電子パルスを使用する必要が
ある。現在のビーム走査系において達成可能の１００
ｐｇ：以下のパルス幅の場合ビーム電流値１ ｎＡの一
次電子パルスは統計的に約０６個の電子を含むことにな
る。一方二次電子収用は１程度のものであるから、検出
系ＤＴには統計的に唯１個の二次電子が記録され、この
条件の下では積分作用のない光電子増倍管ＰＭの出力端
に振幅と時間経過を異にする電流パルスを発生させる。
ためには、極めて短い一次電子パルスを使用する必要が
ある。現在のビーム走査系において達成可能の１００
ｐｇ：以下のパルス幅の場合ビーム電流値１ ｎＡの一
次電子パルスは統計的に約０６個の電子を含むことにな
る。一方二次電子収用は１程度のものであるから、検出
系ＤＴには統計的に唯１個の二次電子が記録され、この
条件の下では積分作用のない光電子増倍管ＰＭの出力端
に振幅と時間経過を異にする電流パルスを発生させる。
在来型の装置による電流測定は、一定の増幅率で動作す
る光電子増倍管を使用し高い二次電子流が得られる場合
に限って高い増幅を行うことな〈実施可能である。図（
二本した装置では、電流測定を行うことなく特定の時間
内（二元電子増倍管の出力端に調整可能のしきい値以上
の振幅をもって表われる電流パルスの数を市販のパルス
カウンタＺＥで測定すること（二よりこの難点を避ける
ことができる。パルスカウンタＺＥの前には、光電子増
倍管の出力信号を増幅しＳＮ比を改善するフィルタリン
グを行う信号処理装置ＳＶを接続すると有利である。パ
ルスカウンタＺＢの後にはスペクトロメータ給電回路５
ｐｓ６制御するＤＡ変換器ＤＡＣが接続され、所定時間
Δを内に測定された電流パルスの数ＪＮから計算された
ΔＮ／Δｔの値（二対応するディジタル信号全アナログ
信号（二変換する。即ちこの発明による装置においては
、光電子増倍管ＰＭの出力端で測定された電流値ではな
く、時間間隔Δを中に記録され個４の電子（二よって作
られた電流パルスの数ΔＮをパルスカウンタＺＦｉ、Ｄ
Ａ変換器ＤＡＣおよびスペクトロメータ制御装置ｓｐｓ
から成る帰還回路を通し逆電場電極の電圧を調整するこ
と（二より一定に保つ。時間間隔ｌｔ中に発生する電流
パルス相互を分離するためには、この発明（二よる装置
に高速の光電子増倍管と減衰時間の短いシンチレータを
使用しなければならない。
る光電子増倍管を使用し高い二次電子流が得られる場合
に限って高い増幅を行うことな〈実施可能である。図（
二本した装置では、電流測定を行うことなく特定の時間
内（二元電子増倍管の出力端に調整可能のしきい値以上
の振幅をもって表われる電流パルスの数を市販のパルス
カウンタＺＥで測定すること（二よりこの難点を避ける
ことができる。パルスカウンタＺＥの前には、光電子増
倍管の出力信号を増幅しＳＮ比を改善するフィルタリン
グを行う信号処理装置ＳＶを接続すると有利である。パ
ルスカウンタＺＢの後にはスペクトロメータ給電回路５
ｐｓ６制御するＤＡ変換器ＤＡＣが接続され、所定時間
Δを内に測定された電流パルスの数ＪＮから計算された
ΔＮ／Δｔの値（二対応するディジタル信号全アナログ
信号（二変換する。即ちこの発明による装置においては
、光電子増倍管ＰＭの出力端で測定された電流値ではな
く、時間間隔Δを中に記録され個４の電子（二よって作
られた電流パルスの数ΔＮをパルスカウンタＺＦｉ、Ｄ
Ａ変換器ＤＡＣおよびスペクトロメータ制御装置ｓｐｓ
から成る帰還回路を通し逆電場電極の電圧を調整するこ
と（二より一定に保つ。時間間隔ｌｔ中に発生する電流
パルス相互を分離するためには、この発明（二よる装置
に高速の光電子増倍管と減衰時間の短いシンチレータを
使用しなければならない。
ビーム電流値の変動に基く測定誤差を少くとも部分的に
補正するためには、所定時間間隔Ｊｊ中に計数された電
流パルス数ΔＮを同じ時間間隔Δを中に試料ＩＣ（二当
った一次電子数ΔＮ／Ｐｇ（二関係づけ、これらの測定
値から求められたΔＮ／ΔＮｐｇを一定（＝保つことが
有利である。Δを中に試料ＩＣに当る一次電子ＰＥＯ数
は１例えば１つの検出器で測定された後方散乱電子を通
して求めることができる。
補正するためには、所定時間間隔Ｊｊ中に計数された電
流パルス数ΔＮを同じ時間間隔Δを中に試料ＩＣ（二当
った一次電子数ΔＮ／Ｐｇ（二関係づけ、これらの測定
値から求められたΔＮ／ΔＮｐｇを一定（＝保つことが
有利である。Δを中に試料ＩＣに当る一次電子ＰＥＯ数
は１例えば１つの検出器で測定された後方散乱電子を通
して求めることができる。
この発明を電子線測定器として説明して来たが、この発
明はこの測定器に限定されるものではなく、一次粒子線
によって試料表面から二次粒子を放出させる総ての計測
器に対して適用されるものである。
明はこの測定器に限定されるものではなく、一次粒子線
によって試料表面から二次粒子を放出させる総ての計測
器に対して適用されるものである。
図面はこの発明の実施例の構成の概要を示すもので、Ｅ
ＭＧは電子線測定装置、ＩＣは試験試料、ＳＰはスペク
トロメータ、ＤＴは検出系、ＰＭは光電子増倍管、ＳＶ
は信号処理回路、ＺＥはパルスカウンタ、ＤＡＣはＤＡ
変換器、ｓｐｓはスペクトロメータ制御装置である。
ＭＧは電子線測定装置、ＩＣは試験試料、ＳＰはスペク
トロメータ、ＤＴは検出系、ＰＭは光電子増倍管、ＳＶ
は信号処理回路、ＺＥはパルスカウンタ、ＤＡＣはＤＡ
変換器、ｓｐｓはスペクトロメータ制御装置である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）少くとも１つの時間に関係する信号を導く測定点に
焦点を合わされその信号に同期して操作される粒子ゾン
デが使用され、粒子ゾンデから放出される二次粒子のエ
ネルギー分布の測定点電位に関係する移動がエネルギー
分析器において決定され、その出力端で測定された信号
がエネルギー分析器を制御する帰還回路を通して一定に
保持され、それから導かれた信号が記録される時間に関
係する信号の測定方法において、エネルギー分析器（Ｓ
Ｐ、ＤＴ、ＰＭ）に記録された二次粒子（ＳＥ）から発
生した電流パルスが計数されること、エネルギー分析器
（ＳＰ、ＤＴ、ＰＭ）の出力端において特定の時間（Δ
ｔ）内に測定される電流パルスの数（ΔＮ）が決定され
単位時間毎の電流パルス数（ΔＮ／Δｔ）が帰還回路（
ＺＥ、ＤＡＣ、ＳＰＳ）を通して一定に保持されること
を特徴とする粒子ゾンデを使用する時間に関係する信号
の測定方法。 ２）特定の時間（Δｔ）内に測定される電流パルスの数
（ΔＮ）がこの時間（Δｔ）内に測定点に到達する一次
粒子（ＰＥ）の数（ΔＮ＿Ｐ＿Ｅ）に対して規準化され
ること、電流パルス数（ΔＮ）と到達一次粒子数（ΔＮ
＿Ｐ＿Ｅ）の比（ΔＮ／ΔＮ＿Ｐ＿Ｅ）が帰還回路（Ｚ
Ｅ、ＤＡＣ、ＳＰＳ）を通して一定に保持されることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３）特定時間（Δｔ）内に測定点に当る一次粒子（ＰＥ
）の数（ΔＮ＿Ｐ＿Ｅ）が同じ時間（Δｔ）内に記録さ
れた後方散乱一次粒子の数を通して決定されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方法。 ４）単位時間当り測定される電流パルスの数を表わすデ
ィジタル信号がアナログ信号に変換されてエネルギー分
析器（ＳＰ、ＤＴ、ＰＭ）の制御に使用されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項の１つに記載
の方法。 ５）単位時間当り光電子増倍管（ＰＭ）によつて作られ
た電流パルスの数（ΔＮ）が測定されることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第４項の１つに記載の方法
。 ６）少くとも１つの時間に関係する信号を導く測定点に
焦点を合わされその信号に同期して操作される粒子ゾン
デが使用され、粒子ゾンデから放出される二次粒子のエ
ネルギー分布の測定点電位に関係する移動がエネルギー
分析器において決定され、その出力端で測定された信号
がエネルギー分析器を制御する帰還回路を通して一定に
保持され、それから導かれた信号が記録される時間に関
係する信号の測定方法を実施するため、一次ビーム発生
器、ビーム偏向系、エネルギー分析器、増幅回路および
帰還回路を備え、エネルギー分析器（ＳＰ、ＤＴ、ＰＭ
）に続いてパルスカウンタ（ＺＥ）とＤＡ変換器（ＤＡ
Ｃ）が接続されていることを特徴とする粒子ゾンデを使
用する時間に関係する信号の測定装置。 ７）エネルギー分析器として静電型逆電場スペクトロメ
ータ（ＳＰ）とそれに所属する検出系（ＤＴ）が使用さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の装置
。 ８）検出系（ＤＴ）に続いて光電子増倍管（ＰＭ）が接
続されていることを特徴とする特許請求の範囲第６項又
は第７項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3603724 | 1986-02-06 | ||
| DE3603724.9 | 1986-02-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219534A true JPS62219534A (ja) | 1987-09-26 |
Family
ID=6293563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62024434A Pending JPS62219534A (ja) | 1986-02-06 | 1987-02-04 | 粒子ゾンデを使用する時間に関係する信号の測定方法と装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4748407A (ja) |
| EP (1) | EP0232790A1 (ja) |
| JP (1) | JPS62219534A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065691B2 (ja) * | 1987-09-26 | 1994-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体素子の試験方法および試験装置 |
| DE4103410C1 (ja) * | 1991-02-05 | 1992-08-06 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | |
| JP2690688B2 (ja) * | 1994-06-03 | 1997-12-10 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 接続検証方法 |
| JP3424512B2 (ja) | 1997-07-18 | 2003-07-07 | 株式会社日立製作所 | 粒子ビーム検査装置および検査方法並びに粒子ビーム応用装置 |
| JP2001357811A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Hitachi Ltd | 走査形荷電粒子顕微鏡、並びに走査形荷電粒子顕微鏡の焦点合わせ方法及び非点収差補正方法 |
| JP5063320B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2012-10-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画データの変換方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1952283C3 (de) * | 1969-10-17 | 1974-01-03 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Einrichtung zur Bestimmung und Registrierung des Anteils und der Verteilung von digital anfallenden Meßwerten |
| DE2903077C2 (de) * | 1979-01-26 | 1986-07-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur berührungslosen Potentialmessung an einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE3407041A1 (de) * | 1984-02-27 | 1985-09-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur automatischen einstellung des arbeitspunktes bei signalverlaufsmessungen mit korpuskularstrahl-messgeraeten |
-
1987
- 1987-01-27 EP EP87101064A patent/EP0232790A1/de not_active Ceased
- 1987-01-28 US US07/016,696 patent/US4748407A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-04 JP JP62024434A patent/JPS62219534A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0232790A1 (de) | 1987-08-19 |
| US4748407A (en) | 1988-05-31 |
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