JP4464857B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明による荷電粒子線装置の一例を示す概略機能ブロック図である。本発明は、荷電粒子線が陽イオンビームの場合にも、電子線の場合にも適用できるが、ここでは電子線の場合について説明する。また、集束電磁レンズ、対物電磁レンズ、偏向器、走査器は、電場による静電方式、磁場による方式のいずれでもよいが、ここでは磁場方式について説明する。試料下の投射電磁レンズの存在及び段数は問わない。
平均ピッチLp(ピクセル)=I(ピクセル)/dFFT(FFT輝点距離) …(1)
実測ピッチ距離Ld(nm)=Lp×PM0ideal=10.88×2×10-11=0.2118(nm) …(2)
倍率誤差ε=Ld(nm)/Lstd(nm)=0.2118(nm)/0.204(nm)=1.038 …(3)
実際の画素サイズPM0=PM0ideal/ε
=2×10-11(nm/ピクセル)/1.038=1.93×10-11(nm/ピクセル) …(4)
B(T)=μ0NI(A) …(5)
ここで、μ0は真空中の透磁率である。従って、試料面上における電子線のシフト量も偏向コイル電流に対し比例する。
dm(nm)=d(ピクセル)×PM0(nm/ピクセル) …(12)
DM0(nm/LSB) = dm(nm)/ V(LSB) …(13)
dmM1(nm)=dM1(ピクセル)×PM0(nm/ピクセル)×(M1/M0) …(14)
dmM1real(nm)=dM1(ピクセル)×PM1ideal(nm/ピクセル) …(15)
従って、基準倍率で求めたシフト量に対して、実際のシフト量の誤差は、式(16)として得られる。
εerr=dmM1real(nm)/dmM1(nm) …(16)
校正値Lcal(nm)=測長値L(nm)/εerr …(17)
として校正し、D107の如く出力する。出力データは、本荷電粒子線装置が持つ表示装置に表示される。
校正値Vcal=走査コイルDAC値Vscan/εerr …(18)
Claims (13)
- 荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源と、
試料を保持する試料台と、
前記荷電粒子線を試料に集束させるレンズ系と、
前記荷電粒子線を試料上に走査する走査器と、
前記荷電粒子線を偏向する偏向器と、
前記荷電粒子線の照射によって試料から発生した試料信号を検出する検出器と、
画像演算を行う画像処理部と、
試料像を表示する表示部と
を備え、
(a) 第1の倍率で記録した寸法が既知の構造を有する倍率基準試料の拡大像から前記画像処理部によって抽出した当該既知の構造の実測寸法と当該既知の構造の既知寸法とを比較することにより求めた当該第1の倍率の倍率誤差と、
(b) 前記第1の倍率で記録した、当該第1の倍率では観察できない対象構造を有する観察試料の拡大像を参照画像とし、前記偏向器を制御して視野移動して前記第1の倍率で記録した当該観察試料の視野移動後の拡大像を評価画像として、当該参照画像と評価画像から前記画像処理部によって計測した視野移動量と、
を用いて、前記偏向器の制御量と視野移動量の比率を前記倍率基準試料の寸法精度と同じ精度で求める
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源と、
試料を保持する試料台と、
前記荷電粒子線を試料に集束させるレンズ系と、
前記荷電粒子線を試料上に走査する走査器と、
前記荷電粒子線を偏向する偏向器と、
前記荷電粒子線の照射によって試料から発生した試料信号を検出する検出器と、
画像演算を行う画像処理部と、
試料像を表示する表示部と
を備え、
(a) 第1の倍率で記録した寸法が既知の構造を有する倍率基準試料の拡大像から前記画像処理部によって抽出した当該既知の構造の実測寸法と当該既知の構造の既知寸法とを比較することにより当該第1の倍率の倍率誤差を求め、
(b) 倍率誤差が補正された前記第1の倍率で、当該第1の倍率では観察できない対象構造を有する観察試料の拡大像を参照画像として記録し、前記偏向器を制御して視野移動した後の当該観察試料の視野移動後の拡大像を評価画像として記録し、前記画像処理部によって計測した当該参照画像に対する当該評価画像の視野移動量から前記偏向器の制御量と視野移動量の比率を求め、
(c) 倍率を前記第1の倍率と異なる前記観察試料の前記対象構造を観察するための第2の倍率に設定し、当該第2の倍率において、前記偏向器を制御して視野移動する前後の前記観察試料の拡大像の視野移動量を求め、当該第2の倍率における視野移動量と、倍率誤差が補正された前記第1の倍率における視野移動量との比率から当該第2の倍率の倍率校正を行う
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2記載の荷電粒子線装置において、前記寸法が既知の構造を有する倍率基準試料として結晶構造が既知の単結晶薄膜試料を用い、前記検出器として透過電子検出器を用いることを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項2記載の荷電粒子線装置において、前記寸法が既知の構造を有する倍率基準試料として結晶構造が既知の単結晶薄膜試料を用い、前記検出器として散乱電子検出器を用いることを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項2記載の荷電粒子線装置において、前記倍率基準試料及び前記観察試料は、前記寸法が既知の構造と前記第1の倍率では観察できない対象構造とが混在した同じ試料であることを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項5記載の荷電粒子線装置において、前記寸法が既知の構造と前記第1の倍率では観察できない対象構造とが混在した試料から発生した異なる二種類の荷電粒子線による試料拡大像を同時に撮像し、当該既知の構造と当該対象構造の特徴量を同時に取得して演算することを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項2記載の荷電粒子線装置において、撮像した試料拡大像で評価した測長値を補正することで倍率校正を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項2記載の荷電粒子線装置において、撮像した試料拡大像を画像収縮拡大演算して倍率校正した画像を前記表示部に表示出力することを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項2記載の荷電粒子線装置において、前記走査器に印加する電圧波形を補正して倍率校正を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項2記載の荷電粒子線装置において、倍率ステップ毎の倍率補正値を記録した補正データテーブルを有することを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項10記載の荷電粒子線装置において、前記倍率補正データテーブルは荷電粒子線の加速電圧を変化させた場合の倍率補正値を記録していることを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項10記載の荷電粒子線装置において、前記倍率補正データテーブルは作動距離を変化させた場合の倍率補正値を記録していることを特徴とする荷電粒子線装置。
- 荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源と、
試料を保持する試料台と、
前記荷電粒子線を試料に集束させるレンズ系と、
前記荷電粒子線を試料上に走査する走査器と、
前記荷電粒子線を偏向する偏向器と、
前記荷電粒子線の照射によって試料から発生した試料信号を検出する検出器と、
画像演算を行う画像処理部と、
試料像を表示する表示部と、
試料像を回転させる試料像回転部と
を備え、
(a) 第1の倍率で記録した寸法が既知の構造を有する倍率基準試料の拡大像から前記画像処理部によって抽出した当該既知の構造の実測寸法と当該既知の構造の既知寸法とを比較することにより当該第1の倍率の倍率誤差を求め、
(b) 倍率誤差が補正された第1の倍率で、観察の対象構造を有する観察試料の拡大像を参照画像として記録し、前記偏向器を制御して視野移動した後の当該観察試料の視野移動後の拡大像を評価画像として記録し、前記画像処理部によって計測した当該参照画像に対する当該評価画像の視野移動量から前記偏向器の制御量と視野移動量の比率を求め、
(c) 前記試料像回転部によって試料像を回転させて表示し、前記偏向器を制御して視野移動する前後の前記倍率基準試料の拡大像の視野移動量を求め、当該試料像を回転させた時の視野移動量と、回転していない試料拡大像の視野移動量との比率から前記試料像回転部によって回転した試料像の倍率校正を行う
ことを特徴とする荷電粒子線装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005108765A JP4464857B2 (ja) | 2005-04-05 | 2005-04-05 | 荷電粒子線装置 |
US11/396,654 US7375330B2 (en) | 2005-04-05 | 2006-04-04 | Charged particle beam equipment |
US12/081,969 US7923701B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-04-24 | Charged particle beam equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005108765A JP4464857B2 (ja) | 2005-04-05 | 2005-04-05 | 荷電粒子線装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006286578A JP2006286578A (ja) | 2006-10-19 |
JP4464857B2 true JP4464857B2 (ja) | 2010-05-19 |
Family
ID=37069186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005108765A Active JP4464857B2 (ja) | 2005-04-05 | 2005-04-05 | 荷電粒子線装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7375330B2 (ja) |
JP (1) | JP4464857B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9040911B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-05-26 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4504946B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2010-07-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US20080067370A1 (en) * | 2006-07-01 | 2008-03-20 | Mccaffrey John Patrick | Electron microscope and scanning probe microscope calibration device |
JP4881677B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-02-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線走査方法及び荷電粒子線装置 |
JP4920370B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2012-04-18 | 株式会社日立製作所 | 透過型電子顕微鏡の情報伝達限界測定法およびこの測定法が適用された透過型電子顕微鏡 |
JP4538472B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2010-09-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像形成方法、及び電子顕微鏡 |
JP4945463B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2012-06-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP5226406B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2013-07-03 | 日本電子株式会社 | モンタージュ画像の合成方法及び電子顕微鏡 |
DE102009001587A1 (de) * | 2009-01-06 | 2010-07-08 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Verfahren zur Einstellung eines Betriebsparameters eines Teilchenstrahlgeräts sowie Probenhalter zur Durchführung des Verfahrens |
JP5546290B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-07-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線を用いた測長方法 |
DE102011082172B4 (de) * | 2011-09-06 | 2021-10-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungsschalter sowie Verfahren zum Überprüfen eines Rogowskiwandlers in einem Leistungsschalter |
CN103794451B (zh) * | 2012-10-31 | 2016-03-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 监测扫描电子显微镜的电子束状态的方法和装置 |
WO2015089113A1 (en) * | 2013-12-09 | 2015-06-18 | North Carolina State University | Methods, systems, and computer readable media for measuring and correcting drift distortion in images obtained using a scanning microscope |
JP2017084483A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | 日本電子株式会社 | キャリブレーション方法および荷電粒子線装置 |
US11330030B2 (en) * | 2019-07-25 | 2022-05-10 | Dreamworks Animation Llc | Network resource oriented data communication |
CN116134578A (zh) * | 2020-07-29 | 2023-05-16 | 应用材料公司 | 使用带电粒子束装置对样品进行成像的方法、校准带电粒子束装置的方法及带电粒子束装置 |
DE102021102900B4 (de) | 2021-02-08 | 2022-11-17 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts, Computerprogrammprodukt und Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03246955A (ja) | 1990-02-23 | 1991-11-05 | Hitachi Ltd | 電子描画装置の電子線偏向補正方法 |
US6184524B1 (en) * | 1996-08-07 | 2001-02-06 | Gatan, Inc. | Automated set up of an energy filtering transmission electron microscope |
JPH10106471A (ja) | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Nikon Corp | 荷電粒子線装置及び該装置の使用方法 |
JPH1116832A (ja) | 1997-04-30 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 電子光学系及びその調整方法 |
US6107637A (en) * | 1997-08-11 | 2000-08-22 | Hitachi, Ltd. | Electron beam exposure or system inspection or measurement apparatus and its method and height detection apparatus |
JP2000311644A (ja) | 1999-02-25 | 2000-11-07 | Seiko Instruments Inc | 走査型顕微鏡 |
JP2001052642A (ja) | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Toshiba Corp | 走査型電子顕微鏡及び微細パターン測定方法 |
JP2002015691A (ja) | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
US6635874B1 (en) * | 2000-10-24 | 2003-10-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Self-cleaning technique for contamination on calibration sample in SEM |
US6596993B1 (en) * | 2000-10-26 | 2003-07-22 | General Phosphorix Llc | Method of automatically correcting magnification and non-linearity of scanning electron microscope |
JP3951590B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2007-08-01 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
JP3657891B2 (ja) | 2001-05-29 | 2005-06-08 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡の校正方法及び電子顕微鏡校正用標準試料 |
JP3753628B2 (ja) | 2001-06-07 | 2006-03-08 | 株式会社日立製作所 | 電子線装置 |
JP4263416B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2009-05-13 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子顕微鏡評価システム |
JP2003100246A (ja) | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 荷電ビーム装置並びにパターン測定方法およびパターン描画方法 |
JP2003257352A (ja) | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置における信号処理方法および走査型荷電粒子ビーム装置 |
JP4231798B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2009-03-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および倍率計測法 |
JP4338627B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2009-10-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置と荷電粒子線顕微方法 |
-
2005
- 2005-04-05 JP JP2005108765A patent/JP4464857B2/ja active Active
-
2006
- 2006-04-04 US US11/396,654 patent/US7375330B2/en active Active
-
2008
- 2008-04-24 US US12/081,969 patent/US7923701B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9040911B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-05-26 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope |
DE112013001852B4 (de) | 2012-04-27 | 2023-11-16 | Hitachi High-Tech Corporation | Rastertransmissionselektronenmikroskop sowie Verfahren zur Durchführung einer Vergrößerungskalibrierung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060219908A1 (en) | 2006-10-05 |
US7923701B2 (en) | 2011-04-12 |
US20090242794A1 (en) | 2009-10-01 |
US7375330B2 (en) | 2008-05-20 |
JP2006286578A (ja) | 2006-10-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071002 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100219 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140226 Year of fee payment: 4 |
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