JP5174483B2 - 荷電粒子ビーム装置、及び試料の表面の帯電状態を知る方法 - Google Patents
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=ΔObj/ΔV
この対物レンズの励磁強度の補正感度CObjを用いて、対物レンズの励磁強度が自動調整され、所望の帯電状態が得られ、試料の顕微鏡像の像質の劣化を防ぐことができる。
115,309 制御電極
118 第二の電子銃制御部
119 第二の電子銃
120,201,301 計測用電子ビーム
121,503 偏向手段
122,204,303 第二の検出器
123 検出素子群
124,205,304 ディスプレイ
125,206 輝点
126,508,509 ブランキング用偏向器
127,510,511 絞り
128 検出用空間部
129 表面電位計算部
203 電位発生部
305 表面電位計算部
306 試料台電圧制御部
307 試料台
308 制御電極制御部
310 対物レンズ制御部
311 対物レンズ
312 偏向器制御部
313 偏向器
401 試料電圧設定領域
402 調整指示ボタン
403 対物レンズ調整指示ボタン
404 中立ボタン
405 画像表示領域
406 調整ボタン
407 自動補正ボタン
501 予備帯電用電子源
504 電子ビーム
507 観察用電子ビーム
512 集束レンズ手段
Claims (14)
- 荷電粒子ビームを対物レンズにより集束させて試料に照射し、該試料から二次的に発生する信号を検出して画像を得る荷電粒子ビーム装置において、
前記試料と前記対物レンズとの間を横切る軌跡を有する第二の荷電粒子ビームを発生させる電子源と、前記第二の荷電粒子ビームを検出する検出器と、該検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算する計算部と、前記第二の荷電粒子ビームを偏向させる偏向器と、該偏向器の強度を変化させる偏向器制御部とを備え、
前記偏向器制御部により前記偏向器の強度を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、前記計算部は、前記検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 請求項1の記載において、前記試料に電圧を印加する電圧印加手段を備え、該電圧印加手段により前記試料へ印加される電圧を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、前記計算部は、前記検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1の記載において、前記試料と前記対物レンズとの間に制御電極と、該制御電極へ印加される電圧を変化させる制御電極制御部とを設け、該制御電極制御部により前記制御電極へ印加される電圧を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、前記計算部は、前記検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1の記載において、前記対物レンズの励磁を変化させる対物レンズ制御部を設け、該対物レンズ制御部により前記対物レンズの励磁を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、前記計算部は、前記検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1の記載において、前記試料への前記荷電粒子ビームの照射に先だって、前記第二の荷電粒子ビームが前記試料へ予備照射されることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項5の記載において、前記第二の荷電粒子ビームの前記試料への照射と、前記検出器での検出とを切り替える偏向手段を設けたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1の記載において、前記検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの位置を表示するディスプレイを備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項7の記載において、前記検出器は複数の検出素子を有し、前記ディスプレイは前記検出素子毎の位置を示す目盛を表示し、該目盛と前記第二の荷電粒子ビームの位置とを重ねて表示することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 荷電粒子ビームを対物レンズにより集束させて試料に照射し、該試料から二次的に発生する信号を検出して画像を得る荷電粒子ビーム装置における試料の表面の帯電状態を知る方法において、
前記試料と前記対物レンズとの間を横切る軌跡を有する第二の荷電粒子ビームを発生させ、偏向強度を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを偏向し、該偏向強度が変化された第二の荷電粒子ビームを検出し、該検出された第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。 - 請求項9の記載において、前記試料へ印加される電圧を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、該検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。
- 請求項9の記載において、前記試料と前記対物レンズとの間に制御電極を設け、該制御電極へ印加される電圧を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、該検出された第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。
- 請求項9の記載において、前記対物レンズの励磁を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、該検出された第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。
- 請求項9の記載において、前記試料への前記荷電粒子ビームの照射に先だって、前記第二の荷電粒子ビームが前記試料へ予備照射されることを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。
- 請求項13の記載において、前記第二の荷電粒子ビームの前記試料への照射と、前記検出器での検出とを切り替えることを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。
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