JP7167371B2 - 後方散乱粒子による埋め込みフィーチャの検出 - Google Patents
後方散乱粒子による埋め込みフィーチャの検出 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7167371B2 JP7167371B2 JP2022016346A JP2022016346A JP7167371B2 JP 7167371 B2 JP7167371 B2 JP 7167371B2 JP 2022016346 A JP2022016346 A JP 2022016346A JP 2022016346 A JP2022016346 A JP 2022016346A JP 7167371 B2 JP7167371 B2 JP 7167371B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- particles
- image
- embedded
- backscattered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2446—Position sensitive detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24475—Scattered electron detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
- H01J2237/24514—Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
- H01J2237/24528—Direction of beam or parts thereof in view of the optical axis, e.g. beam angle, angular distribution, beam divergence, beam convergence or beam landing angle on sample or workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
- H01J2237/2804—Scattered primary beam
- H01J2237/2805—Elastic scattering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31762—Computer and memory organisation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
[0001] 本出願は、2017年9月26日に出願された米国出願番号第62/563,601号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。
ステージと、
ステージ上に支持されたサンプルに荷電粒子のビームを誘導するよう構成された光学系と、
サンプルからのビーム内の荷電粒子の後方散乱粒子を検出するよう構成された信号検出器と、
を備え、信号検出器は角度分解能を有する、装置。
像に基づいて埋め込みフィーチャの存在又は位置を決定することと、
を含む方法。
Claims (8)
- 命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令はコンピュータによって実行される際に、方法を実施し、
前記方法は、
荷電粒子のビームを誘導されたサンプルの領域により後方散乱された前記ビーム内の荷電粒子である後方散乱粒子の像を取得することであって、前記像は前記荷電粒子のビームの軸に対して異なる角度の後方散乱粒子によって形成される、ことと、
前記ビームの軸に対する複数の角度の前記後方散乱粒子の角度依存性に基づいて、埋め込みフィーチャの存在又は位置を決定することと、
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。 - 前記サンプル上の構造の設計から前記領域を識別することを更に含む、請求項1に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記埋め込みフィーチャは埋め込みボイドである、請求項1に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記埋め込みボイドは、前記サンプルの表面下の異なる深さにある2つの電気コンポーネントを接続するビア内に埋め込まれている、請求項3に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記埋め込みフィーチャの存在又は位置を決定することは前記像を基準像と比較することを含む、請求項1に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記基準像は、前記領域から、前記領域を含む同一のダイから、前記サンプルの別の領域から、又は異なるサンプルから取得される、請求項5に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記基準像は前記ビームからの異なる角度の後方散乱粒子によって形成され、又は、前記基準像は、前記領域内の構造の設計から、もしくは前記構造が形成されるプロセス条件からシミュレーションされる、請求項5に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記埋め込みフィーチャの存在又は位置を決定することは、前記埋め込みフィーチャの存在又は位置を出力する機械学習モデルに前記像を入力することを含み、又は、前記埋め込みフィーチャの存在又は位置を決定することは、前記像を処理することを含み、前記処理の結果に基づく、請求項1に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762563601P | 2017-09-26 | 2017-09-26 | |
US62/563,601 | 2017-09-26 | ||
PCT/EP2018/075610 WO2019063432A1 (en) | 2017-09-26 | 2018-09-21 | DETECTION OF FEATURES ENCAPSED BY BACK-THROUGH PARTICLES |
JP2020514958A JP7022202B2 (ja) | 2017-09-26 | 2018-09-21 | 後方散乱粒子による埋め込みフィーチャの検出 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020514958A Division JP7022202B2 (ja) | 2017-09-26 | 2018-09-21 | 後方散乱粒子による埋め込みフィーチャの検出 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022069444A JP2022069444A (ja) | 2022-05-11 |
JP7167371B2 true JP7167371B2 (ja) | 2022-11-08 |
Family
ID=63683193
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020514958A Active JP7022202B2 (ja) | 2017-09-26 | 2018-09-21 | 後方散乱粒子による埋め込みフィーチャの検出 |
JP2022016346A Active JP7167371B2 (ja) | 2017-09-26 | 2022-02-04 | 後方散乱粒子による埋め込みフィーチャの検出 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020514958A Active JP7022202B2 (ja) | 2017-09-26 | 2018-09-21 | 後方散乱粒子による埋め込みフィーチャの検出 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11443915B2 (ja) |
JP (2) | JP7022202B2 (ja) |
KR (1) | KR102399898B1 (ja) |
CN (1) | CN111247618B (ja) |
IL (1) | IL273418A (ja) |
TW (1) | TWI735805B (ja) |
WO (1) | WO2019063432A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102020211900A1 (de) * | 2019-09-25 | 2021-03-25 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Ladungsträgerstrahlvorrichtung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008232765A (ja) | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Shimadzu Corp | 後方散乱放射線を用いた表面近傍の欠陥検査装置 |
JP4504325B2 (ja) | 2006-03-20 | 2010-07-14 | シャープ株式会社 | 帯電装置の製造方法および画像形成装置 |
JP2013174587A (ja) | 2012-02-14 | 2013-09-05 | Aribex Inc | 三次元後方散乱撮像システム |
JP2015106530A (ja) | 2013-12-02 | 2015-06-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン計測方法並びに走査電子顕微鏡 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4897545A (en) * | 1987-05-21 | 1990-01-30 | Electroscan Corporation | Electron detector for use in a gaseous environment |
US5412210A (en) | 1990-10-12 | 1995-05-02 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope and method for production of semiconductor device by using the same |
KR950004973B1 (ko) * | 1992-10-16 | 1995-05-16 | 대우통신주식회사 | 경사식 습식 식각조를 이용한 산화막 습식식각 방법 |
JPH0765775A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Topcon Corp | 荷電粒子線装置の検出器 |
DE69504294T2 (de) | 1994-12-19 | 1999-04-08 | Opal Technologies Ltd | System zur Hochauflösungsbildgebung und Messung von topographischen Characteristiken und Materialcharakteristiken einer Probe |
JP3875930B2 (ja) | 2002-07-02 | 2007-01-31 | 株式会社荏原製作所 | 電子線装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
JP4200104B2 (ja) | 2003-01-31 | 2008-12-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US7294834B2 (en) * | 2004-06-16 | 2007-11-13 | National University Of Singapore | Scanning electron microscope |
JP4597207B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2010-12-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
US8723115B2 (en) * | 2012-03-27 | 2014-05-13 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for detecting buried defects |
JP5836221B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2015-12-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
KR20160066028A (ko) | 2013-10-03 | 2016-06-09 | 오르보테크 엘티디. | 검사, 시험, 디버그 및 표면 개질을 위한 전자빔 유도성 플라스마 프로브의 적용 |
US9767986B2 (en) | 2014-08-29 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corporation | Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples |
US9165742B1 (en) | 2014-10-10 | 2015-10-20 | Kla-Tencor Corporation | Inspection site preparation |
-
2018
- 2018-09-21 KR KR1020207008505A patent/KR102399898B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-21 CN CN201880062475.XA patent/CN111247618B/zh active Active
- 2018-09-21 US US16/649,975 patent/US11443915B2/en active Active
- 2018-09-21 WO PCT/EP2018/075610 patent/WO2019063432A1/en active Application Filing
- 2018-09-21 JP JP2020514958A patent/JP7022202B2/ja active Active
- 2018-09-25 TW TW107133540A patent/TWI735805B/zh active
-
2020
- 2020-03-18 IL IL273418A patent/IL273418A/en unknown
-
2022
- 2022-02-04 JP JP2022016346A patent/JP7167371B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4504325B2 (ja) | 2006-03-20 | 2010-07-14 | シャープ株式会社 | 帯電装置の製造方法および画像形成装置 |
JP2008232765A (ja) | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Shimadzu Corp | 後方散乱放射線を用いた表面近傍の欠陥検査装置 |
JP2013174587A (ja) | 2012-02-14 | 2013-09-05 | Aribex Inc | 三次元後方散乱撮像システム |
JP2015106530A (ja) | 2013-12-02 | 2015-06-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン計測方法並びに走査電子顕微鏡 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL273418A (en) | 2020-05-31 |
TWI735805B (zh) | 2021-08-11 |
KR102399898B1 (ko) | 2022-05-19 |
CN111247618B (zh) | 2023-02-17 |
TW201923813A (zh) | 2019-06-16 |
CN111247618A (zh) | 2020-06-05 |
JP2022069444A (ja) | 2022-05-11 |
JP2020535584A (ja) | 2020-12-03 |
US11443915B2 (en) | 2022-09-13 |
JP7022202B2 (ja) | 2022-02-17 |
KR20200042525A (ko) | 2020-04-23 |
WO2019063432A1 (en) | 2019-04-04 |
US20200243299A1 (en) | 2020-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110383441B (zh) | 使用经预测的计量图像的计量配方产生 | |
KR102347057B1 (ko) | 전자 빔 이미지에서의 결함 위치 결정 | |
TWI594070B (zh) | 用於檢驗極紫外線光光罩之裝置及方法 | |
TWI515427B (zh) | 基於高電子能量的覆蓋誤差測量方法及系統 | |
TWI616721B (zh) | 針對極紫外光光罩之臨界尺寸均勻性監測 | |
TW201917348A (zh) | 基於多色軟性x射線繞射之用於半導體度量之方法及系統 | |
KR20200000455A (ko) | 상이한 이미지들을 사용하는 웨이퍼 검사 | |
TWI529386B (zh) | 決定微影光罩之性能的方法 | |
JP2019505766A (ja) | 高アスペクト比構造向けx線スキャタロメトリ計量 | |
JPS61287122A (ja) | マスク検査方法 | |
JP2022529043A (ja) | X線計量データセット同士を結合させることでパラメタ推定を改善する方法及びシステム | |
JP7167371B2 (ja) | 後方散乱粒子による埋め込みフィーチャの検出 | |
Yamane et al. | Phase defect analysis with actinic full-field EUVL mask blank inspection | |
JP2021012131A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
US20230046682A1 (en) | Mask defect detection | |
TWI660169B (zh) | 未接地樣本之帶電粒子束檢測 | |
JP3255898B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP2004258384A (ja) | 欠陥検査方法及びその装置、並びに露光用マスクの前処理方法 | |
TW202405379A (zh) | 篩選邊緣安置均勻性晶圓隨機指標 | |
KR20200043461A (ko) | 하전 입자 빔 검사의 샘플 검사 레시피의 동적 결정 | |
JPH02238313A (ja) | マスク検査装置 | |
JP2008020735A (ja) | フォトマスクの評価方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2016048297A (ja) | パターン形状評価方法及びパターン形状評価装置 | |
JP2001126066A (ja) | 集積回路の画像位置ずれ算出装置及び算出方法 | |
JP2012047695A (ja) | パタン幅測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220304 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220304 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221026 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7167371 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |