KR950004973B1 - 경사식 습식 식각조를 이용한 산화막 습식식각 방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

경사식 습식 식각조를 이용한 산화막 습식식각 방법

제1도는 종래의 식각용액조의 구성도.

제2도는 본 발명에 따른 식각용액조의 구성도.

본 발명은 반도체 제조공정중 산화막 습식식각공정에 관한 것으로, 특히 산화막 의 습식식각을 방해하는 기포를 제거하여 웨이퍼의 원하는 부분을 정확하게 식각할 수 있도록한 경사식 습식식각조를 이용한 산화막 습식식각 방법에 관한 것이다.

일반적으로 단결정 실리콘을 절단 및 연마하여 형성한 웨이퍼 상에 산화 실리콘층을 형성시킨 다음 감광액을 도포한 후에 마스크와 웨이퍼를 정렬하고 자외선에(U.V.LIGHT) 노광시켜 패턴을 형성시킨다.

이후 불화가스 플라즈마(Plasma) 또는 케미컬(Chemical)로부터 활성인 상태의 입자를 만들어 원하는 부분을 선택적으로 제거하는 식각공정으로 이어지는바, 제1도는 종래의 습식식각공정 중 식각용 액조 캐리어 받침이 수평으로 이루어져 식각용액 순환시 발생된 기포가 받침아래로 모이게 되며 이 기포는 받침 위로 올라오면서 작은 기포로 변하여 캐리어 사이의 웨이퍼 표면에 달라 붙는다.

또한 용액과 접촉을 원활히 하기 위해 캐리어를 흔들어주는 과정에서 발생하는 기포가 캐리어와 웨이퍼 사이에 존재하여 식각을 방해하는 문제점이 있었다.

이에 본 발명의 목적은 식각용액조의 캐리어 받침을 기울여 기포발생에 의한 식각 방해 현상을 최대한 억제시킬 수 있도록 하였다.

이하 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제2도는 본 발명의 사시도로서, 웨이퍼 상에 산화 실리콘층을 형성하고 감광액을 도포한 후 마스크와 웨이퍼를 정렬한 다음 자외선(U.V LIGHT)에 노광시킨 웨이퍼를 식각용액조에 장착시키는 방법에 있어서, 식각용액조에 캐리어 받침을 15°∼25°기울이고 발생된 기포가 벽면을 타고 상부로 배출시킬 수 있는 반원구멍을 형성하고 상기 하단의 캐리어가 용액조 벽면과 접촉되지 않도록 캐리어 받침을 형성시켜 식각에 의한 불량을 줄일 수 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.

웨이퍼 상에 산화 실리콘층과 감광액을 도포한 후 자외선에 노광시켜 형성된 패턴을 식각용액조에 장착시킨다.

이때 산화막 식각공정을 위해 식각용액조의 캐리어 받침을 15°∼25°기울인 상태로 산화막을 식각할 수 있는 웨이퍼를 식각용액조 내부로 유입시킨다.

따라서 기울어진 캐리어 받침대는 기포의 응집현상을 제거할 수 있어 웨이퍼에 기포가 유착되는 현상을 억제할 수 있다.

또한 캐리어 받침의 우측 끝단부분에서 기포가 벽면에 배열된 반원 구멍을 타고 상승이동함으로서 식각을 방해하는 기포를 최대한 제거할 수 있도록 하였다.

이와 같이 본 발명은 식각 용액조의 캐리어 받침을 15°~25°기울이고 발생된 기포가 벽멱을 타고 상부로 배출시킬 수 있는 반원 구멍을 형성시켜 사용함으로서 기포발생에 의한 식각 방해를 제거하고 수율향상과 신뢰성 있는 제품을 제조할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 웨이퍼 상에 산화실리콘층을 형성하고 감광액을 도포한 후 마스크와 웨이퍼를 정렬한 다음 자외선(U.V LIGHT)에 노광시킨 웨이퍼를 식각용액조에 정착시키는 방법에 있어서, 식각용액조의 캐리어 받침을 15°∼25°기울이고 발생된 기포가 벽면을 타고 상부로 배출시킬 수 있는 반원구멍을 형성하고 상기 하단의 캐리어가 용액조 벽면과 접촉되지 않도록 캐리어 받침을 형성시켜 식각에 의한 불량을 줄일 수 있는 것을 특징으로 하는 경사식 습식 식각조를 이용한 산화막 습식식각 방법.