JPH02127647A - レジスト現像方法 - Google Patents
レジスト現像方法Info
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- JPH02127647A JPH02127647A JP28271388A JP28271388A JPH02127647A JP H02127647 A JPH02127647 A JP H02127647A JP 28271388 A JP28271388 A JP 28271388A JP 28271388 A JP28271388 A JP 28271388A JP H02127647 A JPH02127647 A JP H02127647A
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- Japan
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- resist
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- wafer
- coated
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
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- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジスト現像方法に関し、特に半導体基板上に
塗布されたレジストを現像液によってパターン形成を行
なうレジスト現像方法に関する。
塗布されたレジストを現像液によってパターン形成を行
なうレジスト現像方法に関する。
近年、半導体集積回路の製造に於いて、この半導体集積
回路を低価格に大量生産し、かつ高性能なものとすべく
高集積化、微細化が推進され、超ＬＳＩなどと呼ばれて
いる高密度記憶回路装置が開発されている。
回路を低価格に大量生産し、かつ高性能なものとすべく
高集積化、微細化が推進され、超ＬＳＩなどと呼ばれて
いる高密度記憶回路装置が開発されている。
超ＬＳＩ回路パターンを半導体基板上に形成するために
は微細パターンを正確に形成する必要があり、レジスト
現像工程は重要なものとなっている。
は微細パターンを正確に形成する必要があり、レジスト
現像工程は重要なものとなっている。
第３図は従来のレジスト現像方法を説明するための縦断
面図である。ウェハー１０１は現像装置のウェハーチャ
ック２０１上に真空吸着されている。ウェハー１０１上
には被加工材１０２及びレジスト１０３が被着されてい
る。現像工程はまずレジスト１０３上に現像装置のノズ
ル２０３から水を滴下した後、ウェハーチャック支持棒
２０２を高速回転することｔこより、水を飛散させレジ
スト表面のゴミを除去すると同時に現像液に対するなじ
みを良くする。その後、ノズル２０３から現像液をレジ
スト１０３上に適量滴下し現像液１０４Ｂがレジスト表
面を被った状態にすると同時に支持棒２０２をゆっくり
と回転し一定時間現像を行なう。次に支持棒２０２を高
速回転し、現像液を飛散させる。再びノズル２０３より
水を滴下、支持棒２０２を高速回転と行ない現像処理を
終了する。
面図である。ウェハー１０１は現像装置のウェハーチャ
ック２０１上に真空吸着されている。ウェハー１０１上
には被加工材１０２及びレジスト１０３が被着されてい
る。現像工程はまずレジスト１０３上に現像装置のノズ
ル２０３から水を滴下した後、ウェハーチャック支持棒
２０２を高速回転することｔこより、水を飛散させレジ
スト表面のゴミを除去すると同時に現像液に対するなじ
みを良くする。その後、ノズル２０３から現像液をレジ
スト１０３上に適量滴下し現像液１０４Ｂがレジスト表
面を被った状態にすると同時に支持棒２０２をゆっくり
と回転し一定時間現像を行なう。次に支持棒２０２を高
速回転し、現像液を飛散させる。再びノズル２０３より
水を滴下、支持棒２０２を高速回転と行ない現像処理を
終了する。
上述した従来のレジスト現像方法はウェハー上に現像液
を表面張力でほぼ静止状態にして行なうため、ウェハー
の中央部と周辺部とでは現像液のレジストとの反応速度
が異なる、即ち中央部では比較的現像液が多量にあるの
に対し、周辺部では現像液が少なく、現像反応によって
現像液の性能が劣化しても新たな現像液が供給されず、
中央部よりも現像が遅くなってしまう。そのため、中央
部と周辺部とで形成されるパターンの寸法が異なり、集
積回路装置の性能が劣化する１歩留まりが低下する等の
影響があり、高品質の集積回路装置を低価格で大量に安
定供給できないという欠点がある。
を表面張力でほぼ静止状態にして行なうため、ウェハー
の中央部と周辺部とでは現像液のレジストとの反応速度
が異なる、即ち中央部では比較的現像液が多量にあるの
に対し、周辺部では現像液が少なく、現像反応によって
現像液の性能が劣化しても新たな現像液が供給されず、
中央部よりも現像が遅くなってしまう。そのため、中央
部と周辺部とで形成されるパターンの寸法が異なり、集
積回路装置の性能が劣化する１歩留まりが低下する等の
影響があり、高品質の集積回路装置を低価格で大量に安
定供給できないという欠点がある。
本発明のレジスト現像方法は半導体基板上に塗布された
光感光性有機膜を露出後、現像液を用いてパターン形成
を行なうレジスト現像方法に於いて、この半導体基板の
光感光性有機膜の塗布された面を下面とし、感光性有機
膜の塗布された面に現像液を複数の現像液供給口より供
給し現像を行なうことにより構成される。
光感光性有機膜を露出後、現像液を用いてパターン形成
を行なうレジスト現像方法に於いて、この半導体基板の
光感光性有機膜の塗布された面を下面とし、感光性有機
膜の塗布された面に現像液を複数の現像液供給口より供
給し現像を行なうことにより構成される。
本発明はウェハーのレジスト面を下面とし、この面に複
数のノズルより現像液を噴出するので、常に現像液がレ
ジスト部に供給され、ウェノ１−全面で現像速度が同じ
に、即ち、形成されるパターンの寸法が一定となる。
数のノズルより現像液を噴出するので、常に現像液がレ
ジスト部に供給され、ウェノ１−全面で現像速度が同じ
に、即ち、形成されるパターンの寸法が一定となる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための縦断面図で
ある。被加工材１０２の被着されたウェハー１０１はレ
ジスト１０３の塗布された面の裏側の面で現像装置の真
空チャック部３０１に真空チャックされ、レジスト１０
３の塗布されている面を下面として現像処理を施される
。
ある。被加工材１０２の被着されたウェハー１０１はレ
ジスト１０３の塗布された面の裏側の面で現像装置の真
空チャック部３０１に真空チャックされ、レジスト１０
３の塗布されている面を下面として現像処理を施される
。
現像処理はまずノズル台３０２に取り付けられた複数の
ノズル３０３より噴出する水１０４Ａによって、レジス
ト１０３の表面を水洗いし、また現像液に対するなじみ
を良くすることによって行なわれる。次に、ノズル３０
３から噴出される液が水１０４Ａから現像液１０４Ｂに
切り換えられ、レジスト１０３の現像が行なわれる。
ノズル３０３より噴出する水１０４Ａによって、レジス
ト１０３の表面を水洗いし、また現像液に対するなじみ
を良くすることによって行なわれる。次に、ノズル３０
３から噴出される液が水１０４Ａから現像液１０４Ｂに
切り換えられ、レジスト１０３の現像が行なわれる。
ノズル３０３の数は多い程現像後の寸法は均一になるが
、現像液の使用量が増してしまうため、支持棒３０４を
回転及びＸ、Ｙ２方向に移動可能とすればノズル３０３
の数を減らし、現像液の使用量も低減可能である。尚、
現像液は上方に向かって噴出されるため、安全上、現像
装置にはカバー３０５が設置されている。一定時間、現
像を行なった後、現像液１０４Ｂは再び水１０４Ａに切
り換えられ、パターンの形成されたレジストは水洗され
現像プロセスは終了する。
、現像液の使用量が増してしまうため、支持棒３０４を
回転及びＸ、Ｙ２方向に移動可能とすればノズル３０３
の数を減らし、現像液の使用量も低減可能である。尚、
現像液は上方に向かって噴出されるため、安全上、現像
装置にはカバー３０５が設置されている。一定時間、現
像を行なった後、現像液１０４Ｂは再び水１０４Ａに切
り換えられ、パターンの形成されたレジストは水洗され
現像プロセスは終了する。
この現像方法を用いる場合、従来の方法と違い常にレジ
スト面には新しい現像液が補給されるため、現像速度は
従来よりも速くなる。そこで現像液を薄くして用いるこ
とも可能で、現像液が薄い方が現像後のレジストパター
ンの形状は良い。
スト面には新しい現像液が補給されるため、現像速度は
従来よりも速くなる。そこで現像液を薄くして用いるこ
とも可能で、現像液が薄い方が現像後のレジストパター
ンの形状は良い。
第２図は本発明の他の実施例を説明するための縦断面図
である。基本的には一実施例とほぼ同じであるが一実施
例のノズル台３０２．ノズル３０３にかわり現像液供給
部４０１を用いている。現像液供給部４０１内部には現
像液供給部４０２より現像液あるいは水などが供給され
、現像液供給部４０１上部に開孔している複数の穴４０
３から現像液が供給され、レジスト１０３が現像される
。
である。基本的には一実施例とほぼ同じであるが一実施
例のノズル台３０２．ノズル３０３にかわり現像液供給
部４０１を用いている。現像液供給部４０１内部には現
像液供給部４０２より現像液あるいは水などが供給され
、現像液供給部４０１上部に開孔している複数の穴４０
３から現像液が供給され、レジスト１０３が現像される
。
ここで、ウェハーチャックとして真空吸着ばかりでなく
、ウェハーの横側を機械的に固定する方式でも良い。
、ウェハーの横側を機械的に固定する方式でも良い。
以上説明したように本発明はウェハーのレジスト塗布面
を下面とし、現像液を複数の供給口より供給することに
より、ウェハー中心部も周辺部も現像速度が同じになり
、バタ〜ン寸法が一定に形成され、高性能・低価格の集
積回路装置が多量に安定供給できるという効果がある。
を下面とし、現像液を複数の供給口より供給することに
より、ウェハー中心部も周辺部も現像速度が同じになり
、バタ〜ン寸法が一定に形成され、高性能・低価格の集
積回路装置が多量に安定供給できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための縦断面図、
第２図は本発明の他の実施例を説明するための縦断面図
、第３図は従来例を説明するための縦断面図である。 １０１・・・・・・ウェハー、１０２・・・・・・被加
工材、１０３・・・・・・レジス）、１０４Ａ・・・・
・・水、１０４Ｂ・・・・・・現像液、２０１・・・・
・・ウェハーチャック、２０２・・・・・・支持棒、２
０３・・・・・・ノズル、３０１・・・・・・真空チャ
ック、３０２・・・・・・ノズル台、３０３・・・・・
・ノズル、３０４・・・・・・支持棒、３０５・・・・
・・カバー・４０１・・・・・現像液供給部、４０２・
・・・・・現像液供給路、４０３・・・・・・穴。 代理人 弁理士 内 原 音 量
第２図は本発明の他の実施例を説明するための縦断面図
、第３図は従来例を説明するための縦断面図である。 １０１・・・・・・ウェハー、１０２・・・・・・被加
工材、１０３・・・・・・レジス）、１０４Ａ・・・・
・・水、１０４Ｂ・・・・・・現像液、２０１・・・・
・・ウェハーチャック、２０２・・・・・・支持棒、２
０３・・・・・・ノズル、３０１・・・・・・真空チャ
ック、３０２・・・・・・ノズル台、３０３・・・・・
・ノズル、３０４・・・・・・支持棒、３０５・・・・
・・カバー・４０１・・・・・現像液供給部、４０２・
・・・・・現像液供給路、４０３・・・・・・穴。 代理人 弁理士 内 原 音 量
Claims (1)
- 半導体基板上に塗布された光感光性有機膜を露光後、現
像液を用いたパターン形成を行なうレジスト現像方法に
於いて、該半導体基板の光感光性有機膜の塗布された面
を下面とし、該感光性有機膜の塗布された面に該現像液
を複数の現像液供給口より供給し、現像を行なうことを
特徴とするレジスト現像方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63282713A JP2712415B2 (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | レジスト現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63282713A JP2712415B2 (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | レジスト現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02127647A true JPH02127647A (ja) | 1990-05-16 |
| JP2712415B2 JP2712415B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=17656076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63282713A Expired - Lifetime JP2712415B2 (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | レジスト現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712415B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6632476B2 (en) | 2000-03-15 | 2003-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088944A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-18 | Fujitsu Ltd | レジスト膜の現像方法 |
| JPS62280751A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-05 | Hitachi Condenser Co Ltd | 印刷配線板の現像方法 |
| JPS63172428A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | フオトレジスト現像装置 |
| JPH0252352A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版現像処理方法および装置 |
-
1988
- 1988-11-08 JP JP63282713A patent/JP2712415B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088944A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-18 | Fujitsu Ltd | レジスト膜の現像方法 |
| JPS62280751A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-05 | Hitachi Condenser Co Ltd | 印刷配線板の現像方法 |
| JPS63172428A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | フオトレジスト現像装置 |
| JPH0252352A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版現像処理方法および装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6632476B2 (en) | 2000-03-15 | 2003-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2712415B2 (ja) | 1998-02-10 |
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