JP2712415B2 - レジスト現像方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレジスト現像方法に関し、特に半導体基板上
に塗布されたレジストを現像液によってパターン形成を
行なうレジスト現像方法に関する。

〔従来の技術〕

近年、半導体集積回路の製造に於いて、この半導体集
積回路を低価格に大量生産し、かつ高性能なものとすべ
く高集積化、微細化が推進され、超LSIなどと呼ばれて
いる高密度記憶回路装置が開発されている。

超LSI回路パターンを半導体基板上に形成するために
は微細パターンを正確に形成する必要があり、レジスト
現像工程は重要なものとなっている。

第３図は従来のレジスト現像方法を説明するための縦
断面図である。ウェハー101は現像装置のウェハーチャ
ック201上に真空吸着されている。ウェハー101上には被
加工材102及びレジスト103が被着されている。現像工程
はまずレジスト103上に現像装置のノズル203から水を滴
下した後、ウェハーチャック支持棒202を高速回転する
ことにより、水を飛散させレジスト表面のゴミを除去す
ると同時に現像液に対するなじみを良くする。その後、
ノズル203から現像液をレジスト103上に適量滴下し現像
液104Bがレジスト表面を被った状態にすると同時に支持
棒202をゆっくりと回転し一定時間現像を行なう。次に
支持棒202を高速回転し、現像液を飛散させる。再びノ
ズル203より水を滴下、支持棒202を高速回転と行ない現
像処理を終了する。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のレジスト現像方法はウェハー上に現像
液を表面張力でほぼ静止状態にして行なうため、ウェハ
ーの中央部と周辺部とでは現像液のレジストとの反応速
度が異なる、即ち中央部では比較的現像液が多量にある
のに対し、周辺部では現像液が少なく、現像反応によっ
て現像液の性能が劣化しても新たな現像液が供給され
ず、中央部よりも現像が遅くなってしまう。そのため、
中央部と周辺部とで形成されるパターンの寸法が異な
り、集積回路装置の性能が劣化する，歩留まりが低下す
る等の影響があり、高品質の集積回路装置を低価格で大
量に安定供給できないという欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のレジスト現像方法は、半導体基板上に塗布さ
れた光感光性有機膜を露光後、現像液を用いたパターン
形成を行うレジスト現像方法において、前記半導体基板
を前記半導体基板の光感光性有機膜の塗布された面を下
面として大気中に保存し、現像液を前記下面に対向する
複数の液供給口より前記半導体基板の光感光性有機膜の
塗布された下面全面に同時に、かつ一定時間連続的に供
給して現像を行い、しかる後、前記下面全面に前記複数
の液供給口から水を供給して現像を停止することを特徴
とする。

本発明はウェハーのレジスト面を下面とし、この面に
複数のノズルより現像液を噴出するので、常に現像液が
レジスト部に供給され、ウェハー全面で現像速度が同じ
に、即ち、形成されるパターンの寸法が一定となる。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を説明するための縦断面図
である。被加工材102の被着されたウェハー101はレジス
ト103の塗布された面の裏側の面で現像装置の真空チャ
ック部301に真空チャックされ、レジスト103の塗布され
ている面を下面として現像処理を施される。

現像処理はまずノズル台302に取り付けられた複数の
ノズル303より噴出する水104Aによって、レジスト103の
表面を水洗いし、また現像液に対するなじみを良くすこ
とによって行なわれる。次に、ノズル303から噴出され
る液が水104Aから現像液104Bに切り換えられ、レジスト
103の現像が行なわれる。

ノズル303の数は多い程現像後の寸法は均一になる
が、現像液の使用量が増してしまうため、支持棒304を
回転及びX,Y2方向に移動可能とすればノズル303の数を
減らし、現像液の使用量も低減可能である。尚、現像液
は上方に向かって噴出されるため、安全上、現像装置に
はカバー305が設置されている。一定時間、現像を行な
った後、現像液104Bは再び水104Aに切り換えられ、パタ
ーンの形成されたレジストは水洗され現像プロセスは終
了する。

この現像方法を用いる場合、従来の方法と違い常にレ
ジスト面には新しい現像液が補給されるため、現像速度
は従来よりも速くなる。そこで現像液を薄くして用いる
ことも可能で、現像液が薄い方が現像後のレジストパタ
ーンの形状は良い。

第２図は本発明の他の実施例を説明するための縦断面
図である。基本的には一実施例とほぼ同じであるが一実
施例のノズル台302,ノズル303にかわり現像液供給部401
を用いている。現像液供給部401内部には現像液供給部4
02より現像液あるいは水などが供給され、現像液供給部
401上部に開孔している複数の穴403から現像液が供給さ
れ、レジスト103が現像される。

ここで、ウェハーチャックとして真空吸着ばかりでな
く、ウェハーの横側を機械的に固定する方式でも良い。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明はウェハーのレジスト塗布
面を下面とし、現像液を複数の供給口より供給すること
により、ウェハー中心部も周辺部も現像速度が同じにな
り、パターン寸法が一定に形成され、高性能・低価格の
集積回路装置が多量に安定供給できるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための縦断面図、
第２図は本発明の他の実施例を説明するための縦断面
図、第３図は従来例を説明するための縦断面図である。 101……ウェハー、102……被加工材、103……レジス
ト、104A……水、104B……現像液、201……ウェハーチ
ャック、202……支持棒、203……ノズル、301……真空
チャック、302……ノズル台、303……ノズル、304……
支持棒、305……カバー、401……現像液供給部、402…
…現像液供給路、403……穴。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板上に塗布された光感光性有機膜
   を露光後、現像液を用いたパターン形成を行うレジスト
   現像方法において、前記半導体基板を前記半導体基板の
   光感光性有機膜の塗布された面を下面として大気中に保
   持し、現像液を前記下面に対向する複数の液供給口より
   前記半導体基板の光感光性有機膜の塗布された下面全面
   に同時に、かつ一定時間連続的に供給して現像を行い、
   しかる後、前記下面全面に前記複数の液供給口から水を
   供給して現像を停止することを特徴とするレジスト現像
   方法。