JPH11317358A - 処理方法 - Google Patents
処理方法Info
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- JPH11317358A JPH11317358A JP4596899A JP4596899A JPH11317358A JP H11317358 A JPH11317358 A JP H11317358A JP 4596899 A JP4596899 A JP 4596899A JP 4596899 A JP4596899 A JP 4596899A JP H11317358 A JPH11317358 A JP H11317358A
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- Japan
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- processing liquid
- processing
- wafer
- liquid supply
- supply nozzle
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理体の表面に処理液を均一に供給し、被
処理体の汚染防止を図れるようにした処理方法を提供す
ること。 【解決手段】 処理液供給ノズル２１から半導体ウエハ
Ｗに処理液を供給した状態で、スピンチャック２０によ
り半導体ウエハＷを回転させると共に、処理液供給ノズ
ル２１を水平方向に直線移動あるいは揺動移動させる。
これにより、半導体ウエハＷの中心部から外周部に亘り
均一に処理液を供給することができ、処理均一性の向上
を図ることができる。
処理体の汚染防止を図れるようにした処理方法を提供す
ること。 【解決手段】 処理液供給ノズル２１から半導体ウエハ
Ｗに処理液を供給した状態で、スピンチャック２０によ
り半導体ウエハＷを回転させると共に、処理液供給ノズ
ル２１を水平方向に直線移動あるいは揺動移動させる。
これにより、半導体ウエハＷの中心部から外周部に亘り
均一に処理液を供給することができ、処理均一性の向上
を図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハ等の被処理体の表面に現像液等の処理液を供給する
処理方法に関するものである。
エハ等の被処理体の表面に現像液等の処理液を供給する
処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、被処理体である半導体ウエハの表面に処理液とし
ての現像液を塗布する場合、処理液供給ノズルから半導
体ウエハに向けて現像液を吐出させている。
いて、被処理体である半導体ウエハの表面に処理液とし
ての現像液を塗布する場合、処理液供給ノズルから半導
体ウエハに向けて現像液を吐出させている。
【０００３】すなわち、半導体ウエハを高速回転可能な
スピンチャックにて水平保持し、このスピンチャックの
上部に、半導体ウエハと対向するように処理液供給ノズ
ルを配設し、この処理液供給ノズルに列設された多数の
ノズル孔から半導体ウエハに向けて現像液をシャワー状
に吐出させて現像液を供給し、現像液を表面張力により
半導体ウエハ上に膜状に塗布している。
スピンチャックにて水平保持し、このスピンチャックの
上部に、半導体ウエハと対向するように処理液供給ノズ
ルを配設し、この処理液供給ノズルに列設された多数の
ノズル孔から半導体ウエハに向けて現像液をシャワー状
に吐出させて現像液を供給し、現像液を表面張力により
半導体ウエハ上に膜状に塗布している。
【０００４】ところで、上記のように構成される処理液
供給ノズルのノズル孔からシャワー状に現像液を供給す
る構造のものにおいては、短時間で半導体ウエハ表面に
現像液を塗布するためには、現像液の供給圧を上げて現
像液の吐出流量を増加させる必要がある。そのため、現
像液が半導体ウエハの表面に衝撃を与え、半導体ウエハ
にダメージを与える虞れがあった。
供給ノズルのノズル孔からシャワー状に現像液を供給す
る構造のものにおいては、短時間で半導体ウエハ表面に
現像液を塗布するためには、現像液の供給圧を上げて現
像液の吐出流量を増加させる必要がある。そのため、現
像液が半導体ウエハの表面に衝撃を与え、半導体ウエハ
にダメージを与える虞れがあった。
【０００５】そこで、出願人は、上記処理液供給ノズル
と半導体ウエハとを相対的に水平移動させることによっ
て、処理液供給ノズルにより現像液を押し広げて半導体
ウエハ表面に現像液を塗布する処理技術を既に開発した
（特開平５−１３３２０号公報（特願平３−９０８０
号）参照）。これにより、半導体ウエハに衝撃を与えた
り、気泡を発生させることなく、迅速に所定の現像液を
ウエハに塗布することができ、また、少量の現像液で効
率良く処理を行うことができる。
と半導体ウエハとを相対的に水平移動させることによっ
て、処理液供給ノズルにより現像液を押し広げて半導体
ウエハ表面に現像液を塗布する処理技術を既に開発した
（特開平５−１３３２０号公報（特願平３−９０８０
号）参照）。これにより、半導体ウエハに衝撃を与えた
り、気泡を発生させることなく、迅速に所定の現像液を
ウエハに塗布することができ、また、少量の現像液で効
率良く処理を行うことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、同一の孔径のノズル孔を
等間隔で列設するため、各ノズル孔から同一量の現像液
が吐出されることになる。塗布面積は半導体ウエハの中
心部に比較して外周部の塗布面積が広くなるので、外周
部の塗布面積に合せて現像液の吐出量を多くする必要が
ある。したがって、狭い塗布面積の中心部には必要以上
に多量の現像液が供給されるため、現像液の無駄が生じ
るばかりか、中心部に供給された現像液が盛り上って処
理液供給ノズルに付着して残留し、パーティクルの発生
原因となると共に、半導体ウエハの汚染を招くという可
能性があり、改善すべき点があった。
この種の処理装置においては、同一の孔径のノズル孔を
等間隔で列設するため、各ノズル孔から同一量の現像液
が吐出されることになる。塗布面積は半導体ウエハの中
心部に比較して外周部の塗布面積が広くなるので、外周
部の塗布面積に合せて現像液の吐出量を多くする必要が
ある。したがって、狭い塗布面積の中心部には必要以上
に多量の現像液が供給されるため、現像液の無駄が生じ
るばかりか、中心部に供給された現像液が盛り上って処
理液供給ノズルに付着して残留し、パーティクルの発生
原因となると共に、半導体ウエハの汚染を招くという可
能性があり、改善すべき点があった。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体の表面に処理液を均一に供給し、被処理体
の汚染防止を図れるようにした処理方法を提供すること
を目的とするものである。
で、被処理体の表面に処理液を均一に供給し、被処理体
の汚染防止を図れるようにした処理方法を提供すること
を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理方法は、被処理体を保持する保持手
段と、上記被処理体の表面に処理液を吐出する複数のノ
ズル孔を列設する処理液供給ノズルとを、相対的に移動
して処理液を上記被処理体上に供給する処理方法におい
て、 上記保持手段により上記被処理体を回転する工程
と、 上記被処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あ
るいは揺動移動する工程と、を有することを特徴とする
ものである。
に、この発明の処理方法は、被処理体を保持する保持手
段と、上記被処理体の表面に処理液を吐出する複数のノ
ズル孔を列設する処理液供給ノズルとを、相対的に移動
して処理液を上記被処理体上に供給する処理方法におい
て、 上記保持手段により上記被処理体を回転する工程
と、 上記被処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あ
るいは揺動移動する工程と、を有することを特徴とする
ものである。
【０００９】この発明において、上記処理液供給ノズル
の処理液吐出部と被処理体表面との間を微小間隔に設定
する方が好ましい（請求項２）。また、上記処理液供給
ノズルに供給される処理液に所定圧力を与えて各ノズル
孔から処理液を滲み出させるようにする方が好ましい
（請求項３）。
の処理液吐出部と被処理体表面との間を微小間隔に設定
する方が好ましい（請求項２）。また、上記処理液供給
ノズルに供給される処理液に所定圧力を与えて各ノズル
孔から処理液を滲み出させるようにする方が好ましい
（請求項３）。
【００１０】この発明の処理方法によれば、処理液供給
ノズルから被処理体に処理液を供給した状態で、保持手
段により被処理体を回転させると共に、処理液供給ノズ
ルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させることに
より、被処理体の中心部から外周部に亘り均一に処理液
を供給することができ、処理均一性の向上を図ることが
できる。
ノズルから被処理体に処理液を供給した状態で、保持手
段により被処理体を回転させると共に、処理液供給ノズ
ルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させることに
より、被処理体の中心部から外周部に亘り均一に処理液
を供給することができ、処理均一性の向上を図ることが
できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施形態を図
面に基いて詳細に説明する。この実施形態はレジスト塗
布現像装置に適用したものである。
面に基いて詳細に説明する。この実施形態はレジスト塗
布現像装置に適用したものである。
【００１２】図１に示すように、このレジスト塗布現像
装置は、被処理体例えば半導体ウエハＷ（以下、単にウ
エハという）に種々の処理を施す処理機構が配設された
処理機構ユニット１０と、処理機構ユニット１０にウエ
ハＷを自動的に搬入・搬出するための搬入・搬出機構１
とで主要部が構成されている。
装置は、被処理体例えば半導体ウエハＷ（以下、単にウ
エハという）に種々の処理を施す処理機構が配設された
処理機構ユニット１０と、処理機構ユニット１０にウエ
ハＷを自動的に搬入・搬出するための搬入・搬出機構１
とで主要部が構成されている。
【００１３】搬入・搬出機構１は、処理前のウエハＷを
収納するウエハキャリア２と、処理後のウエハＷを収納
するウエハキャリア３と、ウエハＷを吸着保持するアー
ム４と、このアーム４をＸ，Ｙ，Ｚ（垂直）及びθ（回
転）方向に移動させる移動機構５と、ウエハＷがアライ
メントされかつ処理機構ユニット１０との間でウエハＷ
の受け渡しがなされるアライメントステージ６とを備え
ている。
収納するウエハキャリア２と、処理後のウエハＷを収納
するウエハキャリア３と、ウエハＷを吸着保持するアー
ム４と、このアーム４をＸ，Ｙ，Ｚ（垂直）及びθ（回
転）方向に移動させる移動機構５と、ウエハＷがアライ
メントされかつ処理機構ユニット１０との間でウエハＷ
の受け渡しがなされるアライメントステージ６とを備え
ている。
【００１４】処理機構ユニット１０には、アライメント
ステージ６よりＸ方向に形成された搬送路１１に沿って
移動自在に搬送機構１２が設けられている。搬送機構１
２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアーム１３
が設けられている。搬送路１１の一方の側には、ウエハ
Ｗとレジスト膜との密着性を向上させるためのアドヒー
ジョン処理を行うアドヒージョン処理機構１４と、ウエ
ハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発
させるためのプリベーク機構１５と、加熱処理されたウ
エハＷを冷却する冷却機構１６とが配設されている。ま
た、搬送路１１の他方の側には、ウエハＷの表面に処理
液例えば現像液を塗布するこの発明に係る処理装置であ
る現像機構１７と、ウエハＷの上にレジスト膜を塗布形
成する塗布機構１８とが配設されている。
ステージ６よりＸ方向に形成された搬送路１１に沿って
移動自在に搬送機構１２が設けられている。搬送機構１
２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアーム１３
が設けられている。搬送路１１の一方の側には、ウエハ
Ｗとレジスト膜との密着性を向上させるためのアドヒー
ジョン処理を行うアドヒージョン処理機構１４と、ウエ
ハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発
させるためのプリベーク機構１５と、加熱処理されたウ
エハＷを冷却する冷却機構１６とが配設されている。ま
た、搬送路１１の他方の側には、ウエハＷの表面に処理
液例えば現像液を塗布するこの発明に係る処理装置であ
る現像機構１７と、ウエハＷの上にレジスト膜を塗布形
成する塗布機構１８とが配設されている。
【００１５】上記のように構成されるレジスト塗布現像
装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・搬出
機構１のアーム４によってウエハキャリア２から搬出さ
れてアライメントステージ６上に載置位置決めされる。
次いで、アライメントステージ６上のウエハＷは、搬送
機構１２のメインアーム１３に保持されて、各処理機構
１４〜１８へと搬送され、レジスト塗布あるいは現像処
理される。そして、処理後のウエハＷはメインアーム１
３によってアライメントステージ６に戻され、更にアー
ム４により搬送されてウエハキャリア３に収納されるこ
とになる。
装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・搬出
機構１のアーム４によってウエハキャリア２から搬出さ
れてアライメントステージ６上に載置位置決めされる。
次いで、アライメントステージ６上のウエハＷは、搬送
機構１２のメインアーム１３に保持されて、各処理機構
１４〜１８へと搬送され、レジスト塗布あるいは現像処
理される。そして、処理後のウエハＷはメインアーム１
３によってアライメントステージ６に戻され、更にアー
ム４により搬送されてウエハキャリア３に収納されるこ
とになる。
【００１６】次に、この発明に係る処理装置１７につい
て説明する。上記処理装置１７は、図１に示すように、
ウエハＷを吸着保持すると共に垂直移動及び水平回転可
能に保持するスピンチャック２０（保持手段）と、この
スピンチャック２０の上方に移動されてウエハＷの表面
に処理液である現像液を供給する処理液供給ノズル２１
と、スピンチャック２０の一方側に配置されて不使用時
の処理液供給ノズル２１を保持する待機手段２３と、ス
ピンチャック２０の他方側に配置されて現像処理後、ウ
エハＷをリンスするためのリンス液供給ノズル２４と、
処理液供給ノズル２１をスピンチャック２０上及び待機
手段２３上に選択移動する移動手段例えばノズル移動機
構２５とで主要部が構成されている。
て説明する。上記処理装置１７は、図１に示すように、
ウエハＷを吸着保持すると共に垂直移動及び水平回転可
能に保持するスピンチャック２０（保持手段）と、この
スピンチャック２０の上方に移動されてウエハＷの表面
に処理液である現像液を供給する処理液供給ノズル２１
と、スピンチャック２０の一方側に配置されて不使用時
の処理液供給ノズル２１を保持する待機手段２３と、ス
ピンチャック２０の他方側に配置されて現像処理後、ウ
エハＷをリンスするためのリンス液供給ノズル２４と、
処理液供給ノズル２１をスピンチャック２０上及び待機
手段２３上に選択移動する移動手段例えばノズル移動機
構２５とで主要部が構成されている。
【００１７】上記処理液供給ノズル２１は、図２及び図
３に示すように、ウエハＷの直径とほぼ同じ長さに形成
された矩形容器２６と、この矩形容器２６の底部から下
方に向って突出される凸条部２７に適宜間隔をおいて直
線状に列設される多数の細孔からなるノズル孔２２と、
Ｏリング２８を介して矩形容器２６を気密に閉塞する開
閉可能な蓋体２９とで構成されている。なお、蓋体２９
には処理液供給管３０が接続されており、図示しない処
理液供給源から不活性ガス（例えば窒素（Ｎ2））の気
体等によって所定圧で矩形容器２６内に所定の現像液Ｌ
が圧送により供給可能となっている。
３に示すように、ウエハＷの直径とほぼ同じ長さに形成
された矩形容器２６と、この矩形容器２６の底部から下
方に向って突出される凸条部２７に適宜間隔をおいて直
線状に列設される多数の細孔からなるノズル孔２２と、
Ｏリング２８を介して矩形容器２６を気密に閉塞する開
閉可能な蓋体２９とで構成されている。なお、蓋体２９
には処理液供給管３０が接続されており、図示しない処
理液供給源から不活性ガス（例えば窒素（Ｎ2））の気
体等によって所定圧で矩形容器２６内に所定の現像液Ｌ
が圧送により供給可能となっている。
【００１８】上記各ノズル孔２２の配列ピッチは、ノズ
ル孔２２の列の中心部から外方に向かって順次縮小する
ようになっている。すなわち、図５に示すように、処理
液供給ノズル２１のノズル孔２２の列の中心部から外方
に向ってそのピッチが、 ｐ1 ＞ｐ2 ＞ｐ3 ＞…ｐn-1 ＞ｐn の関係に形成されて、中心部から外方に向ってピッチが
より密となり、単位面積当りのノズル孔２２の面積すな
わちノズル孔２２の断面積の合計面積が漸次増大される
ように形成されている。具体的には、ノズル口径が０．
１〜１．０mm程度，例えば０．５mm、ノズル孔２２の数
が数百個，例えば１５０個、ピッチが０．８〜２．０mm
程度，例えば中心側２．０mm，中間１．５mm，外方側
１．０mmである。
ル孔２２の列の中心部から外方に向かって順次縮小する
ようになっている。すなわち、図５に示すように、処理
液供給ノズル２１のノズル孔２２の列の中心部から外方
に向ってそのピッチが、 ｐ1 ＞ｐ2 ＞ｐ3 ＞…ｐn-1 ＞ｐn の関係に形成されて、中心部から外方に向ってピッチが
より密となり、単位面積当りのノズル孔２２の面積すな
わちノズル孔２２の断面積の合計面積が漸次増大される
ように形成されている。具体的には、ノズル口径が０．
１〜１．０mm程度，例えば０．５mm、ノズル孔２２の数
が数百個，例えば１５０個、ピッチが０．８〜２．０mm
程度，例えば中心側２．０mm，中間１．５mm，外方側
１．０mmである。
【００１９】したがって、処理液供給ノズル２１の中心
から外方に向ってノズル孔２２からの現像液Ｌの吐出孔
の総面積換言すれば現像液Ｌの吐出量を漸次増大させる
ことができるので、現像液Ｌをウエハ表面上に均等に供
給することができる。
から外方に向ってノズル孔２２からの現像液Ｌの吐出孔
の総面積換言すれば現像液Ｌの吐出量を漸次増大させる
ことができるので、現像液Ｌをウエハ表面上に均等に供
給することができる。
【００２０】また、上記処理液供給ノズル２１に設けら
れた凸条部２７は、図２及び図３に示すように、先端に
向って先細り状のテーパー面２７ａが形成されており、
かつ凸条部２７の先端には円弧状部２７ｂが形成されて
いる。このように凸条部２７に先細り状のテーパー面２
７ａを形成することにより、ノズル孔２２からウエハＷ
表面に現像液Ｌを塗布する際の現像液Ｌの跳ね上がり
（盛上り）高さＨを、テーパー面を設けない場合に比べ
て少なくすることができ、現像液Ｌの凸条部２７への付
着を少なくすることができる（図３参照）。また、凸条
部２７の先端に例えば直径Ｒ＝１mm程度の円弧状部２７
ｂを形成することにより、処理液供給後に、処理液供給
ノズル２１をウエハＷから持上げる際の液切れを良好に
することができ、凸条部２７への現像液Ｌの付着を少な
くすることができる。
れた凸条部２７は、図２及び図３に示すように、先端に
向って先細り状のテーパー面２７ａが形成されており、
かつ凸条部２７の先端には円弧状部２７ｂが形成されて
いる。このように凸条部２７に先細り状のテーパー面２
７ａを形成することにより、ノズル孔２２からウエハＷ
表面に現像液Ｌを塗布する際の現像液Ｌの跳ね上がり
（盛上り）高さＨを、テーパー面を設けない場合に比べ
て少なくすることができ、現像液Ｌの凸条部２７への付
着を少なくすることができる（図３参照）。また、凸条
部２７の先端に例えば直径Ｒ＝１mm程度の円弧状部２７
ｂを形成することにより、処理液供給後に、処理液供給
ノズル２１をウエハＷから持上げる際の液切れを良好に
することができ、凸条部２７への現像液Ｌの付着を少な
くすることができる。
【００２１】一方、上記処理液供給ノズル２１は、図７
に示すように、移動手段例えばノズル移動機構２５によ
って直線移動すなわち左右に水平移動可能に形成されて
おり、現像液Ｌを吐出する際にスピンチャック２０の水
平回転と処理液供給ノズル２１の水平移動とが相俟って
ウエハＷの表面に均等に現像液Ｌが供給されるようにな
っている。具体的には、水平移動速度が５〜２０mm／se
c 、移動距離がウエハ中心から±３〜±５mm、スピンチ
ャックの回転数が２０〜５０ｒｐｍ，例えば３０ｒｐｍ
である。
に示すように、移動手段例えばノズル移動機構２５によ
って直線移動すなわち左右に水平移動可能に形成されて
おり、現像液Ｌを吐出する際にスピンチャック２０の水
平回転と処理液供給ノズル２１の水平移動とが相俟って
ウエハＷの表面に均等に現像液Ｌが供給されるようにな
っている。具体的には、水平移動速度が５〜２０mm／se
c 、移動距離がウエハ中心から±３〜±５mm、スピンチ
ャックの回転数が２０〜５０ｒｐｍ，例えば３０ｒｐｍ
である。
【００２２】この場合、処理液供給ノズル２１を直線移
動すなわち水平方向に平行移動させて現像液Ｌをウエハ
Ｗ表面に供給しているが、必ずしも処理液供給ノズル２
１を左右に平行に水平移動させる必要はなく、例えば図
８に示すように、移動手段例えば回転機構３２によって
揺動移動可能な揺動アーム３１を設けると共に、処理液
供給ノズル２１の一端を揺動アーム３１にて支持し、揺
動アーム３１を回転機構３２によって左右に揺動させる
ようにしてもよい。
動すなわち水平方向に平行移動させて現像液Ｌをウエハ
Ｗ表面に供給しているが、必ずしも処理液供給ノズル２
１を左右に平行に水平移動させる必要はなく、例えば図
８に示すように、移動手段例えば回転機構３２によって
揺動移動可能な揺動アーム３１を設けると共に、処理液
供給ノズル２１の一端を揺動アーム３１にて支持し、揺
動アーム３１を回転機構３２によって左右に揺動させる
ようにしてもよい。
【００２３】次に、この発明に係る処理装置の動作につ
いて説明する。まず、予め矩形容器２６内に現像液Ｌを
供給し、矩形容器２６内に現像液Ｌを満たした状態とし
ておき、処理液供給ノズル２１を待機手段２３に待機さ
せておく。そして、搬送機構１２のメインアーム１３に
よって搬送されるウエハＷをスピンチャック２０上に載
置し、図示しない真空手段によってウエハＷをスピンチ
ャック２０上に吸着保持する。
いて説明する。まず、予め矩形容器２６内に現像液Ｌを
供給し、矩形容器２６内に現像液Ｌを満たした状態とし
ておき、処理液供給ノズル２１を待機手段２３に待機さ
せておく。そして、搬送機構１２のメインアーム１３に
よって搬送されるウエハＷをスピンチャック２０上に載
置し、図示しない真空手段によってウエハＷをスピンチ
ャック２０上に吸着保持する。
【００２４】次に、移動手段例えばノズル移動機構２５
の駆動により、処理液供給ノズル２１がウエハＷの中心
位置付近まで水平移動された後、スピンチャック２０と
処理液供給ノズル２１とを相対的に上下動させ、処理液
供給ノズル２１底面の凸条部２７の先端とウエハＷ表面
との間が微小間隔，例えば０．５〜２．０mmの範囲とな
るように設定する。
の駆動により、処理液供給ノズル２１がウエハＷの中心
位置付近まで水平移動された後、スピンチャック２０と
処理液供給ノズル２１とを相対的に上下動させ、処理液
供給ノズル２１底面の凸条部２７の先端とウエハＷ表面
との間が微小間隔，例えば０．５〜２．０mmの範囲とな
るように設定する。
【００２５】そして、処理液供給管３０から所定圧力，
例えば０．５〜１．０Kg／cm2 で矩形容器２６内に所定
の現像液Ｌを供給することにより、各ノズル孔２２から
滲み出させるようにして現像液Ｌは、処理液供給ノズル
２１の中心部すなわちウエハＷの中心部には少なく、外
周部は多く供給される。この際、スピンチャック２０に
よりウエハＷを低速例えば３０ｒｐｍで約１／２回転さ
せると共に、処理液供給ノズル２１を直線移動あるいは
揺動移動させて、処理液供給ノズル２１とウエハＷとを
相対的に水平方向に移動させることにより、ウエハＷ上
に帯状に供給された現像液Ｌは、処理液供給ノズル２１
の凸条部２７によって押し広げられてウエハＷ表面全体
に均等に塗布される。このように、ウエハＷ表面に現像
液Ｌを供給して塗布した後、処理液供給ノズル２１は上
昇し、待機手段２３に退避されて処理作業は終了する。
例えば０．５〜１．０Kg／cm2 で矩形容器２６内に所定
の現像液Ｌを供給することにより、各ノズル孔２２から
滲み出させるようにして現像液Ｌは、処理液供給ノズル
２１の中心部すなわちウエハＷの中心部には少なく、外
周部は多く供給される。この際、スピンチャック２０に
よりウエハＷを低速例えば３０ｒｐｍで約１／２回転さ
せると共に、処理液供給ノズル２１を直線移動あるいは
揺動移動させて、処理液供給ノズル２１とウエハＷとを
相対的に水平方向に移動させることにより、ウエハＷ上
に帯状に供給された現像液Ｌは、処理液供給ノズル２１
の凸条部２７によって押し広げられてウエハＷ表面全体
に均等に塗布される。このように、ウエハＷ表面に現像
液Ｌを供給して塗布した後、処理液供給ノズル２１は上
昇し、待機手段２３に退避されて処理作業は終了する。
【００２６】なお、上記実施形態では、この発明に係る
処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布現像装置に適用
した場合について説明したが、必ずしもレジスト塗布現
像装置である必要はなく、レジスト以外の処理液の供給
装置にも適用でき、また、被処理体は半導体ウエハ以外
に例えばＬＣＤガラス基板、ＣＤ等の基板にも適用でき
ることは勿論である。
処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布現像装置に適用
した場合について説明したが、必ずしもレジスト塗布現
像装置である必要はなく、レジスト以外の処理液の供給
装置にも適用でき、また、被処理体は半導体ウエハ以外
に例えばＬＣＤガラス基板、ＣＤ等の基板にも適用でき
ることは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
方法によれば、以下のような効果が得られる。
方法によれば、以下のような効果が得られる。
【００２８】処理液供給ノズルから被処理体に処理液を
供給した状態で、保持手段により被処理体を回転させる
と共に、処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるい
は揺動移動させることにより、被処理体の中心部と外周
部に均一に処理液を供給することができ、処理均一性の
向上を図ることができる。
供給した状態で、保持手段により被処理体を回転させる
と共に、処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるい
は揺動移動させることにより、被処理体の中心部と外周
部に均一に処理液を供給することができ、処理均一性の
向上を図ることができる。
【図１】この発明に係る処理装置を適用したレジスト塗
布現像装置の概略平面図である。
布現像装置の概略平面図である。
【図２】この発明における被処理体と処理液供給ノズル
を示す分解斜視図である。
を示す分解斜視図である。
【図３】処理液供給ノズルの断面図である。
【図４】処理後に処理液供給ノズルを持上げた状態の要
部断面図である。
部断面図である。
【図５】この発明における処理液供給ノズルのノズル孔
の一例を示す底面図である。
の一例を示す底面図である。
【図６】処理液供給ノズルの処理液供給状態の一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図７】処理液供給ノズルの処理液供給状態の別の実施
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
２０ スピンチャック（保持手段） ２１ 処理液供給ノズル ２２ ノズル孔 ２５ ノズル移動機構（移動手段） ３１ 揺動アーム（移動手段） ３２ 回転機構（移動手段） Ｌ 現像液（処理液） Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ｐ1 ，ｐ2 ，〜ｐn 配列ピッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｂ０５Ｃ 11/08 Ｂ０５Ｃ 11/08
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理体を保持する保持手段と、上記被
処理体の表面に処理液を吐出する複数のノズル孔を列設
する処理液供給ノズルとを、相対的に移動して処理液を
上記被処理体上に供給する処理方法において、 上記保持手段により上記被処理体を回転する工程と、 上記被処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは
揺動移動する工程と、を有することを特徴とする処理方
法。 - 【請求項２】 上記処理液供給ノズルの処理液吐出部と
被処理体表面との間を微小間隔に設定したことを特徴と
する請求項１記載の処理方法。 - 【請求項３】 上記処理液供給ノズルに供給される処理
液に所定圧力を与えて各ノズル孔から処理液を滲み出さ
せるようにしたことを特徴とする請求項１記載の処理方
法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4596899A JP3087222B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 処理方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317358A true JPH11317358A (ja) | 1999-11-16 |
| JP3087222B2 JP3087222B2 (ja) | 2000-09-11 |
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ID=12734042
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4596899A Expired - Fee Related JP3087222B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 処理方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3087222B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003090266A1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-10-30 | Seiko Epson Corporation | Methods of manufacturing thin-film device and transistor, electro-optical device, and electronic equipment |
| JP2009166000A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Sk Electronics:Kk | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 |
| CN104199260A (zh) * | 2014-09-24 | 2014-12-10 | 清华大学深圳研究生院 | 易装配静压出流显影喷嘴 |
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|---|---|---|---|---|
| KR101637523B1 (ko) * | 2014-09-12 | 2016-07-08 | (주)하이모 | 모발 염색 방법 및 그와 같이 제조된 모발 |
-
1999
- 1999-02-24 JP JP4596899A patent/JP3087222B2/ja not_active Expired - Fee Related
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