JP2843134B2 - 塗布装置および塗布方法 - Google Patents

塗布装置および塗布方法

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JP2843134B2 JP2237664A JP23766490A JP2843134B2 JP 2843134 B2 JP2843134 B2 JP 2843134B2 JP 2237664 A JP2237664 A JP 2237664A JP 23766490 A JP23766490 A JP 23766490A JP 2843134 B2 JP2843134 B2 JP 2843134B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、塗布装置および塗布方法に関する。
（従来の技術） 従来、この種の塗布装置としては、例えば、半導体製
造装置において半導体ウエハ上にレジスト液を塗布する
レジスト液塗布装置がある。
このレジスト液塗布装置は、一般に半導体ウエハ４を
吸着して回転させるスピンチャックと、このスピンチャ
ック上の半導体ウエハを収容するカップとによりレジス
ト液の塗布処理用の処理ユニットを構成するとともに、
上記カップ内の半導体ウエハ上にレジスト液を吐出する
レジストノズルを備えたものとなっている。
そして、上記レジストノズルよりレジスト液を半導体
ウエハ上に滴下し、半導体ウエハをスピンチャックにて
高速回転させることにより、遠心力によって半導体ウエ
ハ上にレジスト膜を均一に塗布するようにしている。
（発明が解決しようとする課題） 上記従来の塗布装置にあっては、１つの処理ユニット
に対して、１つのレジストノズルを用いており、１枚の
半導体ウエハに対してレジストノズルよりレジスト液を
吐出した後、半導体ウエハに対する一連の塗布工程が終
了するまで、レジストノズルを待機させていた。そし
て、その半導体ウエハへの塗布工程が終了した後、次の
半導体ウエハを搬入してレジストノズルにて次の半導体
ウエハにレジスト液を吐出することとしていたため、レ
ジストノズルによるレジスト液の吐出間隔が長く、レジ
ストノズルの次の滴下までの待機中にレジストノズルの
先端部におけるレジスト液が固化しやすく、このレジス
ト液の固化によって半導体ウエハのレジスト膜に不均一
が生じ、製品品質にばらつきが生じて、製品の歩留まり
が低下してしまうという問題があった。
また、従来では特開昭58−124241号公報及び特開昭62
−195118号公報に示されるように、処理ユニットを２個
配列するようにして２倍の処理効率を図るようにしたも
のも知られているが、この場合にあっても１つの処理ユ
ニットに対して１つのレジストノズルが設けられてお
り、従って上述の例と同じくレジスト液の吐出間隔が長
く、レジストノズル先端部のレジスト液の固化による製
品歩留まりの低下が生じるという問題がある上に、装置
全体の構造が複雑となり、さらにはそれぞれの処理ユニ
ットで別々のレジストノズルを用いるため、レジスト液
塗布処理の均一化が図り難いという問題があった。
そこで本発明は、ノズルからの塗布液の吐出間隔を短
くして塗布液がノズルの先端部で固化する等して劣化す
るのを減少させ、製品歩留まりを向上させることができ
ると共に、装置全体の構造を簡単にし、さらには各処理
ユニットでのレジスト液塗布処理の均一化を図ることの
できる塗布装置および塗布方法を提供することを、その
解決課題としている。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 請求項（１）に記載の発明に係る塗布装置は、 被塗布材を支持、回転させて、塗布液を前記被塗布材
上にスピン塗布させる２つの支持体と、 前記２つの支持体を各々取り囲む２つのカップと、 前記支持体に支持された前記被塗布材上に前記塗布液
を供給する単一のノズルを備えた塗布液供給手段と、 前記支持体間でノズルを移動させる移動手段と、 前記支持体間に配置され、前記ノズルを待機させ、該
ノズルからのダミーディスペンスが行われる待機部と、 を具備することを特徴とする。
請求項（２）に記載の発明に係る塗布装置は、請求項
（１）において、 前記２つの支持体を収容する共通容器を有し、 前記２つの支持体を同一雰囲気内におくことを特徴と
する。
請求項（３）に記載の発明に係る塗布方法は、 被塗布材を支持、回転させて、塗布液を前記被塗布材
上にスピン塗布させる２つの支持体と、 前記２つの支持体を各々取り囲む２つのカップと、 前記支持体に支持された被塗布材上に塗布液を供給す
る単一のノズルを備えた塗布液供給手段と、 前記支持体間でノズルを移動させる移動手段と、 前記支持体間に配置され、前記ノズルを待機させ、該
ノズルからのダミーディスペンスが行われる待機部と、
を備える塗布装置を用い、 前記ノズルを前記待機部から前記支持体のいずれかの
上方に移動させる工程と、 該支持体に支持された被塗布材に対して前記ノズルに
よって上方から塗布液を付与する工程と、 前記ノズルを該支持体の上方から前記待機部に移動さ
せる工程と、 を有し、 上記各工程を他の支持体に対して繰り返して前記各支
持体に支持された被塗布材に塗布液を付与するとき以外
は、前記ノズルを待機部に待機させておくことを特徴と
する。
請求項（４）に記載の発明に係る塗布方法は、 各々、被塗布材を支持して回転させて、塗布液を前記
被塗布材上にスピン塗布される少なくとも２つの支持体
と、 前記２つの支持体を各々取り囲む２つのカップと、 前記少なくとも２つの支持体を取り囲む共通容器と、 前記支持体によって支持された被塗布材上に塗布液を
供給する単一のノズルを備えた塗布液供給手段と、 前記支持体の間で前記ノズルを移動させる移動手段
と、 前記支持体の間に配置され、前記ノズルを待機され、
該ノズルからのダミーディスペンスが行われる待機部
と、 を具備する塗布装置を用い、 前記２つの支持体における処理サイクルを実質的に同
時間に設定し、前記２つの支持体の一方における処理サ
イクルを半サイクルずらして繰り返し実行し、 前記一処理サイクル中に、 前記ノズルを前記待機部から前記支持体の一方の上方
に移動させる工程と、 該支持体に支持された被塗布材に対して前記ノズルに
よって上方から塗布液を付与する工程と、 前記ノズルを該支持体の上方から前記待機部に移動さ
せる工程と、 を有し、 前記ノズルが前記支持体によって支持された被塗布材
上に塗布液を供給しないときは前記待機部に前記ノズル
を位置させることを特徴とする。
請求項（５）に記載の発明に係る塗布方法は、請求項
（４）において、 前記一処理サイクル中に、被塗布材を前記支持体上に
搬入する工程を有することを特徴とする。
（作用） 請求項（１）に記載の発明に係る塗布装置にあって
は、２つの支持体に対して１つのノズルを設け、このノ
ズルを移動手段によって各支持体上方に移動可能にする
ことにより、上記２つの支持体上の被塗布材に対して単
一のノズルより順次塗布液を供給する。そして、一の支
持体において塗布液供給後の塗布処理中に、他の支持体
上の被塗布材にノズルからの塗布液供給を行うことがで
き、その結果ノズルの待機時間が、各支持体用にノズル
を設けた場合に比して短くなる。したがって、ノズルの
待機中におけるノズル先端部の塗布液の固化等の劣化を
減少させることができる。
また、２つの支持体に対して１つのノズルで済むた
め、装置全体の構造を簡単にすることが可能となる。
さらに、２つの支持体上の被塗布材に対して、同一の
１つのノズルから塗布液を供給して塗布するため、塗布
液も共通となり、塗布処理の均一化を図ることが可能と
なる。
そして、２つの支持体間に設けられた待機部に、ノズ
ルを待機させるとともに、待機部においてノズルのダミ
ーディスペンスを行うことができる。このダミーディス
ペンスによって、ノズルの先端部等でレジスト液が長時
間空気と接触することにより固まってしまうのを防止で
きる。
請求項（２）に記載の発明に係る塗布装置によれば、
２つの支持体を共通容器内に収容し、同一処理雰囲気の
もとに置いているため、２つの支持体上における塗布品
質のばらつきを低減することができる。
請求項（３）に記載の発明に係る塗布方法によれば、
２つの支持体に対して１つ設けられたノズルを、移動手
段によって各支持体上方に移動させ、これら２つの支持
体上の被塗布材に対して単一のノズルより順次塗布液を
供給する。そして、一の支持体において塗布液供給後の
塗布処理中に、他の支持体上の被塗布材にノズルからの
塗布液供給を行う。そのため、ノズルの待機時間が短く
なる。したがって、ノズルの待機中におけるノズル先端
部に塗布液の固化等の劣化を減少させることができる。
また、この塗布方法においては、ノズルを用いて一方
の支持体の上方における塗布を行った後、２つの支持体
間、すなわち一方の支持体から他方の支持体への移動経
路付近に配置された待機部においてダミーディスペンス
を行うため、ダミーディスペンスの後、他方の支持体上
方への移動を迅速に行うことができる。
そして、複数の支持体に対して１つのノズルで済むた
め、装置全体の構造を簡単にすることが可能な塗布方法
となる。
さらに、複数の支持体上の被塗布材に対して、１つの
ノズルから供給して塗布するため、塗布液も共通とな
り、塗布処理の均一化が図られる。
請求項（４）に記載の発明に係る塗布方法によれば、
請求項（３）に記載の塗布方法と同様な作用効果を奏す
ることができる。また、２つの支持体における処理サイ
クルを実質的に同一にし、しかも半サイクル互いにずら
しているため、複数の処理サイクルを連結させる場合に
も、ノズルの待機時間の少ない処理サイクルを途切れな
く続けることができる。
したがって、ノズルの先端部付近の塗布液の固化を減
少させることができると共に、塗布工程の効率化を図る
ことができる。
また、１つのノズルを用いていることにより塗布処理
の均一化が図れるとともに、単一のノズルを用いて塗布
液を供給するにも拘わらず、複数のノズルを用いた場合
に比し塗布処理に要する時間が長くなることがない。
請求項（５）に記載の発明に係る塗布方法によれば、
各支持体における処理サイクルの一処理サイクル中に、
被塗布材を支持体上に搬入する工程があり、２つの支持
体上における各処理サイクルは互いに半サイクルずつず
れている。したがって、一方の支持体上に被塗布体を搬
入するのと同時に、他方の支持体上では被塗布材に対す
る塗布を行うことができ、複数の被塗布材に対する塗布
を間断なく、高効率で行うことができる。
（実施例） 以下、本発明を、被塗布材例えば半導体ウエハの、レ
ジスト液塗布装置に適用した実施例について、図面を参
照して説明する。
まず、本実施例のレジスト液塗布装置は、第１図，第
２図に示すように、２つの処理ユニット10、10と、１つ
のレジストノズル12とを備えている。
各処理ユニット10は、支持体例えばスピンチャック14
と、カップ16とを備えている。
スピンチャック14は、載置された半導体ウエハ18を真
空吸着などによって仮固定し、これを高速回転させるよ
う、回転手段であるモータ20の出力軸に固定されて回転
駆動されるようになっている。
モータ20は、加速性に優れた高性能モータで構成さ
れ、その上側にフランジ22を有し、このフランジ22によ
って塗布装置内の適宜位置に固定されている。なお、こ
のフランジ22は、図示しない温調器によって温度調整が
可能であって、モータ20の発熱を上側に伝達しないよう
に構成することもできる。
カップ16は、レジスト液のスピン塗布時に塗布液例え
ばレジスト液が装置外部や隣の半導体ウエハ上に飛散す
ることを防止するために、半導体ウエハ18の周囲を覆う
ように形成されている。このカップ16は、上下動可能で
あって、レジスト液塗布時には図示する位置まで上昇さ
れて停止し、半導体ウエハ18の搬入出時には上記位置よ
りも下降するようになっている。なお、カップ16の下面
には、図示しないドレイン管及び排気管が接続されてい
る。
レジストノズル12は、各処理ユニット10のスピンチャ
ック14に支持される半導体ウエハ18上方で、半導体ウエ
ハ18のほぼ中心位置に近付いてレジスト液を供給例えば
滴下するようになっている。
また、このレジストノズル12は、移動手段としてのス
キャナ24によって、待機位置Ａと各処理ユニット10上の
レジストン液吐出位置Ｂ間で移動例えば往復移動自在に
なっている。例えば、２つの処理ユニット10におけるレ
ジスト液の塗布処理サイクルを半サイクルずつずらし、
待機位置から最初の処理ユニット10上にレジストノズル
12を移動させてレジスト液を吐出した後、一旦待機位置
Ａにレジストノズル12を戻し、その後次の処理ユニット
10上にレジストノズル12を移動させてレジスト液を吐出
するようにしている。また、待機位置Ａにおいては、最
初の処理ユニット10から次の処理ユニット10に処理工程
が移行するまでの間やロットの切れ目などでレジストノ
ズル12からのディスペンスが所定時間実行されない場合
に、レジストノズル12先端部でレジスト液が長時間空気
と接触することにより固まってしまうのを防止するため
のダミーディスペンスを実行するようになっている。な
お、待機位置Ａにはレジストノズル12のダミーディスペ
ンスを実行する待機ブロック26すなわち待機部が配設さ
れており、上記スキャナ24にこの待機ブロック26上のレ
ジストノズル12を把持するための上下動かつ左右移動可
能にされている。また、多少の待機期間が予想される場
合のため、レジスト溶剤雰囲気中に待機させるようにし
ても良い。
また、レジストノズル12へのレジスト液の供給系は、
第３図に示すように、レジスト液収容部28、N2加圧部30
及びレジスト液収容部28からレジストノズル12に至る配
管32からなっている。なお、配管32には、開閉用のバル
ブV1、サックバックバルブV2などが設けられている。サ
ックバックバルブV2は、レジストノズル12からのレジス
ト液吐出後、レジストノズル12先端部で表面張力によっ
て露出しているレジスト液をレジストノズル12内に引き
戻すためのバルブであり、レジスト液の固化を防止する
ためのものである。
次に、本実施例の作用を説明する。
まず、レジストノズル12が待機位置Ａにある状態にお
いて、一方の処理ユニット10のスピンチャック14に半導
体ウエハ18が搬入されると、スキャナ24が移動してレジ
ストノズル12を待機位置Ａの待機ブロック26より把持し
て取り出し、スキャナ24がレジストノズル12を把持した
まま上記一方のスピンチャック14に載置された半導体ウ
エハ18上まで移動する。
そして、この位置でレジストノズル12より半導体ウエ
ハ18上にレジスト液を滴下してスピンチャック14の回転
による遠心力で半導体ウエハ18にレジスト液を均一に塗
布する。
次いで、レジストノズル12によるレジスト液の滴下
後、スキャナ24の移動によってレジストノズル12を待機
位置Ａまで移動させ、待機ブロック26にレジストノズル
12を支持させる。その間に、一方の処理ユニット10では
レジスト液滴下後の一連の処理が続行される。
次に、例えば上記一方の処理ユニット10の塗布処理サ
イクルと半サイクルほど遅らせて他方の処理ユニット10
の塗布処理を行なうようにしておけば、上記一方の処理
ユニット10へレジスト液の吐出後半サイクルほど遅れて
他方の処理ユニット10に半導体ウエハ18が搬入されるこ
ととなる。
そして、他方の処理ユニットに半導体ウエハ18が搬入
されると、スキャナ24が上記待機位置Ａにあるレジスト
ノズル12を把持して取り出し、上記他方の処理ユニット
10のスピンチャック14上にある半導体ウエハ18の上方ま
で移動させ、その位置でレジストノズル12よりレジスト
液を滴下してスピンチャック14の回転によりレジスト液
を塗布するようにしている。
このように、２つの処理ユニット10に対し１つのレジ
ストノズル12を共用にするとによって、レジストノズル
12らのレジスト液の吐出間隔を短くすることができ、従
ってレジスト液の吐出間隔が長い場合におけるレジスト
ノズル12先端部でのレジスト液の固化を減少させること
が可能となるものである。
また、レジストノズル12が１つでも足りるため、装置
全体の構造が簡単である。
さらに、２つの処理ユニット10に対してレジストノズ
ル12を共用にするため、レジスト液も共通となり、２つ
の処理ユニット10間での処理の均一化が期待できること
となる。もちろん処理ユニット10は２つに限らず多数設
け、ノズル12も複数設け、それぞれのノズル12の担当ユ
ニット10を規定しても良いし、複数のノズル共用ユニッ
ト10を設け、コンピュータ管理で移動させても良い。
第４図及び第５図には他の実施例を示す。
この実施例では、２つの処理ユニット10に対して１つ
のレジストノズル12を用いると共に、上記２つの処理ユ
ニット10を共通の容器40内に配し、各処理ユニット10を
容器40の同一雰囲気内に置くことにより、各処理ユニッ
ト10間で均一な処理を行うようにしている。他の構成及
び作用は上記実施例と同様であるのでその説明を省略す
る なお、上記各実施例においては、塗布装置の一例とし
て半導体ウエハへのレジスト液塗布装置を示したが、こ
の例に限らず例えばマスクへのレジスト液塗布装置、現
像液の塗布装置、磁性材料の塗布装置など種々の塗布装
置に適用できるものである。
また、上記実施例では、処理ユニット10を２つ用いた
場合について説明したが、これに限らず、３つ以上の処
理ユニットを用いるようにすることが可能である。
さらに、上記実施例では、スキャナ24として左右にス
ライドするものを用いているが、この例に限らず揺動す
るタイプのものを用いることも可能である。
［発明の効果］ 以上説明したように、請求項（１）に記載の発明に係
る塗布装置にあっては、２つの支持体に対して１つのノ
ズルを設け、このノズルを移動手段によって各支持体上
方に移動可能にすることにより、上記２つの支持体上の
被塗布材に対して単一のノズルより順次塗布液を供給す
る。そして、一の支持体において塗布液供給後の塗布処
理中に、他の支持体上の被塗布材にノズルからの塗布液
供給を行うことができ、その結果ノズルの待機時間が、
各支持体用にノズルを設けた場合に比して短くなる。し
たがって、ノズルの待機中におけるノズル先端部の塗布
液の固化等の劣化を減少させることができるという効果
がある。
また、２つの支持体に対して１つのノズルで済むた
め、装置全体の構造を簡単にすることが可能となるとい
う効果がある。
さらに、２つの支持体上の被塗布材に対して、同一の
１つのノズルから塗布液を供給して塗布するため、塗布
液も共通となり、塗布処理の均一化を図ることが可能と
なるという効果がある。
そして、２つの支持体間に設けられた待機部に、ノズ
ルを待機させるとともに、待機部においてノズルのダミ
ーディスペンスを行うことができる。このダミーディス
ペンスによって、ノズルの先端部等でレジスト液が長時
間空気と接触することにより固まってしまうのを防止で
きるという効果がある。
請求項（２）に記載の発明に係る塗布装置にあって
は、２つのの支持体を共通容器内に収容し、同一処理雰
囲気のもとに置いているため、２つの支持体上における
塗布品質のばらつきを低減することができるという効果
がある。
請求項（３）に記載の発明に係る塗布方法にあって
は、２つの支持体に対して１つ設けられたノズルを、移
動手段によって各支持体上方に移動させ、これら２つの
支持体上の被塗布材に対して単一のノズルより順次塗布
液を供給する。そして、一の支持体において塗布液供給
後の塗布処理中に、他の支持体上の被塗布材にノズルか
らの塗布液供給を行う。そのため、ノズルの待機時間が
短くなる。したがって、ノズルの待機中におけるノズル
先端部の塗布液の固化等の劣化を減少させることができ
るという効果がある。
また、この塗布方法においては、ノズルを用いて一方
の支持体の上方における塗布を行った後、２つの支持体
間、すなわち一方の支持体から他方の支持体への移動経
路付近に配置された待機部においてダミーディスペンス
を行うため、ダミーディスペンスの後、他方の支持体上
方への移動を迅速に行うことができるという効果があ
る。
そして、複数の支持体に対して１つのノズルで済むた
め、装置全体の構造を簡単にすることが可能な塗布方法
となるという効果がある。
さらに、複数の支持体上の被塗布材に対して、１つの
ノズルから供給して塗布するため、塗布液も共通とな
り、塗布処理の均一化が図られるという効果がある。
請求項（４）に記載の発明に係る塗布方法にあって
は、請求項（３）に記載の塗布方法と同様な作用効果を
奏することができる。また、２つの支持体における処理
サイクルを実質的に同一にし、しかも半サイクル互いに
ずらしているため、複数の処理サイクルを連続させる場
合にも、ノズルの待機時間の少ない処理サイクルを途切
れなく続けることができる。
したがって、ノズルの先端部付近の塗布液の固化を減
少させることができると共に、塗布工程の効率化を図る
ことができるという効果がある。
また、１つのノズルを用いていることにより塗布処理
の均一化が図れるとともに、単一のノズルを用いて塗布
液を供給するにも拘わらず、複数のノズルを用いた場合
に比し塗布処理に要する時間が長くなることがないとい
う効果がある。
請求項（５）に記載の発明に係る塗布方法にあって
は、各支持体における処理サイクルの一処理サイクル中
に、被塗布材を支持体上に搬入する工程があり、２つの
支持体上における各処理サイクルは互いに半サイクルず
つずれている。したがって、一方の支持体上に被塗布体
を搬入するのと同時に、他方の支持体上では被塗布材に
対する塗布を行うことができ、複数の被塗布材に対する
塗布を間断なく、高効率で行うことができるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係る塗布装置を示す概略断
面図、 第２図は第１図の平面図、 第３図は第１図の塗布装置の概略説明図、 第４図は他の実施例に係る塗布装置を示す断面図、 第５図は第４図の平面図である。 10……処理ユニット 12……レジストノズル 14……スピンチャック 16……カップ、18……半導体ウエハ 24……スキャナ、40……容器
フロントページの続き (72)発明者 立山 清久 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−127075（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−205422（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−108720（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B05C 7/00 - 21/00 H01L 21/30 G03F 7/16

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】被塗布材を支持、回転させて、塗布液を前
    記被塗布材上にスピン塗布させる２つの支持体と、 前記２つの支持体を各々取り囲む２つのカップと、 前記支持体に支持された前記被塗布材上に前記塗布液を
    供給する単一のノズルを備えた塗布液供給手段と、 前記支持体間でノズルを移動させる移動手段と、 前記支持体間に配置され、前記ノズルを待機させ、該ノ
    ズルからのダミーディスペンスが行われる待機部と、 を具備することを特徴とする塗布装置。
  2. 【請求項２】請求項（１）において、 前記２つの支持体を収容する共通容器を有し、 前記２つの支持体を同一雰囲気内におくことを特徴とす
    る塗布装置。
  3. 【請求項３】被塗布材を支持、回転させて、塗布液を前
    記被塗布材上にスピン塗布させる２つの支持体と、 前記２つの支持体を各々取り囲む２つのカップと、 前記支持体に支持された被塗布材上に塗布液を供給する
    単一のノズルを備えた塗布液供給手段と、 前記支持体間でノズルを移動させる移動手段と、 前記支持体間に配置され、前記ノズルを待機させ、該ノ
    ズルからのダミーディスペンスが行われる待機部と、を
    備える塗布装置を用い、 前記ノズルを前記待機部から前記支持体のいずれかの上
    方に移動させる工程と、 該支持体に支持された被塗布材に対して前記ノズルによ
    って上方から塗布液を付与する工程と、 前記ノズルを該支持体の上方から前記待機部に移動させ
    る工程と、 を有し、 上記各工程を他の支持体に対して繰り返して前記各支持
    体に支持された被塗布材に塗布液を付与するとき以外
    は、前記ノズルを待機部に待機させておくことを特徴と
    する塗布方法。
  4. 【請求項４】各々、被塗布材を支持して回転させて、塗
    布液を前記被塗布材上にスピン塗布させる少なくとも２
    つの支持体と、 前記２つの支持体を各々取り囲む２つのカップと、 前記少なくとも２つの支持体を取り囲む共通容器と、 前記支持体によって支持された被塗布材上に塗布液を供
    給する単一のノズルを備えた塗布液供給手段と、 前記支持体の間で前記ノズルを移動させる移動手段と、 前記支持体の間に配置され、前記ノズルが待機され、該
    ノズルからのダミーディスペンスが行われる待機部と、 を具備する塗布装置を用い、 前記２つの支持体における処理サイクルを実質的に同時
    間に設定し、前記２つの支持体の一方における処理サイ
    クルを半サイクルずらして繰り返し実行し、 前記一処理サイクル中に、 前記ノズルを前記待機部から前記支持体の一方の上方に
    移動させる工程と、 該支持体に支持された被塗布材に対して前記ノズルによ
    って上方から塗布液を付与する工程と、 前記ノズルを該支持体の上方から前記待機部に移動させ
    る工程と、 を有し、 前記ノズルが前記支持体によって支持された被塗布材上
    に塗布液を供給しないときは前記待機部に前記ノズルを
    位置させることを特徴とする塗布方法。
  5. 【請求項５】請求項（４）において、 前記一処理サイクル中に、被塗布材を前記支持体上に搬
    入する工程を有することを特徴とする塗布方法。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2949547B2 (ja) * 1993-02-08 1999-09-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3276449B2 (ja) * 1993-05-13 2002-04-22 富士通株式会社 回転塗布方法
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US6833035B1 (en) * 1994-04-28 2004-12-21 Semitool, Inc. Semiconductor processing system with wafer container docking and loading station
JP3196917B2 (ja) * 1994-06-17 2001-08-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW294821B (ja) * 1994-09-09 1997-01-01 Tokyo Electron Co Ltd
US5902399A (en) * 1995-07-27 1999-05-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improved coating of a semiconductor wafer
US5785905A (en) * 1995-09-11 1998-07-28 Charles Chang Method of making lipstick samplers
US5756155A (en) * 1996-01-22 1998-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Combination nozzle and vacuum hood that is self cleaning
JP3566475B2 (ja) * 1996-12-03 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6068881A (en) * 1998-05-29 2000-05-30 International Business Machines Corporation Spin-apply tool having exhaust ring
JP3445937B2 (ja) * 1998-06-24 2003-09-16 東京エレクトロン株式会社 多段スピン型基板処理システム
AT408930B (de) * 1999-01-13 2002-04-25 Thallner Erich Vorrichtung zur chemischen behandlung von wafern
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
US6796517B1 (en) 2000-03-09 2004-09-28 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer
US6551403B1 (en) * 2000-05-25 2003-04-22 Nec Electronics, Inc. Solvent pre-wet system for wafers
JP4343018B2 (ja) * 2004-04-20 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法及び基板の処理装置
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
KR100925898B1 (ko) * 2004-12-22 2009-11-09 가부시키가이샤 소쿠도 공유 디스펜스를 포함한 코팅/현상 모듈
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US20060130767A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
KR100681315B1 (ko) * 2004-12-28 2007-02-15 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 웨이퍼 현상 장치
US7644512B1 (en) 2006-01-18 2010-01-12 Akrion, Inc. Systems and methods for drying a rotating substrate
US7470638B2 (en) * 2006-02-22 2008-12-30 Micron Technology, Inc. Systems and methods for manipulating liquid films on semiconductor substrates
JP5442969B2 (ja) * 2008-07-28 2014-03-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理ユニット、基板処理装置およびノズルの位置制御方法
JP5442968B2 (ja) * 2008-07-28 2014-03-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP5545693B2 (ja) * 2008-10-01 2014-07-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 現像処理装置
JP5454407B2 (ja) 2010-07-23 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5672204B2 (ja) * 2011-09-13 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
KR101512560B1 (ko) 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
JP6447354B2 (ja) * 2014-07-23 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 現像装置
CN108828898B (zh) * 2017-08-02 2021-06-04 长鑫存储技术有限公司 改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3904339A (en) * 1972-02-03 1975-09-09 Owens Corning Fiberglass Corp Apparatus for depositing materials on surfaces of revolution
US4158343A (en) * 1977-09-27 1979-06-19 Nordson Corporation Coater
US4190015A (en) * 1977-12-08 1980-02-26 Machine Technology, Inc. Apparatus for dispensing liquid to spinning workpieces
JPS57135066A (en) * 1981-02-14 1982-08-20 Tatsumo Kk Rotary applying machine
JPS58124241A (ja) * 1982-01-21 1983-07-23 Nec Corp 半導体基板現像装置
JPS62195118A (ja) * 1986-02-21 1987-08-27 Hitachi Ltd フオトレジスト現像装置
JPH0451907Y2 (ja) * 1987-09-18 1992-12-07
JPH0669545B2 (ja) * 1987-11-23 1994-09-07 タツモ株式会社 塗布装置
JPH01276722A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Nec Corp 基板処理装置
US5002008A (en) * 1988-05-27 1991-03-26 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method for applying a liquid to a semiconductor wafer, including selecting a nozzle in a stand-by state
US5061144A (en) * 1988-11-30 1991-10-29 Tokyo Electron Limited Resist process apparatus
JPH0666255B2 (ja) * 1989-05-02 1994-08-24 三菱電機株式会社 スピン塗布装置及び方法
US4989345A (en) * 1989-12-18 1991-02-05 Gill Jr Gerald L Centrifugal spin dryer for semiconductor wafer

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KR0158211B1 (ko) 1999-02-18
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US5250114A (en) 1993-10-05

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