JP2692887B2 - スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法 - Google Patents
スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法Info
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- JP2692887B2 JP2692887B2 JP63214097A JP21409788A JP2692887B2 JP 2692887 B2 JP2692887 B2 JP 2692887B2 JP 63214097 A JP63214097 A JP 63214097A JP 21409788 A JP21409788 A JP 21409788A JP 2692887 B2 JP2692887 B2 JP 2692887B2
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- Japan
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- processed
- nozzle
- developing
- resist
- rinse liquid
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレジスト等感光剤の現像を行うスピンデベロ
ッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法に関す
る。
ッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法に関す
る。
［従来の技術及び発明が解決すべき課題］ 従来ウェハ上に半導体集積回路素子のパターンを形成
するホトレジスト処理工程はウェハ上に形成されたシリ
コンのＰ形結晶あるいはＮ形結晶膜上に感光性を有する
レジストを塗布する塗布工程と、これに所望のパターン
を描いたマスクをのせ露光する露光工程と、露光により
感光したレジストを現像液で処理することにより余分な
レジストを除去する現像工程とから成り、これらの工程
を繰り返しながらＰ形結晶、Ｎ形結晶を積層して所望の
回路素子を形成している。
するホトレジスト処理工程はウェハ上に形成されたシリ
コンのＰ形結晶あるいはＮ形結晶膜上に感光性を有する
レジストを塗布する塗布工程と、これに所望のパターン
を描いたマスクをのせ露光する露光工程と、露光により
感光したレジストを現像液で処理することにより余分な
レジストを除去する現像工程とから成り、これらの工程
を繰り返しながらＰ形結晶、Ｎ形結晶を積層して所望の
回路素子を形成している。
このような工程の装置において、レジストを塗布する
コータ及び露光工程後感光したレジストを現像液で処理
して不要部分のレジストを除去するデベロッパでは、第
２図の断面図に示すように高速回転するスピンモータ１
に固定されたスピンチャック２上にウェハＷを載置し、
回転するウェハＷにコータの場合はレジストをデベロッ
パの場合は現像液を滴下口３より滴下させ均一な膜を成
形させるスピン式がある。滴下口３は固定されているも
のもあるがスピンチャック２上の処理中でないウェハ上
にボタ落ちを防止するため処理中以外は水平移動してウ
ェハ上を避けて３′の位置に待機させている。このよう
な構造のデベロッパにおいて、現像液を滴下させ現像処
理が行われた後、現像を停止させると共に現像液の洗浄
のためリンス処理を行う。リンス液も同様にスピンチャ
ック２上のウェハＷをスピンモータ１により回転させな
がらノズル４よりリンス液を吐出させる。カップ５で受
けた排液はドレイン管６を通り気体はエグゾーストパイ
プ７により排液から分離されて排気される。このような
リンス処理において、近年のように1M、4M、16Mと高集
積化に伴いわずかなムラでも特性に影響するため、超均
一性が要求されている。ウェハＷをスピンモータ１で回
転させながらリンス液を吐出させてもリンス液がウェハ
Ｗ上に全面均一に行き渡らず洗浄にむらが生じ、満足な
リンス効果を得ることができないという欠点があった。
コータ及び露光工程後感光したレジストを現像液で処理
して不要部分のレジストを除去するデベロッパでは、第
２図の断面図に示すように高速回転するスピンモータ１
に固定されたスピンチャック２上にウェハＷを載置し、
回転するウェハＷにコータの場合はレジストをデベロッ
パの場合は現像液を滴下口３より滴下させ均一な膜を成
形させるスピン式がある。滴下口３は固定されているも
のもあるがスピンチャック２上の処理中でないウェハ上
にボタ落ちを防止するため処理中以外は水平移動してウ
ェハ上を避けて３′の位置に待機させている。このよう
な構造のデベロッパにおいて、現像液を滴下させ現像処
理が行われた後、現像を停止させると共に現像液の洗浄
のためリンス処理を行う。リンス液も同様にスピンチャ
ック２上のウェハＷをスピンモータ１により回転させな
がらノズル４よりリンス液を吐出させる。カップ５で受
けた排液はドレイン管６を通り気体はエグゾーストパイ
プ７により排液から分離されて排気される。このような
リンス処理において、近年のように1M、4M、16Mと高集
積化に伴いわずかなムラでも特性に影響するため、超均
一性が要求されている。ウェハＷをスピンモータ１で回
転させながらリンス液を吐出させてもリンス液がウェハ
Ｗ上に全面均一に行き渡らず洗浄にむらが生じ、満足な
リンス効果を得ることができないという欠点があった。
本発明は以上のような欠点を解消し、ウェハ表面上全
体に均一な洗浄が可能なスピンデベロッパ、レジスト処
理装置及びレジスト処理方法を提供することを目的とす
る。
体に均一な洗浄が可能なスピンデベロッパ、レジスト処
理装置及びレジスト処理方法を提供することを目的とす
る。
［発明の概要］ 被処理体に形成されたレジスト膜を現像処理後、リン
スノズルからリンス液を被処理体に供給して現像液を洗
浄するスピンデベロッパにおいて、回転する被処理体の
中心部近傍に現像液を供給する現像ノズルと、回転する
被処理体の中心部近傍にリンス液を流出させる第１のノ
ズルと、回転する被処理体の周縁部近傍にリンス液を流
出させる第２のノズルとを備えたものであり、好ましく
は、現像ノズルは、被処理体の処理面に対して現像液を
垂直方向から供給するものであり、第１のノズルと、第
２のノズルは、被処理体の上方外側に設けられ、被処理
体の処理面に対してリンス液を斜方向から供給するもの
である。
スノズルからリンス液を被処理体に供給して現像液を洗
浄するスピンデベロッパにおいて、回転する被処理体の
中心部近傍に現像液を供給する現像ノズルと、回転する
被処理体の中心部近傍にリンス液を流出させる第１のノ
ズルと、回転する被処理体の周縁部近傍にリンス液を流
出させる第２のノズルとを備えたものであり、好ましく
は、現像ノズルは、被処理体の処理面に対して現像液を
垂直方向から供給するものであり、第１のノズルと、第
２のノズルは、被処理体の上方外側に設けられ、被処理
体の処理面に対してリンス液を斜方向から供給するもの
である。
また、本発明のレジスト処理装置は、被処理体に形成
されたレジスト膜に現像液を供給して現像処理し、その
後、被処理体にリンス液を供給し洗浄処理するレジスト
処理装置であって、回転する被処理体の中心部近傍に現
像液を供給する現像ノズルと、被処理体の洗浄において
回転する被処理体の中心部近傍にリンス液を流出させる
第１のノズルと、回転する被処理体の周縁部近傍にリン
ス液を流出させる第２のノズルとを備えたものであり、
好ましは、現像ノズルは、被処理体の処理面に対して現
像液を垂直方向から供給するものであり、第１のノズル
と、第２のノズルは、被処理体の上方外側に設けられ、
被処理体の処理面に対してリンス液を斜方向から供給す
るものである。
されたレジスト膜に現像液を供給して現像処理し、その
後、被処理体にリンス液を供給し洗浄処理するレジスト
処理装置であって、回転する被処理体の中心部近傍に現
像液を供給する現像ノズルと、被処理体の洗浄において
回転する被処理体の中心部近傍にリンス液を流出させる
第１のノズルと、回転する被処理体の周縁部近傍にリン
ス液を流出させる第２のノズルとを備えたものであり、
好ましは、現像ノズルは、被処理体の処理面に対して現
像液を垂直方向から供給するものであり、第１のノズル
と、第２のノズルは、被処理体の上方外側に設けられ、
被処理体の処理面に対してリンス液を斜方向から供給す
るものである。
また、本発明のレジスト処理方法は、レジスト膜が形
成された被処理体に光を照射し、露光処理する工程と、
被処理体のレジスト膜に現像液を回転する被処理体の中
心部近傍に垂直方向から供給し被処理体を現像処理する
工程と、被処理体のレジスト膜にリンス液を回転する被
処理体の中央部近傍と周縁部近傍に斜方向から供給し被
処理体を洗浄処理する工程と、この工程の後、被処理体
のレジスト膜に付着或いはレジスト膜中に含有される現
像液又はリンス液を蒸発させる工程とを具備したもので
ある。
成された被処理体に光を照射し、露光処理する工程と、
被処理体のレジスト膜に現像液を回転する被処理体の中
心部近傍に垂直方向から供給し被処理体を現像処理する
工程と、被処理体のレジスト膜にリンス液を回転する被
処理体の中央部近傍と周縁部近傍に斜方向から供給し被
処理体を洗浄処理する工程と、この工程の後、被処理体
のレジスト膜に付着或いはレジスト膜中に含有される現
像液又はリンス液を蒸発させる工程とを具備したもので
ある。
［実施例］ 本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
第１図はスピンデベロッパの断面図を示す図であり露
光処理済ウェハＷを支持するスピンチャック９はスピン
モータ８に固定され、スピンモータ８の回転をウェハＷ
に伝達するため、真空吸着でウェハＷを支持する。露光
処理後、ポジ型レジストでもネガ型レジストでも余分な
レジストを除去するための現像液を滴下する滴下口10は
支持体11により支持され、処理中以外はボタ落を防止す
るためウェハＷから逃げた位置10′に待機するようにな
っている。過剰な現像液を受けるカップ12にドレイン管
13が接続され、さらに気体を排液から分離して排気する
エグゾーストパイプ14が設けられる。現像液の処理後、
現像液を洗浄するリンス液を噴出するノズルは２本具え
られ、ウェハＷの中心部15′及びその近傍にリンス液を
吐出するような第１のノズル15が設けられ、ウェハＷの
周辺部16′及びその近傍或いは図示するように中心部1
5′と周縁部との間にリンス液を吐出するような角度を
つけて第２のノズル16が設けられる。第１のノズル15及
び第２のノズル16は共にボタ落ち防止のためノズル先端
が被洗浄体であるウェハＷ平面の上方より外れた位置に
設けられる。処理前後のウェハの搬送のためにカップに
は垂直駆動機構（図示せず）に接続され点線の位置12′
まで下降し、それに伴い水平駆動機構（図示せず）によ
り移動される搬送ベルト17がウェハＷを両側から載置し
て搬送する構成になっている。
光処理済ウェハＷを支持するスピンチャック９はスピン
モータ８に固定され、スピンモータ８の回転をウェハＷ
に伝達するため、真空吸着でウェハＷを支持する。露光
処理後、ポジ型レジストでもネガ型レジストでも余分な
レジストを除去するための現像液を滴下する滴下口10は
支持体11により支持され、処理中以外はボタ落を防止す
るためウェハＷから逃げた位置10′に待機するようにな
っている。過剰な現像液を受けるカップ12にドレイン管
13が接続され、さらに気体を排液から分離して排気する
エグゾーストパイプ14が設けられる。現像液の処理後、
現像液を洗浄するリンス液を噴出するノズルは２本具え
られ、ウェハＷの中心部15′及びその近傍にリンス液を
吐出するような第１のノズル15が設けられ、ウェハＷの
周辺部16′及びその近傍或いは図示するように中心部1
5′と周縁部との間にリンス液を吐出するような角度を
つけて第２のノズル16が設けられる。第１のノズル15及
び第２のノズル16は共にボタ落ち防止のためノズル先端
が被洗浄体であるウェハＷ平面の上方より外れた位置に
設けられる。処理前後のウェハの搬送のためにカップに
は垂直駆動機構（図示せず）に接続され点線の位置12′
まで下降し、それに伴い水平駆動機構（図示せず）によ
り移動される搬送ベルト17がウェハＷを両側から載置し
て搬送する構成になっている。
以上のような構成のスピンデベロッパの作用を説明す
る。所望のパターンを形成するため感光性のレジストが
塗布されたウェハを所望のパターンを描いたマスクをの
せ露光処理した後、ウェハＷはスピンデベロッパにロー
ディングされる。このデベロッパでは現像工程の処理を
行う。現像工程は必要ならばポストエクスポージャーベ
ーク等の現像前ベーク装置により現像前処理後ウェハＷ
は搬送ベルト17で搬送され、カップが12′の位置にある
状態でスピンチャック９上に支持される。搬送ベルト17
が水平機構によりカップ12外に移動するとカップ12は上
昇し、現像液滴下のため滴下口10′の位置から10の位置
に移動し、スピンモータ８の回転により回転するウェハ
Ｗ上に現像液を滴下させる。ウェハＷ上全体に現像液が
供給されると滴下口10は現像液滴下を終了し、10′の位
置に移動する。過剰の現像液はカップ12で集められドレ
イン管13より排水される。その後現像を停止させると共
に現像液洗浄のため再びウェハＷを回転させながらリン
ス液を第１のノズル15及び第２のノズル16より吐出させ
リンス処理を行う。この時第１のノズル15はウェハの中
心部15′に向け、第２のノズル16はウェハの周辺部16′
に向けリンス液を噴出するようになっているため、全面
均一にリンス液を行き渡らせると共に過剰なリンス液を
必要とせず、しかも十分なリンス効果を得ることができ
る。カップ12に受けたリンス液はドレイン管13により排
水する。一連の現像処理後再びカップ12は12′の位置に
下降し、搬送ベルト17が水平移動して処理済ウェハＷを
載置して次の処理であるポストベーク装置等のホトレジ
スト膜中又は表面に残留した現像液、リンス液を蒸発除
去しホトレジスト硬化、ウェハとの密着性強化のための
熱処理装置へ搬送する。
る。所望のパターンを形成するため感光性のレジストが
塗布されたウェハを所望のパターンを描いたマスクをの
せ露光処理した後、ウェハＷはスピンデベロッパにロー
ディングされる。このデベロッパでは現像工程の処理を
行う。現像工程は必要ならばポストエクスポージャーベ
ーク等の現像前ベーク装置により現像前処理後ウェハＷ
は搬送ベルト17で搬送され、カップが12′の位置にある
状態でスピンチャック９上に支持される。搬送ベルト17
が水平機構によりカップ12外に移動するとカップ12は上
昇し、現像液滴下のため滴下口10′の位置から10の位置
に移動し、スピンモータ８の回転により回転するウェハ
Ｗ上に現像液を滴下させる。ウェハＷ上全体に現像液が
供給されると滴下口10は現像液滴下を終了し、10′の位
置に移動する。過剰の現像液はカップ12で集められドレ
イン管13より排水される。その後現像を停止させると共
に現像液洗浄のため再びウェハＷを回転させながらリン
ス液を第１のノズル15及び第２のノズル16より吐出させ
リンス処理を行う。この時第１のノズル15はウェハの中
心部15′に向け、第２のノズル16はウェハの周辺部16′
に向けリンス液を噴出するようになっているため、全面
均一にリンス液を行き渡らせると共に過剰なリンス液を
必要とせず、しかも十分なリンス効果を得ることができ
る。カップ12に受けたリンス液はドレイン管13により排
水する。一連の現像処理後再びカップ12は12′の位置に
下降し、搬送ベルト17が水平移動して処理済ウェハＷを
載置して次の処理であるポストベーク装置等のホトレジ
スト膜中又は表面に残留した現像液、リンス液を蒸発除
去しホトレジスト硬化、ウェハとの密着性強化のための
熱処理装置へ搬送する。
以上説明した本発明のデベロッパは一実施例であっ
て、本発明は上記実施例に限定されない。即ち、本発明
の他の実施例として、現像液の滴下口の支持体に、滴下
口を支持するレールの他にリンス液のノズルを支持する
もう一本のレールを設けてもよい。この場合も、ノズル
を支持するレールには２個の吐出口を設け、１つはウェ
ハの中心部に、他の１つはウェハの周辺部にリンス液が
吐出されるよう角度を持って設ければよい。この場合も
処理中以外の時は吐出口がウェハＷ上にないよう水平移
動してウェハＷを外れた位置で待機するようにすればよ
い。さらにリンス液は間欠的に噴射してもよいし、洗浄
時リンス液又はウェハに超音波をかけるなどすると洗浄
効果はさらに高い。
て、本発明は上記実施例に限定されない。即ち、本発明
の他の実施例として、現像液の滴下口の支持体に、滴下
口を支持するレールの他にリンス液のノズルを支持する
もう一本のレールを設けてもよい。この場合も、ノズル
を支持するレールには２個の吐出口を設け、１つはウェ
ハの中心部に、他の１つはウェハの周辺部にリンス液が
吐出されるよう角度を持って設ければよい。この場合も
処理中以外の時は吐出口がウェハＷ上にないよう水平移
動してウェハＷを外れた位置で待機するようにすればよ
い。さらにリンス液は間欠的に噴射してもよいし、洗浄
時リンス液又はウェハに超音波をかけるなどすると洗浄
効果はさらに高い。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明のデベロッパによればリン
ス液を供給するノズルを１つはウェハの中心部に、１つ
はウェハの周辺部にリンス液が供給される角度に設けた
ため、リンス液がウェハ全体にむらなく供給され、しか
も無駄なリンス液を使用することなく最少限のリンス液
使用で効果的な洗浄を実現できる。このため品質も一定
に短時間に処理ができ費用も削減できる。
ス液を供給するノズルを１つはウェハの中心部に、１つ
はウェハの周辺部にリンス液が供給される角度に設けた
ため、リンス液がウェハ全体にむらなく供給され、しか
も無駄なリンス液を使用することなく最少限のリンス液
使用で効果的な洗浄を実現できる。このため品質も一定
に短時間に処理ができ費用も削減できる。
第１図は本発明のスピンデベロッパの断面図、第２図は
従来の装置の断面を示す図である。 ８……スピンモータ ９……スピンチャック 10……滴下口 15……第１のノズル 16……第２のノズル 15′……中心部 16′……周辺部 ｗ……ウェハ（被洗浄体）
従来の装置の断面を示す図である。 ８……スピンモータ ９……スピンチャック 10……滴下口 15……第１のノズル 16……第２のノズル 15′……中心部 16′……周辺部 ｗ……ウェハ（被洗浄体）
Claims (5)
- 【請求項１】被処理体に形成されたレジスト膜を現像処
理後、リンスノズルからリンス液を前記被処理体に供給
して現像液を洗浄するスピンデベロッパにおいて、 回転する前記被処理体の中心部近傍に現像液を供給する
現像ノズルと、 回転する前記被処理体の中心部近傍に前記リンス液を流
出させる第１のノズルと、 回転する前記被処理体の周縁部近傍に前記リンス液を流
出させる第２のノズルとを備えたことを特徴とするスピ
ンデベロッパ。 - 【請求項２】前記現像ノズルは、前記被処理体の処理面
に対して前記現像液を垂直方向から供給するものであ
り、前記第１のノズルと、前記第２のノズルは、前記被
処理体の上方外側に設けられ、前記被処理体の処理面に
対して前記リンス液を斜方向から供給するものであるこ
とを特徴とする請求項１項記載のスピンデベロッパ。 - 【請求項３】被処理体に形成されたレジスト膜に現像液
を供給して現像処理し、その後、前記被処理体にリンス
液を供給し洗浄処理するレジスト処理装置であって、 回転する前記被処理体の中心部近傍に現像液を供給する
現像ノズルと、 前記被処理体の洗浄において回転する前被処理体の中心
部近傍に前記リンス液を流出させる第１のノズルと、 回転する前記被処理体の周縁部近傍に前記リンス液を流
出させる第２のノズルとを備えたことを特徴とするレジ
スト処理装置。 - 【請求項４】前記現像ノズルは、前記被処理体の処理面
に対して前記現像液を垂直方向から供給するものであ
り、前記第１のノズルと、前記第２のノズルは、前記被
処理体の上方外側に設けられ、前記被処理体の処理面に
対して前記リンス液を斜方向から供給するものであるこ
とを特徴とする請求項３項記載のレジスト処理装置。 - 【請求項５】レジスト膜が形成された被処理体に光を照
射し、露光処理する工程と、 前記被処理体の前記レジスト膜に現像液を回転する前記
被処理体の中心部近傍に垂直方向から供給し前記被処理
体を現像処理する工程と、 前記被処理体の前記レジスト膜にリンス液を回転する前
記被処理体の中央部近傍と周縁部近傍に斜方向から供給
し前記被処理体を洗浄処理する工程と、 この工程の後、前記被処理体の前記レジスト膜に付着或
いは前記レジスト膜中に含有される前記現像液又は前記
リンス液を蒸発させる工程とを具備したことを特徴とす
るレジスト処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214097A JP2692887B2 (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214097A JP2692887B2 (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262549A JPH0262549A (ja) | 1990-03-02 |
| JP2692887B2 true JP2692887B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=16650175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63214097A Expired - Lifetime JP2692887B2 (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692887B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100382248C (zh) * | 2004-05-12 | 2008-04-16 | 索尼株式会社 | 单晶片清洗装置及其清洗方法 |
| KR20220053146A (ko) * | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3359208B2 (ja) * | 1995-11-28 | 2002-12-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 現像装置 |
| CN111045299B (zh) * | 2020-01-02 | 2023-07-21 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种显影洗边设备和显影洗边方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56148831A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-18 | Nec Corp | Developing device for semiconductor wafer |
| JPH01214863A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Toshiba Corp | 現像装置 |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP63214097A patent/JP2692887B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100382248C (zh) * | 2004-05-12 | 2008-04-16 | 索尼株式会社 | 单晶片清洗装置及其清洗方法 |
| KR20220053146A (ko) * | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR102583342B1 (ko) | 2020-10-22 | 2023-09-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| US11850635B2 (en) | 2020-10-22 | 2023-12-26 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for processing substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0262549A (ja) | 1990-03-02 |
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