JPS62195118A - フオトレジスト現像装置 - Google Patents
フオトレジスト現像装置Info
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- JPS62195118A JPS62195118A JP3516886A JP3516886A JPS62195118A JP S62195118 A JPS62195118 A JP S62195118A JP 3516886 A JP3516886 A JP 3516886A JP 3516886 A JP3516886 A JP 3516886A JP S62195118 A JPS62195118 A JP S62195118A
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 42
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトレジスト現像装置に係り、特許こ半導体
、バブルメモリ等の微細パターンを形成する際ｌこ使用
されるポジ型のフォトレジストの現像装置に関する。
、バブルメモリ等の微細パターンを形成する際ｌこ使用
されるポジ型のフォトレジストの現像装置に関する。
ポジ型のフォトレジストの処理工程は、第４図に示すよ
うに、レジストの密着性を良くする前処理１、フォトレ
ジスト塗布２、ベーク３、パターン露光４、現像５及び
ベーク６を経て処理される。
うに、レジストの密着性を良くする前処理１、フォトレ
ジスト塗布２、ベーク３、パターン露光４、現像５及び
ベーク６を経て処理される。
かかる処理工程を処理する一貫処理装置を第５図に示す
。この一貫処理装置７は、一般的には塗布ライン７３〜
７ｆと現像ライン７ｇ〜７ｊを有し、一貫処理装置７と
露光装置８とはつなぎユニット９を介して接続されてい
る。露光装置８はウェーハとマスクのアライメント機構
及び露光機構を含んでいる。なお、ローダ、スピンナー
、プリベーク炉、バッファ、露光、現像、ポストベーク
炉、バッファ、アンローダを含む一貫処理装置は例えば
特開昭６０−５５１６号公報で知られているＯ １ｆウエーハは、塗布ラインのローダ７ａより前処理装
置７ｂｌこ投入され、搬送ユニツ）７Ｃを経て塗布ユニ
ット７ｄでフオ）ｌ／シストが塗布される。その後ベー
ク炉７ｅ、アンローダ７ｆ、つなぎユニット９を経て露
光装置８によりパターンが焼付けられた後−こ、またつ
なぎユニット９を経て一貫処理装置７の現像ラインのロ
ーダ７ｇＪこ戻される。ローダ７ｇから現像ユニツ）７
１Ｎこ投入されたウェハは、ここで現像処理が行われ、
フォトレジストパターンが形成される。その後ベーク炉
７１を経てアンローダ７月こ収納される。
。この一貫処理装置７は、一般的には塗布ライン７３〜
７ｆと現像ライン７ｇ〜７ｊを有し、一貫処理装置７と
露光装置８とはつなぎユニット９を介して接続されてい
る。露光装置８はウェーハとマスクのアライメント機構
及び露光機構を含んでいる。なお、ローダ、スピンナー
、プリベーク炉、バッファ、露光、現像、ポストベーク
炉、バッファ、アンローダを含む一貫処理装置は例えば
特開昭６０−５５１６号公報で知られているＯ １ｆウエーハは、塗布ラインのローダ７ａより前処理装
置７ｂｌこ投入され、搬送ユニツ）７Ｃを経て塗布ユニ
ット７ｄでフオ）ｌ／シストが塗布される。その後ベー
ク炉７ｅ、アンローダ７ｆ、つなぎユニット９を経て露
光装置８によりパターンが焼付けられた後−こ、またつ
なぎユニット９を経て一貫処理装置７の現像ラインのロ
ーダ７ｇＪこ戻される。ローダ７ｇから現像ユニツ）７
１Ｎこ投入されたウェハは、ここで現像処理が行われ、
フォトレジストパターンが形成される。その後ベーク炉
７１を経てアンローダ７月こ収納される。
前記現像ユニット７ｈにおけるポジ型の７オトレジスト
の現像方法は、いわゆるパドル現像あるいは静止現像と
呼ばれる方法が一般的である。これは第６図ｆこ示すよ
うｌこ、フオトレジス）１０が塗布されたウェーハ１１
を真空チャック１２で吸着し、真空チャック１２をモー
タ１３で回転させながら現像液滴下ノズル１４で現像液
１５をつ工−ハ１１上憂こ滴下し、ウェーハ１１上醗こ
表面張力を利用して現像液１５を盛る。その後、真空チ
ャック１２の回転を停止上させ、約１分間現像する。
の現像方法は、いわゆるパドル現像あるいは静止現像と
呼ばれる方法が一般的である。これは第６図ｆこ示すよ
うｌこ、フオトレジス）１０が塗布されたウェーハ１１
を真空チャック１２で吸着し、真空チャック１２をモー
タ１３で回転させながら現像液滴下ノズル１４で現像液
１５をつ工−ハ１１上憂こ滴下し、ウェーハ１１上醗こ
表面張力を利用して現像液１５を盛る。その後、真空チ
ャック１２の回転を停止上させ、約１分間現像する。
かかる一貫処理装置７Ｉこおける装置全体の処理能力を
向上させるＥこは、塗布ラインの塗布ユニット７ｄ、ベ
ーク炉７ｅ及び現像ラインの現像ユニット７ｈ、ベーク
炉７１＃こおける１枚のウェーＪＸの処理時間が全て等
しくなるようにするのが好ましい。しかし、第７図及び
第８図に示すよう１こ、塗布ラインの塗布ユニット７ｄ
の処理時間を１とした場合、現像ラインの現像ユニット
７１１の処理時間は約２で処理能力は半分であり、装置
全体の処理能力が極端（こ低くなるという問題があった
。
向上させるＥこは、塗布ラインの塗布ユニット７ｄ、ベ
ーク炉７ｅ及び現像ラインの現像ユニット７ｈ、ベーク
炉７１＃こおける１枚のウェーＪＸの処理時間が全て等
しくなるようにするのが好ましい。しかし、第７図及び
第８図に示すよう１こ、塗布ラインの塗布ユニット７ｄ
の処理時間を１とした場合、現像ラインの現像ユニット
７１１の処理時間は約２で処理能力は半分であり、装置
全体の処理能力が極端（こ低くなるという問題があった
。
このことを更（こ詳述すると、塗布ラインの１台の塗布
ユニツ）７ｄの処理時間を１と１７だ場合、１台のベー
ク炉７ｅは−であるので、４台のベーり炉７ｅを配置し
、第７図に示すように塗布ラインＥこおいては塗布部と
ベーク部とを１＝１１こしてバランスが図れる。
ユニツ）７ｄの処理時間を１と１７だ場合、１台のベー
ク炉７ｅは−であるので、４台のベーり炉７ｅを配置し
、第７図に示すように塗布ラインＥこおいては塗布部と
ベーク部とを１＝１１こしてバランスが図れる。
一方、現像ラインーこおいては、１台の塗布ユニット７
ｄの処理時間に対して、１台の現像ユニツ）７ｈの処理
時間は２であり、１台のベーク炉７１は７であるので、
２台の現像ユニツ）７ｈと４台のベーク炉７１を配置す
ることｆこより理論的ｔこはバランスが図れる。しかし
現実ｌこは、現像ユニット７ｈを２台とし、シリーズに
現像することは実現不可能である。即ち、第６図番こ示
すよう番こ、現像液１５が表面張力でウェーハ１１上Ｅ
こ盛られているので、現像中ｆこウェーハ１１を搬送す
ることができない。そこで従来は現像ユニツ）７ｈは１
台としているため、第７図及び第８回正こ示すように現
像ラインの処理能力が塗布ラインに比べて半分で、前記
したよう憂こ装置全体の能力が極端に低くなっている。
ｄの処理時間に対して、１台の現像ユニツ）７ｈの処理
時間は２であり、１台のベーク炉７１は７であるので、
２台の現像ユニツ）７ｈと４台のベーク炉７１を配置す
ることｆこより理論的ｔこはバランスが図れる。しかし
現実ｌこは、現像ユニット７ｈを２台とし、シリーズに
現像することは実現不可能である。即ち、第６図番こ示
すよう番こ、現像液１５が表面張力でウェーハ１１上Ｅ
こ盛られているので、現像中ｆこウェーハ１１を搬送す
ることができない。そこで従来は現像ユニツ）７ｈは１
台としているため、第７図及び第８回正こ示すように現
像ラインの処理能力が塗布ラインに比べて半分で、前記
したよう憂こ装置全体の能力が極端に低くなっている。
本発明の目的は、現像ラインの処理能力を上げ、装置全
体としてスルーブツトを向上させることができるフォト
レジスト現像装置を提供することにある。
体としてスルーブツトを向上させることができるフォト
レジスト現像装置を提供することにある。
上記問題点は、現像ユニットを直列基こ複数個設け、か
つベーク炉側の現像ユニットとベーク炉との間にウェー
ハを一時収納するバッファを設けることにより解決され
る。
つベーク炉側の現像ユニットとベーク炉との間にウェー
ハを一時収納するバッファを設けることにより解決され
る。
各現像ユニット上にそれぞれウェーハを供給し、同時Ｉ
こウェーハを現像処理し、現像後ｆこ各現像ユニットよ
り同時にウェーハを払い出す。これにより、現像中にウ
ェーハを移動させないで処理することができる。また各
現像ユニットから同時に払い出されたウェーハはバッフ
ァに一時収納することｔこより、現像ユニットでの待ち
時間が発生するのを防止できる。
こウェーハを現像処理し、現像後ｆこ各現像ユニットよ
り同時にウェーハを払い出す。これにより、現像中にウ
ェーハを移動させないで処理することができる。また各
現像ユニットから同時に払い出されたウェーハはバッフ
ァに一時収納することｔこより、現像ユニットでの待ち
時間が発生するのを防止できる。
以下、本発明の一実施例を第１図乃￥第３図により説明
する。なお、第５図及び第６図と同じ部材には同一符号
を付し、その説明を省略する。第１図及び第２図１こ示
すように、従来と異なる点は、２台の現像ユニット７に
、７１を直列ｌこ設けて２ポジシヨンとし、更にその後
にバッファ７ｍを設けてなる。ウェーハは、ローダ７ｇ
からベルトユニット１６．１７１こより送り出され、現
像ユニット７に、７ｄ４こより同時優こ現像処理され、
現像後バッファ７ｍｌこ一時収納され、再びベルトユニ
ット１８Ｉこよりベーク炉７１を経て、ベルトユニット
１９ｆこよりアンローダ７ｊ１こ収納される。
する。なお、第５図及び第６図と同じ部材には同一符号
を付し、その説明を省略する。第１図及び第２図１こ示
すように、従来と異なる点は、２台の現像ユニット７に
、７１を直列ｌこ設けて２ポジシヨンとし、更にその後
にバッファ７ｍを設けてなる。ウェーハは、ローダ７ｇ
からベルトユニット１６．１７１こより送り出され、現
像ユニット７に、７ｄ４こより同時優こ現像処理され、
現像後バッファ７ｍｌこ一時収納され、再びベルトユニ
ット１８Ｉこよりベーク炉７１を経て、ベルトユニット
１９ｆこよりアンローダ７ｊ１こ収納される。
この場合のウェーハの動きを第３図によって詳しく説明
する。第３図において、０はウェーハ１１を示し、Ｏの
中の数字１．２．３・・・はローダ７ｇから送り出され
たウェーハ５の順番を示す。まｆｏ−ダ７ｇからウェー
ハ■がベルトユニット１６−ト１こ送り出される（Ａの
状態）。このウェーハ■ハヘルトユニッ）ＩＪ１７１こ
よって現像ユニット７１の真空チャック１２の貞上に送
られる。つ工−ハ■がベルトユニット１６より１７上１
（移送されると同時にローダ７ｇよりウェーハ■がベル
トユニット１６上（こ送り出され、このウェーハ■はベ
ルトユニット１６によって現像ユニット７にの真空チャ
ック１２の真上ｌこ送られる。次に現像ユニット７１！
、７にの真空チャック１２が共に図示しない上下動手段
で上昇させられ、ウェーハ■、■はそれぞれ真空チャッ
ク１２１こチャックされる。
する。第３図において、０はウェーハ１１を示し、Ｏの
中の数字１．２．３・・・はローダ７ｇから送り出され
たウェーハ５の順番を示す。まｆｏ−ダ７ｇからウェー
ハ■がベルトユニット１６−ト１こ送り出される（Ａの
状態）。このウェーハ■ハヘルトユニッ）ＩＪ１７１こ
よって現像ユニット７１の真空チャック１２の貞上に送
られる。つ工−ハ■がベルトユニット１６より１７上１
（移送されると同時にローダ７ｇよりウェーハ■がベル
トユニット１６上（こ送り出され、このウェーハ■はベ
ルトユニット１６によって現像ユニット７にの真空チャ
ック１２の真上ｌこ送られる。次に現像ユニット７１！
、７にの真空チャック１２が共に図示しない上下動手段
で上昇させられ、ウェーハ■、■はそれぞれ真空チャッ
ク１２１こチャックされる。
そして、第６図で説明した方法（こよってウニ・−ハ■
、■は同時ｌこ現像される。この状態をＢで示す。
、■は同時ｌこ現像される。この状態をＢで示す。
現像が終了すると、真空チャック１２が下降し、ウェー
ハ■、■はそれぞれベルトユニット１７．１６上Ｉこ載
置される。次ｌこ再びベルトユニット１７．１６が始動
し、ウェーハ■はバッファ７ｍｌこ収納され、ウェーハ
■はベルトユニット１７１こ移る。
ハ■、■はそれぞれベルトユニット１７．１６上Ｉこ載
置される。次ｌこ再びベルトユニット１７．１６が始動
し、ウェーハ■はバッファ７ｍｌこ収納され、ウェーハ
■はベルトユニット１７１こ移る。
ウェーハ■がバッファ７ｍｌこ収納されると、バッファ
７ｍは１ピツチ上昇又は下降させられる。またローダ７
ｇよりベルトユニット１６Ｊ二ｆこウェーハ■が送り出
される。この状態をＣで示す。次にウェーハ■はバッフ
ァ７ｍｆこ収納サレ、ウェーハ■は現像ユニット７１．
ｊこ、またローダ７ｇよりつ工−ハ■が現像ユニツ）７
ｋに送られる。この状態を１）で示す。この状態でウェ
ーハ■、■薯こ現像が行われ、またバッファ７ｍよりウ
ェーハ■がベーク炉７４１こ送り出される。そして、バ
ッファ７ｍは前記と逆５こ１ピツチ下降又は上昇させら
れる。
７ｍは１ピツチ上昇又は下降させられる。またローダ７
ｇよりベルトユニット１６Ｊ二ｆこウェーハ■が送り出
される。この状態をＣで示す。次にウェーハ■はバッフ
ァ７ｍｆこ収納サレ、ウェーハ■は現像ユニット７１．
ｊこ、またローダ７ｇよりつ工−ハ■が現像ユニツ）７
ｋに送られる。この状態を１）で示す。この状態でウェ
ーハ■、■薯こ現像が行われ、またバッファ７ｍよりウ
ェーハ■がベーク炉７４１こ送り出される。そして、バ
ッファ７ｍは前記と逆５こ１ピツチ下降又は上昇させら
れる。
この状態をＥで示す。
次に状態Ｆで示すよう醗こ、バッファ７ｍよりウェーハ
■がベーク炉７ ｉ＋こ送り出さし、バッファ７ｍには
ウェーハ■が収納され、現像ユニット７１１こはウェー
ハ■が、現像ユニツ）７ｋｆこはローダ７ｇよりウェー
ハ■が送り出される。次ｌこ前記状態りで説明したと同
じ動作によって状態Ｇとな〔発明の効果〕 本発明によれば、複数の現像ユニット−ＩＪこそれぞれ
ウェーハを供給し、同時ｌ（現像処理し、処理後に各現
像ユニットより同時ｌこ払い出してバッファに一時収納
するので、現像ユニットを複数台設けても何ら問題なく
処理できる。これ擾こより、現像ラインスループットが
向上し、一貫処理装置全体のスループットも向上する。
■がベーク炉７ ｉ＋こ送り出さし、バッファ７ｍには
ウェーハ■が収納され、現像ユニット７１１こはウェー
ハ■が、現像ユニツ）７ｋｆこはローダ７ｇよりウェー
ハ■が送り出される。次ｌこ前記状態りで説明したと同
じ動作によって状態Ｇとな〔発明の効果〕 本発明によれば、複数の現像ユニット−ＩＪこそれぞれ
ウェーハを供給し、同時ｌ（現像処理し、処理後に各現
像ユニットより同時ｌこ払い出してバッファに一時収納
するので、現像ユニットを複数台設けても何ら問題なく
処理できる。これ擾こより、現像ラインスループットが
向上し、一貫処理装置全体のスループットも向上する。
第１図は本発明になる現像装置を設けた一貫処理装置の
一実施例を示す概略斜視図、第２図は第１図の現像装置
の正面図、第３図はウェーハの動きを示す説明図、第４
図はホトレジスト処理工程の説明図、第５図は従来の一
貫処理装置の概略斜視図、第６図は現像状態の正面図、
第７図は塗布ラインの処理能力を示す説明図、第８図は
現像ラインの処理能力を示す説明図である。 ７・・・一貫処理装置、 ７１・・・ベー
ク炉１．７に、’Ｉｌ・・・胡像ユニッ）、 ７
ｍ・・・バッファ、１．ｉｏ・・・フォトレジスト、
１１・・・ウェーハ、１５・・・現像液。 第５図 「８ 第６図 第７図 第８図 １１ｊ像卯 へ−７部 現イ家ラインの（４浬能力
一実施例を示す概略斜視図、第２図は第１図の現像装置
の正面図、第３図はウェーハの動きを示す説明図、第４
図はホトレジスト処理工程の説明図、第５図は従来の一
貫処理装置の概略斜視図、第６図は現像状態の正面図、
第７図は塗布ラインの処理能力を示す説明図、第８図は
現像ラインの処理能力を示す説明図である。 ７・・・一貫処理装置、 ７１・・・ベー
ク炉１．７に、’Ｉｌ・・・胡像ユニッ）、 ７
ｍ・・・バッファ、１．ｉｏ・・・フォトレジスト、
１１・・・ウェーハ、１５・・・現像液。 第５図 「８ 第６図 第７図 第８図 １１ｊ像卯 へ−７部 現イ家ラインの（４浬能力
Claims (1)
- １、パターン露光されたウェーハを現像ユニットにより
現像処理し、その後ベーク炉でベークするフォトレジス
ト現像装置において、前記現像ユニットを直列に複数個
設け、かつベーク炉側の現像ユニットとベーク炉との間
にウェーハを一時収納するバッファを設けたことを特徴
とするフォトレジスト現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3516886A JPS62195118A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | フオトレジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3516886A JPS62195118A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | フオトレジスト現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62195118A true JPS62195118A (ja) | 1987-08-27 |
Family
ID=12434337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3516886A Pending JPS62195118A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | フオトレジスト現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62195118A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01209737A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Teru Kyushu Kk | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JPH02192752A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH02225214A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-07 | Tokyo Electron Ltd | ロード・アンロード装置 |
| JPH0436225U (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-26 | ||
| US5250114A (en) * | 1990-09-07 | 1993-10-05 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus with nozzle moving means |
| US5416047A (en) * | 1990-09-07 | 1995-05-16 | Tokyo Electron Limited | Method for applying process solution to substrates |
| JPH0851067A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
| JPH08321537A (ja) * | 1996-05-20 | 1996-12-03 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764949A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Hitachi Ltd | Continous processor |
| JPS59145525A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Matsushita Electronics Corp | レジスト現像方法 |
-
1986
- 1986-02-21 JP JP3516886A patent/JPS62195118A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764949A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Hitachi Ltd | Continous processor |
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| JPH01209737A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Teru Kyushu Kk | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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| JPH0851067A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
| JPH08321537A (ja) * | 1996-05-20 | 1996-12-03 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
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