JP2611372B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2611372B2 JP2611372B2 JP63230807A JP23080788A JP2611372B2 JP 2611372 B2 JP2611372 B2 JP 2611372B2 JP 63230807 A JP63230807 A JP 63230807A JP 23080788 A JP23080788 A JP 23080788A JP 2611372 B2 JP2611372 B2 JP 2611372B2
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- JP
- Japan
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- wafer
- unit
- elevator
- hot plate
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造工程における写真製版工程
で使用されるレジスト塗布ユニット，現像ユニット等を
備えた半導体製造装置に関するものである。
で使用されるレジスト塗布ユニット，現像ユニット等を
備えた半導体製造装置に関するものである。
第２図は従来のこの種の半導体製造装置の概略構成を
示す平面図で、同図に示す半導体製造装置はレジスト塗
布ユニット，現像ユニット等が工程順に並べられインラ
イン化されている。同図において、１は前工程の半導体
ウエハ（以下、単にウエハという）処理装置から搬送装
置２によって搬送されたウエハ（図示せず）を次工程の
ユニットへ移送するためのローダーで、このローダー１
は同図に示す半導体製造装置の最前部に配置されてい
る。3aはウエハを加熱するための第一のホットプレー
ト、４はウエハ上にHMDSをベーパー塗布するためのレジ
スト付着強化ユニット、５はウエハを冷却するためのコ
ールドプレート、６はウエハを回転させた状態でレジス
トを滴下しウエハ上に所定の膜厚をもってレジスト膜を
形成するスピンコーター、3bは第二のホットプレート、
7aは第一のカセットバッファで、これらの各ユニットへ
のウエハの移送は搬送ベルト（図示せず）等によって行
われ、ウエハ毎に順次搬送される。８はウエハ搬送用カ
セット（図示せず）を第一の搬送装置９に移載するため
の第一のエレベーター、10はウエハ上に所定のパターン
を転写するための露光装置、11は露光後のウエハを搬送
するための第二の搬送装置で、この第二の搬送装置11は
前記露光装置10のウエハ排出口（図示せず）と後述する
パターン現像ユニット側の第二のエレベータ12に接続さ
れている。13は前記露光装置10で転写されたパターンの
現像、およびウエハの水洗を行なうための現像ユニット
で、前記第二のエレベータ12に第二のカセットバッファ
7bを介して接続されている。14は後工程のウエハ処理装
置（図示せず）に接続された搬送装置15にウエハを移送
させるためのアンローダーで、このアンローダー14は前
記現像ユニット13の下流側に第三のホットプレート3cを
介して接続されており、半導体製造装置の最後部に配置
されている。前記各ユニットへのウエハの移送は前記レ
ジスト塗布工程側の各ユニットと同様にして搬送ベルト
（図示せず）等によって行われ、ウエハ毎に順次搬送さ
れる。すなわち、この半導体製造装置はローダー1,第一
のホットプレート3a,レジスト付着強化ユニット4,コー
ルドプレート5,スピンコーター６および第二のホットプ
レート3bからなるレジスト塗布部16と、現像ユニット13
および第三のホットプレート3cからなる現像部17とを備
え、これらが第一および第二のカセットバッファ7a,7
b、第一および第二のエレベータ8,12、第一および第二
の搬送装置9,11を介して露光装置10に接続されて構成さ
れている。
示す平面図で、同図に示す半導体製造装置はレジスト塗
布ユニット，現像ユニット等が工程順に並べられインラ
イン化されている。同図において、１は前工程の半導体
ウエハ（以下、単にウエハという）処理装置から搬送装
置２によって搬送されたウエハ（図示せず）を次工程の
ユニットへ移送するためのローダーで、このローダー１
は同図に示す半導体製造装置の最前部に配置されてい
る。3aはウエハを加熱するための第一のホットプレー
ト、４はウエハ上にHMDSをベーパー塗布するためのレジ
スト付着強化ユニット、５はウエハを冷却するためのコ
ールドプレート、６はウエハを回転させた状態でレジス
トを滴下しウエハ上に所定の膜厚をもってレジスト膜を
形成するスピンコーター、3bは第二のホットプレート、
7aは第一のカセットバッファで、これらの各ユニットへ
のウエハの移送は搬送ベルト（図示せず）等によって行
われ、ウエハ毎に順次搬送される。８はウエハ搬送用カ
セット（図示せず）を第一の搬送装置９に移載するため
の第一のエレベーター、10はウエハ上に所定のパターン
を転写するための露光装置、11は露光後のウエハを搬送
するための第二の搬送装置で、この第二の搬送装置11は
前記露光装置10のウエハ排出口（図示せず）と後述する
パターン現像ユニット側の第二のエレベータ12に接続さ
れている。13は前記露光装置10で転写されたパターンの
現像、およびウエハの水洗を行なうための現像ユニット
で、前記第二のエレベータ12に第二のカセットバッファ
7bを介して接続されている。14は後工程のウエハ処理装
置（図示せず）に接続された搬送装置15にウエハを移送
させるためのアンローダーで、このアンローダー14は前
記現像ユニット13の下流側に第三のホットプレート3cを
介して接続されており、半導体製造装置の最後部に配置
されている。前記各ユニットへのウエハの移送は前記レ
ジスト塗布工程側の各ユニットと同様にして搬送ベルト
（図示せず）等によって行われ、ウエハ毎に順次搬送さ
れる。すなわち、この半導体製造装置はローダー1,第一
のホットプレート3a,レジスト付着強化ユニット4,コー
ルドプレート5,スピンコーター６および第二のホットプ
レート3bからなるレジスト塗布部16と、現像ユニット13
および第三のホットプレート3cからなる現像部17とを備
え、これらが第一および第二のカセットバッファ7a,7
b、第一および第二のエレベータ8,12、第一および第二
の搬送装置9,11を介して露光装置10に接続されて構成さ
れている。
次に、このように構成された半導体製造装置の動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
搬送装置２によってローダー１に供給されたウエハは
第一のホットプレート3aで所定温度に加熱され、レジス
ト付着強化ユニット４でHMDSが塗布される。次いで、コ
ールドプレート５に移送されて冷却され、スピンコータ
ー６でレジストが塗布される。そして、スピンコーター
６に隣接して配置された第二のホットプレート3bによっ
て再び加熱され、第一のカセットバッファ7a,第一のエ
レベータ８および第一の搬送装置９を介して露光装置10
に搬送される。パターン転写後、ウエハは第二の搬送装
置11,第二のエレベータ12および第二のカセットバッフ
ァ7bを介して現像ユニット13に搬送される。そして、現
像ユニット13で現像、水洗されたウエハを、この現像ユ
ニット13の下流側に隣接して配置された第三のホットプ
レート3cで加熱して写真製版工程が終了する。しかる
後、ウエハはアンローダー14によって搬送装置15に移送
され、後工程のウエハ処理装置（図示せず）に搬送され
ることになる。
第一のホットプレート3aで所定温度に加熱され、レジス
ト付着強化ユニット４でHMDSが塗布される。次いで、コ
ールドプレート５に移送されて冷却され、スピンコータ
ー６でレジストが塗布される。そして、スピンコーター
６に隣接して配置された第二のホットプレート3bによっ
て再び加熱され、第一のカセットバッファ7a,第一のエ
レベータ８および第一の搬送装置９を介して露光装置10
に搬送される。パターン転写後、ウエハは第二の搬送装
置11,第二のエレベータ12および第二のカセットバッフ
ァ7bを介して現像ユニット13に搬送される。そして、現
像ユニット13で現像、水洗されたウエハを、この現像ユ
ニット13の下流側に隣接して配置された第三のホットプ
レート3cで加熱して写真製版工程が終了する。しかる
後、ウエハはアンローダー14によって搬送装置15に移送
され、後工程のウエハ処理装置（図示せず）に搬送され
ることになる。
しかるに、このように構成された従来の半導体製造装
置においては、各ユニットが水平方向に並べられて配置
されているので、装置を据付けるクリーンルームの床面
積を広く設けなければならず、クリーンルーム自体が大
型化されランニングコストが嵩むという問題があった。
置においては、各ユニットが水平方向に並べられて配置
されているので、装置を据付けるクリーンルームの床面
積を広く設けなければならず、クリーンルーム自体が大
型化されランニングコストが嵩むという問題があった。
本発明に係る半導体製造装置は、半導体ウエハにレジ
ストを塗布し、露光後の現像を行なう各製造ユニットを
上下に積み重ねて配置し、上下の各ユニットを半導体ウ
エハ搬送用エレベータで連結し、かつこの半導体ウエハ
搬送用エレベータと各ユニットとの間で半導体ウエハの
授受を行なう半導体ウエハ移送装置を前記半導体ウエハ
搬送用エレベータに連結したものである。
ストを塗布し、露光後の現像を行なう各製造ユニットを
上下に積み重ねて配置し、上下の各ユニットを半導体ウ
エハ搬送用エレベータで連結し、かつこの半導体ウエハ
搬送用エレベータと各ユニットとの間で半導体ウエハの
授受を行なう半導体ウエハ移送装置を前記半導体ウエハ
搬送用エレベータに連結したものである。
装置の占有面積が減少されることになり、クリーンル
ームの上部空間を有効に利用することができる。
ームの上部空間を有効に利用することができる。
以下、本発明の一実施例を第１図によって詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明に係る半導体製造装置の概略構成を示
す平面図で、同図において前記第２図で説明したものと
同一もしくは同等部材については同一符号を付し、ここ
において詳細な説明は省略する。第１図において、レジ
スト付着強化ユニット４は第一のホットプレート3aの上
方に配設されており、この第一のホットプレート3aの隣
にはスピンコーター６が配置され、このスピンコーター
６の上方にはコールドプレート５が配設されている。ま
た、前記スピンコーター６の隣には第二のホットプレー
ト3bが配置され、その上方には第一のカセットバッファ
7aが配設されている。さらにまた、第二のカセットバッ
ファ7bの上方には現像ユニット13が配設されている。す
なわち、レジスト付着強化ユニット４および第一のホッ
トプレート3a、コールドプレート５およびスピンコータ
ー６、第一のカセットバッファ7aおよび第二のホットプ
レート3b、現像ユニット13および第二のカセットバッフ
ァ7bはそれぞれ上下二段に積み重ねられて縦型に形成さ
れており、上下の各ユニット間はエレベータ21によって
連結されている。また、このエレベータ21へのウエハの
受け渡しおよび互いに隣合うユニット間における水平方
向へのウエハの移送はＯリングを使用したベルト式移送
装置（図示せず）等によって行われる。
す平面図で、同図において前記第２図で説明したものと
同一もしくは同等部材については同一符号を付し、ここ
において詳細な説明は省略する。第１図において、レジ
スト付着強化ユニット４は第一のホットプレート3aの上
方に配設されており、この第一のホットプレート3aの隣
にはスピンコーター６が配置され、このスピンコーター
６の上方にはコールドプレート５が配設されている。ま
た、前記スピンコーター６の隣には第二のホットプレー
ト3bが配置され、その上方には第一のカセットバッファ
7aが配設されている。さらにまた、第二のカセットバッ
ファ7bの上方には現像ユニット13が配設されている。す
なわち、レジスト付着強化ユニット４および第一のホッ
トプレート3a、コールドプレート５およびスピンコータ
ー６、第一のカセットバッファ7aおよび第二のホットプ
レート3b、現像ユニット13および第二のカセットバッフ
ァ7bはそれぞれ上下二段に積み重ねられて縦型に形成さ
れており、上下の各ユニット間はエレベータ21によって
連結されている。また、このエレベータ21へのウエハの
受け渡しおよび互いに隣合うユニット間における水平方
向へのウエハの移送はＯリングを使用したベルト式移送
装置（図示せず）等によって行われる。
そして、各ユニットの上層部にはウエハ上へ異物が付
着せぬように、また、保守点検が容易に行えるようにク
リーンゾーン（図示せず）が設けられている。
着せぬように、また、保守点検が容易に行えるようにク
リーンゾーン（図示せず）が設けられている。
このように構成された半導体製造装置においては、搬
送装置２によってローダー１に供給されたウエハは同図
中矢印Ａに示すように第一のホットプレート3aに水平移
動され、加熱された後エレベータ21によってレジスト付
着強化ユニット４に搬送される。そしてHMDS塗布後、ウ
エハは隣接するコールドプレート５に移送され、さらに
スピンコーター６にエレベータ21によって移送される。
次いで第二のホットプレート3bに移送され、加熱後第一
のカセットバッファ7aに搬送される。ウエハはその後第
一の搬送装置９により露光装置10に搬送され、パターン
転写後、第二の搬送装置11によって第二のカセットバッ
ファ7bに搬送される。そして、現像ユニット13を経た後
第三のホットプレート3cに移送され、加熱後、アンロー
ダー14を介して搬送装置15に搬送されることになる。
送装置２によってローダー１に供給されたウエハは同図
中矢印Ａに示すように第一のホットプレート3aに水平移
動され、加熱された後エレベータ21によってレジスト付
着強化ユニット４に搬送される。そしてHMDS塗布後、ウ
エハは隣接するコールドプレート５に移送され、さらに
スピンコーター６にエレベータ21によって移送される。
次いで第二のホットプレート3bに移送され、加熱後第一
のカセットバッファ7aに搬送される。ウエハはその後第
一の搬送装置９により露光装置10に搬送され、パターン
転写後、第二の搬送装置11によって第二のカセットバッ
ファ7bに搬送される。そして、現像ユニット13を経た後
第三のホットプレート3cに移送され、加熱後、アンロー
ダー14を介して搬送装置15に搬送されることになる。
なお、本実施例では上下二段に積み重ねた構造とした
例を示したが、本発明はこのような限定にとらわれるこ
となく、例えば三段，四段といった階層構造としてもよ
く、またエレベータ21は、第１図に示すように上下二段
に構成された各ユニットの側部に配置されたものに限ら
ず、工程順序、ウエハの移送方向等を鑑み任意の位置に
配置させることができる。
例を示したが、本発明はこのような限定にとらわれるこ
となく、例えば三段，四段といった階層構造としてもよ
く、またエレベータ21は、第１図に示すように上下二段
に構成された各ユニットの側部に配置されたものに限ら
ず、工程順序、ウエハの移送方向等を鑑み任意の位置に
配置させることができる。
以上説明したように本発明によれば、半導体ウエハに
レジストを塗布し、露光後の現像を行なう各製造ユニッ
トを上下に積み重ねて配置し、上下の各ユニットを半導
体ウエハ搬送用エレベータで連結し、かつこの半導体ウ
エハ搬送用エレベータと各ユニットとの間で半導体ウエ
ハの授受を行なう半導体ウエハ移送装置を前記半導体ウ
エハ搬送用エレベータに連結したため、装置の占有面積
が減少されることになる。したがって、クリーンルーム
の上部空間を有効に利用することができ、クリーンルー
ムを小型化することができるから、ランニングコストを
低く抑えることができる。
レジストを塗布し、露光後の現像を行なう各製造ユニッ
トを上下に積み重ねて配置し、上下の各ユニットを半導
体ウエハ搬送用エレベータで連結し、かつこの半導体ウ
エハ搬送用エレベータと各ユニットとの間で半導体ウエ
ハの授受を行なう半導体ウエハ移送装置を前記半導体ウ
エハ搬送用エレベータに連結したため、装置の占有面積
が減少されることになる。したがって、クリーンルーム
の上部空間を有効に利用することができ、クリーンルー
ムを小型化することができるから、ランニングコストを
低く抑えることができる。
第１図は本発明に係る半導体製造装置の概略構成を示す
平面図、第２図は従来の半導体製造装置の概略構成を示
す平面図である。 １……ローダー、3a……第一のホットプレート、3b……
第二のホットプレート、3c……第三のホットプレート、
４……レジスト付着強化ユニット、５……コールドプレ
ート、６……スピンコーター、7a……第一のカセットバ
ッファ、7b……第二のカセットバッファ、10……露光装
置、13……現像ユニット、14……アンローダー、21……
エレベーター。
平面図、第２図は従来の半導体製造装置の概略構成を示
す平面図である。 １……ローダー、3a……第一のホットプレート、3b……
第二のホットプレート、3c……第三のホットプレート、
４……レジスト付着強化ユニット、５……コールドプレ
ート、６……スピンコーター、7a……第一のカセットバ
ッファ、7b……第二のカセットバッファ、10……露光装
置、13……現像ユニット、14……アンローダー、21……
エレベーター。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウエハにレジストを塗布し、露光後
の現像を行なう各製造ユニットを上下に積み重ねて配置
し、上下の各ユニットを半導体ウエハ搬送用エレベータ
で連結し、かつこの半導体ウエハ搬送用エレベータと各
ユニットとの間で半導体ウエハの授受を行なう半導体ウ
エハ移送装置を前記半導体ウエハ搬送用エレベータに連
結したことを特徴とする半導体製造装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63230807A JP2611372B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63230807A JP2611372B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279413A JPH0279413A (ja) | 1990-03-20 |
| JP2611372B2 true JP2611372B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=16913585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63230807A Expired - Lifetime JP2611372B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611372B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7232596B2 (ja) * | 2018-08-30 | 2023-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS635523A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Nec Corp | レジスト材の塗布現像装置 |
| JPS6325944A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Nikon Corp | 照明装置付ウエハ搬送装置 |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP63230807A patent/JP2611372B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS635523A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Nec Corp | レジスト材の塗布現像装置 |
| JPS6325944A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Nikon Corp | 照明装置付ウエハ搬送装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0279413A (ja) | 1990-03-20 |
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