JPH05251337A

JPH05251337A - レジストパターンの形成方法

Info

Publication number: JPH05251337A
Application number: JP3283376A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Ito; 由夫伊東; Tetsushi Machida; 哲志町田; Hirotaka Kurokawa; 博孝黒川
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1991-10-30
Filing date: 1991-10-30
Publication date: 1993-09-28

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】処理ライン間において処理ユニットに関連性
を持たせることにより、処理ユニットの処理能力の差に
より生じるウエハ処理待ちの時間の発生をなくし、ま
た、一部の処理ユニットの停止による処理ライン全体の
停止を防止し、処理の効率の低下を防ぎ、生産性を向上
させる。【構成】１２台の露光装置本体１ａ〜１ｌ及び１２台
の制御ラック２ａ〜２ｌは環状に配置され、インターフ
ェイスユニット３は１２台の露光装置本体１ａ〜１ｌと
自由にウエハの受渡しができるインターフェイス機能と
搬送機能とを備えている。この内側にはホトレジストコ
ーティング処理ユニット５ａ〜５ｌと現像処理ユニット
７ａ〜７ｌが配置され、ユニット３との間に自由にウエ
ハの受渡しができる。処理ユニット５ａ〜５ｌとユニッ
ト７ａ〜７ｌの内側には搬送ユニット４が配置される。
搬送ユニット４はベーク処理ユニット６ａ〜６ｌと８ａ
〜８ｌと処理ユニット５ａ〜５ｌと現像処理ユニット７
ａ〜７ｌとの間でウエハの受渡しを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置のホト
リソグラフィ工程におけるレジストパターンの形成方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】ホトリソグラフィ技術は、ＬＳＩの微細
加工プロセスの基本であり、ＬＳＩの微細加工の成否は
このプロセスの精度に依存している。ホトリソグラフィ
工程は、パターン転写工程とも呼ばれ、フォトレジスト
塗布に始まり、パターン露光、現像をへてパターンのエ
ッチング、フォトレジストの除去によって完結する。技
術的にはこれらは不可分の関係にあり、それそれが他の
工程の性能を引き出すために工夫して用いられるという
関係にある。

【０００３】図１５を用いてホトリソグラフィ工程のレ
ジストパターンの形成方法およびこの工程におけるレジ
スト塗布装置、露光装置、現像装置の関係を説明する。
この図は、代表的なレジストパターンの工程を示してお
り、その工程を順にフローチャートにより示している。
まず、第１に、ウエハ状の半導体基板（以下、ウエハと
いう）に第１ベーク（デハイドロエーションベーク）が
施され、ウエハ表面上に残留する微量の水分が除去され
る。この工程の処理能力は、その設定条件にもよるが、
一般に単位時間（例えば１時間）に６インチのウエハが
４０〜８０枚程度である。

【０００４】第１ベークの後、ホトレジストコーティン
グの処理が行われる。このホトレジストコーティングに
おいて、有機材料を主成分とするホトレジストが例えば
スピンコート法によって、ウエハ表面上に均一な薄膜が
形成される。このホトレジストコーティングの処理能力
は、一般に単位時間（例えば１時間）に６インチのウエ
ハで４０〜８０枚程度である。

【０００５】次に、第２のベーク（プリエクスポージャ
ベーク）が施される。この工程において、ウエハ表面上
に形成されたホトレジスト膜中に残留しているホトレジ
スト溶媒（通常は有機溶剤）が除去される。一般に、上
記の第１ベーク、ホトレジストコーティング、第２のベ
ークの工程までは、レジスト塗布装置を用いて連続的に
処理される。

【０００６】次に、ホトレジスト膜に露光処理が施さ
れ、回路パターンに対応したレジストパターンが形成さ
れる。露光処理に用いられる露光装置としては、例えば
以下のものがある。露光に用いる光として紫外線や遠紫
外線を用いるものとして、縮小プロジェクションアライ
ナ（ステッパ）、反射プロジェクションアライナ、反射
縮小プロジェクションアライナ等があり、電子線を用い
るものとして、ＥＢ露光機（電子ビーム露光機）があ
り、そのほかＸ線やイオンビームを用いるものが知られ
ている。ステッパを用いた場合の処理能力は、一般に、
単位時間に６インチのウエハが２０〜８０枚程度であ
る。

【０００７】露光装置で露光されたウエハには、第３ベ
ーク（ポストエクスポージャベーク）が施され、一般に
定在波と呼ばれる現象の発生が抑えられる。この処理の
処理能力は、一般に、単位時間に６インチのウエハが４
０〜８０枚程度である。この第３ベークの後、現像処理
が施され、レジストパターンが形成される。この処理の
処理能力は、一般に、単位時間に６インチのウエハが２
０〜６０枚程度である。第３ベークの処理は必要に応じ
て施されるものであり、露光処理後、この第３ベークの
処理が施されることなく、直接現像処理が行われること
がある。

【０００８】現像処理後、ウエハは第４ベーク（ポスト
デベロップベープ）が施される。この処理により、現像
処理後のレジストパターンの表面、内部およびウエハ表
面上に残留する微量のリンス液（現像処理後の現像液の
洗浄に用いられる）が除去される。この処理の処理能力
は、一般に、単位時間に６インチのウエハが４０〜８０
枚程度である。一般に、第３ベーク、現像、第４ベーク
の処理は、現像装置において連続的に処理される。

【０００９】この後、レジストパターンの検査をへて次
工程に送られる。図３において、上記の工程が処理され
る装置の従来の配置を説明する。図に示すものはインラ
イン方式と呼ばれる自動受渡し方法の例であり、１２個
のラインが示されている。各ラインは、同じ構成であ
り、それぞれは独立した構成となっている。処理ライン
をラインａにより説明する。

【００１０】ラインａは、第１ベーク、第２ベークが行
われるベーク処理ユニット２６ａと、ホトレジストコー
ティングが行われるホトレジストコーティング処理ユニ
ット２５ａとからなるレジスト塗布装置と、露光処理が
行われる露光装置と、第３ベーク、第４ベークが行われ
るベーク処理ユニット２８ａと現像が行われる現像処理
ユニット２７ａとからなる現像装置と、ベーク処理ユニ
ット２６ａ，２８ａとホトレジストコーティング処理ユ
ニット２５ａおよび現像処理ユニット２７ａの間でウエ
ハの搬送を行う搬送ユニット２４ａと、露光装置本体と
レジスト塗布装置および現像装置の間でウエハを搬送す
るインラインフェースユニット２３ａとから構成されて
いる。

【００１１】露光装置は、露光装置本体２１ａとラック
２２ａとからなっている。他のラインｂ〜ラインｌもラ
インａと同様の構成であり、同様の処理が行われる。ラ
インａ〜ラインｌは、それぞれ独立した構成であり、こ
このラインの処理は他のラインの処理に影響されずに行
われる。以上述べたレジストパターンの形成方法は、自
動かつ連続的なウエハ処理が可能であり、人手に係わる
作業数を減少させることができる。これにより、ＬＳＩ
の不良原因の１つである人体から生じる塵埃のウエハへ
の付着を著しく減少させることができる。したがって、
装置の稼働時間の比率を高めることができる。このこと
は、量産工程において多大な効果を奏することができ
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法では、以下のような問題点があった。（１）各工程における処理装置の処理能力がそれぞれ異
なり、つまり、単位時間あたりのウエハの処理枚数が異
なることにより、ウエハの処理待ち時間が生じることに
なる。ベーク処理やホトレジストコーティング処理のよ
うに処理枚数の多い処理工程の処理ユニット数と、露光
装置や現像装置のように処理枚数の少ない処理工程の処
理ユニット数とを同一とすると、処理枚数の多い処理工
程から処理枚数の少ない処理工程へ進むとき、ウエハを
次の工程における前回の処理が終了するまで待機する必
要がある。また、逆に、露光装置や現像処理ユニットの
設置個数を増やしすぎてしまうと、露光装置や現像処理
ユニットから次の処理ユニットに進む際にウエハ処理待
ちの時間が生じてしまう。

【００１３】（２）また、処理ラインにおいていずれか
の処理ユニットにおいて故障あるいは定期的な保守作業
により、一定時間その処理ユニットの処理が停止してし
まう事態が生じることがある。この際、此の停止した処
理ユニットが含まれている処理ラインは、全ての処理を
停止しなければならず、正常な処理ユニットも停止して
しまうことになる。

【００１４】（３）処理ユニットの停止により、その処
理ユニットをインラインから外して人手によるアシスト
を施すことも可能であるが、この時には、処理の効率が
低下し、さらに、人体から発生する塵埃がウエハ表面に
付着して回路パターンの欠陥になり、ＬＳＩの良品の出
現率にも影響を及ぼす。本発明は、以上述べた問題点を
除去し、処理ライン間において処理ユニットに関連性を
持たせることにより、処理ユニットの処理能力の差によ
り生じるウエハ処理待ちの時間の発生をなくし、また、
一部の処理ユニットの停止による処理ライン全体の停止
を防止し、それにより、処理の効率の低下を防ぎ、生産
性を向上させるレジストパターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、複数処理ラインにおいて同一の処理を行
う処理ユニットを、個々の独立したユニットとしてでは
なく、関連した１群のユニット群として扱い、隣接した
処理ユニット群を関連させて接続し、処理を行う。この
処理ユニット群を関連させて接続し、その接続に基づい
て、処理ユニットの個々の処理能力に関連付けて処理ユ
ニット群内の処理ユニットの個数を定める。

【００１６】

【作用】本発明によれば、半導体製造装置のホトリソグ
ラフィ工程におけるレジストパターンの形成方法におい
て、複数の処理ラインにおいて同様の処理を行う複数の
処理工程を処理ユニット群として扱い、処理ユニット群
の間の接続をそれらの処理ユニットを重複して行う。

【００１７】この方法により、処理ユニット間において
関連性を持たせることができて、各処理ユニットの処理
能力に応じて個数を設定することが可能となり、処理ユ
ニットの処理能力の差により生じるウエハ処理待ちの時
間の発生をなくし、また、一部の処理ユニットの停止の
際には、他の処理ユニットに処理を分散させることによ
り、処理ライン全体の停止を防止することができる。そ
れにより、半導体製造装置のホトリソグラフィ工程の効
率の低下を防ぎ、生産性を向上させることができる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図２はこの発明の実施例を示す装
置の接続方法を示す図であり、図４は従来の装置の接続
方法を示す図である。まず、図４に示される従来の装置
の接続方法について説明する。

【００１９】半導体製造装置のホトリソグラフィ工程の
レジストパターンの形成において、各処理をレジスト塗
布装置と露光装置と現像装置の３工程に分類して説明す
る。図４（ａ）に示すように、レジストパターンの処理
はライン１，２，３の複数のラインにより並列的に行わ
れる。各処理ラインは、それぞれ独立して設置され、ラ
イン間の関連はない。ライン１は、レジスト塗布装置１
と露光装置１と現像装置１とをそれぞれインラインによ
り接続して構成されなる。ライン２，３においても同様
である。図４（ａ）に示すような構成では、レジスト塗
布装置１と露光装置１と現像装置１の処理能力がそれぞ
れ異なるため、次の工程に移る際にウエハ処理待ちの時
間の発生する恐れがある。

【００２０】また、図４（ｂ）に示すように、処理ライ
ン中の一部の処理工程に故障が生じると、そのライン全
てが停止してしまう。ライン１においては、現像装置１
が停止している場合であり、ライン２においては、レジ
スト塗布装置２が停止している場合である。図４（ｂ）
のような状態に陥った場合には、図４（ｃ）に示すよう
に、ライン１においては露光装置１と現像装置１の間の
インラインを解除して、人手による処理を行い、ライン
２においてはレジスト塗布装置１と露光装置１の間およ
び露光装置１と現像装置１の間のインラインを解除し
て、人手による処理を行う。

【００２１】この人手による処理は、処理効率の低下と
ＬＳＩの不良品の出現率の上昇を招くことになる。これ
に対して、図２において、本発明の方法の概念を説明す
る。図４と同様に、３本のラインの例により説明する。
図２（ａ）において、レジスト塗布装置１は、露光装置
１のみならず露光装置２，露光装置３とも重複して接続
されており、同様にレジスト塗布装置２は、露光装置２
のみならず露光装置１，露光装置３とも重複して接続さ
れ、さらに、レジスト塗布装置３は、露光装置３のみな
らず露光装置１，露光装置２とも重複して接続される。
従って、レジスト塗布装置１，レジスト塗布装置２，レ
ジスト塗布装置３からなるのレジスト塗布装置群は、露
光装置１，露光装置２，露光装置３からなる露光装置群
と接続されている。同様に露光装置と現像装置との間に
おいても、露光装置１，露光装置２，露光装置３からな
る露光装置群と現像装置１，現像装置２，現像装置３，
からなる現像装置群が接続されている。上述したように
重複して群単位で接続することにより、各処理ユニット
の間に関連性が生じる。

【００２２】この各処理ユニットの間に関連性を持たせ
ることにより、各処理ユニットの処理能力に応じて個数
を設定することが可能となり、処理ユニットの処理能力
の差により生じるウエハ処理待ちの時間の発生をなくす
ことができる例を以下に説明する。ここで、処理ユニッ
ト１，２の処理能力をａ，ｂ、台数をｘ，ｙ、稼働率を
α，βとすると、処理ユニット１，２の処理数はそれぞ
れａｘα，ｂｙβとなる。処理ユニット１，２の処理数
を等しくすることにより、処理ユニットの処理能力の差
はなくなり、ウエハ処理待ちの時間の発生はなくなるの
で、次の式が成り立つように処理ユニットの台数ｘ，ｙ
を設定すれば良いことになる。

【００２３】ａｘα＝ｂｙβ 図２（ｂ）において、処理ユニットが停止した場合の例
を説明する。ライン１において、現像装置１が停止する
と、露光装置１，３で処理されたウエハは、現像装置
２，現像装置３により処理され、また、露光装置２が停
止すると、レジスト塗布装置１，レジスト塗布装置２，
レジスト塗布装置３で処理されたウエハは、露光装置
１，露光装置３により処理される。したがって、図４に
示す従来例のように停止した処理ユニットが含まれてい
るライン全体が停止してしまうことはない。

【００２４】処理の制御の一実施例を以下に説明する。
上述と同様に処理ユニット１，２の処理能力をａ，ｂ、
台数をｘ，ｙ、稼働率をα，βとし、処理ユニット２の
台数がｙ´に減少した場合を考えると、ａｘα＝ｂｙ´β をみたすように稼働率をα，βを制御すればよい。

【００２５】処理数における従来の技術と本発明のもの
との比較を以下に説明する。ライン１，２，３を有し、
それぞれのが処理ユニット１，２，３からなり、それぞ
れの処理能力をａ₁，ｂ₁，ｃ₁、ａ₂，ｂ₂，ｃ₂、
ａ₃，ｂ₃，ｃ₃、稼働率をα₁，β₁，γ₁、α₂，
β₂，γ₂、α₃，β₃，γ₃とすると、ライン１の処
理ユニット１が停止した場合には、従来の技術によれ
ば、その処理数は、ライン２とライン３のみ駆動するの
で、ａ₂α₂＋ａ₃α₃（＝ｂ₂β₂＋ｂ₃β₃＝ｃ₂γ₂＋ｃ₃γ₃）であり、本発明のものによれば、ａ₂α₂´＋ａ₃α₃´（＝ｂ₁β₁＋ｂ₂β₂＋ｂ₃β₃ ＝ｃ₁γ₁＋ｃ₂γ₂＋ｃ₃γ₃）となる。

【００２６】従って、稼働率α₂´、α₃´を上げるこ
とにより、全体の処理数を確保することができる。ま
た、稼働率α₂´、α₃´を上げることによっても全体
の処理数を確保することができない場合には、処理ユニ
ット間での処理数を均一化して処理の待ち時間を発生さ
せないために、稼働率β₁，β₂，β₃，γ₁、γ₂、
γ₃を変更することができる。

【００２７】図１において、本発明の第１の実施例を説
明する。この実施例では、図３の従来例の各ユニットの
数と同数としてある。１２台の露光装置本体１ａ〜１ｌ
および１２台の制御ラック２ａ〜２ｌは、環状に配置さ
れ、その内側にはインターフェイスユニット３がやはり
環状に配置されている。このインターフェイスユニット
３は１２台の露光装置本体１ａ〜１ｌと自由にウエハの
受渡しができるインターフェイス機能と搬送機能とを備
えている。

【００２８】さらに、このインターフェイスユニット３
の内側には、ホトレジストコーティング処理ユニット５
ａ〜５ｌと現像処理ユニット７ａ〜７ｌが配置され、イ
ンターフェイスユニット３との間に自由にウエハの受渡
しができる。このホトレジストコーティング処理ユニッ
ト５ａ〜５ｌと現像処理ユニット７ａ〜７ｌの内側には
搬送ユニット４が配置される。

【００２９】この搬送ユニット４は、さらに内側に配置
されたベーク処理ユニット６ａ〜６ｌと８ａ〜８ｌと前
記ホトレジストコーティング処理ユニット５ａ〜５ｌと
現像処理ユニット７ａ〜７ｌとの間でウエハの受渡しを
行う。したがって、上記構成により、例えば、露光装置
１は、ホトレジストコーティング処理ユニット５ａ〜５
ｌのいずれからもインターフェイスユニット３により、
インライン処理でウエハを受け取ることができ、また、
いずれのホトレジストコーティング処理ユニット５ａ〜
５ｌからインターフェイスユニット３により、インライ
ン処理でウエハを受け渡すことができる。また、搬送ユ
ニット４によりベーク処理ユニット６ａ〜６ｌと８ａ〜
８ｌと、前記ホトレジストコーティング処理ユニット５
ａ〜５ｌと現像処理ユニット７ａ〜７ｌとの間での任意
のユニット間でのウエハの受渡しも可能となる。

【００３０】図５において、本発明の第２の実施例を説
明する。本発明の第２の実施例においては、露光装置本
体１ａ〜１ｌの両側にベーク処理ユニット６ａ〜６ｌ，
ホトレジストコーティング処理ユニット５ａ〜５ｌおよ
びベーク処理ユニット８ａ〜８ｌ，現像処理ユニット７
ａ〜７ｌが配置されてる。また、この実施例では、ベー
ク処理ユニット６ａ〜６ｌ，ホトレジストコーティング
処理ユニット５ａ〜５ｌを中央に配置して、その両側に
露光装置本体１ａ〜１ｆと露光装置本体１ｇ〜１ｌ、お
よびベーク処理ユニット８ａ〜８ｆと８ｇ〜８ｌ，現像
処理ユニット７ａ〜７ｆと７ｇ〜７ｌが配置された構成
となっている。上記実施例は保守性において優れてい
る。

【００３１】図６において、本発明の第３の実施例を説
明する。本発明の第３の実施例においては、露光装置本
体１ａ〜１ｌと、ホトレジストコーティング処理ユニッ
ト５ａ〜５ｌおよび現像処理ユニット７ａ〜７ｌの設置
エリアを完全に分離した例である。インターフェイスユ
ニット３の一方の端部の両側に露光装置本体１ａ〜１ｆ
と露光装置本体１ｇ〜１ｌを配置し、インターフェイス
ユニット３の他方の端部の片側にホトレジストコーティ
ング処理ユニット５ａ〜５ｌとベーク処理ユニット６ａ
〜６ｌを配置し、さらに他の片側に現像処理ユニット７
ａ〜７ｌとベーク処理ユニット８ａ〜８ｌを配置してな
る。

【００３２】図７において、本発明の第４の実施例を説
明する。本発明の第４の実施例においては、ホトレジス
トコーティング処理ユニット５ａ〜５ｌとベーク処理ユ
ニット６ａ〜６ｌを、露光装置本体１ａ〜１ｌと現像処
理ユニット７ａ〜７ｌとベーク処理ユニット８ａ〜８ｌ
から分離してオフラインとした例である。そして、ホト
レジストコーティング処理ユニット５ａ〜５ｌとベーク
処理ユニット６ａ〜６ｌは、インターフェイスユニット
３ａにより搬送が行われる。ホトレジストコーティング
処理ユニット５ａ〜５ｌおよびベーク処理ユニット６ａ
〜６ｌと露光装置本体１ａ〜１ｌ、現像処理ユニット７
ａ〜７ｌおよびベーク処理ユニット８ａ〜８ｌとの間の
搬送は、ハンドリングユニット９により行われる。

【００３３】図８において、本発明の第５の実施例を説
明する。本発明の第５の実施例において、１つのインタ
ーフェイスユニット３に沿ってホトレジスト塗布処理の
ホトレジストコーティング処理ユニット５ａ〜５ｌとベ
ーク処理ユニット６ａ〜６ｌ、露光処理の露光装置本体
１ａ〜１ｌとラック２ａ〜２ｌ、および現像処理の現像
処理ユニット７ａ〜７ｌおよびベーク処理ユニット８ａ
〜８ｌが処理の順に配置されて構成される。それぞれの
処理ユニットはインターフェイスユニット３の片側に配
置されたものであり，装置の設置距離が長くなるもの
の、処理の順に装置が配置されているので保守が容易と
なっている。

【００３４】図９において、本発明の第６の実施例を説
明する。前記第５の実施例においては、ホトレジストコ
ーティング処理ユニット５ａ〜５ｌ、ベーク処理ユニッ
ト６ａ〜６ｌ、露光処理の露光装置本体１ａ〜１ｌ、ラ
ック２ａ〜２ｌ、現像処理の現像処理ユニット７ａ〜７
ｌおよびベーク処理ユニット８ａ〜８ｌを１つのインタ
ーフェイスユニット３に沿って配置したが、この実施例
ではインターフェイスユニット３の両側に配置される例
を示す。この例においても、前記第５の実施例と同様に
処理の順に配置されるとともに、装置の設置距離を短縮
することができる。

【００３５】図１０において、本発明の第７の実施例を
説明する。第７の実施例は、第５の実施例の変形であ
り、１つのインターフェイスユニット３に対して一方の
側に露光処理の露光装置本体１ａ〜１ｌ、ラック２ａ〜
２ｌを配置し、他方の側にホトレジストコーティング処
理ユニット５ａ〜５ｌ、ベーク処理ユニット６ａ〜６ｌ
と現像処理の現像処理ユニット７ａ〜７ｌおよびベーク
処理ユニット８ａ〜８ｌを配置したものである。

【００３６】図１１において、本発明の第８の実施例を
説明する。第８の実施例は、２つのインターフェイスユ
ニット３ａ，３ｂを用いた例である。ホトレジストコー
ティング処理ユニット５ａ〜５ｌ、ベーク処理ユニット
６ａ〜６ｌと露光処理の露光装置本体１ａ〜１ｌ、ラッ
ク２ａ〜２ｌとの間は第１のインターフェイスユニット
３ａにより接続され、露光処理の露光装置本体１ａ〜１
ｌ、ラック２ａ〜２ｌと現像処理の現像処理ユニット７
ａ〜７ｌ、ベーク処理ユニット８ａ〜８ｌとの間は第２
のインターフェイスユニット３ｂによって接続されてい
る。第１，第２のインターフェイスユニット３ｂ，３ｂ
を用いて、露光処理の露光装置本体１ａ〜１ｌへ向かっ
てのウエハの移動と、露光処理の露光装置本体１ａ〜１
ｌからのウエハの移動とを分離することにより、ウエハ
の移動の制御が容易となる。

【００３７】図１２において、本発明の第９の実施例を
説明する。第９の実施例も第８の実施例と同様に２つの
インターフェイスユニット３ａ，３ｂを用いた例であ
る。２つのインターフェイスユニット３ａ，３ｂは、露
光装置本体１ａ〜１ｌ、ラック２ａ〜２ｌを挟むように
して配置され、ホトレジストコーティング処理ユニット
５ａ〜５ｌ、ベーク処理ユニット６ａ〜６ｌは、第１の
インターフェイスユット３ａ側に配置され、現像処理ユ
ニット７ａ〜７ｌ、ベーク処理ユニット８ａ〜８ｌは、
第２のインターフェイスユニット３ｂ側に配置される。

【００３８】図１３において、本発明の第１０の実施例
を説明する。第１０の実施例は、第９の実施例を環状に
配置したものである。同心円状に配置された２つのイン
ターフェイスユニット３ａ，３ｂの中心あるいは外周部
にホトレジストコーティング処理ユニット５ａ〜５ｌ、
ベーク処理ユニット６ａ〜６ｌあるいは現像処理ユニッ
ト７ａ〜７ｌ、ベーク処理ユニット８ａ〜８ｌを配置
し、２つのインターフェイスユニット３ａ，３ｂの間に
露光装置本体１ａ〜１ｌ、ラック２ａ〜２ｌを設置して
構成される。

【００３９】図１４において、本発明の第１１の実施例
を説明する。第１１の実施例は、ホトレジストコーティ
ング処理ユニット５ａ〜５ｌ、ベーク処理ユニット６ａ
〜６ｌ、露光装置本体１ａ〜１ｌ、ラック２ａ〜２ｌ、
現像処理ユニット７ａ〜７ｌ、ベーク処理ユニット８ａ
〜８ｌを放射状に配置してなる１つの単位をインターフ
ェイスユニット３によりそれぞれ接続したものである。
この実施例では、通常は、放射状に配置された１つの単
位て処理を行い、異常時にインターフェイスユニット３
を介してウエハの搬送を行うのが効率的である。

【００４０】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。

【００４１】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下の効果を奏することができる。（１）処理ユニット間において関連性を持たせることが
できるため、各処理ユニットの処理能力に応じて個数を
設定することが可能となり、処理ユニットの処理能力の
差により生じるウエハ処理待ちの時間の発生をなくすこ
とができる。（２）一部の処理ユニットの停止の際には、他の処理ユ
ニットに処理を分散させることにより、処理ライン全体
の停止を防止することができる。（３）半導体製造装置のホトリソグラフィ工程の効率の
低下を防ぎ、生産性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す処理ユニットの配
置を示す図である。

【図２】本発明の実施例を示す装置の接続方法を説明す
る図である。

【図３】従来の処理ユニットの配置を示す。

【図４】従来の装置の接続方法を説明する図である。

【図５】本発明の第２の実施例を示す処理ユニットの配
置を示す図である。

【図６】本発明の第３の実施例を示す処理ユニットの配
置を示す図である。

【図７】本発明の第４の実施例を示す処理ユニットの配
置を示す図である。

【図８】本発明の第５の実施例を示す処理ユニットの配
置を示す図である。

【図９】本発明の第６の実施例を示す処理ユニットの配
置を示す図である。

【図１０】本発明の第７の実施例を示す処理ユニットの
配置を示す図である。

【図１１】本発明の第８の実施例を示す処理ユニットの
配置を示す図である。

【図１２】本発明の第９の実施例を示す処理ユニットの
配置を示す図である。

【図１３】本発明の第１０の実施例を示す処理ユニット
の配置を示す図である。

【図１４】本発明の第１１の実施例を示す処理ユニット
の配置を示す図である。

【図１５】レジスト塗布装置、露光装置、現像装置の関
係を示す図である。

【符号の説明】

１ａ〜１ｌ露光装置本体２ａ〜２ｌラック３，３ａ，３ｂインターフェイスユニット５ａ〜５ｌホトレジストコーティング処理ユニット６ａ〜６ｌベーク処理ユニット７ａ〜７ｌ現像処理ユニット８ａ〜８ｌベーク処理ユニット９ハンドリングユニット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともレジスト塗布処理と露光処理
と現像処理を含む複数の処理工程からなるホトリソグラ
フィ工程におけるレジストパターンの形成方法におい
て，（ａ）それぞれの前記処理を並列的な複数の独立した処
理部からなる群により形成し、（ｂ）該群間における処理部の接続を多岐的接続として
処理群間の接続に自由度を持たせることを特徴とするレ
ジストパターンの形成方法。
【請求項２】請求項１記載のレジストパターンの形成
方法において、前記処理群内の全てのあるいは任意の処
理部のそれぞれを、他の処理群内の全てのあるいは任意
の複数の処理部と接続させることを特徴とするレジスト
パターンの形成方法。
【請求項３】請求項１記載のレジストパターンの形成
方法において、前記処理群内の処理部の個数を、該処理
部の処理能力と、当該処理群と接続する処理群の処理部
の個数、処理能力、および前記接続関係から処理の待ち
時間が解消されるよう設定することを特徴とするレジス
トパターンの形成方法。
【請求項４】請求項１記載のレジストパターンの形成
方法において、前記処理部のいずれかが停止した際に、
当該停止した処理部と接続された処理部との接続を切り
離し、該切り離された処理部の属する処理群内の他の処
理部にウエハの搬送を行うことを特徴とするレジストパ
ターンの形成方法。
【請求項５】請求項３記載のレジストパターンの形成
方法において、前記処理群内の処理部の個数とそれぞれ
の処理能力とから該処理群の処理能力を定め、該処理群
の処理能力が処理群間で等しくなるようにしたことを特
徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項６】請求項４記載のレジストパターンの形成
方法において、前記他の処理部の稼働率を調節すること
を特徴とするレジストパターンの形成方法。