JP3576831B2 - 処理装置 - Google Patents
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Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えばLCDガラス基板、半導体ウエハ等の被処理体に対してレジスト塗布、露光および現像処理のような複数の処理を施す処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置(LCD)や半導体デバイスの製造においては、基板であるLCDガラス基板や半導体ウエハに、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成する。
【0003】
このフォトリソグラフィー技術では、被処理体であるLCD基板や半導体ウエハは、アドヒージョン(疎水化)処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークユニットという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
【0004】
従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な搬送装置により各処理ユニットへの被処理体の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われている。そして、生産ラインにおいては、生産量に応じた数の処理システムを配置している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような処理システムにおいては、プロセスフローに応じて搬送路に沿って各処理ユニットを配置する構成であるため、処理ユニット追加の自由度が高くない。したがって、生産量に応じて段階的に装置を拡張することが困難である。また、必要タクトに対して各処理ユニットの数をプロセスブロック内で最適化しようとすると、システムが冗長となることがあり、コスト高につながるため、処理ユニットの数を必要タクトに対して最適化することが困難である。また、このようなシステムにおいて各処理ユニットをタクトを重視して配置すると、システムの設置面積が比較的大きくなってしまう。
【0006】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、処理ユニットの追加の自由度が高く、段階的に拡張が可能な処理装置を提供することを目的とする。また、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすく、かつ設置面積を小さくすることができる処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点によれば、被処理体に対してレジスト塗布、露光、および露光後の現像を行う処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、
塗布されたレジストに対して所定パターンに露光する露光ユニットを複数配置してなる露光ブロックと、
露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を具備することを特徴とする処理装置が提供される。
【0008】
本発明の第2の観点によれば、被処理体に対して複数の処理を施すための処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
前記主搬送ラインに連結された、被処理体に対して同一の処理を行う処理ユニットを複数配置してなる複数の処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各処理ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を有することを特徴とする処理装置が提供される。
【0009】
本発明の第3の観点によれば、被処理体に対してレジスト塗布、および露光後の現像を行う処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、
露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を具備することを特徴とする処理装置が提供される。
【0010】
上記本発明の第1の観点においては、レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、塗布されたレジストに対して所定パターンに露光する露光ユニットを複数配置してなる露光ブロックと、露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックとを、受け渡しポートを介して主搬送ラインとの間で被処理体を受け渡しするように設けたので、レジスト塗布、露光、露光後の現像を一括して行うことができるとともに、塗布処理ブロック、露光ブロック、現像処理ブロックは、それぞれ他のブロックに影響を与えることなく自由に各ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。また、このように各ユニットを集約することにより、レジスト塗布処理ユニット、露光ユニット、現像処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、また薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。さらに、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部を主搬送ライン上に設けたので、装置の設置面積を一層小さくすることができる。
【0011】
上記本発明の第2の観点においては、被処理体に対して同一の処理を行う処理ユニットを複数配置してなる複数の処理ブロックを主搬送ラインに連結して設け、かつ主搬送ラインと各処理ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートを設けたので、各処理ブロックにおいては、他の処理ブロックに影響を与えることなく自由に処理ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。また、このように各処理ユニットを集約することにより、必要な処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、かつ薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。さらに、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部を主搬送ライン上に設けたので、装置の設置面積を一層小さくすることができる。
【0012】
上記本発明の第3の観点においては、レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、塗布されたレジストの露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックとを、受け渡しポートを介して主搬送ラインとの間で被処理体を受け渡しするように設けたので、レジスト塗布、露光後の現像を一括して行うことができるとともに、レジスト塗布処理ブロック、現像処理ブロックは、それぞれ他のブロックに影響を与えることなく自由に各ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。また、このように各ユニットを集約することにより、レジスト塗布処理ユニット、現像処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、また薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。さらに、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部を主搬送ライン上に設けたので、装置の設置面積を一層小さくすることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るLCD基板の処理装置を示す平面図である。
【0014】
この処理装置100は、LCD基板を搬入するためのローダ部1、LCD基板に対してレジスト塗布、露光、現像処理を行う処理部2、およびLCD基板を搬出するためのアンローダ部3を備えている。
【0015】
ローダ部1は、複数のLCD基板Sを収容する複数のキャリアCを載置するキャリアステーション11と、キャリアステーション11のキャリアCに収容された基板Sを処理部2へ搬送する搬送部12とを有している。搬送部12は、カセットの配列方向に沿って設けられた搬送路12a上を移動可能な搬送機構13を有しており、その搬送アーム13aを前後動、上下動、回転させることによりキャリアC内の基板Sを搬送するようになっている。
【0016】
アンローダ部3は、複数のLCD基板Sを収容する複数のキャリアCを載置するキャリアステーション14と、処理部2から基板Sをキャリアステーション14のキャリアCに搬送する搬送部15とを有している。搬送部15は、カセットの配列方向に沿って設けられた搬送路15a上を移動可能な搬送機構16を有しており、その搬送アーム16aを前後動、上下動、回転させることによりキャリアC内の基板Sを搬送するようになっている。
【0017】
処理部2は、基板Sに対してブラシ洗浄を行う8個のスクラバ洗浄ユニット(SCR)211を有する洗浄ブロック21と、レジスト塗布処理ユニット(CT)22および基板Sの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバー(ER)23が一体的に設けらた4個のレジスト塗布/エッジリムーバユニット(CT/ER)221を有するレジスト塗布/エッジリムーバブロック22と、基板Sに形成されたレジスト膜を所定パターンで露光する5個の露光ユニット(EXP)231を有する露光ブロック23と、基板Sの露光されたレジスト膜をのパターンを現像する12個の現像処理ユニット(DEV)241を有する現像処理ブロック24とを有している。
【0018】
また、処理部2は、ローダ部1からアンローダ部3へ至る主搬送ラインLを有している。この主搬送ラインL上に、ローダ部1側から紫外線照射エリア(UV)25、冷却エリア(COL)26、加熱エリア(HP)27、アドヒージョン処理エリア(AD)28、冷却エリア(COL)29、加熱エリア(HP)30、冷却エリア(COL)31、搬送エリア(TR)32、加熱エリア(HP)33、冷却エリア(COL)34がこの順で配列されている。これらはいわゆるトラックタイプであり、基板Sに対してプレート上で所定の処理を施した後、ウォーキングビーム等で主搬送ラインL上に基板Sを搬送する。なお、搬送エリア(TR)32は加熱、冷却等の処理は行わず、単に基板Sを搬送するようになっている。
【0019】
前記洗浄ブロック21、レジスト塗布/エッジリムーバブロック22、露光ブロック23、現像処理ブロック24は、主搬送ラインLに接続されている。具体的には、洗浄ブロック21は冷却エリア(COL)26と加熱エリア(HP)27との間の受け渡し部35a,35bを介して、レジスト塗布/エッジリムーバブロック22は冷却エリア(COL)29と加熱エリア(HP)30との間の受け渡し部36a,36bを介して、露光ブロック23は冷却エリア(COL)31と搬送エリア(TR)32との間の受け渡し部37a,37bを介して、現像処理ブロック24は搬送エリア(TR)32と加熱エリア(HP)33との間の受け渡し部38a,38bを介して、それぞれ主搬送ラインLに接続されている。
【0020】
洗浄ブロック21は、主搬送ラインLから垂直に延びる搬送路212を有しており、搬送路212の両側に4個ずつのスクラバ洗浄ユニット(SCR)211が配置されている。そして、搬送路212に沿って移動可能に搬送装置213が設けられている。搬送装置213は搬送アーム214を有しており、その搬送アーム214を前後動、上下動、回転させることにより、受け渡し部35aから基板Sを受け取り、各スクラバ洗浄ユニット(SCR)211に対する基板Sの搬入出を行い、各スクラバ洗浄ユニット(SCR)211から搬出された基板Sを受け渡し部35bへ搬送する。
【0021】
スクラバ洗浄ユニット(SCR)211は、基板Sを回転させながら基板Sの表面をブラシ洗浄およびジェット水洗浄等を行えるようになっている。
【0022】
レジスト塗布/エッジリムーバブロック22は、主搬送ラインLから垂直に延びる搬送路222を有しており、搬送路222の両側に2個ずつのレジスト塗布/エッジリムーバユニット(CT/ER)221が配置されている。そして、搬送路222に沿って移動可能に搬送装置223が設けられている。搬送装置223は搬送アーム224を有しており、その搬送アーム224を前後動、上下動、回転させることにより、受け渡し部36aから基板Sを受け取り、各レジスト塗布/エッジリムーバユニット(CT/ER)221に対する基板Sの搬入出を行い、各レジスト塗布/エッジリムーバユニット(CT/ER)221から搬出された基板Sを受け渡し部36bへ搬送する。
【0023】
レジスト塗布/エッジリムーバユニット(CT/ER)221は、スピンチャック上の基板Sを回転させながらレジスト液を基板上に供給して、遠心力で基板S上にレジスト液を塗布し、レジスト膜を形成するとともに、隣接するステージに基板Sを搬送し、そこで基板Sの四辺に沿って移動するリムーバーヘッドからシンナー等の溶剤を吐出して基板Sの周縁部に付着した余分なレジストを除去するようになっている。
【0024】
露光ブロック23は、主搬送ラインLから垂直に延びる搬送路232を有しており、搬送路232の両側に2個ずつ、搬送路232の先端に1個の露光ユニット(EXP)231が配置されている。そして、搬送路232に沿って移動可能に搬送装置233が設けられている。搬送装置233は搬送アーム234を有しており、その搬送アーム234を前後動、上下動、回転させることにより、受け渡し部37aから基板Sを受け取り、各露光ユニット(EXP)231に対する基板Sの搬入出を行い、各露光ユニット(EXP)231から搬出された基板Sを受け渡し部36bへ搬送する。
【0025】
露光ユニット(EXP)231は、基板Sの表面に形成された感光性のレジスト膜を、フォトマスクを用いて所定パターンに露光する。
【0026】
現像処理ブロック24は、主搬送ラインLから垂直に延びる搬送路242を有しており、搬送路242の両側に5個ずつの現像処理ユニット(DEV)241が配置されている。そして、搬送路242に沿って移動可能に搬送装置243が設けられている。搬送装置243は搬送アーム244を有しており、その搬送アーム244を前後動、上下動、回転させることにより、受け渡し部38aから基板Sを受け取り、各現像処理ユニット(DEV)241に対する基板Sの搬入出を行い、各現像処理ユニット(DEV)241から搬出された基板Sを受け渡し部38bへ搬送する。
【0027】
現像処理ユニット(DEV)241は、スリットタイプの現像液ノズルをスキャンさせながらスピンチャック上の基板に現像液を塗布し、所定の現像処理が終了した時点で基板Sを回転させ、現像液を振り切り乾燥させる。
【0028】
洗浄ブロック21、レジスト塗布/エッジリムーバブロック22、露光ブロック23、および現像処理ブロック24は、いずれも各ユニットが増減可能となっており、それに応じて搬送路も着脱自在となっている。すなわち、例えば、現像処理ブロック24を例に採ると、装置納入当初は図2の(a)に示すように、現像処理ユニット(DEV)241を2個だけ設け、それに対応して搬送路242も短くしておき、生産量の増大に対応して図2の(b)、(c)のように現像処理ユニット241を4個、6個と増加し、それに対応して搬送路242を長くするようにすることが可能となっている。現像処理ユニット(DEV)241が2個だけの場合には、搬送装置243は必ずしも搬送路242を走行する必要がないので、搬送装置243をより簡易な構造のものとすることが可能である。なお、図2の(a)に示すように、搬送路242のオリジナル部分には2つのユニット接続ポート244と1つの搬送路接続ポート245が設けられており、図2の(b)、(c)に示すように、これら接続ポート244,245に現像処理ユニット(DEV)241および搬送路の追加分を順次接続していく。
【0029】
この場合に、これらブロックのうち、いずれかまたは全部について、対応するユニットを取り付けずにユーザーに納入し、ユーザー側のオプションで各ユニットを取り付けるようにすることも可能である。
【0030】
このように構成される処理装置100においては、まず、ローダ部1のキャリアCから搬送機構13の搬送アーム13aにより1枚のLCD基板Sが取り出され、処理部2の紫外線照射エリア(UV)25に搬送される。紫外線照射エリア(UV)25では、紫外線照射により基板S表面が洗浄される。紫外線照射が終了すると基板Sは冷却エリア(COL)26で冷却された後、受け渡し部35aに載置される。
【0031】
受け渡し部35aに載置された基板Sは、搬送装置213の搬送アーム214に受け取られ、洗浄ブロック21に搬入される。そして、基板Sは搬送アーム214により所定のスクラバ洗浄ユニット(SCR)211に搬入され、そこでスクラバ洗浄処理が行われる。
【0032】
ローダ部1からは、次々に基板Sが処理部2へ供給され、紫外線照射エリア(UV)25で紫外線照射が行われ、冷却エリア(COL)26で冷却された基板Sが次々に受け渡し部35aを介して洗浄ブロック21に供給される。そして、いずれかのスクラバ洗浄ユニット(SCR)211で洗浄処理が終了した基板Sは、搬送装置213の搬送アーム214によりスクラバ洗浄ユニット(SCR)211から搬出され、次いで受け渡し部35bに載置される。
【0033】
受け渡し部35bに載置された基板Sは、加熱エリア(HP)27に搬入され、そこで加熱された後、アドヒージョン処理エリア(AD)28に搬送されてアドヒージョン処理(疎水化処理)され、次いで冷却エリア(COL)29で冷却された後、受け渡し部36aに載置される。
【0034】
受け渡し部36aに載置された基板Sは、搬送装置223の搬送アーム224に受け取られ、レジスト塗布/エッジリムーバブロック22に搬入される。そして、基板Sは搬送アーム224により所定のレジスト塗布/エッジリムーバユニット(CT/ER)221に搬入され、そこでレジスト塗布および周縁レジスト除去処理が行われる。
【0035】
洗浄処理ブロック21からは、受け渡し部35b、加熱エリア(HP)27、アドヒージョン処理エリア(AD)28、冷却エリア(COL)29、受け渡し部36aを介して、次々に基板Sがレジスト塗布/エッジリムーバブロック22に供給される。そして、いずれかのレジスト塗布/エッジリムーバユニット(CT/ER)221でレジスト塗布および周縁レジスト除去処理が終了した基板Sは、搬送装置223の搬送アーム224によりレジスト塗布/エッジリムーバユニット(CT/ER)221から搬出され、次いで受け渡し部35bに載置される。
【0036】
受け渡し部36bに載置された基板Sは、加熱エリア(HP)30でプリベーク処理され、次いで冷却エリア(COL)31で冷却された後、受け渡し部37aに載置される。
【0037】
受け渡し部37aに載置された基板Sは、搬送装置233の搬送アーム234に受け取られ、露光ブロック23に搬入される。そして、基板Sは搬送アーム234により所定の露光ユニット(EXP)231に搬入され、そこで所定パターンに露光される。
【0038】
レジスト塗布/エッジリムーバブロック22からは、受け渡し部36b、加熱エリア(HP)30、冷却エリア(COL)31、受け渡し部37aを介して、次々に基板Sが露光ブロック23に供給される。そして、いずれかの露光ユニット(EXP)231で露光が終了した基板Sは、搬送装置233の搬送アーム234により露光ユニット(231)から搬出され、次いで受け渡し部37bに載置される。
【0039】
受け渡し部37bに載置された基板Sは、搬送エリア(TR)32を介して受け渡し部38aに搬送される。
【0040】
受け渡し部38aに載置された基板Sは、搬送装置243の搬送アーム244に受け取られ、現像処理ブロック24に搬入される。そして、基板Sは搬送アーム244により所定の現像処理ユニット(DEV)241に搬入され、そこで露光パターンが現像される。
【0041】
露光ブロック23からは、受け渡し部37b、搬送エリア(TR)32、受け渡し部38aを介して、次々に基板Sが現像処理ブロック24に供給される。そして、いずれかの現像処理ユニット(DEV)241で現像処理が終了した基板Sは、搬送装置243の搬送アーム344により現像処理ユニット(DEV)241から搬出され、次いで受け渡し部38bに載置される。
【0042】
受け渡し部38bに載置された基板は、加熱エリア(HP)33に搬送され、そこでポストベーク処理された後、冷却エリア(COL)34で冷却され、次いでアンローダ部3に搬送される。アンローダ部3に搬送された基板Sは、搬送機構16の搬送アーム16aにより、所定のキャリアCに収納される。このような操作を所定枚数、例えば4キャリア分行い、処理を終了する。
【0043】
このような処理装置100によれば、スクラバ洗浄ユニット(SCR)211を複数配置してなる洗浄ブロック21、レジスト塗布処理/エッジリムーバユニット(CT/ER)221を複数配置してなるレジスト塗布処理/エッジリムーバブロック22と、塗布されたレジストに対して所定パターンに露光する露光ユニット(EXP)231を複数配置してなる露光ブロック23と、露光後の現像を行う現像処理ユニット(DEV)241を複数配置してなる現像処理ブロック24とを設け、各受け渡し部を介して主搬送ラインLとの間でLCD基板Sを搬送するようにしたので、以下のような効果を得ることができる。
【0044】
(1)洗浄、レジスト塗布、露光、露光後の現像およびこれらに付随する熱処理、アドヒージョン処理等を一括して行うことができる。
(2)洗浄ブロック21、レジスト塗布処理/エッジリムーバブロック22、露光ブロック23、現像処理ブロック24は、それぞれ他のブロックに影響を与えることなく自由に各ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。
(3)また、このように各ユニットを集約することにより、レジスト塗布処理ユニット、露光ユニット、現像処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、また薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。
【0045】
また、加熱、冷却、紫外線照射、アドヒージョン処理等のオーブンエリアをトラックタイプとしてこれらを主搬送ラインL上に設けたので、装置の設置面積を一層小さくすることができる。
【0046】
図1の処理装置においては、各ブロックの搬送装置213,223,233,243は従来の装置で用いられているものであり、これらのタクトは8秒/枚・工程(受け渡しが5秒、ユニット移動が平均で3秒)であり、対プロセスユニットと受け渡し部への搬送で最低2工程は必要であることから、装置のスループットは8秒/枚・工程×2工程=16秒/枚である。図3に示す従来のレジスト塗布・露光・現像処理装置ではスループットが60秒/枚であることから、図1の装置は図3の装置の4つ分の処理能力を有する。
【0047】
図3の従来の処理装置300は、キャリアステーション301と、基板Sにレジスト塗布および現像処理を行う処理部302と、露光ユニット303とを備えている。キャリアステーション301は、搬送路310を移動しつつキャリアCと処理部302との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機構311を備えている。
【0048】
処理部302は、前段処理ブロック302aと中段処理ブロック302bと後段処理ブロック302cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路312、313、314を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には受け渡し部318、319が設けられている。前段処理ブロック302aは、搬送路312に沿って移動可能な主搬送装置315を備えており、搬送路312の一方側には、2つのスクラバ洗浄ユニット(SCR)320が配置されており、搬送路312の他方側には紫外線照射ユニット(UV)、加熱ユニット(HP)、冷却ユニット(COL)を含むオーブン系ユニット群323が配置されている。中段処理ブロック302bは、搬送路313に沿って移動可能な主搬送装置316を備えており、搬送路313の一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)およびエッジリムーバー(ER)が一体的に設けられたユニット321が配置されており、搬送路313の他方側には、アドヒージョン処理ユニット(AD)、冷却ユニット(COL)、加熱ユニット(HP)を含むオーブン系ユニット群324が配置されている。後段処理ブロック302cは、搬送路314に沿って移動可能な主搬送装置317を備えており、搬送路314の一方側には、3つの現像処理ユニット(DEV)324が配置されており、搬送路314の他方側には加熱ユニット(HP)、冷却ユニット(COL)を含むオーブン系ユニット群325が配置されている。
【0049】
このような装置においては、キャリアステーション301でキャリアCから取り出された基板Sが処理部302に搬入され、前段ブロック302aで紫外線照射処理およびスクラバ洗浄処理が施され、中段ブロック302bでアドヒージョン処理、レジスト塗布処理、プリベーク処理が施され、引き続き露光ユニット303で露光された後、後段部302cで現像処理およびプリベーク処理される。そして、これら処理が終了した後、基板Sはキャリアステーション301に戻される。
【0050】
このような従来の処理装置は、必要タクトに対して各処理ユニットの数をプロセスブロック302a,302b,302c内で最適化する観点から、スクラバ洗浄ユニット(SCR)320が2個、現像処理ユニット(DEV)322が3個必要であるが、図1の本実施形態に係る処理装置ではスクラバ洗浄ユニット(SCR)211が8個、現像処理ユニット(DEV)241が10個と図3の装置4つ分のユニット数よりも少なくすることができ、コストダウンに繋がる。また、このようにユニット数を少なくすることに加え、オーブン系ユニットをトラックタイプにしたことにより、装置の設置面積を小さくすることができる。ちなみに、図1の処理装置の場合には、図3の処理装置4台分の設置面積の約75%の設置面積とすることができる。なお、図1の装置は余裕をもって処理する観点から露光ユニットが5台となっているが、4台でも同様のスループットを実現することができる。また、このように露光ユニットを5台としても、図3の装置4台分よりも設置面積を小さくすることができる。
【0051】
また、図1の本実施形態に係る装置においては、各ブロックの処理ユニットを増減することが可能であることから、当初生産量が少ない場合は処理ユニットを少なくしておき、生産量の増大に応じて段階的に処理ユニットを増加して拡張することが可能である。
【0052】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、オーブン系ユニットをトラックタイプとして主搬送ラインLに沿って設けるようにしたが、これに限らずオーブン系のみを集約した処理ブロックを主搬送ラインに接続するようにしてもよい。また、各処理ユニットの配置および数は上記実施形態に限るものではない。上記実施形態では洗浄ブロックを設けたが、洗浄ブロックは必須なものではない。さらに、上記実施形態においては、レジスト塗布・露光・現像処理に本発明を適用した例について示したが、これに限らず、他の処理に適用することも可能である。さらにまた、基板としてLCD基板を用いた場合について示したが、これに限らず半導体ウエハ等他の被処理体の処理の場合にも適用可能であることはいうまでもない。
【0053】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被処理体に対して同一の処理を行う処理ユニットを複数配置可能な複数の処理ブロックを主搬送ラインに連結して設け、かつ主搬送ラインと各処理ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートを設けたので、各処理ブロック毎に処理ユニットの数の増減の自由度が高く、当初生産量が少ない場合は処理ユニットを少なくしておき、生産量の増大に応じて段階的に処理ユニットを増加して拡張することが可能である。
【0054】
また、被処理体に対して同一の処理を行う処理ユニットを複数配置してなる複数の処理ブロックを主搬送ラインに連結して設け、かつ主搬送ラインと各処理ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートを設けたので、各処理ブロックにおいては、他の処理ブロックに影響を与えることなく自由に処理ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。また、このように各処理ユニットを集約することにより、必要な処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、かつ薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。
【0055】
さらに、レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、塗布されたレジストに対して所定パターンに露光する露光ユニットを複数配置してなる露光ブロックと、露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックとを具備し、受け渡しポートを介して主搬送ラインとの間で被処理体を搬送するようにしたので、レジスト塗布、露光、露光後の現像を一括して行うことができるとともに、レジスト塗布処理ブロック、露光ブロック、現像処理ブロックは、それぞれ他のブロックに影響を与えることなく自由に各ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。また、このように各ユニットを集約することにより、レジスト塗布処理ユニット、露光ユニット、現像処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、また薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るLCD基板の処理装置を示す平面図。
【図2】図1の処理装置におけるユニット増加の例を説明するための平面図。
【図3】図1の処理装置と対比すべき従来の処理装置を示す平面図。
【符号の説明】
1……ローダ部
2……処理部
3……アンローダ部
21……洗浄ブロック
22……レジスト塗布/エッジリムーバブロック
23……露光ブロック
24……現像処理ブロック
34a,34b,35a,35b,36a,36b,37a,37b……受け渡し部
100……処理装置
211……洗浄ユニット(SCR)
221……レジスト塗布/エッジリムーバユニット(CT/ER)
231……露光ユニット(EXP)
241……現像処理ユニット(DEV)
L……主搬送ライン
S……LCD基板
Claims (12)
- 被処理体に対してレジスト塗布、露光、および露光後の現像を行う処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、
塗布されたレジストに対して所定パターンに露光する露光ユニットを複数配置してなる露光ブロックと、
露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を具備することを特徴とする処理装置。 - 前記塗布処理ブロック、露光ブロック、現像処理ブロックは、それぞれ搬送路と、搬送路に沿って移動する搬送装置とを有し、複数のレジスト塗布処理ユニット、露光ユニット、現像処理ユニットがそれぞれのブロックの搬送路に沿って配置され、前記搬送装置により各ユニットへの被処理体の搬出入および受け渡しポートにおける被処理体の受け渡しが行われることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記塗布処理ブロック、露光ブロック、現像処理ブロックは、それぞれレジスト塗布処理ユニット、露光ユニット、現像処理ユニットが増減自在であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の処理装置。
- さらに、被処理体を洗浄する洗浄ユニットを複数配置してなる洗浄ブロックを具備することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記洗浄ブロックは、搬送路と、搬送路に沿って移動する搬送装置とを有し、複数の洗浄ユニットが前記搬送路に沿って配置され、前記搬送装置により各洗浄ユニットへの被処理体の搬出入および受け渡しポートにおける被処理体の受け渡しが行われることを特徴とする請求項4に記載の処理装置。
- 前記洗浄ブロックは、洗浄ユニットが増減自在であることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の処理装置。
- 前記熱的処理部は、加熱処理エリア、冷却処理エリアを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記熱処理部は、さらにアドヒージョン処理エリアまたは紫外線照射エリアを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の処理装置。
- 被処理体に対して複数の処理を施すための処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
前記主搬送ラインに連結された、被処理体に対して同一の処理を行う処理ユニットを複数配置してなる複数の処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各処理ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を有することを特徴とする処理装置。 - 被処理体に対してレジスト塗布、および露光後の現像を行う処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、
露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を具備することを特徴とする処理装置。 - 前記熱的処理部は、加熱処理エリア、冷却処理エリアを含むことを特徴とする請求項9または請求項10に記載の処理装置。
- 前記熱処理部は、さらにアドヒージョン処理エリアまたは紫外線照射エリアを含むことを特徴とする請求項9ないし請求項11のいずれか1項に記載の処理装置。
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