JPH10256344A - 基板冷却方法および基板処理装置および基板搬送装置 - Google Patents

基板冷却方法および基板処理装置および基板搬送装置

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JPH10256344A
JPH10256344A JP9076685A JP7668597A JPH10256344A JP H10256344 A JPH10256344 A JP H10256344A JP 9076685 A JP9076685 A JP 9076685A JP 7668597 A JP7668597 A JP 7668597A JP H10256344 A JPH10256344 A JP H10256344A
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substrate
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gas
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    • F25B21/00—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect

Abstract

(57)【要約】 【課題】効率良く基板を冷却することができる基板冷却
方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】温度が高められた基板Ｓを冷却する第１の
冷却手段３３を有する搬送手段１１，１８を備えた基板
処理装置において、加熱処理ユニット２６で温度が高め
られた基板Ｓを冷却ユニットに搬送する間に冷却し、さ
らに冷却ユニット２４，２７内でさらに冷却する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ基板等の基板に対して行われる処理において
温度が高められた状態の基板を冷却する基板冷却方法、
およびそれが適用される基板処理装置および基板搬送装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスや液晶ディスプレイ（Ｌ
ＣＤ）の製造においては、基板である半導体ウエハやに
ＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を
形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、
これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフ
ィー技術により回路パターンが形成される。
【０００３】このような塗布・現像処理においては、レ
ジスト膜を形成する際に、フォトレジストの安定化のた
めのプリベーク、露光後のポストエクスポージャーベー
ク、および現像後のポストベーク等の熱処理が施され
る。また、これらの熱処理後の温度が高められた基板を
冷却するための冷却工程が行われる。
【０００４】熱処理後の温度が高められた基板を冷却す
る場合、基板を支持する支持体であるクーリングプレー
ト上において熱交換を行っている。具体的には、冷却素
子であるペルチェ素子を取り付けたクーリングプレー
ト、または冷却水を循環させるための管路を設けたクー
リングプレート上に温度が高められた基板を載置し、ペ
ルチェ素子または冷却水と基板との間で熱交換を行い、
基板の温度を低下させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板処
理におけるタクトタイムを短くするという要求が高い現
在では、上記のような冷却方法では、十分にその要求を
満足することができない。すなわち、上記のような冷却
方法では、タクトタイムが短くなると、上記熱処理後の
基板を所定の温度まで冷却することが不可能になる。
【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、効率良く基板を冷却することができる基板冷却
方法、およびそれが適用される基板処理装置および基板
搬送装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１発明は、温度が高めれた基板に対して前記基板
が冷却ユニットに搬送されるまでに第１の冷却を行う第
１の冷却工程と、前記冷却ユニットにおいて前記第１の
冷却工程後の基板に対して第２の冷却を行う第２の冷却
工程とを具備することを特徴とする基板冷却方法を提供
する。
【０００８】第２発明は、第１発明において、前記第２
の冷却の冷却速度が、前記第１の冷却の冷却速度よりも
小さいことを特徴とする基板冷却方法を提供する。第３
発明は、第１発明または第２発明において、前記第１の
冷却が、基板搬送中に基板に気体を吹き付けることによ
り行うことを特徴とする基板冷却方法を提供する。
【０００９】第４発明は、第３発明において、基板に気
体を吹き付ける条件を調整することにより前記第１の冷
却を制御することを特徴とする基板冷却方法を提供す
る。第５発明は、第１発明から第４発明において、前記
第２の冷却は、冷却素子を用いて行われることを特徴と
する基板冷却方法を提供する。第６発明は、第１発明か
ら第４発明において、前記第２の冷却は、冷却素子およ
び冷却水の両方を用いて行われることを特徴とする基板
冷却方法を提供する。
【００１０】第７発明は、基板に液体を供給して所定の
処理を行う処理装置であって、熱処理部と、温度が高め
られた基板を冷却する冷却部と、基板を搬送し、その際
に温度が高められた基板を冷却する冷却手段を備えた搬
送手段とを具備し、温度が高められた基板を前記搬送手
段で搬送中に冷却してから前記冷却部で冷却することを
特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１１】第８発明は、第７発明において、前記搬送
手段が、さらに、移動可能な基台と、前記基台上に設け
られ基板を支持する支持体とを備え、前記冷却手段は前
記支持体に取り付けられ基板に気体を供給する手段を有
することを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１２】第９発明は、第７発明において、前記搬送
手段が、さらに、移動可能な基台と、前記基台上に設け
られ基板を支持する支持体とを備え、前記冷却手段は前
記基台に取り付けられ基板に気体を供給する手段を有す
ることを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１３】第１０発明は、第７発明から第９発明にお
いて、前記冷却部は、基板を支持する支持体と、前記支
持体に設けられ支持体上の基板を冷却する冷却機構を備
えていることを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１４】第１１発明は、第１０発明において、前記
冷却機構は冷却素子を有し、この冷却素子を用いて行基
板が冷却されることを特徴とする基板冷却装置を提供す
る。第１２発明は、第１０発明において、前記冷却機構
は冷却素子および冷却水管路を有し、これら両方を用い
て基板を冷却することを特徴とする基板冷却装置を提供
する。
【００１５】第１３発明は、基板を搬送する搬送装置で
あって、温度が高められた基板を冷却する冷却手段を備
えたことを特徴とする基板搬送装置。第１４発明は、第
１３発明において、さらに、移動可能な基台と、前記基
台上に設けられ基板を支持する支持体とを備え、前記冷
却手段は、前記支持体に取り付けられ基板に気体を供給
する手段を有することを特徴とする基板搬送装置を提供
する。
【００１６】第１５発明は、第１３発明において、さら
に、移動可能な基台と、前記基台上に設けられ基板を支
持する支持体とを備え、前記冷却手段は、前記基台に取
り付けられ基板に気体を供給する手段を有することを特
徴とする基板搬送装置を提供する。
【００１７】第１発明によれば、温度が高められた基板
に対して基板の搬送中にまず第１の冷却を行って基板温
度をある程度降下させ、その後に冷却ユニットにおいて
基板の冷却を行って正確に基板温度の調整を行う。例え
ば、基板に対するフォトレジストの安定化のためのプリ
ベーク、露光後のポストエクスポージャーベーク、およ
び現像後のポストベーク等の熱処理の後に、熱処理が行
われたユニットから冷却ユニットに搬送される間に基板
に対して第１の冷却を行い、その後の基板冷却を冷却ユ
ニットにおいて行う。したがって、通常すべて冷却ユニ
ットにおいて行われていた冷却の一部を搬送中に行う、
すなわち冷却ユニットまでの基板搬送中に予め温度が高
められた基板の荒熱を除去するので、冷却ユニットにお
いて行う冷却（第２の冷却）は狭い温度範囲で済む。そ
の結果、冷却ユニットにおける冷却時間を短くすること
ができ、基板処理におけるタクトタイムを短くすること
ができる。この場合に、第２発明のように、第２の冷却
の冷却速度が、荒熱をとるための第１の冷却の冷却速度
よりも小さいことが好ましい。
【００１８】第３発明によれば、基板に気体を吹き付け
ることにより基板冷却を行うので、基板を非接触で冷却
することができ、基板への損傷や静電気による帯電等を
防止することができる。また、基板に気体を吹き付ける
ので、基板上に付着したパーティクルを除去することも
できる。さらにガスとしてイオン化ガスを用いれば、基
板を面接触させた際に生じる静電気を除去することがで
きる。
【００１９】また、第４発明によれば、基板に気体を吹
き付ける条件（吹き付け量、吹き付け時間、または吹き
付けのタイミング）を調整する。これにより第１の冷却
でどのレベルまで基板を冷却するかを制御することがで
きる。したがって、前記第１の冷却の制御により必然的
に第２の冷却における時間を調整することができる。こ
のようにして、第１の冷却および第２の冷却を制御する
ことにより、タクトタイムを制御することができる。
【００２０】第５発明のように、第２の冷却を冷却素子
で行うことにより、荒熱が除去された基板の温度を高精
度で制御することができる。また、第６発明のように、
第２の冷却を冷却素子および冷却水の両方を用いて行う
ことにより、冷却水により比較的大きな速度で冷却し、
冷却素子により高精度で冷却することができるので、迅
速かつ高精度の冷却が実現される。
【００２１】第７発明によれば、基板処理装置が、基板
を搬送し、温度が高められた基板を冷却する冷却手段を
備えた搬送手段を具備するので、温度が高められた基板
を冷却ユニットに搬送する搬送中にある温度レベルまで
基板温度を降下させることができる。その結果、冷却ユ
ニットにおける冷却時間を短くすることができ、基板処
理におけるタクトタイムを短くすることができる。
【００２２】また、第８発明、第９発明のように、基板
に気体を供給する手段を設けることにより、基板を非接
触で冷却することができ、基板への損傷や静電気による
帯電等を防止することができる。また、これらの構成に
より、基板上に付着したパーティクルを除去することも
できる。
【００２３】第１０発明のように冷却部が支持体上の基
板を冷却する冷却機構を有し、第１１発明のようにそこ
で冷却素子により基板を冷却することにより、荒熱が除
去された基板の温度を高精度で制御することができる
し、また、第１２発明のように、第２の冷却を冷却素子
および冷却水管路の両方を用いて冷却することにより、
冷却水により比較的大きな速度で冷却し、冷却素子によ
り高精度で冷却することができ、迅速かつ高精度の冷却
が実現される。
【００２４】第１３発明、第１４発明、および第１５発
明によれば、温度が高められた基板を基板搬送中に冷却
して、基板処理における冷却の一部を担うことができ
る。したがって、冷却ユニットにおける冷却をできるだ
け短くすることができ、基板処理におけるタクトタイム
を短くすることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを
示す斜視図である。
【００２６】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｓを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｓにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、カセットステーション１上のカセットＣと処理部
２との間で半導体ウエハの搬送を行うための搬送機構３
とを備えている。そして、カセットステーション１にお
いてシステムへのカセットＣの搬入およびシステムから
のカセットＣの搬出が行われる。また、搬送機構３はカ
セットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移
動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１に
よりカセットＣと処理部２との間で基板Ｓの搬送が行わ
れる。
【００２７】処理部２は、前段部分２ａと後段部分２ｂ
とに分かれており、それぞれ中央に通路１５、１６を有
しており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設さ
れている。そして、これらの間には中継部１７が設けら
れている。
【００２８】前段部２ａは、通路１５に沿って移動可能
なメインアーム１８を備えており、通路１５の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット２１、水洗ユニット２２、アド
ヒージョン処理ユニット２３、および冷却ユニット２４
が、他方側には２つのレジスト塗布ユニット２５が配置
されている。一方、後段部２ｂは、通路１６に沿って移
動可能なメインアーム１９を備えており、通路１９の一
方側には複数の加熱処理ユニット２６および冷却ユニッ
ト２７からなる熱系ユニット群２８が、他方側には２つ
の現像処理ユニット２９が配置されている。熱系ユニッ
ト群２８は、ユニットが２段積層されてなる組が通路１
９に沿って３つ並んでおり、上段が加熱処理ユニット２
６であり、下段が冷却ユニット２７である。加熱処理ユ
ニット２６は、レジストの安定化のためのプリベーク、
露光後のポストエクスポージャーベーク、および現像後
のポストベーク処理を行うものである。なお、後段部２
ｂの後端には露光装置（図示せず）との間で基板Ｓの受
け渡しを行うためのインターフェース部３０が設けられ
ている。
【００２９】上記メインアーム１８は、搬送機構３のア
ーム１１との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行うとと
もに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬
入・搬出、さらには中継部１７との間で基板Ｓの受け渡
しを行う機能を有している。また、メインアーム１９は
中継部１７との間で基板Ｓの受け渡しを行うとともに、
後段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬入・搬
出、さらにはインターフェース部３０との間の基板Ｓの
受け渡しを行う機能を有している。このように各処理ユ
ニットを集約して一体化することにより、省スペース化
および処理の効率化を図ることができる。
【００３０】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｓが、処理部２に
搬送され、まず、洗浄ユニット２１および水洗ユニット
２２により洗浄処理され、レジストの定着性を高めるた
めにアドヒージョン処理ユニット２３にて疎水化処理さ
れ、冷却ユニット２４で冷却後、レジスト塗布ユニット
２５でレジストが塗布される。その後、基板Ｓは、加熱
処理ユニット２６の一つでプリベーク処理され、冷却ユ
ニット２７で冷却された後、インターフェース部３０を
介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露
光される。そして、再びインターフェース部３０を介し
て搬入され、加熱処理ユニット２６の一つでポストエク
スポージャーベーク処理が施される。その後、冷却ユニ
ット２７で冷却された基板Ｓは、現像処理ユニット２９
で現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現
像処理された基板Ｓは、メインアーム１９，１８および
搬送機構３によってカセットステーション１上の所定の
カセットに収容される。
【００３１】図２は上記塗布・現像処理システムにおい
て基板を搬送する搬送手段であるメインアーム１８を示
す斜視図、図３はその側面図である。図中３１は水平移
動、昇降、および回転可能な基台である。基台３１上に
は、基板Ｓを支持するフォーク３２が多段（ここでは２
段）に配置されている。フォーク３２上には、冷却手段
である気体供給部材３３が取り付けられている。
【００３２】この気体供給部材３３には、気体供給機構
３４が連結されており、気体供給手段３４から空気、窒
素ガス、イオン化されたガス等の気体が導入されるよう
になっており、気体供給部材３３を介して前記気体が基
板Ｓに供給されるようになっている。搬送の際に基板Ｓ
がフォーク３２に面接触した場合等、静電気が生じる
が、この際の静電気を除去することができることから、
気体としてイオン化されたガスを用いることが好まし
い。
【００３３】また、気体供給機構３４には、制御部３５
が接続されており、これにより気体を基板に吹き付ける
条件、例えば、吹き付け量、吹き付け時間、または吹き
付けのタイミングを制御することができるようになって
いる。したがって、気体供給による基板冷却でどのレベ
ルまで基板を冷却するかを制御することができる。
【００３４】図２、図３では、気体供給部材３３は、フ
ォーク３２に個々に設けて、フォーク３２上に支持され
た基板Ｓを冷却しているが、図４に示すように、基台３
１上に設けて、フォーク３２の個数に対応した複数の吹
き出し部３３ａを有する気体供給部材３６により、フォ
ーク３２上に支持された基板Ｓを冷却するようにしても
良い。図３に示す方式では、個々のフォーク３２上の基
板Ｓの冷却レベルを個別に制御することができる。ま
た、図４に示す方式では、すべてのフォーク３２上の基
板Ｓの冷却を均等に行うことができる。なお、図４に示
す方式では、気体を基板Ｓに供給するために、フォーク
３２に穴部３２ａを設けておき、その穴部３２ａを通し
て気体を基板Ｓに供給する。図４に示す方式において
も、図３に示す方式と同様に、気体供給機構３４には、
制御部３５が接続されており、気体を基板に吹き付ける
条件を制御することができるようになっている。
【００３５】さらに、図５に示すようにフォーク３２に
気体通流孔３７を設けておき、そこから基板Ｓにガスを
吹き付けて冷却してもよく、図６に示すように基台３１
に気体通流孔３８を設け、それに連続する気体供給部材
３９を基台３１のフォーク３２直下の位置に設け、フォ
ーク３２に向けてガスを供給してもよい。
【００３６】冷却ユニット２７は、図７に示すように、
クーリングプレート４１を有している。クーリングプレ
ート４１上には、樹脂やゴム等の柔軟材で構成された支
持部材４２が設けられており、その支持部材４２により
基板Ｓを支持する。
【００３７】クーリングプレート４１には、複数の冷却
素子が配置されているか、または冷却水循環管路が設け
られている。クーリングプレート４１に設置された基板
Ｓは、冷却素子または冷却水循環管路内を循環する冷却
水で冷却される。この場合に、複数の冷却素子を用いる
ことにより、搬送部材で荒熱が除去された基板を高精度
で冷却することができる。
【００３８】また、冷却素子と冷却水循環管路とを両方
有するクーリングプレートを用いてもよい。その例を図
８に示す。ここではクーリングプレート４１は、上部プ
レート４１ａと下部プレート４１ｂとの二層構造となっ
ており、上部プレート４１ａには、クーリングプレート
４１および基板Ｓを冷却するための冷却水用４４ａが埋
設されており、下部プレート４１ｂには冷却素子である
ペルチェ素子４３を冷却するための冷却水用の管路４４
ｂが埋設されている。図中の実線矢印はクーリングプレ
ート４１および基板Ｓを冷却するための冷却水用の管路
４４ａを示している。また、クーリングプレート４１の
上部プレート４１ａには、複数のペルチェ素子４３が整
列配置されている。このように、冷却素子と冷却水管路
とを併用することにより、冷却水により比較的大きな速
度で冷却し、冷却素子により高精度で冷却することがで
き、迅速かつ高精度の冷却が実現される。
【００３９】次に、上記構成を有する基板処理装置を用
いて温度が高められた基板を冷却する方法について説明
する。まず、フォトレジストの安定化のためのプリベー
ク、露光後のポストエクスポージャーベーク、および現
像後のポストベーク等の熱処理が施された基板Ｓを熱処
理が行われたユニットからメインアーム１８により搬出
する。搬出された基板Ｓには、冷却ユニット２７までの
搬送中にメインアーム１８に設けられた気体供給部材３
３を介して気体が供給される。これにより、温度が高め
られた基板は冷却され、ある一定の温度レベルまで基板
温度が降下する（第１の冷却）。このとき、基板温度を
降下させる温度レベルは、制御手段３５により気体の吹
き出し量、吹き出し時間、または吹き出しのタイミング
を調整することにより制御する。
【００４０】次いで、搬送中にある一定の温度レベルま
で冷却された基板Ｓを冷却ユニット２７内に搬入して、
図７に示すように、冷却ユニット２７内のクーリングプ
レート４１上に設置し、ここで第２の冷却を行う。この
場合には、搬送部材で基板Ｓの荒熱が除去されているか
ら、クーリングプレート４１上では、第１の冷却よりも
小さい速度で冷却を行う。これにより基板Ｓを高精度で
冷却することができる。
【００４１】この場合に、冷却手段として冷却素子を用
いることにより、一層高精度で冷却することができる。
また、図８のように、冷却水素子と冷却水循環管路とを
両方有するクーリングプレート４１を用いることによ
り、迅速かつ高精度の冷却を行うことができる。
【００４２】本発明の基板冷却方法においては、温度が
高められた基板Ｓを冷却ユニット２７まで搬送する間に
第１の冷却を行って予め基板Ｓの荒熱を取り除いている
ので、冷却ユニット２７における第２の冷却の時間を短
縮することができる。また、搬送中に予め基板Ｓの荒熱
を取り除いているので、第２の冷却における温度降下の
範囲が狭まり、冷却素子や冷却水循環による温度調整が
容易となり、精度も向上する。
【００４３】このように、温度が高められた基板を冷却
ユニットに搬送する間にある程度の温度レベルまで冷却
しておくことにより、冷却ユニットにおける冷却の温度
範囲を狭くすることができ、これにより冷却時間を短く
することができる。したがって、基板冷却における冷却
時間を短縮することができ、その結果基板処理における
タクトタイムを短くすることができる。実際に、本発明
の方法によれば、基板処理におけるタクトタイムを２０
〜３０％短縮することが可能となる。
【００４４】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、本発明の基板冷却装置をレジスト塗布・現像ユニ
ットに適用した例を示したが、これに限らず他の処理に
適用しても良い。また、上記実施形態においては、基板
としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これ
に限らず半導体ウエハ等他の基板の処理の場合にも適用
可能であることはいうまでもない。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の基板冷却方
法は、熱処理の後に、熱処理が行われたユニットから冷
却ユニットに搬送される間に基板に対して第１の冷却を
行い、その後に冷却ユニットにおいて第２の冷却を行う
ので、冷却ユニットに搬入するまでに基板を冷却するこ
とができ、冷却ユニットでの第２の冷却は狭い温度範囲
だけ冷却すればよい。したがって、基板処理におけるタ
クトタイムを短縮することができる。
【００４６】また、本発明の基板冷却方法は、基板に気
体を吹き付けることにより基板冷却を行うので、基板を
非接触で冷却することができ、基板への損傷や静電気に
よる帯電等を防止することができる。また、基板に気体
を吹き付けるので、基板上に付着したパーティクルを除
去することもできる。
【００４７】また、本発明の基板冷却方法は、基板に気
体を吹き付ける条件（吹き付け量、吹き付け時間、また
は吹き付けのタイミング）を調整するので、第１の冷却
でどのレベルまで基板を冷却するかを制御することがで
き、この第１の冷却の制御により必然的に第２の冷却に
おける時間を調整することができる。このようにして、
第１の冷却および第２の冷却を制御することにより、タ
クトタイムを制御することができる。
【００４８】本発明の基板処理装置は、基板を搬送し、
温度が高められた基板を冷却する冷却手段を備えた搬送
手段を具備するので、温度が高められた基板を冷却ユニ
ットに搬送する搬送中にある温度レベルまで基板温度を
降下させることができる。その結果、冷却ユニットにお
ける冷却時間を短くすることができ、基板処理における
タクトタイムを短くすることができる。
【００４９】また、本発明の基板処理装置は、基板に気
体を供給する部材を設けることにより、基板を非接触で
冷却することができ、基板への損傷や静電気による帯電
等を防止することができる。また、この構成により、基
板上に付着したパーティクルを除去することもできる。
【００５０】さらに、本発明においては、冷却素子およ
び冷却水管路を通流する冷却水で第２の冷却が行われる
ように構成することにより、迅速かつ精密な温度調整を
行うことができる。したがって、正確な温度制御を行う
ことができると共に、冷却時間を短くすることができ
る。
【００５１】また、本発明の基板搬送装置は、温度が高
められた基板を冷却する冷却手段を備えているので、温
度が高められた基板を基板搬送中に冷却して、基板処理
における冷却の一部を担うことができる。したがって、
冷却ユニットにおける冷却をできるだけ短くすることが
でき、基板処理におけるタクトタイムを短くすることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の対象となる基板冷却装置が適用される
レジスト塗布・現像システムを示す斜視図。
【図２】本発明の基板処理装置における搬送手段の一実
施形態を示す斜視図。
【図３】本発明の基板処理装置における搬送手段の一実
施形態を示す側面図。
【図４】本発明の基板処理装置における搬送手段の他の
実施形態を示す側面。
【図５】本発明の基板処理装置における搬送手段のさら
に他の実施形態を示す側面。
【図６】本発明の基板処理装置における搬送手段のさら
に他の実施形態を示す側面。
【図７】本発明の基板処理装置における冷却ユニットの
クーリングプレートを一例を説明するための図。
【図８】本発明の基板処理装置における冷却ユニットの
クーリングプレートの他の例を説明するための図。
【符号の説明】
３１…基台 ３２…フォーク ３２ａ…穴部 ３３，３６，３９…気体供給部材 ３３ａ…吹き出し部 ３４…気体供給機構 ３５…制御部 ４１…クーリングプレート ４２…支持部材 Ｓ…基板

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 温度が高めれた基板に対して前記基板が
    冷却ユニットに搬送されるまでに第１の冷却を行う第１
    の冷却工程と、前記冷却ユニットにおいて前記第１の冷
    却工程後の基板に対して第２の冷却を行う第２の冷却工
    程とを具備することを特徴とする基板冷却方法。
  2. 【請求項２】 前記第２の冷却の冷却速度は、前記第１
    の冷却の冷却速度よりも小さいことを特徴とする請求項
    １に記載の基板冷却方法。
  3. 【請求項３】 前記第１の冷却は、基板搬送中に基板に
    気体を吹き付けることにより行うことを特徴とする請求
    項１または請求項２に記載の基板冷却方法。
  4. 【請求項４】 基板に気体を吹き付ける条件を調整する
    ことにより前記第１の冷却を制御することを特徴とする
    請求項２に記載の基板冷却方法。
  5. 【請求項５】 前記第２の冷却は、冷却素子を用いて行
    われることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれ
    か１項に記載の基板冷却方法。
  6. 【請求項６】 前記第２の冷却は、冷却素子および冷却
    水の両方を用いて行われることを特徴とする請求項１か
    ら請求項４のいずれか１項に記載の基板冷却方法。
  7. 【請求項７】 基板に液体を供給して所定の処理を行う
    処理装置であって、熱処理部と、温度が高められた基板
    を冷却する冷却部と、基板を搬送し、その際に温度が高
    められた基板を冷却する冷却手段を備えた搬送手段とを
    具備し、温度が高められた基板を前記搬送手段で搬送中
    に冷却してから前記冷却部で冷却することを特徴とする
    基板処理装置。
  8. 【請求項８】 前記搬送手段は、さらに、移動可能な基
    台と、前記基台上に設けられ基板を支持する支持体とを
    備え、前記冷却手段は前記支持体に取り付けられ基板に
    気体を供給する手段を有することを特徴とする請求項７
    に記載の基板処理装置。
  9. 【請求項９】 前記搬送手段は、さらに、移動可能な基
    台と、前記基台上に設けられ基板を支持する支持体とを
    備え、前記冷却手段は前記基台に取り付けられ基板に気
    体を供給する手段を有することを特徴とする請求項７に
    記載の基板処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記冷却部は、基板を支持する支持体
    と、前記支持体に設けられ支持体上の基板を冷却する冷
    却機構を備えていることを特徴とする請求項７から請求
    項９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記冷却機構は冷却素子を有し、この
    冷却素子を用いて行基板が冷却されることを特徴とする
    請求項１０に記載の基板冷却装置。
  12. 【請求項１２】 前記冷却機構は冷却素子および冷却水
    管路を有し、これら両方を用いて基板を冷却することを
    特徴とする請求項１０に記載の基板冷却装置。
  13. 【請求項１３】 基板を搬送する搬送装置であって、温
    度が高められた基板を冷却する冷却手段を備えたことを
    特徴とする基板搬送装置。
  14. 【請求項１４】 さらに、移動可能な基台と、前記基台
    上に設けられ基板を支持する支持体とを備え、前記冷却
    手段は、前記支持体に取り付けられ基板に気体を供給す
    る手段を有することを特徴とする請求項１３に記載の基
    板搬送装置。
  15. 【請求項１５】 さらに、移動可能な基台と、前記基台
    上に設けられ基板を支持する支持体とを備え、前記冷却
    手段は、前記基台に取り付けられ基板に気体を供給する
    手段を有することを特徴とする請求項１３に記載の基板
    搬送装置。
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