KR19980080192A - 냉각방법, 냉각장치 및 처리장치 - Google Patents

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히가시 데쓰로
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Abstract

피처리기판을 냉각하는 냉각유니트와, 냉각유니트로 반입되기 전의 피처리기판을 지지하는 지지체와, 지지체에 지지된 피처리기판을 냉각하는 냉각장치를 구비하고, 냉각유니트로 반입되기 전의 피처리기판을 대기시키는 위치에서 피처리기판을 냉각하여, 그 후 냉각된 피처리기판을 냉각 유니트 내에서 냉각하도록 한 것으로, 신속하고 정확한 냉각을 가능하게 한다.

Description

냉각방법, 냉각장치 및 처리장치
본 발명은, 유리 기판이나 실리콘기판 등의 피처리기판을 냉각하는 냉각방법, 냉각장치 및 그와 같은 냉각장치를 가지는 처리장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 액정 디스플레이(LCD)의 제조에 있어서는, 기판인 반도체 웨이퍼나 LCD 기판에 포토레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 회로 패턴에 대응하여 레지스트막을 노광하여, 이것을 현상처리하는, 소위 포토리소그래피기술에 의해 회로패턴이 형성된다.
이와 같은 도포·현상처리에 있어서는, 레지스트막을 형성할 때에, 포토레지스트의 안정화를 위해 프리베이크, 노광 후의 포스트 익스포져 베이크 및 현상후의 포스트 베이크 등의 열처리가 실시된다. 또한, 이들 열처리후에 온도가 높아진 기판을 냉각하기 위한 냉각공정이 행해진다.
열처리후에 온도가 높아진 기판을 냉각하는 경우, 기판을 지지하는 지지체인 쿨링 플레이트 상에서 열교환을 행하고 있다. 구체적으로는, 냉각수를 순환시키기 위한 관로를 설치한 쿨링 플레이트 상에 온도가 높아진 기판을 얹어 두고, 냉각수와 기판의 사이에서 열교환을 행하여, 기판의 온도를 저하시키고 있다.
그러나, 기판처리에 있어서 택트타임을 짧게 하려고 하는 요구가 높은 현재에는, 상기와 같은 냉각방법으로는, 충분히 그 요구를 만족할 수가 없다. 즉, 상기와 같은 냉각방법에서는, 택트타임이 짧아지면, 상기 열처리후의 기판을 소정의 온도까지 냉각하는 것이 불가능하게 된다.
본 발명의 목적은, 효율적으로 기판을 냉각할 수 있는 냉각방법, 냉각장치 및 처리장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 기판을 정확한 온도로 냉각할 수 있는 냉각방법, 냉각장치 및 처리장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 기판의 정전파괴를 방지할 수 있는 냉각방법, 냉각장치 및 처리장치를 제공하는 데에 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 도포·현상장치의 사시도.
도 2는 도 1의 평면도.
도 3은 도 1 및 도 2에 나타낸 중계부의 사시도.
도 4는 도 3의 종단면도이다.
도 5는 도 l에 나타낸 메인아암의 사시도.
도 6은 도 5의 측면도이다.
도 7은 메인아암의 다른 실시형태를 나타낸 측면도.
도 8은 메인아암의 또 다른 실시형태를 나타낸 측면도.
도 9는 메인아암의 또 다른 실시형태를 나타낸 측면도.
도 10은 냉각유니트의 쿨링플레이트의 일예를 설명하기 위한 도면.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: 도포·현상장치 2: 카세트
3: 메인아암 4,5: 보조아암
6: 익스텐션부 7: 버퍼유니트
8: 중계부 35,51: 쿨링 플레이트
35a,35b: 상,하부 플레이트 36: 지지핀
37a,37b: 관로 38: 펠티어소자
39: 이오나이저 41: 바닥판
42: 포크 42a: 구멍부
43,46,49: 기체공급부재 43a: 분출부
44: 기체공급기구 45: 제어부
47,48: 기체흐름구멍 52: 지지부재
C/S: 카세트 스테이션 G: 기판
I/F: 인터페이스유니트 A,B: 처리유니트 군
AD: 어드히젼유니트 SCR: 세정유니트
DEV: 현상처리유니트 HP: 열처리유니트
UV: UV 처리유니트 COL: 냉각유니트
COT: 도포처리유니트
본 발명의 제 1 실시형태는, 피처리기판을 냉각하는 방법으로서, 냉각유니트로 반입되기 전의 상기 피처리기판을 대기시키는 위치에서, 상기 피처리기판을 냉각하는 공정과, 상기 냉각된 피처리기판을 상기 냉각유니트 내에서 냉각하는 공정을 구비한다.
본 발명의 제 2 실시형태는, 피처리기판을 냉각하는 방법으로서, 냉각유니트로 반입되는 동안에 상기 피처리기판을 냉각하는 공정과, 상기 냉각된 피처리기판을 상기 냉각 유니트 내에서 냉각하는 공정을 구비한다.
본 발명의 제 3 실시형태는, 피처리기판을 냉각하는 장치로서, 상기 피처리기판을 냉각하는 냉각유니트와, 상기 냉각유니트로 반입되기 전의 피처리기판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 지지된 피처리기판을 냉각하는 냉각수단을 구비한다.
본 발명의 제 4 실시형태는, 피처리기판을 냉각하는 장치로서, 상기 피처리기판을 냉각하는 냉각유니트와, 상기 피처리기판을 상기 냉각유니트로 반입하는 반입수단과, 상기 반입수단에 의해 반입되는 상기 피처리기판을 냉각하는 수단을 구비한다.
본 발명의 제 5 실시형태는, 피처리기판을 처리하는 장치로서, 상기 피처리기판을 냉각하는 냉각 유니트를 포함하는 제 1 처리유니트 그룹과, 상기 피처리기판에 소정의 처리를 실시하는 처리유니트를 포함하는 제 2 처리유니트 그룹과, 상기 제 1 처리유니트 그룹과 상기 제 2 처리유니트 그룹과의 사이에 설치되어 상기 피처리기판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 지지된 상기 피처리기판을 냉각하는 냉각수단을 구비한다.
본 발명에서는, 냉각유니트로 반입되기 전의 피처리기판을 대기시키는 위치에서 피처리기판을 냉각하고, 그 후 냉각된 피처리기판을 냉각 유니트 내에서 냉각하도록 구성함으로써 신속하고 정확한 냉각이 가능해진다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 따라 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 도포·현상장치의 사시도이고, 도 2는 그 평면도이다.
도포·현상장치(1)는, 그 일끝단 쪽에 카세트 스테이션(C/S)을 구비하고 있다. 또한, 도포·현상장치(1)의 다른끝단 쪽에는, 노광장치(도시하지 않음)와의 사이에서 유리 기판(G)의 주고받음을 행하기 위한 인터페이스유니트(I/F)가 배치되어 있다.
이 카세트 스테이션(C/S)에는 LCD용 기판 등의 기판(G)을 수용한 복수, 예컨대 4쌍의 카세트(2)가 얹어져 있다. 카세트 스테이션(C/S)의 카세트(2)의 정면쪽에는, 피처리기판인 기판(G)의 반송 및 위치 결정을 행함과 동시에, 기판(G)을 유지하여 메인아암(3)과의 사이에서 주고 받음을 행하기 위한 보조아암(4)이 설치되어 있다.
인터페이스유니트(I/F)에는, 노광장치(도시하지 않음)와의 사이에서 기판(G)의 주고받음을 행하는 보조아암(5)이 설치되어 있다. 또한, 인터페이스유니트(I/F)에는, 메인아암(3)과의 사이에서 기판(G)의 주고받음을 행하기 위한 익스텐션부(6) 및 기판(G)을 일단 대기시키는 버퍼유니트(7)가 배치되어 있다.
메인아암(3)은, 도포·현상장치(l)의 중앙부를 길이방향으로 이동가능하게 2대가 직렬로 배치되어 있고, 각 메인아암(3)의 반송로 양쪽에는 각각 제 1 처리유니트 군(A), 제 2 처리유니트 군(B)이 배치되어 있다. 제 1 처리유니트 군(A)과 제 2 처리유니트 군(B)과의 사이에는, 기판(G)을 일단 유지함과 동시에 냉각하는 중계부(8)가 배치되어 있다.
제 1 처리유니트 군(A)에서는, 카세트 스테이션(C/S)쪽에 기판(G)을 세정하는 세정유니트(SCR)와 현상처리를 행하는 현상처리유니트(DEV)가 병설되어 있다. 또한, 메인아암(3)의 반송로를 사이에 두고 세정유니트(SCR) 및 현상처리를 행하는 현상처리유니트(DEV)의 반대쪽에는, 상하로 2단 배치된 2쌍의 열처리유니트(HP)와, 상하로 2단 배치된 UV 처리유니트(UV) 및 냉각유니트(COL)가 인접하여 배치되어 있다.
제 2 처리유니트 군(B)에는, 레지스트도포 처리 및 에지리무브 처리를 행하는 도포처리유니트(COT)가 배치되어 있다. 또한, 메인아암(3)의 반송로를 사이에 두고 도포처리유니트(COT)의 반대쪽에는, 상하로 2단 배치된 기판(G)을 소수처리하는 어드히젼유니트(AD) 및 냉각유니트(COL)와, 상하로 2단 배치된 열처리유니트(HP) 및 냉각유니트(COL)와, 상하로 2단 배치된 2쌍의 열처리유니트(HP)가 인접하여 배치되어 있다. 열처리유니트(HP)와 냉각유니트(COL)를 상하로 2단 배치할 경우, 열처리유니트(HP)를 위에, 냉각유니트(COL)를 아래에 배치함으로써, 상호의 열적간섭을 피하고 있다. 이에 따라, 보다 정확한 온도제어가 가능해진다.
메인아암(3)은, X축 구동기구, Y축 구동기구 및 Z축 구동기구를 구비하고 있고, 또한, Z축을 중심으로 회전하는 회전구동기구를 각각 구비하고 있다. 이 메인아암(3)이 도포·현상장치(1)의 중앙통로를 따라 적시에 주행하여, 각 처리유니트 사이에서 기판(G)을 반송한다. 그리고, 메인아암(3)은, 각 처리유니트 내로 처리 전의 기판(G)을 반입하고, 또, 각 처리유니트 내로부터 처리완료 기판(G)을 반출한다.
본 실시예의 도포·현상장치(1)에서는, 이와 같이 각 처리유니트를 집약하여 일체화함으로써 스페이스 감소화 및 처리의 효율화를 도모할 수 있다.
도 3은 도 1 및 도 2에 나타낸 중계부(8)의 사시도이다. 도 4는 도 3의 종단면도이다.
중계부(8)에는, 기판(G)을 지지하는 지지체로서의 쿨링 플레이트(35)가 배치되어 있다. 쿨링 플레이트(35)상의 네 모퉁이에는, 지지핀(36)이 설치되어 있다. 지지핀(36)은 도시를 생략한 구동기구에 의해 상하이동한다. 지지핀(36)은 상승한 상태로 메인아암(3)으로부터 기판(G)을 받고 하강한다. 이에 따라, 기판(G)은 쿨링 플레이트(35)상에 안착되어 기판(G)과 쿨링 플레이트(35)가 밀착한다. 그 후, 지지핀(36)은 상승하며, 이 상승한 상태로 메인아암(3)에 기판(G)을 넘겨준다.
예를 들면 쿨링 플레이트(35)는, 상부 플레이트(35a)와 하부 플레이트(35b)의 2층구조로 되어 있다. 상부 플레이트(35a)에는, 쿨링 플레이트(35) 및 기판(G)을 냉각하기 위한 냉각수용 관로(37a)가 매설되어 있고, 하부 플레이트(35b)에는 냉각소자인 펠취소자(38)를 냉각하기 위한 냉각수용 관로(37b)가 매설되어 있다.
쿨링 플레이트(35)의 상부 플레이트(35a)에는, 복수의 펠티어소자(38)가 정렬배치되어 있다.
이와 같이, 냉각소자와 냉각수 관로를 병용함으로써, 냉각수에 의해 비교적 빠른 속도로 냉각하고, 냉각소자에 의해 고정밀도로 냉각할 수 있어 신속하고 고정밀도의 냉각이 실현된다.
쿨링 플레이트(35)의 양쪽에는, 이오나이저(39)가 배치되어 있다. 이오나이저(39)로부터 유출되는 이온화가스는 쿨링 플레이트(35)상에 놓여진 기판(G)에 분출되도록 되어 있다. 이에 따라, 쿨링 플레이트(35)에 LCD 기판을 밀착시켰을 때 생기는 정전기를 제거할 수 있고, 정전파괴를 방지할 수 있다. 또한, 이오나이저(39)로부터는 냉각된 불활성가스, 예컨대 질소가스가 분출되도록 되어 있다.
본 실시형태에서는, 메인아암(3)으로부터 중계부(8)의 지지체에 놓여진 기판(G)은, 기체공급 부재 또는 이오나이저의 기체공급 회로를 이용하여 냉각된다.
그리고, 중계부(8)의 기판(G)은 냉각유니트(COL)로 반송되고, 거기서 더욱 냉각된다. 이에 따라, 즉 일단 중계부(8)에서 냉각한 후 냉각 유니트(COL)로 반송하게 되므로, 냉각에 요하는 시간을 단축할 수 있고, 또 정확한 온도로의 냉각이 가능해진다.
도 5는 상술한 메인아암(3)을 나타낸 사시도, 도 6은 그 측면도이다. 도면중 (41)은 수평이동, 승강 및 회전가능한 바닥판이다. 바닥판(41)상에는, 기판(G)을 지지하는 포크(42)가 다단(여기에서는 2단)으로 배치되어 있다. 포크(42)상에는, 냉각수단인 기체공급부재(43)가 부착되어 있다.
이 기체공급부재(43)에는, 기체공급기구(44)가 연결되어 있고, 기체공급기구(44)로부터 공기, 질소가스, 이온화된 가스 등의 기체가 도입되며, 기체공급부재(43)를 통하여 상기 기체가 기판(G)으로 공급된다. 이로써, 반송시 기판(G)이 포크(42)에 면접촉하는 경우등, 정전기가 생기지만, 이 때의 정전기를 제거할 수 있고, 기체로서 이온화된 가스를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 기체공급기구(44)에는, 제어부(45)가 접속되어 있고, 이것에 의해 기체를 기판에 분출하는 조건, 예컨대, 분출량, 분출시간, 또는 분출타이밍을 제어할 수 있도록 되어 있다. 따라서, 기체공급에 의한 기판냉각으로 어느정도의 레벨까지 기판을 냉각할 것인지를 제어할 수 있다.
도 5, 도 6에서는, 기체공급부재(43)는, 포크(42)에 별개로 설치되어 포크(42)상에 지지된 기판(G)을 냉각하고 있지만, 도 7에 나타낸 바와 같이, 바닥판(41)상에 설치하고, 포크(42)의 갯수에 해당하는 복수의 분출부(43a)를 가지는 기체공급부재(46)에 의해, 포크(42)상에 지지된 기판(G)을 냉각하도록 하여도 좋다. 도 6에 나타낸 방식에서는, 별개의 포크(42)상의 기판(G)의 냉각레벨을 각각 제어할 수 있다. 또한, 도 7에 나타낸 방식에서는, 모든 포크(42)상의 기판(G)의 냉각을 균등하게 행할 수 있다. 또, 도 7에 나타낸 방식에서는, 기체를 기판(G)에 공급하기 위해, 포크(42)에 구멍부(42a)를 설치해 두고, 그 구멍부(42a)를 통해서 기체를 기판(G)에 공급한다. 도 7에 나타낸 방식에 있어서도, 도 6에 나타낸 방식과 마찬가지로, 기체공급기구(44)에는, 제어부(45)가 접속되어 있고, 기체를 기판에 분출하는 조건을 제어할 수 있도록 되어 있다.
또한, 도 8에 나타낸 바와 같이 포크(42)에 기체흐름구멍(47)을 설치해 두고, 거기에서 기판(G)으로 가스를 분출하여 냉각하여도 좋고, 도 9에 나타낸 바와 같이 바닥판(41)에 기체흐름구멍(48)을 설치하고, 그것에 연속하는 기체공급부재(49)를 바닥판(41)의 포크(42) 수직 아래의 위치에 설치하여, 포크(42)를 향하여 가스를 공급해도 좋다.
냉각유니트(COL)는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 쿨링 플레이트(51)를 가지고 있다. 쿨링 플레이트(51)상에는, 수지나 고무 등의 유연재로 구성된 지지부재(52)가 설치되어 있고, 그 지지부재(52)에 의해 기판(G)을 지지한다.
쿨링 플레이트(51)에는, 복수의 냉각소자가 배치되거나 또는 냉각수 순환관로가 설치된다. 쿨링 플레이트(51)에 설치된 기판(G)은, 냉각소자 또는 냉각수 순환관로 내를 순환하는 냉각수로 냉각된다. 이 경우에, 복수의 냉각소자를 사용함으로써, 반송부재에서 황열(荒熱)이 제거된 기판을 고정밀도로 냉각할 수 있다. 또한, 냉각소자와 냉각수 순환관로를 양쪽으로 가지는 쿨링 플레이트를 사용하여도 좋다.
다음으로, 상기 구성을 가진 도포·현상장치를 사용하여 온도가 높아진 기판을 냉각하는 방법에 대하여 설명한다.
이와 같이 구성되는 도포·현상장치(1)에 있어서는, 우선 카세트(2) 내의 기판(G)이, 보조아암(4) 및 메인아암(3)을 통해 세정처리유니트(SCR)로 반송되어 세정처리된다.
다음에, 메인아암(3), 중계부(8) 및 메인아암(3)을 통해 어드히젼유니트(AD)로 반송되어 소수화처리된다. 이에 따라, 레지스트의 정착성이 높아진다.
다음에, 메인아암(3)을 통하여 냉각유니트(COL)로 반송되어 냉각된다. 그 후, 메인아암(3)을 통해 도포처리유니트(COT)로 반송되어 레지스트가 도포된다.
다음에, 기판(G)은, 메인아암(3)을 통해 가열처리유니트(HP)로 반송되어 프리베이크처리된다. 그리고, 메인아암(3)을 통해 냉각유니트(COL)로 반송되어 냉각된 후, 메인아암(3) 및 인터페이스부(I/F)를 통해 노광장치로 반송되어 거기서 소정의 패턴이 노광된다.
그리고, 다시 노광된 기판(G)은, 인터페이스부(I/F)를 통해 장치(1) 내로 반입되고, 메인아암(3)을 통해 가열처리유니트(HP)로 반송되어 포스트 익스포져처리가 실시된다.
그 후, 기판(G)은, 메인아암(3), 중계부(8) 및 메인아암(3)을 통해 냉각유니트(COL)로 반입되어 냉각된다.
그 때, 상술한 구성의 중계부(8) 및 메인아암(3)에 있어서, 기판(G)이 보조적으로 냉각된다. 이 때, 기판온도를 하강시키는 온도레벨은, 제어수단(45)에 의해 기체의 분출량, 분출시간, 또는 분출타이밍을 조정함으로써 제어한다.
또한, 냉각유니트(COL)에서는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 냉각유니트(COL) 내의 쿨링 플레이트(51)상에 설치하고, 여기에서 냉각을 행한다. 이 경우에는, 중계부(8) 및 메인아암(3)에서 기판(G)의 황열이 제거되어 있기 때문에, 쿨링 플레이트(51)상에서는, 최초의 냉각보다도 느린 속도로 냉각을 행한다. 이에 따라 기판(G)을 고정밀도로 냉각할 수 있다. 이 경우, 냉각수단으로서 냉각소자를 사용함으로써, 한층 더 고정밀도로 냉각할 수 있다. 또한, 냉각소자와 냉각수 순환관로를 모두 가지는 쿨링 플레이트(51)를 사용함으로써, 신속하고 고정밀도의 냉각을 행할 수 있다.
그리고, 냉각된 기판(G)은, 메인아암(3)을 통해 현상처리유니트(DEV)로 반입되어 현상처리되고, 소정의 회로 패턴이 형성된다. 현상처리된 기판(G)은, 메인아암(3)을 통해 UV 처리유니트(UV)로 반입되어 UV 처리된다.
그리고, UV 처리된 기판(G)은, 메인아암(3) 및 보조아암(4)을 통해 카세트 스테이션(C/S) 상의 소정의 카세트(2)에 수용된다.
이상에서와 같이 본 발명에서는, 온도가 높아진 기판(G)을 냉각유니트(COL)까지 반송하는 동안에 중계부(8) 및 메인아암(3)에서 제 1 냉각을 행하여 미리 기판(G)의 황열을 제거하였으므로, 냉각유니트(COL)에서의 제 2 냉각시간을 단축할 수 있다. 또한, 반송중에 미리 기판(G)의 황열을 제거하였으므로, 제 2 냉각에 있어서의 온도하강의 범위가 좁아져, 냉각소자나 냉각수 순환에 의한 온도조정이 용이하게 되어, 정밀도도 향상된다.
이와 같이, 온도가 높아진 기판을 냉각유니트에 반송하는 동안에 어느 정도의 온도레벨까지 냉각해 둠으로써, 냉각유니트에서 냉각의 온도범위를 좁게 할 수 있고, 이것에 의해 냉각시간을 짧게 할 수 있다. 따라서, 기판냉각에 있어서의 냉각시간을 단축할 수 있고, 그 결과 기판처리에 있어서의 택트타임을 짧게 할 수 있다. 실제로, 본 발명의 방법에 의하면, 기판처리에 있어서의 택트타임을 20∼30% 단축하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러가지의 변형이 가능하다. 예컨대, 상기 실시의 형태에서는, 본 발명을 도포·현상장치에 적용한 예를 나타내었지만, 이것에 한정되지 않고 다른 처리에 적용하여도 좋다. 또한, 상기 실시형태에 있어서는, 기판으로서 LCD 기판을 사용한 경우에 대하여 나타내었지만, 이것에 한정되지 않고 반도체 웨이퍼 등 다른 기판의 처리의 경우에도 적용 가능한 것은 말할 필요도 없다.

Claims (25)

  1. 피처리기판을 냉각하는 방법으로서,
    (a) 냉각유니트로 반입되기 전의 상기 피처리기판을 대기시키는 위치에서, 상기 피처리기판을 냉각하는 공정과,
    (b) 상기 냉각된 피처리기판을 상기 냉각 유니트 내에서 냉각하는 공정을 구비하는 냉각방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 (a)공정에서, 상기 피처리기판을 냉각된 지지체상에 접촉시켜 냉각하는 냉각방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 지지체를 냉각소자로 냉각하는 냉각방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 지지체를 냉각소자 및 냉각수로 냉각하는 냉각방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 (a)공정이, 상기 피처리기판에 이온화 가스를 분출하는 공정을 포함하는 냉각방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 (a)공정이, 상기 이온화 가스를 분출하는 공정후에 냉각된 기체를 분출하는 공정을 포함하는 냉각방법.
  7. 피처리기판을 냉각하는 방법으로서,
    (a) 냉각유니트로 반입되는 동안에 상기 피처리기판을 냉각하는 공정과,
    (b) 상기 냉각된 피처리기판을 상기 냉각유니트 내에서 냉각하는 공정을 구비하는 냉각방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 (a)공정에서, 상기 피처리기판에 냉각기체를 분출하여 상기 피처리기판을 냉각하는 냉각방법.
  9. 피처리기판을 냉각하는 장치로서,
    상기 피처리기판을 냉각하는 냉각유니트와,
    상기 냉각유니트로 반입되기 전의 피처리기판을 지지하는 지지체와,
    상기 지지체에 지지된 피처리기판을 냉각하는 냉각수단을 구비하는 냉각장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 지지체에 지지된 피처리기판에 이온화 가스를 분출하는 이오나이저를 더 구비하는 냉각장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 이오나이저가 냉각된 기체를 분출하는 것인 냉각장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 기체가, 불활성가스인 냉각장치.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 냉각수단이, 상기 지지체 내에 배치된 냉각소자를 가지는 냉각장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 냉각소자가 펠티어소자인 냉각장치.
  15. 제 9 항에 있어서, 상기 냉각수단이,
    상기 지지체 내에 배치된 냉각소자와,
    상기 지지체 내에 설치된 배관과,
    상기 배관 내에서 냉각수를 순환시키는 수단을 구비하는 냉각장치.
  16. 피처리기판을 냉각하는 장치로서,
    상기 피처리기판을 냉각하는 냉각유니트와,
    상기 피처리기판을 상기 냉각유니트로 반입하는 반입수단과,
    상기 반입수단에 의해 반입되는 상기 피처리기판을 냉각하는 수단을 구비하는 냉각장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 반입수단이, 이동가능한 바닥판과, 상기 바닥판상에 설치되어 상기 피처리기판을 지지하는 지지체를 구비하고,
    상기 냉각수단이, 상기 지지체에 의해 지지된 상기 피처리기판으로 기체를 분출하는 수단을 가지는 냉각장치.
  18. 피처리기판을 처리하는 장치로서,
    상기 피처리기판을 냉각하는 냉각유니트를 포함하는 제 1 처리유니트 그룹과,
    상기 피처리기판에 소정의 처리를 실시하는 처리유니트를 포함하는 제 2 처리유니트 그룹과,
    상기 제 1 처리유니트 그룹과 상기 제 2 처리유니트 그룹의 사이에 설치되어 상기 피처리기판을 지지하는 지지체와,
    상기 지지체에 지지된 상기 피처리기판을 냉각하는 냉각수단을 구비하는 처리장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 피처리기판을 상기 냉각유니트로 반입하는 반입수단과,
    상기 반입수단에 의해 반입되는 상기 피처리기판을 냉각하는 수단을 더 구비하는 처리장치.
  20. 제 18 항에 있어서, 상기 지지체에 지지된 피처리기판에 이온화 가스를 분출하는 이오나이저를 더 구비하는 처리장치.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 이오나이저가, 냉각된 기체를 분출하는 것인 처리장치.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 기체가, 불활성가스인 처리장치.
  23. 제 18 항에 있어서, 상기 냉각수단이, 상기 지지체 내에 배치된 냉각소자를 가지는 처리장치.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 냉각소자가 펠티어소자인 처리장치.
  25. 제 18 항에 있어서, 상기 냉각수단이,
    상기 지지체 내에 배치된 냉각소자와,
    상기 지지체 내에 설치된 배관과,
    상기 배관 내에서 냉각수를 순환시키는 수단을 구비하는 처리장치.
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