KR101207172B1 - 기판 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체, 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

기판 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체, 및 기판 처리 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명에 있어서, 레지스트막이 형성된 기판은 노광 장치로 이송되어 노광 처리된다. 기판은 이후 제2 처리 시스템에서 노광후 베이킹 처리된다. 기판은 이후 다시 노광 장치로 이송되어 노광 처리된다. 2회째의 노광 처리가 종료된 기판은 제1 처리 시스템으로 이송되어 다시 노광후 베이킹 처리된다. 1회째와 2회째에서 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간은 동일하도록 제어된다. 본 발명에 따르면, 레지스트막 형성 처리와 현상 처리의 사이에 복수회의 노광 처리가 수행되는 패턴 형성 처리에 있어서, 최종적으로 소망 치수의 패턴이 형성될 수 있다.
레지스트막 형성 처리, 현상 처리, 노광 처리, 가열 처리, 세정 처리, 노광 장치, 이송 장치

Description

기판 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체, 및 기판 처리 시스템{SUBSTRATE PROCESSING METHOD, COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM, AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
본 발명은 기판 처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체, 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
예를 들어 반도체 디바이스를 제조하는 프로세스에서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들어 웨이퍼 표면에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 웨이퍼 표면의 레지스트막에 소정 패턴의 광을 조사하여 레지스트막을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키기 위해 웨이퍼를 가열하는 가열 처리(노광후 베이킹: post-exposure baking), 가열 처리된 웨이퍼를 현상하는 현상 처리 등이 순차적으로 이루어져, 웨이퍼 표면의 레지스트막에 소정의 패턴이 형성된다.
그런데, 패턴을 미세화하기 위해, 노광 처리용 광을 단파장화하는 것이 진행되고 있다. 그러나, 이 노광용 파장을 단파장화하는 방법에서는, 32nm 또는 45nm 레벨의 미세한 패턴을 형성하는 것이 기술적으로 곤란하다. 따라서, 노광 처리에 있어서, 예를 들어 레지스트막에 대해 노광 위치를 옮겨가면서 복수회의 노광을 행 함으로써, 미세한 패턴을 형성하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1, 2 참조).
[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 제2002-21763호
[특허문헌 2] 일본 공개특허공보 평성7-147219호
그러나, 이 경우 복수회의 노광 처리가 연속하여 이루어지고, 이들 복수회의 노광 처리가 종료된 후에 다음 처리인 노광후 베이킹이 실시되므로, 예를 들어 1회째의 노광 처리에 의해 노광된 노광 부분과, 2회째의 노광 처리에 의해 노광된 노광 부분 사이에, 노광후 베이킹이 개시되기까지의 시간이 큰 차이가 난다. 노광이 종료되고 나서 노광후 베이킹이 개시되기까지의 시간은, 최종적으로 형성되는 패턴의 치수에 큰 영향을 미치기 때문에, 상기 경우, 각 회의 노광 처리마다 패턴의 치수가 달라지고 각 회의 노광 처리마다 노광 부분의 치수의 정합(consistency)이 확보되지 않는다. 그 결과, 최종적으로 웨이퍼에 소망 형상의 패턴이 형성되지 않게 된다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 복수회의 노광 처리를 행하는 경우에, 웨이퍼와 같은 기판에 최종적으로 소망 형상의 패턴을 형성하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 레지스트막의 형성 처리와 현상 처리의 사이에 이루어지는 노광 처리를 복수회 실시하고, 각 회의 노광 처리가 종료될 때마다 기판의 가열 처리를 실시하는 기판 처리 방법이다.
본 발명에 따르면, 노광 처리를 실시할 때마다 기판의 가열 처리를 실시하므로, 각 회의 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹까지의 시간차가 저감된다. 그 결과, 각 회의 노광 처리에 의한 노광 부분의 패턴의 치수가 안정되고 각 회의 노광 부분들의 치수 사이의 정합성이 향상되므로, 최종적으로 소망 형상의 패턴을 형성할 수 있다.
노광 처리의 종료에서부터 가열 처리의 개시까지의 시간은 상호 동일하도록 제어될 수도 있다.
각 회의 노광 처리마다 다른 노광 조건을 설정할 수도 있다. 이 경우, 2회째 이후의 노광 처리의 노광 조건은, 직전 회의 노광 처리에서보다 노광량이 적어지도록 설정될 수도 있다.
각 회의 노광 처리 후의 가열 처리마다 다른 가열 조건을 설정할 수도 있다. 이 경우, 2회째 이후의 가열 처리의 가열 조건은, 직전 회의 가열 처리에서보다 가열 시간이 짧거나 또는 가열 온도가 낮도록 설정될 수도 있다.
노광 처리는 기판 표면의 액체를 통해서 빛을 투과하여 기판을 노광하기 위한 것일 수 있으며, 각 회의 노광 처리 후 가열 처리 전에, 기판을 세정하는 세정 처리가 실시될 수도 있다.
다른 태양에 따르면, 본 발명은, 기판에 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막 형성 장치와, 노광 처리된 기판을 현상 처리하기 위한 현상 처리 장치, 및 기판을 가열 처리하기 위한 가열 처리 장치를 구비하는 기판 처리 시스템을 사용하여 기판 처리 방법을 수행하도록 기판 처리 시스템을 제어하기 위한 제어 장치의 컴퓨터에서 실행되는 프로그램이며, 기판 처리 방법은 레지스트막의 형성 처리와 현상 처리의 사이에 이루어지는 노광 처리를 복수회 실시하고, 각 회의 노광 처리가 종료될 때마다 기판의 가열 처리를 실시하기 위한 것이다.
프로그램은 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 저장될 수 있다.
다른 태양에 따르면, 본 발명은, 기판에 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막 형성 장치와, 레지스트막이 형성되고 이후 노광 처리된 기판을 현상 처리하기 위한 현상 처리 장치, 및 기판을 가열 처리하기 위한 가열 처리 장치를 구비하며, 레지스트막의 형성과 현상 처리 사이에 복수회의 노광 처리가 실시되고, 각 회의 노광 처리가 종료될 때마다 가열 처리 장치에서 기판의 가열 처리가 실시되는 기판 처리 시스템이다.
기판 처리 시스템은 레지스트막 형성 장치와, 현상 처리 장치와, 가열 처리 장치를 갖는 제1 처리 시스템; 및 가열 처리 장치를 갖는 제2 처리 시스템을 더 구비할 수 있으며, 제1 처리 시스템은 노광 장치(aligner)의 일단에 접속될 수 있고, 제2 처리 시스템은 제1 처리 시스템의 반대쪽에서 노광 장치의 타단에 접속될 수 있으며, 제1 처리 시스템 및 제2 처리 시스템은 기판을 노광 장치에 이송하도록 구성될 수도 있다.
제2 처리 시스템에는 노광 장치와 제2 처리 시스템의 가열 처리 장치 사이에서 기판을 이송하기 위한 이송 장치가 제공될 수도 있다.
제2 처리 시스템에는 복수의 기판을 수용하기 위한 수용부가 제공될 수도 있다.
제2 처리 시스템에는 기판을 세정하기 위한 세정 장치가 제공될 수도 있다.
최종회의 노광 처리 이후의 가열 처리는 제1 처리 시스템의 가열 처리 장치에서 실시될 수도 있으며, 최종회 이외의 노광 처리 이후의 가열 처리는 제2 처리 시스템의 가열 처리 장치에서 실시될 수도 있다.
기판 처리 시스템은 레지스트막 형성 장치와 현상 처리 장치를 갖는 처리부와; 처리부의 노광 장치 측에 면하고 있으며 처리부와 노광 장치 사이에서 기판을 이송하기 위한 이송부를 더 구비할 수 있으며, 가열 처리 장치는 이송부와 처리부에 각각 제공될 수도 있다.
이송부에는 기판을 세정하기 위한 세정 장치가 제공될 수도 있다.
최종회의 노광 처리 이후의 가열 처리는 처리부에서의 가열 처리 장치에서 실시될 수도 있으며, 최종회 이외의 노광 처리 이후의 가열 처리는 이송부에서의 가열 처리 장치에서 실시될 수도 있다.
본 발명에 의하면, 레지스트막에 소망 형상의 패턴을 형성할 수 있으므로, 생산성이 향상된다.
도1은 도포 현상 처리 시스템의 구성을 도시하는 평면도이다.
도2는 도1의 도포 현상 처리 시스템의 정면도이다.
도3은 도1의 도포 현상 처리 시스템의 배면도이다.
도4는 노광후 베이킹 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도5는 노광후 베이킹 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.
도6은 웨이퍼 처리의 흐름도이다.
도7은 세정 장치를 구비한 도포 현상 처리 시스템의 구성을 도시하는 평면도이다.
도8은 세정 장치의 구성을 도시하는 종단면도이다.
도9는 세정 처리를 실시할 때의 웨이퍼 처리를 도시하는 흐름도이다.
도10은 웨이퍼 상에 액체층이 형성된 상태에서 실시되는 노광 처리를 설명하기 위한 모식도이다.
도11은 1회째의 노광후 베이킹을 실시하기 위한 노광후 베이킹 장치를 인터페이스 스테이션에 설치한 경우의 도포 현상 처리 시스템의 평면도이다.
도12는 2회째의 노광후 베이킹을 실시하기 위한 노광후 베이킹 장치를 인터페이스 스테이션에 설치한 경우의 도포 현상 처리 시스템의 평면도이다.
[도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명]
1: 도포 현상 처리 시스템
10: 제1 처리 시스템
11: 제2 처리 시스템
94 내지 99, 130 내지 133: 노광후 베이킹 장치
120: 웨이퍼 이송 장치
220: 제어 장치
A: 노광 장치
W: 웨이퍼
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다. 도1은 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템으로서의 도포 현상 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이고, 도2는 도포 현상 처리 시스템(1)의 정면도이며, 도3은 도포 현상 처리 시스템(1)의 배면도이다.
도포 현상 처리 시스템(1)은, 예를 들어 도1에 도시하듯이 노광 장치(A)를 사이에 두고 양쪽에 설치된 제1 처리 시스템(10)과 제2 처리 시스템(11)을 구비하고 있다. 제1 처리 시스템(10)은, 예를 들어 25장의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부로부터 도포 현상 처리 시스템(1)에 대해 반입/반출하고 카세트(C)에 대해 웨이퍼(W)를 반입/반출하기 위한 카세트 스테이션(12)과, 포토리소그래피 공정 중에 단일 웨이퍼 처리 방식으로 각종 처리를 수행하기 위한 복수의 각종 처리 장치가 다단으로 배치되어 있는 처리 스테이션(13)과, 노광 장치(A)에 대해 웨이퍼(W)를 이동시키기 위한 이송부로서의 인터페이스 스테이션(14)이 일체로 연결되어 있는 구성을 갖고 있다. 카세트 스테이션(12), 처리 스테이션(13), 및 인터페이스 스테이션(14)은 노광 장치(A)가 있는 Y방향 정방향측(도1에서의 오른쪽 방향)을 향하여 순서대로 배치되며, 인터페이스 스테이션(14)은 노광 장치(A)에 접속되고 있다.
카세트 스테이션(12)에는 카세트 장착 테이블(20)이 설치되고, 카세트 장착 테이블(20)은 복수의 카세트(C)를 X방향(도1에서의 상하 방향)으로 일렬로 장착할 수 있다. 카세트 스테이션(12)에는, 이송로(21) 상을 X방향을 따라 이동가능한 웨이퍼 이송체(transfer body)(22)가 설치되어 있다. 웨이퍼 이송체(22)는 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열 방향(Z방향: 수직 방향)으로도 이동가능 하며, 카세트(C)내에 수직으로 배열된 웨이퍼(W)에 대해 선택적으로 액세스할 수 있다. 웨이퍼 이송체(22)는, 수직 방향의 축주위(θ방향)로 회전가능하고, 처리 스테이션(13)측의 후술하는 제3 처리 장치 그룹(G3)에 구비된 처리 장치에 대해 액세스 할 수 있다.
처리 스테이션(13)은, 복수의 처리 장치가 다단으로 배치된, 예를 들어 5개의 처리 장치 그룹(G1 내지 G5)을 구비하고 있다. 처리 스테이션(13)의 X방향 부방향(negative direction)(도1에서의 하방향) 측에는, 카세트 스테이션(12) 측으로부터 제1 처리 장치 그룹(G1), 제2 처리 장치 그룹(G2)이 순서대로 배치되어 있다. 처리 스테이션(13)의 X방향 정방향(도1에서의 상방향) 측에는, 카세트 스테이션(12) 측으로부터 제3 처리 장치 그룹(G3), 제4 처리 장치 그룹(G4), 및 제5 처리 장치 그룹(G5)이 순서대로 배치되어 있다. 제3 처리 장치 그룹(G3)과 제4 처리 장치 그룹(G4) 사이에는 제1 이송 장치(30)가 설치되어 있다. 제1 이송 장치(30)는 제1 처리 장치 그룹(G1), 제3 처리 장치 그룹(G3), 및 제4 처리 장치 그룹(G4) 내의 각 장치에 대해 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 이송할 수 있다. 제4 처리 장치 그룹(G4)과 제5 처리 장치 그룹(G5) 사이에는 제2 이송 장치(31)가 설치되어 있다. 제2 이송 장치(31)는 제2 처리 장치 그룹(G2), 제4 처리 장치 그룹(G4) 및 제5 처리 장치 그룹(G5) 내의 각 장치에 대해 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 이송할 수 있다.
제1 처리 장치 그룹(G1)에는, 도2에 도시하듯이, 웨이퍼(W)에 소정의 액체를 공급하여 처리를 수행하기 위한 용액 처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)에 레지스트 액을 도포하여 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막 형성 장치로서의 레지스트 도포 장치(40, 41, 42), 및 노광 처리 중의 빛 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하기 위한 바닥 코팅 장치(43, 44)가 아래에서부터 순서대로 5단으로 쌓여 있다. 제2 처리 장치 그룹(G2)에는, 용액 처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 현상 처리하기 위한 현상 처리 장치(50 내지 54)가 아래에서부터 순서대로 5단으로 쌓여 있다. 또한, 제1 처리 장치 그룹(G1)과 제2 처리 장치 그룹(G2)의 최하단에는, 각 처리 장치 그룹(G1, G2)의 용액 처리 장치에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬 챔버(60, 61)가 각각 설치되어 있다.
도3에 도시하듯이, 제3 처리 장치 그룹(G3)에는, 예를 들어, 온도 조절 장치(70), 웨이퍼(W)를 전이시키기 위한 전이(transition) 장치(71), 고정밀도의 온도 관리 하에 웨이퍼 온도를 조절하기 위한 고정밀도 온도 조절 장치(72 내지 74), 및 웨이퍼(W)를 열처리하기 위한 열처리 장치(75 내지 78)가 아래에서부터 순서대로 9단으로 쌓여 있다.
제4 처리 장치 그룹(G4)에는, 예를 들어 고정밀도 온도 조절 장치(80), 레지스트 도포 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하기 위한 사전 베이킹(pre-baking) 장치(81 내지 84), 및 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하기 위한 사후 베이킹(post-baking) 장치(85 내지 89)가 아래에서부터 순서대로 10단으로 쌓여 있다.
제5 처리 장치 그룹(G5)에는, 웨이퍼(W)를 열처리하기 위한 복수의 열처리 장치, 예를 들어 고정밀도 온도 조절 장치(90 내지 93), 및 가열 처리 장치로서의 노광후 베이킹 장치(94 내지 99)가 아래에서부터 순서대로 10단으로 쌓여 있다.
도1에 도시하듯이, 제1 이송 장치(30)의 X방향 정방향(도1에서의 상방) 측에는, 복수의 처리 장치가 배치되어 있으며, 예를 들어 도3에 도시하듯이 웨이퍼(W)를 소수화(hydrophobic) 처리하기 위한 부착(adhesion) 장치(100, 101)가 아래에서부터 순서대로 2단으로 쌓여 있다. 도1에 도시하듯이, 제2 이송 장치(31)의 X방향 정방향 측에는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 엣지부만을 선택적으로 노광하는 엣지 노광 장치(102)가 배치되어 있다.
인터페이스 스테이션(14)에는, 예를 들어 도1에 도시하듯이 X방향을 향해 연장되는 이송로(110) 상을 이동하는 웨이퍼 이송체(111)와 버퍼 카세트(112)가 설치되어 있다. 웨이퍼 이송체(111)는 Z방향으로 이동가능하고 θ방향으로도 회전가능하며, 따라서 인터페이스 스테이션(14)에 인접한 노광 장치(A), 버퍼 카세트(112), 및 제5 처리 장치 그룹(G5) 내의 각 장치에 대해 액세스하여 웨이퍼(W)를 이송할 수 있다.
제2 처리 시스템(11)에는, 예를 들어, 이송 장치로서의 웨이퍼 이송 장치(120)와, 제6 처리 장치 그룹(G6), 및 수용부로서의 버퍼 카세트(121)가 설치되어 있다. 웨이퍼 이송 장치(120)는 노광 장치(A) 측에 설치된 X방향으로 연장되는 이송로(123) 상을 이동할 수 있다. 웨이퍼 이송 장치(120)는 Z방향으로 이동가능하고 θ방향으로도 회전가능하며, 노광 장치(A), 제6 처리 장치 그룹(G6), 및 버퍼 카세트(121)에 대해 액세스하여 웨이퍼(W)를 이송할 수 있다. 웨이퍼 이송 장치(120)는 웨이퍼(W)를 정렬하기 위한 정렬 기능을 구비하고 있다.
제6 처리 장치 그룹(G6)과 버퍼 카세트(121)는, 이송로(123)의 Y방향 정방향 측에 X방향으로 나란히 설치되어 있다. 제6 처리 장치 그룹(G6)에는, 도2에 도시하듯이 가열 처리 장치로서의 노광후 베이킹 장치(130 내지 133)가 아래에서부터 순서대로 4단으로 쌓여 있다. 버퍼 카세트(121)는 여러 장의 웨이퍼(W)를 일시적으로 수용할 수 있다.
다음으로, 전술한 노광후 베이킹 장치(94 내지 99, 130 내지 133)의 구성에 대해 설명한다. 도4 및 도5에 도시하듯이, 예를 들어 노광후 베이킹 장치(130)는 하우징(150) 내에, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 가열부(151)와 웨이퍼(W)를 냉각하기 위한 냉각부(152)를 구비하고 있다.
가열부(151)는, 도4에 도시하듯이, 상측에 위치하고 상하로 이동가능한 덮개(160)와, 하측에 위치하고 덮개(160)와 함께 처리 챔버(S)를 형성하는 열판(thermal plate) 수용부(161)를 구비하고 있다.
덮개(160)의 천정부의 중앙에는 배기부(160a)가 설치되어 있으며, 처리 챔버(S) 내의 분위기가 배기부(160a)를 통해서 균일하게 배기될 수 있다.
열판 수용부(161)의 중앙에는, 웨이퍼(W)를 장착하여 가열하는 열판(170)이 설치되어 있다. 열판(170)은 두껍고 대략 원반 형상을 갖고 있다. 열판(170)에는 전기 공급에 의해 발열하는 히터(171)가 내장되어 있다. 히터(171)의 발열량은, 예를 들어 히터 제어 장치(172)에 의해 조절된다. 히터 제어 장치(172)에서의 온도 제어는, 예를 들어 후술하는 제어부(220)에 의해 이루어진다.
도4에 도시하듯이, 열판(170)의 하부에는, 웨이퍼(W)를 하부로부터 지지하여 승강시키기 위한 제1 승강 핀(180)이 설치되어 있다. 제1 승강 핀(180)은 승강 구 동 기구(181)에 의해 상하 이동할 수 있다. 열판(170)의 중앙부 부근에는, 열판(170)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(182)이 형성되어 있다. 제1 승강 핀(180)은, 열판(170)의 하부로부터 상승하여 관통 구멍(182)을 통과하고, 열판(170)의 상방으로 돌출할 수 있다.
열판 수용부(161)는, 열판(170)을 수용하여 열판(170)의 외주부를 유지(hold)하기 위한 환형 유지 부재(190)와, 유지 부재(190)의 외주를 둘러싸는 대략 원통형의 지지 링(191)을 갖고 있다. 지지 링(191)의 상면에는, 처리 챔버(S) 내를 향하여 예를 들어 불활성 가스를 분출하는 송풍구(191a)가 형성되어 있다. 이 송풍구(191a)로부터 불활성 가스를 분출함으로써 처리 챔버(S) 내를 퍼지(purge:청소)할 수 있다. 또한, 지지 링(191)의 외측에는, 열판 수용부(191)의 외주가 되는 원통형 케이스(192)가 설치되어 있다.
가열부(151)에 인접하는 냉각부(152)에는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 장착하여 냉각하는 냉각판(200)이 설치되어 있다. 냉각판(200)은, 예를 들어 도5에 도시하듯이 대략 사각형의 평판 형상을 가지며, 가열판(170)측 단부면이 외측으로 돌출하는 원호 형상으로 만곡되어 있다. 도4에 도시하듯이 냉각판(200)의 내부에는, 예를 들어 펠티어 소자(Peltier element)와 같은 냉각 부재(200a)가 내장되어 냉각판(200)을 소정의 설정 온도로 조정할 수 있다.
냉각판(200)은 가열부(151) 측을 향해서 연장되는 레일(201)에 부착되어 있다. 냉각판(200)은, 구동부(202)에 의해 레일(201) 상을 이동하며, 가열부(151)측 열판(170)의 상방 위치까지 이동할 수 있다.
냉각판(200)에는, 예를 들어 도5에 도시하듯이 X방향을 따른 2개의 슬릿(203)이 형성되어 있다. 슬릿(203)은, 냉각판(200)의 가열부(151)측 단부면으로부터 냉각판(200)의 중앙부 부근까지 형성되어 있다. 이 슬릿(203)에 의해, 가열부(151) 측으로 이동한 냉각판(200)과, 열판(170) 위로 돌출하는 제1 승강 핀(180)의 간섭이 방지된다. 도4에 도시하듯이, 냉각판(200)의 하부에는 제2 승강 핀(204)이 설치되어 있다. 제2 승강 핀(204)은 승강 구동부(205)에 의해 승강될 수 있다. 제2 승강 핀(204)은, 냉각판(200)의 하부로부터 상승하여 슬릿(203)을 통과하고 냉각판(200)의 상방으로 돌출할 수 있다.
도5에 도시하듯이, 냉각판(200)을 사이에 두고 하우징(150)의 양 측벽에는, 웨이퍼(W)를 반입/반출하기 위한 반입/반출 포트(210)가 형성되어 있다.
다른 노광후 베이킹 장치(94 내지 99, 131 내지 133)는 전술한 노광후 베이킹 장치(130)와 같은 구성을 갖고 있으므로, 그 설명을 생략한다.
도포 현상 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼 처리의 제어는, 예를 들어 도1에 도시되는 제어부(220)에 의해 이루어진다. 제어부(220)는, 예를 들어 CPU와 메모리를 포함하는 범용 컴퓨터로 구성되며, 레지스트 도포 장치(40 내지 42), 노광후 베이킹 장치(94 내지 99, 130 내지 133), 및 현상 처리 장치(50 내지 54)와 같은 각종 처리 장치에 접속되고, 웨이퍼 이송체(22), 제1 이송 장치(30), 제2 이송 장치(31), 웨이퍼 이송체(111) 및 웨이퍼 이송 장치(120)와 같은 각종 이송 장치에 접속되어 있다. 제어부(220)는, 예를 들어 메모리에 기록된 프로그램을 실행함으로써, 처리 장치 및 이송 장치의 동작을 제어하여, 후술하는 소망의 웨이퍼 처리를 실현할 수 있다. 또한, 제어부(220)에서 실행되는 프로그램은 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록되고, 이 기록 매체로부터 제어부(220)에 설치될 수도 있다.
다음으로, 전술한 바와 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼 처리 프로세스에 대해 설명한다. 도6은 웨이퍼 처리의 주요 단계를 도시하는 흐름도이다.
먼저, 도1에 도시된 웨이퍼 이송체(22)에 의해, 카세트 장착 테이블(20) 상의 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)가 한 장씩 꺼내어져 처리 스테이션(13)으로 순차적으로 이송된다. 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(13)의 제3 처리 장치 그룹(G3)에 속하는 온도 조절 장치(70)로 이송되어 소정 온도로 온도 조절되고, 이후 제1 이송 장치(30)에 의해 예를 들어 바닥 코팅 장치(43)로 이송되어, 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는 제1 이송 장치(30)에 의해 열처리 장치(75), 고정밀도 온도 조절 장치(80)로 순차적으로 이송되어, 각 처리 장치에서 소정의 처리가 실시된다. 그 후 웨이퍼(W)는 제1 이송 장치(30)에 의해 레지스트 도포 장치(40)로 이송된다.
레지스트 도포 장치(40)에서는, 예를 들어 회전된 웨이퍼(W)의 앞면에 노즐로부터 소정 양의 레지스트액이 공급되어, 이 레지스트액이 웨이퍼(W)의 표면 전체로 확산됨으로써 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다(도6의 단계Q1).
레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제1 이송 장치(30)에 의해 예를 들어 사전 베이킹 장치(81)로 이송되어 그곳에서 가열 처리(사전 베이킹)가 실시된 후, 제2 이송 장치(31)에 의해 엣지 노광 장치(102)와 고정밀도 온도 조절 장치(93)로 순차적으로 이송되며, 각 장치에서 소정의 처리가 실시된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 스테이션(14)의 웨이퍼 이송체(111)에 의해 노광 장치(A)로 이송된다. 웨이퍼(W)가 노광 장치(A)로 이송되면, 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 노광 광원으로부터 마스크를 거쳐서 빛이 조사되어 레지스트막에 소정의 패턴이 노광된다. 이렇게 해서 웨이퍼(W)에 1회째의 노광 처리가 실시된다(도6의 단계Q2).
1회째의 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 이송 장치(120)에 의해 노광 장치(A)의 반대측에 있는 제2 처리 시스템(11)의 예를 들면 노광후 베이킹 장치(130)로 이송된다.
이 노광후 베이킹 장치(130)에서는, 먼저 웨이퍼(W)가 반입/반출 포트(210)를 통해서 반입되어 도4에 도시된 냉각판(200) 상에 장착된다. 이어서 냉각판(200)이 이동하여, 웨이퍼(W)가 열판(170)의 상방 위치로 이동된다. 웨이퍼(W)는 냉각판(200)으로부터 제1 승강 핀(180)으로 이동되고, 제1 승강 핀(180)에 의해 열판(170) 상에 장착된다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W)의 가열 처리(노광후 베이킹)가 개시된다(도6의 단계Q3). 소정 시간 경과후, 웨이퍼(W)가 제1 승강 핀(180)에 의해 열판(170)으로부터 이격되어 웨이퍼(W)의 가열 처리가 종료된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 제1 승강 핀(180)으로부터 냉각판(200)으로 이동되어 냉각되고 냉각판(200)으로부터 반입/반출 포트(210)를 통해서 노광후 베이킹 장치(130)의 외부로 반출된다.
1회째의 노광후 베이킹이 종료된 웨이퍼(W)는, 도1에 도시된 웨이퍼 이송 장치(120)에 의해 버퍼 카세트(121)로 이송되어 그곳에 일시적으로 수용된다. 웨이퍼(W)는, 예를 들어 동일 로트(lot) 내의 다른 웨이퍼가 1회째의 노광 처리와 노광후 베이킹이 종료할 때까지 버퍼 카세트(121)에서 대기한다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 이송 장치(120)에 의해 버퍼 카세트(121)로부터 꺼내져 노광 장치(A)로 이송된다. 노광 장치(A)로 이송된 웨이퍼(W)에 대해서는, 예를 들어 레지스트막에 1회째의 노광 처리와 다른 패턴이 노광되어, 2회째의 노광 처리가 실시된다(도6의 단계Q4). 2회째의 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(14)의 웨이퍼 이송체(111)에 의해 처리 스테이션(13)의 예를 들어 노광후 베이킹 장치(94)로 이송된다.
노광후 베이킹 장치(94)로 이송된 웨이퍼(W)는, 전술된 노광후 베이킹 장치(130)에서의 가열 처리와 같이, 먼저 냉각판(200)으로 이동되고 냉각판(200)으로부터 제1 승강 핀(180)으로 이동된다. 제1 승강 핀(180)에 의해 웨이퍼(W)가 열판(170)에 장착되고, 웨이퍼(W)의 가열 처리(노광후 베이킹)가 개시된다(도6의 단계Q5). 소정 시간 경과후, 제1 승강 핀(180)에 의해 웨이퍼(W)가 들어올려지고, 웨이퍼(W)의 가열 처리가 종료된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 냉각판(200)으로 이동되어 냉각되고, 그 후 노광후 베이킹 장치(94)로부터 반출된다.
2회째의 노광후 베이킹이 종료된 웨이퍼(W)는, 제2 이송 장치(31)에 의해 예를 들어 현상 처리 장치(50)로 이송되고 그곳에서 웨이퍼(W) 상의 레지스트막이 현상된다(도6의 단계Q6). 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 이송 장치(31)에 의해 사후 베이킹 장치(85)로 이송되어 가열 처리(사후 베이킹)가 실시되고, 그 후 제1 이송 장치(30)에 의해 고정밀도 온도 조절 장치(72)로 이송되어 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 이송체(22)에 의해 카세트 스테이션(12)의 카세트(C)로 복귀된다. 이렇게 해서 도포 현상 처리 시스템(1)에서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.
이상의 실시예에 의하면, 포토리소그래피 공정에 의해 레지스트막에 패턴을 형성하기 위해 노광 처리를 2회 실시하는 웨이퍼 처리에 있어서, 1회째와 2회째의 노광 처리 이후에 그때마다 노광후 베이킹을 실시하도록 했으므로, 1회째와 2회째의 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간(PED 시간)의 차이가 저감된다. 그 결과, 1회째와 2회째로 노광 처리된 노광 부분 상호간의 패턴 치수의 격차가 저감되어 각 회의 노광 부분의 패턴의 치수 정합성이 향상되므로, 최종적으로 웨이퍼(W)에 소망 형상의 패턴을 형성할 수 있다.
이상의 실시예에서는, 제1 처리 시스템(10)으로부터 볼 때 노광 장치(A)를 사이에 둔 반대쪽에, 노광후 베이킹 장치(130 내지 133)를 구비하는 제2 처리 시스템(11)이 설치되므로, 1회째의 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)를 노광 장치(A)의 반대쪽으로부터 제2 처리 시스템(11)으로 반출하여, 노광후 베이킹 장치(130 내지 133)에서 노광후 베이킹을 실시할 수 있다. 이 경우, 처리 스테이션(13)과 노광 장치(A) 사이에서 웨이퍼(W)를 이동시키는 인터페이스 스테이션(14)의 웨이퍼 이송체(111)를 사용할 필요가 없으며, 전용 웨이퍼 이송 장치(120)를 사용하여, 웨이퍼(W)를 노광후 베이킹 장치(130 내지 133)로 이송할 수 있다. 그러므로, 예를 들어 웨이퍼 이송체(111)의 가동 상태 등에 관계없이, 1회째의 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)를 원활하게 노광후 베이킹 장치(130 내지 133)로 이송할 수 있다. 그 결과, 1회째의 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간을 안정적으로 제어할 수 있다. 또한, 웨이퍼 이송 장치(120)가 사용됨으로 인해, 웨이퍼 이송체(111)의 부담도 감소되므로, 2회째의 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간도 안정적으로 제어할 수 있다. 그 결과, 1회째와 2회째의 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간차를 보다 안정적으로 적극적으로 감소시킬 수 있으며, 최종적으로 웨이퍼(W)에 소망하는 치수의 패턴을 안정적으로 형성할 수 있다.
제2 처리 스테이션(11)에 버퍼 카세트(121)가 설치되므로, 노광후 베이킹이 종료된 1로트 만큼의 웨이퍼(W)를 그 안에 수용하여 2회째의 노광 처리를 위해 대기시킬 수 있다.
실시예에서는, 1회째와 2회째 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간을 적극적으로 같아지도록 제어할 수도 있다. 예를 들어, 제어부(220)에 의해 웨이퍼 이송 장치(120)와 웨이퍼 이송체(111)의 동작을 제어하여, 1회째의 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간과 2회째의 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간이 같아지도록 시간 관리한다. 이렇게 함으로써, 1회째와 2회째의 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간차를 없앨 수 있으며, 그 결과, 1회째와 2회째의 노광 부분 사이에 패턴 치수의 격차가 없어지고, 보다 엄격한 치수의 패턴을 형성할 수 있다.
그런데, 2회째의 노광 처리에서의 레지스트막의 노광 부분에는, 그 후 1회분의 노광후 베이킹(2회째의 노광후 베이킹)이 실시되지만, 1회째의 노광 처리가 실시된 노광 부분에는, 모두 2회분의 노광후 베이킹(1회째의 노광후 베이킹＋2회째의 노광후 베이킹)이 실시된다. 노광후 베이킹 횟수의 차이에 의해 발생하는 패턴 치수의 변동을 보정하기 위해서, 예를 들어 1회째의 노광 처리와 2회째의 노광 처리의 노광 조건이 변경될 수도 있다. 예를 들어 1회째의 노광 시간을 2회째의 노광 시간보다 짧게 하여, 1회째의 노광 처리의 노광량을 줄일 수도 있다. 이 경우, 예를 들어 제어부(220)에 의해 노광 장치(A)의 1회째의 노광 처리의 노광량이 대략 20mJ/㎠로 설정되고, 2회째의 노광 처리의 노광량이 대략 25mJ/㎠로 설정된다. 이 때, 노광후 베이킹의 가열 시간(약 30초)과 가열 온도(약 120℃)는 1회째와 2회째에서 동일하게 설정된다. 이렇게 함으로써, 1회째의 노광 처리에서의 노광 부분에 노광후 베이킹이 2회 실시된 경우에도, 1회째와 2회째에서 같은 치수의 패턴을 형성할 수 있으며, 따라서 최종 패턴을 미세하게 조정할 수 있다.
또한, 예에서의 노광 처리의 노광 조건 대신에, 1회째와 2회째의 노광후 베이킹의 가열 조건을 변경할 수도 있다. 이 경우, 예를 들어 1회째의 가열 시간을 2회째의 가열 시간보다 짧게 할 수도 있고, 1회째의 가열 온도를 2회째의 가열 온도보다 낮게 할 수도 있으며, 이들을 둘다 실시할 수도 있다. 이 경우, 노광 처리의 노광 조건은, 1회째와 2회째에서 동일하게 설정된다. 이렇게 해서도, 1회째 노광 처리의 노광 부분이 2회째 노광 처리의 노광 부분보다 많이 노광후 베이킹되는 것에 의한 영향이 감소될 수 있고, 최종적으로 소망 형상의 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 최종적으로 소망하는 치수의 패턴이 형성되도록, 1회째와 2회째의 노광 처리의 노광 조건과 노광후 베이킹의 가열 조건을 둘다 변경할 수도 있다.
실시예에 기재된 노광 처리에서는 광원으로부터 빛이 직접 웨이퍼(W)에 조사되고 있지만, 웨이퍼(W)의 앞면에 빛을 투과하는 액체층을 형성한 상태에서, 이 액체층을 거쳐서 웨이퍼(W) 상의 레지스트막을 노광시킬 수도 있다. 웨이퍼 표면의 액체층에 빛을 투과시켜 노광하는 기술은 일본 공개특허공보 제2006－49757호에 제안되어 있다.
이 경우, 예를 들어 도7에 도시하듯이 처리 스테이션(13)과 제2 처리 시스템(11)에, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 장치(230, 240)를 설치할 수도 있다. 예를 들어 처리 스테이션(13)의 세정 장치(230)는, 웨이퍼 이송체(111)에 의해 웨이퍼(W)가 이송될 수 있는 제5 처리 장치 그룹(G5) 내에 설치된다. 예를 들어 제2 처리 시스템(11)의 세정 장치(240)는, 웨이퍼 이송 장치(120)에 의해 웨이퍼(W)가 이송될 수 있는 예를 들어 제6 처리 장치 그룹(G6) 내에 설치된다.
세정 장치(230)는, 예를 들어 도8에 도시하듯이 케이싱(230a)을 가지며, 케이싱(230a) 내의 중앙부에는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하여 회전시키기 위한 스핀 척(231)이 설치되어 있다. 스핀 척(231)의 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 비산된 세정액을 수용하여 회수하기 위한 컵(232)이 설치되어 있다. 컵(232)의 저면에는 배출관(233)이 접속되어 있다. 스핀 척(231)의 상방에는, 웨이퍼(W)에 대해 세정액을 토출하는 세정액 토출 노즐(234)이 설치되어 있다. 세정액 토출 노즐(234)은 공급관(235)에 의해 세정액 공급원(236)에 접속되고 있다.
세정 장치(240)는 전술한 세정 장치(230)와 같은 구성을 가지고 있으므로 설명을 생략한다.
다음으로, 이 세정 장치(230, 240)를 구비한 경우의 웨이퍼 처리 프로세스에 대해 설명한다. 도9는 이 웨이퍼 처리의 주요 단계를 도시하는 흐름도이다. 먼저, 전술한 실시예와 같이 카세트 스테이션(12)의 웨이퍼(W)가 처리 스테이션(13)으로 이송되고, 예를 들어 온도 조절 장치(70), 바닥 코팅 장치(43), 열처리 장치(75), 고정밀도 온도 조절 장치(80)로 순차적으로 이송되어 소정의 처리가 실시된다. 그 후 웨이퍼(W)는 레지스트 도포 장치(40)로 이송되어 레지스트막이 형성된다(도9의 단계Q1). 그 후 웨이퍼(W)는, 예를 들어 사전 베이킹 장치(81), 엣지 노광 장치(102), 고정밀도 온도 조절 장치(93)로 순차적으로 이송되어 소정의 처리가 실시된 후, 노광 장치(A)로 이송된다.
노광 장치(A)에서는, 예를 들어, 도10에 도시하듯이 렌즈(250)와 웨이퍼(W) 사이에 빛을 투과하는 액체층(B)이 형성되고, 그 렌즈(250)와 액체층(B)을 통해서 빛을 투과시켜 레지스트막의 1회째의 노광 처리가 실시된다(도9의 단계Q2). 다음으로 웨이퍼(W)는 웨이퍼 이송 장치(120)에 의해 노광 장치(A)로부터 제2 처리 시스템(11)의 세정 장치(240)로 이송된다.
세정 장치(240)에서는 먼저 웨이퍼(W)가 스핀 척(231)에 유지된다. 웨이퍼(W)는 스핀 척(231)에 의해 회전되며, 회전된 웨이퍼(W)에는 세정액 토출 노즐(234)로부터 세정액이 토출된다. 이로 인해, 노광 처리에서 웨이퍼(W)의 앞면에 부착된 액체가 제거되어 웨이퍼(W)가 세정된다(도9의 단계K1). 그 후, 세정액의 토출이 정지되고, 웨이퍼(W)가 스핀 척(231)에 의해 고속 회전되어, 웨이퍼(W)가 건조된다. 건조된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 이송 장치(120)에 의해 세정 장치(240)로부 터 꺼내져, 예를 들어 노광후 베이킹 장치(130)로 이송된다.
노광후 베이킹 장치(130)로 이송된 웨이퍼(W)는, 전술한 실시예에서와 같이 열판(170)으로 이동되어 소정 시간 가열 처리(노광후 베이킹)된다(도9의 단계Q3). 그 후 웨이퍼(W)는, 냉각판(200) 상에서 냉각되고, 웨이퍼 이송 장치(120)에 의해 노광후 베이킹 장치(130)로부터 꺼내져, 버퍼 카세트(121)로 이송된다. 이후 웨이퍼(W)는 웨이퍼 이송 장치(120)에 의해 다시 노광 장치(A)로 이송되고, 웨이퍼(W) 앞면의 액체층에 빛을 투과시켜 1회째와 다른 패턴의 2회째의 노광 처리가 실시된다(도9의 단계Q4). 2회째의 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(14)을 통해서 처리 스테이션(13)의 세정 장치(230)로 이송되어 세정된다(도9의 단계K2). 세정 장치(230)에서는, 세정 장치(240)의 세정 처리와 마찬가지로 세정액이 공급되면서 웨이퍼(W)가 회전함으로써 웨이퍼(W)의 세정이 이루어진다. 그 후 웨이퍼(W)는 노광후 베이킹 장치(94)로 이송되어 가열 처리(노광후 베이킹)된다(도9의 단계Q5). 그 후 웨이퍼(W)는 현상 처리 장치(50)에서 현상되고(도9의 단계Q6), 그 후 사후 베이킹 장치(85), 고정밀도 온도 조절 장치(72)로 순차적으로 이송되고, 카세트 스테이션(12)의 카세트(C)로 복귀된다.
이 예에 따르면, 1회째와 2회째의 노광 처리 후에, 즉시 웨이퍼(W)를 세정하여 건조시킬 수 있으므로, 노광 처리에 사용된 액체가 레지스트막 상에 잔류하여 레지스트막에 결함이 생기는 것이 방지될 수 있다. 이 예에서도, 1회째와 2회째의 노광 처리에서부터 노광후 베이킹까지의 시간은, 예를 들어 1회째와 2회째의 노광 처리에서부터 노광후 베이킹까지의 시간이 동일하도록 제어부(220)에 의해 엄격하 게 제어될 수도 있다.
실시예에서는 1회째의 노광후 베이킹을 실시하는 노광후 베이킹 장치(130 내지 133) 및 세정 처리를 실시하는 세정 장치(240)가 제2 처리 시스템(11)에 설치되어 있지만, 예를 들어 도11에 도시하듯이 인터페이스 스테이션(14)에 설치될 수도 있다. 이 경우, 2회째의 노광후 베이킹을 실시하는 노광후 베이킹 장치(94 내지 99) 및 세정 처리를 실시하는 세정 장치(230)는 처리 스테이션(13)에 설치되어 있다.
또한, 실시예에서는 2회째의 노광후 베이킹을 실시하는 노광후 베이킹 장치(94 내지 99) 및 세정 처리를 실시하는 세정 장치(230)가 처리 스테이션(13)에 설치되어 있지만, 예를 들어 도12에 도시하듯이 인터페이스 스테이션(14)에 설치될 수도 있다. 이 경우, 1회째의 노광후 베이킹을 실시하는 노광후 베이킹 장치(130 내지 133) 및 세정 처리를 실시하는 세정 장치(240)는 제2 처리 시스템(11)에 설치된다.
이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명했지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다. 당업자에게는 청구범위에 기재된 사상의 범주 내에서 각종 변경예 또는 수정예에 쉽게 도달할 수 있음이 자명할 것이며, 이것들도 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해되어야 함에 유의해야 한다. 예를 들어 실시예에서 노광 처리의 횟수는 2회였지만 본 발명은 3회 이상의 경우에도 적용될 수 있다. 이 경우, 예를 들어 최종회의 노광 처리 후의 노광후 베이킹을 노광후 베이킹 장치(94 내지 99)에서 실시할 수도 있고, 최종회 이외의 노광 처 리 후의 노광후 베이킹을 노광후 베이킹 장치(130 내지 133)에서 실시할 수도 있다. 또한, 기판 처리 시스템에 예를 들어 선폭과 같은 치수를 측정할 수 있는 검사 장치를 탑재하고, 이 검사 장치에 의한 검사 결과를 전송하여, 노광 시간 및 노광후 베이킹 또는 현상 시간을 제어할 수도 있다. 또한, 본 발명은 웨이퍼 이외의 예를 들어 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클(reticle) 등과 같은 다른 기판의 처리에도 적용할 수 있다.
본 발명은, 레지스트막 형성 처리와 현상 처리 사이에 여러 차례의 노광 처리를 실시하는 패턴 형성 처리에 있어서, 소망하는 치수의 패턴을 형성할 때 유용하다.

Claims (18)

  1. 기판 처리 방법이며,
    레지스트막의 형성 처리와 현상 처리의 사이에 이루어지는 노광 처리를 복수회 실시하고, 상기 각 회의 노광 처리가 종료될 때마다 기판의 가열 처리를 실시하고,
    상기 노광 처리의 종료에서부터 상기 가열 처리의 개시까지의 시간은 상호 동일하도록 제어되고,
    상기 각 회의 노광 처리 후의 가열 처리마다 다른 가열 조건이 설정되고,
    2회째 이후의 상기 가열 처리의 가열 조건은, 직전 회의 상기 가열 처리에서보다 가열 시간 및 가열 온도 중 하나 이상이 줄어들도록 설정되는 기판 처리 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 각 회의 노광 처리마다 다른 노광 조건이 설정되는 기판 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서, 2회째 이후의 상기 노광 처리의 노광 조건은 직전 회의 상기 노광 처리에서보다 노광량이 적어지도록 설정되는 기판 처리 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 상기 노광 처리는 기판 표면의 액체를 통해서 빛을 투과하여 기판을 노광하는 것이며,
    상기 각 회의 노광 처리 후 가열 처리 전에, 기판을 세정하는 세정 처리가 실시되는 기판 처리 방법.
  8. 삭제
  9. 기판에 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막 형성 장치와, 노광 처리된 기판을 현상 처리하기 위한 현상 처리 장치와, 상기 기판을 가열 처리하기 위한 가열 처리 장치를 포함하는 기판 처리 시스템을 사용하여 기판 처리 방법을 수행하도록 기판 처리 시스템을 제어하기 위한 제어 장치의 컴퓨터에서 실행되는 프로그램이 저장되는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체이며,
    상기 기판 처리 방법은 레지스트막의 형성 처리와 현상 처리의 사이에 이루어지는 노광 처리를 복수회 실시하고, 상기 각 회의 노광 처리가 종료될 때마다 기판의 가열 처리를 실시하기 위한 것이며,
    상기 노광 처리의 종료에서부터 상기 가열 처리의 개시까지의 시간은 상호 동일하도록 제어되고,
    상기 각 회의 노광 처리 후의 가열 처리마다 다른 가열 조건이 설정되고,
    2회째 이후의 상기 가열 처리의 가열 조건은, 직전 회의 상기 가열 처리에서보다 가열 시간 및 가열 온도 중 하나 이상이 줄어들도록 설정되는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
  10. 기판 처리 시스템이며,
    기판에 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막 형성 장치와,
    레지스트막이 형성되고 이후 노광 처리된 기판을 현상 처리하기 위한 현상 처리 장치와,
    상기 기판을 가열 처리하기 위한 가열 처리 장치를 포함하고,
    상기 레지스트막의 형성과 상기 현상 처리 사이에 복수회의 노광 처리가 실시되고, 상기 각 회의 노광 처리가 종료될 때마다 상기 가열 처리 장치에서 기판의 가열 처리가 실시되고,
    상기 노광 처리의 종료에서부터 상기 가열 처리의 개시까지의 시간은 상호 동일하도록 제어되고,
    상기 각 회의 노광 처리 후의 가열 처리마다 다른 가열 조건이 설정되고,
    2회째 이후의 상기 가열 처리의 가열 조건은, 직전 회의 상기 가열 처리에서보다 가열 시간 및 가열 온도 중 하나 이상이 줄어들도록 설정되는 기판 처리 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 레지스트막 형성 장치와, 상기 현상 처리 장치와, 상기 가열 처리 장치를 갖는 제1 처리 시스템과,
    상기 제1 처리 시스템의 가열 처리 장치와는 별개의 가열 처리 장치를 갖는 제2 처리 시스템을 더 포함하며,
    상기 제1 처리 시스템은 노광 장치의 일단에 접속되고, 상기 제2 처리 시스템은 상기 제1 처리 시스템의 반대쪽에서 상기 노광 장치의 타단에 접속되며,
    상기 제1 처리 시스템 및 제2 처리 시스템은 기판을 상기 노광 장치로 이송할 수 있는 기판 처리 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2 처리 시스템에는 상기 노광 장치와 상기 제2 처리 시스템의 가열 처리 장치 사이에서 기판을 이송하기 위한 이송 장치가 제공되는 기판 처리 시스템.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제2 처리 시스템에는 복수의 기판을 수용하기 위한 수용부가 제공되는 기판 처리 시스템.
  14. 제11항에 있어서, 상기 제2 처리 시스템에는 기판을 세정하기 위한 세정 장치가 제공되는 기판 처리 시스템.
  15. 제11항에 있어서, 최종회의 노광 처리 이후의 가열 처리는 상기 제1 처리 시스템의 가열 처리 장치에서 실시되고,
    최종회 이외의 노광 처리 이후의 가열 처리는 상기 제2 처리 시스템의 가열 처리 장치에서 실시되는 기판 처리 시스템.
  16. 제11항에 있어서, 상기 레지스트막 형성 장치 및 상기 현상 처리 장치를 갖는 처리부와,
    상기 처리부의 상기 노광 장치 측에 면하고 있으며 상기 처리부와 노광 장치 사이에서 기판을 이송하기 위한 이송부를 더 포함하며,
    상기 가열 처리 장치는 상기 이송부와 상기 처리부에 각각 제공되는 기판 처리 시스템.
  17. 제16항에 있어서, 상기 이송부에는 기판을 세정하기 위한 세정 장치가 제공되는 기판 처리 시스템.
  18. 제16항에 있어서, 최종회의 노광 처리 이후의 가열 처리는 상기 처리부에서의 가열 처리 장치에서 실시되고,
    최종회 이외의 노광 처리 이후의 가열 처리는 상기 이송부에서의 가열 처리 장치에서 실시되는 기판 처리 시스템.
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