TWI501338B - A heat treatment method and a recording medium and a heat treatment apparatus for recording a program for carrying out the heat treatment method - Google Patents

A heat treatment method and a recording medium and a heat treatment apparatus for recording a program for carrying out the heat treatment method Download PDF

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Description

熱處理方法及記錄用以使該熱處理方法實行的程式之記錄媒體及熱處理裝置
本發明是有關熱處理基板的熱處理方法及記錄用以使該熱處理方法實行的程式之記錄媒體以及熱處理裝置。
在半導體積體電路的製造工程中，為了在半導體晶圓或LCD基板等(以下稱為晶圓等)的表面形成阻劑圖案，而進行利用光微影技術(Photolithography)的塗佈顯像處理。利用光微影技術的塗佈顯像處理是具有：在晶圓等的表面塗佈阻劑液的阻劑塗佈工程、及在所被形成的阻劑膜將電路圖案曝光的曝光處理工程、及對曝光處理後的晶圓等供給顯像液的顯像處理工程。
並且，在利用光微影技術的塗佈顯像處理中，進行各種的熱處理。
例如，在阻劑塗佈工程與曝光處理工程之間是進行用以使阻劑膜中的殘留溶劑蒸發而使晶圓等與阻劑膜的密著性提升之熱處理(預烤)。並且，在曝光處理工程與顯像處理工程之間是進行用以誘起化學倍增式阻劑(Chemically Amplified Resist；CAR)的酸觸媒反應之熱處理(曝光後烘烤(Post Exposure Bake；PEB))。更在顯像處理工程後進行用以除去阻劑中的殘留溶媒或在顯像時被取入阻劑中的洗滌液，改善濕蝕刻時的浸入之熱處理(後烘烤(Post-bake))。
上述的各熱處理為了管理所被形成的阻劑圖案的線寬(Critical Dimension；CD)，較理想是嚴格管理其熱處理的熱處理條件。特別是為了能夠實現高感度、高解像性、高乾蝕刻耐性，而使用近年來被注目的化學倍增式阻劑作為阻劑時，較理想是嚴格管理曝光後烘烤的熱處理條件。因為給予基板的面內各處的阻劑膜的熱量的差會造成所被製造的半導體積體電路的電路圖案的尺寸精度極大的影響。
為了管理如此的熱處理的條件，有其特徵係以熱處理時所被供給至基板的熱量能夠在基板上的複數處形成相等的方式來控制熱源的輸出量之熱處理方法及熱處理裝置被揭示(例如參照專利文獻1)。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-51439號公報
可是，在上述那樣的熱處理方法及熱處理裝置中有其次那樣的問題。
例如，在曝光後烘烤等的熱處理中，連續依序熱處理各個熱處理溫度不同之被塗佈複數種類的阻劑膜的基板時，需要高速進行熱板的溫度變更。
一般熱處理裝置是具有熱板，在被設定成預定溫度的熱板上載置基板，藉此熱處理基板。而且，一般熱板是使用藉由通電來發熱的加熱器作為熱源。因此，在將熱板的設定溫度從低溫變更至高溫時，隨著對加熱器的通電，熱板的溫度會急速地上昇，因此可比較高速地進行溫度變更。
但，一般熱處理裝置不具有冷卻熱板的冷卻機構。因此，在將熱板的設定溫度從高溫變更至低溫時，大多為自然冷卻，所以無法高速地冷卻。因此，在熱板設定溫度從高溫變更至低溫後，至熱板的溫度到達設定溫度，必須等待最初的基板的熱處理的開始，無法縮短處理基板的處理時間，會有無法降低製造成本的問題。
另一方面，在熱板的溫度到達設定溫度之前開始最初的基板的熱處理時，最初的基板的溫度履歷是與在該基板的熱處理之後，熱板的溫度被保持於設定溫度的狀態下開始熱處理的其次的基板的溫度履歷不同。因此，在處理複數的基板時，於基板間，會有阻劑膜等的塗佈膜的特性變動的問題。特別是熱處理為曝光後烘烤時，會有阻劑圖案的線寬CD在基板間變動的問題。
在將熱板的設定溫度從高溫變更至低溫時，為了使熱板快冷卻，有縮小熱板的容量的方法、或在熱板的附近設置用以對熱板吹上冷卻氣體的冷卻氣體噴嘴等的冷卻機構的方法。但，就縮小熱板的容量的方法而言，隨著熱板的小型化、薄型化，會有熱板的強度、性能降低的問題。又，對於在熱板的附近設置冷卻機構的方法而言，會有熱處理裝置的裝置成本增大的問題。
本發明是有鑑於上述的點而研發者，提供一種不會有使熱板的強度降低或使裝置成本增大的情形，可一面防止基板間的塗佈膜的特性的變動，一面縮短處理基板的處理時間之熱處理方法及熱處理裝置。
為了解決上述的課題，本發明的特徵是具備其次所述的手段。
若根據本發明之一實施例，則可提供一種熱處理方法，係於被設定成預定溫度的熱板上，依序載置由複數的基板所構成的基板群的各基板，而進行熱處理的熱處理方法，其特徵係具有：第1工程，其係將上述熱板的設定溫度從第1溫度變更成比上述第1溫度更低的第2溫度，在上述熱板的溫度到達上述第2溫度之前，開始上述熱板之上述基板群的最初的基板的熱處理，藉由上述熱板來熱處理上述最初的基板；及第2工程，其係於上述最初的基板的熱處理之後，將上述熱板的設定溫度變更成比上述第2溫度更高的第3溫度，在上述熱板的溫度到達上述第3溫度之後，將上述熱板的設定溫度變更成上述第2溫度時，開始上述熱板之上述基板群的其次的基板的熱處理，藉由上述熱板來熱處理上述其次的基板。
又，若根據本發明之一實施例，則可提供一種熱處理裝置，係具有熱板，在被設定成預定溫度的上述熱板上，依序載置由複數的基板所構成的基板群的各基板，而進行熱處理的熱處理裝置，其特徵係具有控制部，其係將上述熱板的設定溫度從第1溫度變更成比上述第1溫度更低的第2溫度，在上述熱板的溫度到達上述第2溫度之前，開始上述熱板之上述基板群的最初的基板的熱處理，藉由上述熱板來熱處理上述最初的基板，在上述最初的基板的熱處理之後，將上述熱板的設定溫度變更成比上述第2溫度更高的第3溫度，在上述熱板的溫度到達上述第3溫度之後，將上述熱板的設定溫度變更成上述第2溫度時，開始上述熱板之上述基板群的其次的基板的熱處理，藉由上述熱板來熱處理上述其次的基板。
若根據本發明，則不會有使熱板的強度降低或使裝置成本增大的情形，可一面防止基板間的塗佈膜的特性的變動，一面縮短處理基板的處理時間。
其次，與圖面一起說明有關用以實施本發明的形態。
以下，參照圖1～圖8來說明有關包含實施形態的熱處理裝置的塗佈顯像處理系統。
最初，參照圖1～圖3來說明有關本實施形態的塗佈顯像處理系統。圖1是表示本實施形態的塗佈顯像處理系統的構成的概略平面圖。圖2是表示塗佈顯像處理系統的構成的概略正面圖，圖3是表示塗佈顯像處理系統的構成的概略背面圖。
塗佈顯像處理系統1是例如圖1所示具備設於夾著曝光裝置A的兩側之第1處理系統10及第2處理系統11。第1處理系統10是具有一體連接例如卡匣站12、處理站13及介面站14的構成。卡匣站12是以卡匣單位從外部來對塗佈顯像處理系統1搬出入25片的晶圓W，或對卡匣C搬出入晶圓W。處理站13是多段地配置複數的各種處理裝置而成的處理部，該複數的各種處理裝置是在光微影工程之中單片式地實施預定的處理。介面站14是在與曝光裝置A之間進行晶圓W的交接之搬送部。卡匣站12、處理站13及介面站14是朝有曝光裝置A的Y方向正方向側(圖1中的右方向)依序配置，且介面站14是被連接至曝光裝置A。
在卡匣站12設有卡匣載置台20，該卡匣載置台20是在X方向(圖1中的上下方向)一列地自由載置複數的卡匣C。在卡匣站12設有可沿著X方向來移動於搬送路21上的晶圓搬送體22。晶圓搬送體22是在被收容於卡匣C的晶圓W的晶圓配列方向(Z方向；鉛直方向)也移動自如，可對卡匣C內配列於上下方向的晶圓W選擇性地存取。晶圓搬送體22是可繞著鉛直方向的軸(θ方向)旋轉，可對處理站13側的後述第3處理裝置群G3的各處理裝置進行存取。
處理站13是具備多段地配置有複數的處理裝置之例如5個的處理裝置群G1～G5。在處理站13的X方向負方向(圖1中的下方向)側，從卡匣站12側起依序配置有第1處理裝置群G1、第2處理裝置群G2。在處理站13的X方向正方向(圖1中的上方向)側，從卡匣站12側起依序配置有第3處理裝置群G3、第4處理裝置群G4及第5處理裝置群G5。在第3處理裝置群G3與第4處理裝置群G4之間設有第1搬送裝置30。第1搬送裝置30可對第1處理裝置群G1、第3處理裝置群G3及第4處理裝置群G4內的各裝置選擇性地存取搬送晶圓W。在第4處理裝置群G4與第5處理裝置群G5之間設有第2搬送裝置31。第2搬送裝置31是可對第2處理裝置群G2、第4處理裝置群G4及第5處理裝置群G5內的各裝置選擇性地存取搬送晶圓W。
如圖2所示，在第1處理裝置群G1中，對晶圓W供給預定的液體而進行處理的液處理裝置，例如阻劑塗佈裝置(COT)40、41、42、底塗層裝置(BARC)43、44會由下依序重疊成5段。阻劑塗佈裝置40、41、42是對晶圓W塗佈阻劑液而形成阻劑膜的阻劑膜形成裝置。底塗層裝置43、44是形成防止曝光時的光的反射之反射防止膜。在第2處理裝置群G2中，液處理裝置，例如對晶圓W供給顯像液而進行顯像處理的顯像處理裝置(DEV)50～54會由下依序重疊成5段。並且，在第1處理裝置群G1及第2處理裝置群G2的最下段分別設有用以對各處理裝置群G1、G2內的上述液處理裝置供給各種處理液的化學室(CHM)60、61。
例如圖3所示，在第3處理裝置群G3中，溫調裝置(TCP)70、轉移裝置(TRS)71、高精度溫調裝置(CPL)72～74及熱處理裝置(BAKE)75～78會由下依序重疊成9段。轉移裝置71是進行晶圓W的交接。高精度溫調裝置72～74是在精度高的溫度管理下調節晶圓溫度。熱處理裝置75～78是熱處理晶圓W。
在第4處理裝置群G4中，例如高精度溫調裝置(CPL)80、預烤裝置(PAB)81～84及後烘烤裝置(POST)85～89會由下依序重疊成10段。預烤裝置81～84是熱處理阻劑塗佈處理後的晶圓W。後烘烤裝置85～89是熱處理顯像處理後的晶圓W。
在第5處理裝置群G5中，熱處理晶圓W的複數的熱處理裝置，例如高精度溫調裝置(CPL)90～93、作為熱處理裝置的曝光後烘烤裝置(PEB)94～99會由下依序重疊成10段。
如圖1所示，在第1搬送裝置30的X方向正方向(圖1中的上方)側配置有複數的處理裝置，例如圖3所示，用以疏水化處理晶圓W的附著裝置(AD)100、101會由下依序重疊成2段。如圖1所示，在第2搬送裝置31的X方向正方向側配置有例如只將晶圓W的邊緣部予以選擇性地曝光的周邊曝光裝置(WEE)102。
例如圖1所示，在介面站14設有移動於朝X方向延伸的搬送路110上的晶圓搬送體111及緩衝卡匣112。晶圓搬送體111是可移動於Z方向且亦可旋轉於θ方向，可對與介面站14鄰接的曝光裝置A、緩衝卡匣112及第5處理裝置群G5內的各裝置進行存取搬送晶圓W。
在第2處理系統11中設有作為搬送裝置的晶圓搬送裝置120、及第6處理裝置群G6、以及作為收容部的緩衝卡匣121。晶圓搬送裝置120是可移動於設在曝光裝置A側之延伸於X方向的搬送路123上。晶圓搬送裝置120是可移動於Z方向且亦可旋轉於θ方向，可對曝光裝置A、第6處理裝置群G6及緩衝卡匣121進行存取搬送晶圓W。晶圓搬送裝置120是具備進行晶圓W的對位之對準機能。
第6處理裝置群G6及緩衝卡匣121是在搬送路123的Y方向正方向側排列於X方向而設。在第6處理裝置群G6中，如圖2所示，作為熱處理裝置的曝光後烘烤裝置(PEB)130～133會由下依序重疊成4段。緩衝卡匣121是可暫時性地收容複數片的晶圓W(參照圖3)。
並且，如圖1所示，例如在卡匣站12設有線寬測定裝置140，其係測定晶圓W上的阻劑圖案的線寬。
其次，參照圖4～圖7說明有關曝光後烘烤裝置。另外，曝光後烘烤裝置是相當於本發明的熱處理裝置。
圖4是表示本實施形態的曝光後烘烤裝置的構成的概略縱剖面圖。圖5是表示本實施形態的曝光後烘烤裝置的構成的概略橫剖面圖。圖6是擴大顯示熱板170的平面圖。圖7是沿著圖6的A-A線的縱剖面圖。另外，在圖6及圖7中，為了容易圖示，而省略第1昇降銷、貫通孔等的圖示。
如圖4及圖5所示，曝光後烘烤裝置130是在框體150內具備加熱晶圓W的加熱部151及冷卻晶圓W的冷卻部152。
如圖4所示，加熱部151具備：位於上側，上下動自如的蓋體160；及位於下側，與蓋體160成為一體，而形成處理室S的熱板收容部161。
在蓋體160的頂部的中央設有排氣部160a，可從排氣部160a將處理室S內的環境予以均一地排氣。
在熱板收容部161的中央設有載置晶圓W而加熱的熱板170。熱板170是具有比晶圓W大且厚的大致圓盤形狀。在熱板170中內藏有藉由給電來發熱的加熱器171。加熱器171的發熱量是例如藉由加熱器控制裝置172來調整。加熱器控制裝置172的溫度控制是例如藉由後述的本體控制部220來進行。
另外，加熱器控制裝置172及本體控制部220是相當於本發明的控制部。
如圖6及圖7所示，加熱器171是藉由複數的加熱器171a～171c所構成。複數的加熱器171a～171c是在熱板170同心圓狀地隔著適當間隔配置，如前述般，內藏於熱板170，分別獨立地連接至加熱器控制裝置172。
在圖6中，加熱器171是藉由3個的加熱器171a～171c所構成，但並非限於3個，亦可藉由任意的複數的加熱器所構成。
並且，在熱板170中，為了獨立控制各加熱器171a～171c，在對應於各加熱器171a、171b、171c的複數的位置P1、P2、P3設有未圖示的溫度感測器，可藉由各溫度感測器來測定熱板溫度PV。並且，藉由各溫度感測器所被測定的熱板溫度PV會被輸入至加熱器控制裝置172，加熱器控制裝置172可根據熱板溫度PV與設定溫度的差來控制各加熱器171a～171c的輸出。
如圖6及圖7所示，在熱板170上設有間隙銷173，其係使晶圓W與熱板170具有間隙來予以支撐，防止微粒等附著於晶圓W。在圖6所示的例子是設有7處間隙銷173，晶圓W是藉由7處的間隙銷173所支撐。間隙銷173是構成可隔著從熱板170的上面到間隙銷173的上面的高度之間隙(間隙高度)H來支撐晶圓W。此時的間隙高度H是例如可設為0.1～0.3mm。而且，間隙銷173是形成晶圓W可藉由間隙銷173來隔著上述的間隙而支撐之狀態下，使從熱板170表面主要經由空氣來傳導熱。
如圖4所示，在熱板170的下方設有由下方來支撐晶圓W而昇降的第1昇降銷180。第1昇降銷180可藉由昇降驅動機構181來上下動。在熱板170的中央部附近形成有在厚度方向貫通熱板170的貫通孔182。第1昇降銷180是可由熱板170的下方上昇，通過貫通孔182，突出至熱板170的上方。
熱板收容部161是具有：收容熱板170而保持熱板170的外周部之環狀的保持構件190、及包圍該保持構件190的外周之大略筒狀的支承環191。在支承環191的上面形成朝處理室S內噴出例如不活性氣體的吹出口191a。由此吹出口191a噴出不活性氣體，藉此可淨化處理室S內。並且，在支承環191的外方設有成為熱板收容部161的外周之圓筒狀的容器192。
在與加熱部151鄰接的冷卻部152設有例如載置晶圓W而予以冷卻的冷卻板200。冷卻板200是例如圖5所示具有大略方形的平板形狀，熱板170側的端面會往外側彎曲成凸的圓弧狀。如圖4所示在冷卻板200的內部內藏有例如冷卻(Peltier)元件等的冷卻構件200a，可將冷卻板200調整成預定的設定溫度。
冷卻板200是被安裝於朝加熱部151側延伸的軌道201。冷卻板200是藉由驅動部202來移動於軌道201上，可移動至加熱部151側的熱板170的上方。
在冷卻板200，例如圖5所示，形成有沿著X方向的2條狹縫203。狹縫203是從冷卻板200之加熱部151側的端面形成至冷卻板200的中央部附近。藉由此狹縫203來防止移動至加熱部151側的冷卻板200與塗出至熱板170上的第1昇降銷180的干擾。如圖4所示，在冷卻板200的下方設有第2昇降銷204。第2昇降銷204可藉由昇降驅動部205來昇降。第2昇降銷204可由冷卻板200的下方上昇，通過狹縫203而突出至冷卻板200的上方。
如圖5所示，在夾著冷卻板200的框體150的兩側壁形成有用以搬出入晶圓W的搬出入口210。
另外，其他的曝光後烘烤裝置94～99、131～133是具有與上述曝光後烘烤裝置130同構成，因此其說明省略。
其次，參照圖8說明有關線寬測定裝置。圖8是表示線寬測定裝置的構成的概略縱剖面圖。
例如圖8所示，線寬測定裝置140是具備：水平載置晶圓W的載置台141、及光學式表面形狀測定計142。載置台141是例如形成X-Y平台，可在水平方向的2次元方向移動。光學式表面形狀測定計142是例如具備光照射部143、光檢測部144及算出部145。光照射部143是由斜方向來對晶圓W照射光。光檢測部144是檢測出從光照射部143照射而反射於晶圓W的光。算出部145是根據該光檢測部144的受光資訊來算出晶圓W上的阻劑圖案的線寬CD。線寬測定裝置140是例如使用散射測量(Scatterometry)法來測定阻劑圖案的線寬者。在使用散射測量法時，於算出部145，對照藉由光檢測部144所檢測出的晶圓W的面內的光強度分布與預先被記憶的假想的光強度分布。然後，求取對應於該被對照之假想的光強度分布的阻劑圖案的線寬CD，藉此可測定阻劑圖案的線寬CD。
並且，線寬測定裝置140是可使晶圓W對光照射部143及光檢測部144相對性地水平移動，藉此可測定晶圓W的面內的複數的測定點的線寬。
在以上那樣構成的塗佈顯像處理系統1是進行以下那樣的塗佈顯像處理。
首先，藉由圖1所示的晶圓搬送體22來從卡匣載置台20上的卡匣C內一片一片地取出未處理的晶圓W，依序搬送至處理站13。晶圓W是被搬送至屬於處理站13的第3處理裝置群G3的溫調裝置70，溫調至預定溫度。之後，晶圓W藉由第1搬送裝置30來搬送至例如底塗層裝置43，形成反射防止膜。之後，晶圓W藉由第1搬送裝置30來依序搬送至熱處理裝置75、高精度溫調裝置80，在各處理裝置中實施預定的處理。之後，晶圓W藉由第1搬送裝置30來搬送至例如阻劑塗佈裝置40。
在阻劑塗佈裝置40是由噴嘴來供給預定量的阻劑液至例如被旋轉的晶圓W的表面。然後，藉由該阻劑液擴散於晶圓W的表面的全面，在晶圓W上形成阻劑膜。
被形成阻劑膜的晶圓W是藉由第1搬送裝置30來搬送至例如預烤裝置81，實施熱處理(預烤)。之後，晶圓W藉由第2搬送裝置31來依序搬送至周邊曝光裝置102、高精度溫調裝置93，在各裝置中實施預定的處理。之後，晶圓W藉由介面站14的晶圓搬送體111來搬送至曝光裝置A。一旦晶圓W被搬送至曝光裝置A，則會從曝光光源經由遮罩來照射光至晶圓W的阻劑膜上，在阻劑膜形成預定的圖案。如此對晶圓W實施曝光。
曝光終了的晶圓W是藉由介面站14的晶圓搬送體111來搬送至處理站13的例如曝光後烘烤裝置94。在曝光後烘烤裝置94是首先晶圓W會從搬出入口210搬入，載置於圖4所示的冷卻板200上。接著藉由冷卻板200移動，晶圓W移動至熱板170的上方。晶圓W從冷卻板200交接至第1昇降銷180，之後，藉由第1昇降銷180來載置於熱板170上。如此開始晶圓W的熱處理(曝光後烘烤)。然後，預定時間經過後，晶圓W藉由第1昇降銷180來離開熱板170，晶圓W的熱處理終了。之後，晶圓W從第1昇降銷180交接至冷卻板200，藉由冷卻板200來冷卻，從該冷卻板200經由搬出入口210來搬送至曝光後烘烤裝置94的外部。
曝光後烘烤終了的晶圓W是藉由第2搬送裝置31來搬送至例如顯像處理裝置50，對晶圓W上的阻劑膜進行顯像處理。之後，晶圓W例如藉由第2搬送裝置31來搬送至後烘烤裝置85，實施熱處理(後烘烤)，之後，藉由第1搬送裝置30來搬送至高精度溫調裝置72，進行溫度調節。之後，晶圓W藉由晶圓搬送體22來回到卡匣站12的卡匣C。如此塗佈顯像處理系統1的一連串的晶圓處理終了。
包含在上述塗佈顯像處理系統1所進行的熱處理的塗佈顯像處理是例如藉由圖1所示的本體控制部220來控制。本體控制部220是連利用線寬測定裝置140之晶圓W上的阻劑圖案的線寬測定也控制。本體控制部220是藉由例如具備CPU或記憶體等的泛用電腦所構成，可實行所被記憶的程式來控制晶圓處理或線寬測定。另外，本體控制部220的程式亦可為藉由電腦可讀取的記錄媒體來安裝於本體控制部220者。而且，用以使後述的本實施形態的熱處理方法實行的程式亦可為藉由電腦可讀取的記錄媒體來安裝於本體控制部220或加熱器控制裝置172者。
其次，參照圖9～圖13說明有關本實施形態的熱處理方法。圖9是用以說明本實施形態的熱處理方法的各工程的程序的流程圖。圖10是表示步驟S11及步驟S12的熱板溫度PV的時間變化的圖表。圖11(a)及圖11(b)表示步驟S11及步驟S12的測定用晶圓TW-1、TW-2的晶圓溫度WT的時間變化的圖表。圖11(b)是擴大顯示圖11(a)的一部分。圖12是模式性地顯示曝光後分別根據與步驟S11及步驟S12同等的熱處理條件來曝光後烘烤、顯像處理，藉此形成的阻劑圖案的剖面圖。圖13是比較分別根據與步驟S11及步驟S12同等的熱處理條件來曝光後烘烤時的阻劑圖案的線寬CD而顯示的圖表。圖14是表示在步驟S16及步驟S17的熱板溫度PV的時間變化的圖表。
如圖9所示，本實施形態的熱處理方法是具有：第1資料取得工程(步驟S11、步驟S12)、決定工程(步驟S13)、第2資料取得工程(步驟S14)、補正工程(步驟S15)、第1工程(步驟S16)及第2工程(步驟S17)。
本實施形態的熱處理方法是以到達設定溫度後開始熱處理時的晶圓的溫度履歷能夠與到達設定溫度前開始熱處理時的晶圓的溫度履歷相等的方式，前饋性地調整到達設定溫度後開始的熱處理的熱處理條件者。為此，本實施形態的熱處理方法是具有：預先調整熱處理條件的調整工程、及根據調整後的熱處理條件來實際對晶圓進行熱處理的熱處理工程。調整工程是具有從第1資料取得工程(步驟S11、步驟S12)到補正工程(步驟S15)的各工程。而且，熱處理工程具有第1工程(步驟S16)及第2工程(步驟S17)。
在步驟S11是將熱板170的設定溫度從第1溫度T1變更成第2溫度T2，在熱板170的溫度從第1溫度T1到達第2溫度T2之前，以比第2溫度T2更高的溫度(開始後述的第1晶圓W1的熱處理的溫度之第4溫度T4)，將第1測定用晶圓TW1-1載置於熱板170而開始熱處理。然後，藉由設定溫度被變更成第2溫度T2的熱板170來熱處理第1測定用晶圓TW1-1。在熱處理第1測定用晶圓TW1-1時，測定第1測定用晶圓TW1-1的溫度之晶圓溫度WT、熱板170的溫度之熱板溫度PV，然後予以記錄，且記錄熱板170的輸出之熱板輸出MV。藉此，取得第1測定用晶圓TW1-1的晶圓溫度WT的溫度資料、熱板溫度PV的溫度資料及熱板輸出MV的輸出資料。然後，在進行預定時間熱處理之後，從熱板170取出第1測定用晶圓TW1-1。
可使用附熱電偶的晶圓作為第1測定用晶圓TW1-1，其係於晶圓的複數處設有例如由熱電偶所構成的溫度感測器，藉此測定晶圓溫度WT。
如前述般，加熱器171是被分成複數的加熱器171a～171c。因此，將各加熱器171a～171c的設定溫度從第1溫度T1變更成第2溫度T2。而且，在對應於各加熱器171a、171b、171c的位置P1、P2、P3的熱板溫度PV到達第2溫度T2之前，以比第2溫度T2更高的溫度(第4溫度T4)，將第1測定用晶圓TW1-1載置於熱板170而開始熱處理。然後，藉由設定溫度被變更成第2溫度T2的熱板170來熱處理第1測定用晶圓TW1-1，且測定對應於加熱器171a、171b、171c的複數的位置P1、P2、P3的第1測定用晶圓TW1-1的溫度之晶圓溫度WT、熱板170的溫度之熱板溫度PV。
有關熱板溫度PV是例如在圖6所示的位置P1～P3設置溫度感測器，按一定時間，例如每1秒測定位置P1～P3的熱板溫度PV，且將測定的熱板溫度PV輸入至加熱器控制裝置172，記憶於加熱器控制裝置172。又，有關晶圓溫度WT是在對應於例如圖6所示的位置P1～P3的各位置例如設置熱電偶，按一定時間，例如每1秒測定對應於位置P1～P3的各位置的晶圓溫度WT，且將測定的晶圓溫度WT輸入至加熱器控制裝置172，記憶於加熱器控制裝置172。
另外，有關第1溫度T1、第2溫度T2，亦可按各加熱器171a～171c設定相異各別的值，作為各加熱器171a～171c的設定溫度。藉此，可使晶圓W的面內之線寬CD的均一性提升。
其次，步驟S12是在熱板170的溫度被保持於第2溫度T2的狀態下，將有別於步驟S11的第1測定用晶圓TW1-2載置於熱板170而開始熱處理。然後，藉由熱板170來以第2溫度T2熱處理第1測定用晶圓TW1-2。在以第2溫度T2熱處理第1測定用晶圓TW1-2時，測定第1測定用晶圓TW1-2的晶圓溫度WT、熱板溫度PV，然後予以記錄，且記錄熱板輸出MV。藉此，取得第1測定用晶圓TW1-2的晶圓溫度WT的資料、熱板溫度PV的資料及熱板輸出MV的資料。然後，在進行預定時間熱處理後，從熱板170取出第1測定用晶圓TW1-2。
將在第1資料取得工程(步驟S11及步驟S12)所取得的熱板溫度PV的資料的一例顯示於圖10。並且，將此時之第1測定用晶圓TW1-1、TW1-2的晶圓溫度WT的資料的一例顯示於圖11(a)及圖11(b)。
另外，在圖11(a)及圖11(b)中，左側的縱軸是表示各位置P1、P2、P3的晶圓溫度WT的平均溫度，右側的縱軸是表示各位置P1、P2、P3的晶圓溫度WT的面內均一性(面內偏差3σ)。
如圖10所示，在步驟S11中，將熱板170的設定溫度從第1溫度T1的140℃變更成第2溫度T2的110℃，在熱板溫度PV到達第2溫度T2的110℃之前，形成第4溫度T4的117℃時，載置第1測定用晶圓TW1-1而開始熱處理。於是，熱板溫度PV是在第1測定用晶圓TW1-1的熱處理開始後也下降，到達第2溫度T2的110℃。此時，在圖11(a)及圖11(b)中如實線所示，第1測定用晶圓TW1-1的晶圓溫度WT是從室溫慢慢地上昇，到達第2溫度T2的110℃。
如圖11(a)所示，之所以晶圓溫度WT未從室溫立即上昇至第2溫度T2而是慢慢地上昇，是因為晶圓具有熱容量。亦即，熱板溫度PV到達第2溫度T2之前，即使以比第2溫度T2更高的第4溫度T4開始熱處理，只要晶圓具有某程度的熱容量，還是不會有晶圓溫度WT上昇至第2溫度T2以上的情形。不過，當晶圓例如極薄所以熱容量小，且第4溫度T4比第2溫度T2高出相當時，晶圓溫度WT在熱處理剛開始後恐有超過第2溫度T2之虞。因此，開始熱板170之第1測定用晶圓TW1-1的熱處理的溫度(亦即開始第1晶圓W1的熱處理的溫度)之第4溫度T4是根據晶圓的熱容量來決定。
又，如圖10所示，在步驟S12中，在熱板溫度PV被保持於第2溫度T2的110℃的狀態下，載置第1測定用晶圓TW1-2，開始熱處理。於是，熱板溫度PV雖在第1測定用晶圓TW1-2的熱處理開始後若干變動，但之後被保持於第2溫度T2的110℃。此時，如在圖11(a)及圖11(b)中以虛線所示，第1測定用晶圓TW1-2的晶圓溫度WT是從室溫慢慢地上昇，結束於第2溫度T2的110℃。
另外，在圖10也顯示步驟S12之後，藉由與第2片的第1測定用晶圓TW1-2同樣的熱處理條件來進行第3片的第1測定用晶圓TW1-3的熱處理時的熱板溫度PV的溫度資料。在進行第3片的第1測定用晶圓TW1-3的熱處理時的熱板溫度PV的溫度資料亦可形成與進行第2片的第1測定用晶圓TW1-2的熱處理時的熱板溫度PV的溫度資料同樣。
就圖11(a)而言，在步驟S11的第1測定用晶圓TW1-1與步驟S12的第1測定用晶圓TW1-2之間，似乎熱板溫度PV的時間變化不太有差別。但，如圖11(b)的擴大圖所示，在70℃～100℃的溫度範圍，第1測定用晶圓TW1-1的熱板溫度PV是比同熱處理時間的第1測定用晶圓TW1-2的熱板溫度PV更高。因此，給予第1測定用晶圓TW1-1的合計熱量是比給予第1測定用晶圓TW1-2的合計熱量更多。
若給予晶圓W的熱量不同，則進行至顯像處理而形成的阻劑圖案的線寬CD會不同。因為在曝光後烘烤中，曝光領域的阻劑膜可溶化於顯像液的反應的進展不同，所以在顯像處理時所被除去的可溶部的寬度不同。在此，線寬CD是可利用線寬測定裝置140來測定而取得者。
圖12(a)及圖12(b)是模式性地顯示在晶圓W上經由反射防止膜301來將所被形成的阻劑膜302曝光，曝光後，分別根據相當於步驟S11及步驟S12的熱處理條件來曝光後烘烤、顯像處理，藉此形成的阻劑圖案303的剖面圖。圖12(a)是表示步驟S11，亦即給予晶圓W的熱量相對多的情況，圖12(b)是表示步驟S12，亦即給予晶圓W的熱量相對少的情況。若給予晶圓W的熱量變多，則因為曝光領域的阻劑膜302可溶化於顯像液而形成可溶部304的反應的進展更進一步，所以在顯像處理時所被除去的可溶部304的寬度會變大，所被形成的阻劑圖案303的線寬CD會變小。
具體而言，將曝光後，進行相當於步驟S11及步驟S12的曝光後烘烤處理，且進行顯像處理而形成的阻劑圖案的線寬CD的測定結果顯示於圖13。比起變更熱板溫度PV中，到達第2溫度T2之前開始熱處理的情況(進行相當於步驟S11的熱處理的情況)，熱板溫度PV的變更完了後，在被保持於第2溫度T2的狀態下開始熱處理的情況(進行相當於步驟S12的熱處理的情況)，線寬CD會變更小。
另一方面，若在熱板溫度PV安定之前開始熱處理，則熱處理開始時之晶圓W的面內的溫度的均一性會降低。因此，如圖11(a)及圖11(b)所示，開始熱處理時的晶圓溫度WT的面內偏差3σ，第1測定用晶圓TW1-1要比第1測定用晶圓TW1-2更大，開始熱處理時的晶圓溫度WT的面內均一性會降低。並且，藉由顯像處理所被形成的阻劑圖案的線寬CD的面內均一性，如圖13所示，要比變更熱板溫度PV中，到達第2溫度T2之前開始熱處理的情況(進行相當於步驟S11的熱處理的情況)，熱板溫度PV的變更完了後，在被保持於第2溫度T2的狀態下開始熱處理的情況(進行相當於步驟S12的熱處理的情況)更降低。
其次，在決定工程(步驟S13)是根據第1測定用晶圓TW1-1的晶圓溫度WT或熱板溫度PV來決定第3溫度T3。具體而言，以在後面敘述的第2工程(步驟S17)的第2晶圓W2的晶圓溫度WT或熱板溫度PV的時間變化(溫度履歷)能夠接近步驟S11的第1測定用晶圓TW1-1的晶圓溫度WT或熱板溫度PV的時間變化(溫度履歷)的方式決定第3溫度T3。
為了第2工程(步驟S17)的第2晶圓W2的晶圓溫度WT或熱板溫度PV的時間變化(溫度履歷)能夠接近步驟S11的第1測定用晶圓TW1-1的晶圓溫度WT或熱板溫度PV的時間變化(溫度履歷)，只要在開始第2工程(步驟S17)之前將熱板溫度PV預熱至第3溫度T3，使被預熱的熱板溫度PV的溫度下降至第2溫度T2時開始第2工程(步驟S17)即可。
預熱的第3溫度T3可根據在步驟S11中開始第1測定用晶圓TW1-1的熱處理的熱板溫度PV(第4溫度T4)來決定。例如，只在中心位置測定晶圓溫度WT及熱板溫度PV時，可使第3溫度T3大略等於第4溫度T4。並且，在複數處(例如P1、P2、P3)測定晶圓溫度WT及熱板溫度PV，晶圓W的面內的分布也調整時，如後述般，較理想是在決定第3溫度T3後，補正第4溫度T4。但，第4溫度T4是將熱板170從第1溫度T1自然冷卻至第2溫度T2時的熱板溫度PV的預定時刻的溫度，在補正時是無法朝降低該預定時刻的第4溫度T4的方向補正。並且，預定時刻是依基板處理的製程來預先設定者，調整預定時刻並非理想。因此，較理想是先將第3溫度T3定成比第4溫度T4更高，在補正第4溫度T4時，朝提高第4溫度T4的方向補正。
或，作為步驟S12，亦可將熱板170的設定溫度變更成暫定的第3溫度T3，在熱板170的溫度到達第3溫度T3之後，將熱板170的設定溫度變更成第2溫度T2時，開始熱板170之第1測定用晶圓TW1-2的熱處理，藉由設定溫度被變更成第2溫度T2的熱板170來熱處理第1測定用晶圓TW1-2。而且，亦可暫定成不同的第3溫度T3來重複數次步驟S12，對應於各種的第3溫度T3來取得第1測定用晶圓TW1-2的晶圓溫度WT的資料。而且，亦可在決定工程(步驟S13)，以第1測定用晶圓TW1-2的晶圓溫度WT的溫度資料能夠等於第1測定用晶圓TW1-1的晶圓溫度WT的溫度資料的方式決定第3溫度T3。
其次，在第2資料取得工程(步驟S14)，將熱板170的設定溫度變更成比第2溫度T2更高的第3溫度T3，在熱板170的溫度到達第3溫度T3之後，將熱板170的設定溫度變更成第2溫度T2時，開始熱板170之第2測定用晶圓TW2的熱處理。然後，藉由熱板170來以第2溫度T2熱處理第2測定用晶圓TW2。在以第2溫度T2來熱處理第2測定用晶圓TW2時，取得第2測定用晶圓TW2的晶圓溫度WT的資料、熱板溫度PV的資料及熱板輸出MV的資料。然後，在進行預定時間熱處理之後，從熱板170取出第2測定用晶圓TW2。
另外，步驟S14是除了將熱板170的設定溫度變更成第3溫度T3，在熱板170的溫度到達第3溫度T3之後，將熱板170的設定溫度變更成第2溫度T2以外，以和步驟S12同樣的條件進行為理想。因此，在決定工程(步驟S13)之後，即將步驟S14之前，再度進行步驟S11，接續於再度進行的步驟S11進行步驟S14為理想。在此是含再度進行的步驟S11及步驟S14作為第2資料取得工程，將在第2資料取得工程所取得的熱板溫度PV的溫度資料的一例顯示於圖14。
如圖14所示，在再度的步驟S11(步驟S11' )中，將熱板170的設定溫度從第1溫度T1的140℃變更成第2溫度T2的110℃，在熱板170的溫度到達第2溫度T2之前，以比第2溫度T2的110℃更高的第4溫度T4的117℃，將第2測定用晶圓TW2-1載置於熱板170而開始熱處理。於是，熱板溫度PV是在第2測定用晶圓TW2-1的熱處理開始後也繼續下降，到達第2溫度T2的110℃。此時的第2測定用晶圓TW2-1的晶圓溫度WT是從室溫慢慢地上昇，到達第2溫度T2的110℃，因此與圖11(a)所示的第1測定用晶圓TW1-1的晶圓溫度WT同樣地變化。
又，如圖14所示，在再度的步驟S11(步驟S11' )之後，步驟S14之前，將熱板170的設定溫度變更成比第2溫度T2的110℃更高的第3溫度T3的117℃。然後，在步驟S14是在熱板170的溫度到達第3溫度T3的117℃之後，將熱板170的設定溫度變更成第2溫度T2的110℃時，載置第2測定用晶圓TW2-2而開始熱處理。於是，熱板溫度PV是在第2測定用晶圓TW2-2的熱處理開始後下降，到達第2溫度T2的110℃。此時的第2測定用晶圓TW2-2的晶圓溫度WT是從室溫慢慢地上昇，到達第2溫度T2的110℃，因此與圖11(a)所示的第1測定用晶圓TW1-1的晶圓溫度WT同樣地變化。
亦即，再度的步驟S11(步驟S11' )的第2測定用晶圓TW2-1與步驟S14的第2測定用晶圓TW2-2的時間變化(溫度履歷)是形成大略相等，給予第2片的第2測定用晶圓TW2-2的合計熱量是與給予第1片的第2測定用晶圓TW2-1的合計熱量大略相等。
另外，在圖14也顯示步驟S14之後，藉由與第2片的第2測定用晶圓TW2-2同樣的熱處理條件，進行第3片的第2測定用晶圓TW2-3的熱處理時的熱板溫度PV的溫度資料。進行第3片的第2測定用晶圓TW2-3的熱處理時的熱板溫度PV的溫度資料亦可形成與進行第2片的第2測定用晶圓TW2-2的熱處理時的熱板溫度PV的溫度資料同樣。
其次，在補正工程(步驟S15)是根據第2測定用晶圓TW2-2的溫度資料，在溫度從第1溫度T1到達第2溫度T2之前，補正開始熱板170之第1晶圓W1的熱處理的溫度之第4溫度T4。
另外，第1晶圓W1是相當於本發明的基板群的最初的基板。
當步驟S14的晶圓溫度WT的溫度資料處於比步驟S11' 的晶圓溫度WT的溫度資料更高溫側，且該等的差超過預定量時，在補正工程(步驟S15)中具體而言可進行以下那樣的補正。例如，在第1工程(步驟S16)中取代將熱板170的溫度從第1溫度T1的140℃自然冷卻至第2溫度T2的110℃，藉由朝提高熱板170的溫度的方向加熱一些，可朝提高第4溫度T4的方向補正。或，在第1工程(步驟S16)中將熱板170的溫度從第1溫度T1的140℃自然冷卻至第2溫度T2的110℃時，藉由提早第1晶圓W1的熱處理的開始時刻，可朝提高第4溫度T4的方向補正。
另外，只在中心位置測定晶圓溫度WT及熱板溫度PV時等，亦可省略補正工程(步驟S15)。
以上，藉由進行第1資料取得工程(步驟S11)～補正工程(步驟S15)來進行包括第3溫度T3的決定、第4溫度T4的補正之溫度條件的調整。而且，之後，對實際被處理的複數的晶圓所構成的晶圓群的各晶圓W進行熱處理。
在第1工程(步驟S16)是將熱板170的設定溫度從第1溫度T1變更成第2溫度T2，在設定溫度被變更的熱板170的溫度到達第2溫度T2之前，形成在補正工程(步驟S15)所補正的第4溫度T4時，將第1晶圓(最初的晶圓)W1載置於熱板170而開始熱處理。然後，藉由設定溫度被變更成第2溫度T2的熱板170來熱處理第1晶圓W1。然後，在進行預定時間熱處理之後，從熱板170取出第1晶圓W1。
其次，在第2工程(步驟S17)是將熱板170的設定溫度變更成第3溫度T3，在熱板170的溫度到達第3溫度T3之後，將熱板170的設定溫度變更成第2溫度T2時，將第2晶圓(其次的晶圓)W2載置於熱板170而開始熱處理。然後，藉由設定溫度被變更成第2溫度T2的熱板170來熱處理第2晶圓W2。然後，在進行預定時間熱處理之後，從熱板170取出第2晶圓W2。
另外，第2晶圓W2是相當於本發明的基板群的其次的基板。
若根據本實施形態，則在熱板170的溫度從第1溫度T1到達第2溫度T2之前，為第4溫度T4時，開始第1晶圓(最初的晶圓)W1的熱處理。藉此，可比熱板170的溫度到達第2溫度T2之後開始熱處理的情況更早開始第1晶圓(最初的晶圓)W1的熱處理。
例如，將第1溫度T1設為140℃，將第2溫度T2設為110℃，將第4溫度T4設為117℃時，可使第1晶圓(最初的晶圓)W1的熱處理提早開始30秒左右。
又，若根據本實施形態，則可使第1工程(步驟S16)的第1晶圓(最初的晶圓)W1的晶圓溫度WT的時間變化(溫度履歷)與第2工程(步驟S17)的第2晶圓(其次的晶圓)W2的晶圓溫度WT的時間變化(溫度履歷)形成大略相等。因此，可使曝光領域的阻劑膜可溶化於顯像液的反應的進展大略相等，可使顯像處理時所被除去的可溶部的寬度大略相等。因此，在第1晶圓(最初的晶圓)W1與第2晶圓(其次的晶圓)W2(及以後的晶圓W)之間，可使藉由顯像處理所形成的阻劑圖案的線寬CD大略相等。
又，若根據本實施形態，則不會有為了縮小熱容量，弄薄熱板170，而使強度降低之虞。又，由於不需要冷卻熱板170的冷卻機構，因此不會有使裝置成本增大之虞。
以上，針對本發明的較佳實施形態來敘述，但本發明並非限於該特定實施形態，亦可在申請專利範圍內所記載的本發明的要旨範圍內實施各種的變形‧變更。
另外，本發明不僅曝光後烘烤裝置，可適用於熱處理晶圓的各種的熱處理裝置。又，本發明可適用於用以熱處理半導體基板、玻璃基板及其他各種基板的裝置。
1．．．塗佈顯像處理系統
130．．．曝光後烘烤裝置
170．．．熱板
171．．．加熱器
172．．．加熱器控制裝置
220．．．本體控制部
W．．．晶圓(基板)
圖1是表示實施形態的塗佈顯像處理系統的構成的概略平面圖。
圖2是表示實施形態的塗佈顯像處理系統的構成的概略正面圖。
圖3是表示實施形態的塗佈顯像處理系統的構成的概略背面圖。
圖4是表示實施形態的曝光後烘烤裝置的構成的概略縱剖面圖。
圖5是表示實施形態的曝光後烘烤裝置的構成的概略橫剖面圖。
圖6是擴大顯示熱板的平面圖。
圖7是沿著圖6的A-A線的縱剖面圖。
圖8是表示線寬測定裝置的構成的概略縱剖面圖。
圖9用以說明實施形態的熱處理方法的各工程的程序的流程圖。
圖10是表示步驟S11及步驟S12的熱板溫度的時間變化的圖表。
圖11是表示步驟S11及步驟S12的測定用晶圓的晶圓溫度的時間變化的圖表。
圖12是模式性地顯示曝光後分別根據與步驟S11及步驟S12同等的熱處理條件來曝光後烘烤、顯像處理，藉此形成的阻劑圖案的剖面圖。
圖13是比較分別根據與步驟S11及步驟S12同等的熱處理條件來曝光後烘烤時的阻劑圖案的線寬CD而顯示的圖表。
圖14是表示在步驟S16及步驟S17的熱板溫度的時間變化的圖表。

Claims (9)

  1. 一種熱處理方法，係於被設定成預定溫度的熱板上，依序載置由複數的基板所構成的基板群的各基板，而進行熱處理的熱處理方法，其特徵係包含：第1資料取得工程，其係將上述熱板的設定溫度從第1溫度變更成比該第1溫度更低的第2溫度，在上述熱板的溫度到達上述第2溫度之前開始該熱板之第1測定用基板的熱處理，取得熱處理上述第1測定用基板時之該第1測定用基板的溫度資料或上述熱板的溫度資料；決定工程，其係根據在上述第1資料取得工程所取得的上述第1測定用基板的溫度資料或上述熱板的溫度資料來決定比上述第2溫度更高的第3溫度；第1工程，其係將上述設定溫度從上述第1溫度變更成上述第2溫度，在上述熱板的溫度到達上述第2溫度之前，開始該熱板之上述基板群的最初的基板的熱處理，熱處理該最初的基板；及第2工程，其係於上述第一工程的熱處理之後，將上述設定溫度變更成上述第3溫度，然後上述熱板的溫度到達該第3溫度而將上述設定溫度變更成上述第2溫度時，開始該熱板之上述基板群的其次的基板的熱處理，熱處理該其次的基板，上述決定工程係將上述第3溫度設為：使上述第2工程之上述其次的基板的溫度或上述熱板的溫度的時間變化接近上述第1資料取得工程之上述第1測定用基板的溫度 或上述熱板的溫度的時間變化之溫度。
  2. 如申請專利範圍第1項之熱處理方法，其中，上述決定工程係以上述第3溫度能夠比在上述第1工程開始上述最初的基板的熱處理的溫度更高的方式決定上述第3溫度。
  3. 如申請專利範圍第2項之熱處理方法，其中，具有：第2資料取得工程，其係決定上述第3溫度之後，將上述熱板的設定溫度變更成上述第3溫度，在上述熱板的溫度到達上述第3溫度之後，將上述熱板的設定溫度變更成上述第2溫度時，開始上述熱板之第2測定用基板的熱處理，藉由上述熱板來熱處理上述第2測定用基板時，取得上述第2測定用基板的溫度資料；及補正工程，其係根據取得的上述第2測定用基板的溫度資料來補正開始上述熱板之上述最初的基板的熱處理的溫度。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之熱處理方法，其中，開始上述熱板之上述最初的基板的熱處理的溫度係根據上述基板的熱容量來決定。
  5. 一種電腦可讀取的記錄媒體，係記錄用以使如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之熱處理方法實行於電腦的程式。
  6. 一種熱處理裝置，係具有熱板，在被設定成預定溫度的上述熱板上，依序載置由複數的基板所構成的基板群 的各基板，而進行熱處理的熱處理裝置，其特徵係具有控制部，其係將上述熱板的設定溫度從第1溫度變更成比上述第1溫度更低的第2溫度，在上述熱板的溫度到達上述第2溫度之前，開始上述熱板之上述基板群的最初的基板的熱處理，藉由上述熱板來熱處理上述最初的基板，在上述最初的基板的熱處理之後，將上述熱板的設定溫度變更成比上述第2溫度更高的第3溫度，在上述熱板的溫度到達上述第3溫度之後，將上述熱板的設定溫度變更成上述第2溫度時，開始上述熱板之上述基板群的其次的基板的熱處理，藉由上述熱板來熱處理上述其次的基板，上述控制部係將上述設定溫度從上述第1溫度變更成上述第2溫度，之後上述熱板的溫度到達上述第2溫度之前，開始上述熱板之第1測定用基板的熱處理，在熱處理上述第1測定用基板時，取得該第1測定用基板的溫度資料或該熱板的溫度資料，將上述第3溫度設為：上述其次的基板的熱處理時使該其次的基板的溫度或上述熱板的溫度的時間變化接近取得的上述第1測定用基板的溫度資料或取得的上述熱板的溫度資料的時間變化之溫度。
  7. 如申請專利範圍第6項之熱處理裝置，其中，上述控制部係以上述第3溫度能夠比開始上述熱板之上述最初的基板的熱處理的溫度更高的方式決定上述第3溫度。
  8. 如申請專利範圍第7項之熱處理裝置，其中，上述 控制部係於決定上述第3溫度之後，將上述熱板的設定溫度變更成上述第3溫度，在上述熱板的溫度到達上述第3溫度之後，將上述熱板的設定溫度變更成上述第2溫度時，開始上述熱板之第2測定用基板的熱處理，藉由上述熱板來熱處理上述第2測定用基板時，取得上述第2測定用基板的溫度資料，根據取得的上述第2測定用基板的溫度資料來補正開始上述熱板之上述最初的基板的熱處理的溫度。
  9. 如申請專利範圍第6~8項中的任一項所記載之熱處理裝置，其中，開始上述熱板之上述最初的基板的熱處理的溫度係根據上述基板的熱容量來決定。
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