JP2000294473A - 熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加熱源が行う処理内容に応じた最適な制御が
行えるような熱処理装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗは加熱源たるホットプレート２０
に載置されて加熱処理に供される。ホットプレート２０
の温度は温度センサ２５によって計測される。温度制御
部１５は温度センサ２５による測温結果に基づいてホッ
トプレート２０の温度をＰＩＤ制御により制御する。Ｐ
ＩＤ定数決定部１６は温度制御部１５によるＰＩＤ制御
のＰＩＤ定数を決定する。ＰＩＤ定数決定部１６が決定
するＰＩＤ定数は、ホットプレート２０が基板Ｗの実処
理を行うか或いはその設定温度の変更を行うかによって
異なり、また設定温度の変更を行う場合であってもその
変更する温度幅や温度帯によって異なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に加
熱処理を行う熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、上記基板の製造工程において
は、種々の熱処理が行われている。一般には、レジスト
塗布の前後や現像処理の前後において基板の熱処理が行
われる。

【０００３】このような熱処理は、加熱用の板であるホ
ットプレートを備えた熱処理装置によって行われる。基
板は装置内のホットプレート上に載置され、熱処理の目
的に応じて、所定の温度にて所定時間加熱されるのであ
る。

【０００４】従って、基板の熱処理を行うときには、ホ
ットプレートは所定の温度に温調制御されており、通常
は、ＰＩＤ(Proportional-Integral-Derivative)制御に
よって温調されている。ＰＩＤ制御はフィードバック制
御の一態様であり、ホットプレートに設けられた温度セ
ンサからの検知信号に基づいて、ホットプレートへの出
力を制御するのである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＰＩＤ制御
の内容は、いわゆるＰＩＤ定数によって異なる。そし
て、従来においては、処理する基板ごとの温度履歴が一
定となるように、すなわち複数の基板間での温度履歴に
差が生じないようにＰＩＤ定数を設定していた。

【０００６】これについてより具体的に説明する。所定
の設定温度に維持されているホットプレートに常温の基
板が載置されると、ホットプレートの温度が若干低下す
る。そこで、ホットプレートへの出力を大きくし、その
温度を上昇させて元の設定温度に戻すように制御するの
であるが、このときにＰＩＤ制御といえども多少のオー
バーシュートが生じた後に、元の設定温度に戻るような
温調となる。つまり、基板の熱処理を行う際に、ホット
プレートは厳密には一定の設定温度に維持されているの
ではなく、基板搬入に伴って若干の温度の揺らぎが生じ
るのである。そして、この温度の揺らぎが熱処理時の基
板の温度履歴となる。

【０００７】従来においては、この温度履歴が基板ごと
に差が生じないような、具体的には基板搬入に伴うホッ
トプレートの温度の揺らぎが基板ごとに同一となるよう
なＰＩＤ制御を行うようにＰＩＤ定数が設定されていた
のである。その結果、熱処理時における各基板の温度履
歴は常に一定のものとなり、基板の品質が均一になる。

【０００８】しかし、従来のＰＩＤ定数設定ではホット
プレートの温度の揺らぎを一定にすることには優れてい
るものの、例えばホットプレートの設定温度を変更する
ような場合には必ずしも最適なＰＩＤ定数設定とはなっ
ておらず、設定温度変更に長時間を要する場合も少なく
なかった。

【０００９】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、加熱源が行う処理内容に応じた最適な制御が行
えるような熱処理装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に加熱処理を行う熱処理装
置であって、基板を加熱するための加熱源と、前記加熱
源の温度を測定する測温手段と、前記測温手段の測温結
果に基づいて前記加熱源の温度をフィードバック制御す
る温度制御手段と、前記加熱源が行う処理内容に応じて
前記フィードバック制御の態様を決定する制御態様決定
手段と、を備える。

【００１１】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る熱処理装置において、前記温度制御手段に、前記
加熱源の温度についてＰＩＤ制御を行わせ、前記制御態
様決定手段に、前記加熱源が行う処理内容に応じて前記
ＰＩＤ制御のＰＩＤ定数を決定させる。

【００１２】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係る熱処理装置において、前記制御態様決定手段に、
前記加熱源が実処理を行うかまたは前記加熱源の設定温
度の変更を行うかに応じて、前記ＰＩＤ定数を決定させ
る。

【００１３】また、請求項４の発明は、請求項２または
請求項３の発明に係る熱処理装置において、前記制御態
様決定手段に、前記加熱源の設定温度を変更する温度幅
に応じて、前記ＰＩＤ定数を決定させる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１５】＜Ａ．熱処理装置の概略構成＞図１は、本
発明に係る熱処理装置の概略構成を示す図である。この
装置は基板Ｗに加熱処理を施す装置であり、通常は基板
Ｗにレジスト塗布処理、現像処理等を行う枚葉式の基板
処理装置の一部として組み込まれている。

【００１６】図１の熱処理装置は、基板Ｗを加熱するた
めの加熱源たるホットプレート２０と、ホットプレート
２０の温度調整を行う温調部１０とを備えている。

【００１７】ホットプレート２０は、筐体３０の内部に
固定的に設置されている。ホットプレート２０の内部に
は通電によって発熱する抵抗加熱体が設けられている。
また、ホットプレート２０には、その温度を測定する測
温手段として温度センサ２５が取り付けられている。温
度センサ２５は、その先端がホットプレート２０内部に
埋め込まれており、ホットプレート２０内の上面近傍の
温度を測温する。

【００１８】また、筐体３０の内部にはホットプレート
２０を貫通するようにして昇降自在に支持ピン３１が設
けられている。装置に未処理の基板Ｗを搬入するときに
は搬送ロボット（図示省略）が筐体３０の開口部（図示
省略）から基板Ｗを搬入し、支持ピン３１に渡す。基板
Ｗを渡された支持ピン３１が下降することによって、ホ
ットプレート２０上に基板Ｗが載置される。熱処理が終
了した基板Ｗを装置外部に搬出するときにはこれと逆の
動作を行う。

【００１９】温調部１０は、コンピュータを用いて構成
されており、ホットプレート２０の温度をＰＩＤ制御に
よって制御する温度制御部１５と、ＰＩＤ定数を決定
し、その決定されたＰＩＤ定数を温度制御部１５に付与
するＰＩＤ定数決定部１６とを備える。温度制御部１５
は、温度センサ２５およびホットプレート２０と電気的
に接続されており、温度センサ２５の測温結果に基づい
てホットプレート２０の温度のＰＩＤ制御を行う。具体
的には、温度制御部１５は、温度センサ２５から送られ
る測温結果の信号に基づいてホットプレート２０への通
電量、すなわちホットプレート２０への出力を決定し、
その旨の信号を図示を省略する電力供給部に送るのであ
る。

【００２０】ＰＩＤ定数決定部１６は、ホットプレート
２０が行う処理内容に応じて上記ＰＩＤ制御のＰＩＤ定
数を決定する。具体的には、ホットプレート２０が行う
処理内容ごとに予め実験的に定めた基準ＰＩＤ定数をメ
モリに記憶させておき、ホットプレート２０が行う処理
内容を識別したＰＩＤ定数決定部１６がその処理内容に
対応する基準ＰＩＤ定数を選択する。そして、ホットプ
レート２０の設定温度等に応じてその基準ＰＩＤ定数を
演算手段により補正し、最終的なＰＩＤ定数を決定す
る。

【００２１】ＰＩＤ定数決定部１６は、決定したＰＩＤ
定数を温度制御部１５に伝達する。温度制御部１５は、
ＰＩＤ定数決定部１６によって決定されたＰＩＤ定数を
使用してホットプレート２０の温度のＰＩＤ制御を行
う。すなわち、ＰＩＤ定数決定部１６は、加熱源たるホ
ットプレート２０が行う処理内容に応じて温度制御部１
５の制御の態様を決定しているのである。ホットプレー
ト２０が行う処理内容に応じて、ＰＩＤ定数決定部１６
が如何なるＰＩＤ定数を決定するかについて以下に説明
する。

【００２２】＜Ｂ．ＰＩＤ定数決定部の定数決定＞ＰＩ
Ｄ定数決定部１６が決定するＰＩＤ定数は、ホットプレ
ート２０が基板Ｗの実処理を行うか或いはその設定温度
の変更を行うかによって異なり、また設定温度の変更を
行う場合であってもその変更する温度幅や温度帯によっ
て異なる。

【００２３】＜Ｂ−１．実処理時＞ホットプレート２０
が基板Ｗの実処理を行うとき、すなわち基板Ｗを載置し
て加熱処理を行うときには、各基板の温度履歴を常に一
定とし、かつ１枚の基板Ｗを処理する間に基板温度を安
定させることが重要である。このためＰＩＤ定数決定部
１６は、従来と同じＰＩＤ定数、すなわちホットプレー
ト２０の温度の揺らぎを各基板Ｗごとに一定にし、基板
処理時間内に安定させるのに適したＰＩＤ定数に決定す
る。そして、温度制御部１５は該ＰＩＤ定数を使用して
ホットプレート２０の温度の制御を行う。

【００２４】図２は、ホットプレート２０が基板Ｗの実
処理を行うときの温度制御部１５による温度制御の様子
を示す図である。所定の設定温度に維持されているホッ
トプレート２０に室温の基板Ｗが搬入されると、ホット
プレート２０の温度が若干（１℃以下）低下する。低下
したホットプレート２０の温度を元の設定温度に戻すべ
く、温度制御部１５がホットプレート２０への出力を大
きくし、ホットプレート２０の温度を上昇させる。ホッ
トプレート２０の温度がある程度上昇した時点にて温度
制御部１５が出力を低下させ、設定温度において温度上
昇が停止するように制御するのであるが、実際には図示
の如く若干オーバーシュートした後、元の設定温度に戻
る。そして、ホットプレート２０の温度が元の設定温度
に戻ってから暫時経過の後、基板Ｗが搬出される。な
お、１枚の基板Ｗが搬入されてから搬出されるまでに要
する時間（基板処理時間）は加熱処理の目的によって異
なるが、概ね６０秒〜９０秒程度である。

【００２５】１枚目の基板Ｗが搬出されると、それに続
いて２枚目の基板Ｗが搬入され、上記と同様の経過をた
どる。以降、同様の手順が繰り返されて順次基板Ｗが加
熱処理に供されるのである。ここで、図２に示すよう
に、順次各基板Ｗが搬入されたときのホットプレート２
０の温度の揺らぎは基板Ｗ間で差がなく一定であり、各
基板Ｗの基板処理時間内に安定したものとなっている。
よって、熱処理時における各基板Ｗの温度履歴は一定の
安定したものとなり、処理後の基板Ｗの品質も均一なも
のとなる。

【００２６】＜Ｂ−２．設定温度変更時＞ホットプレー
ト２０の設定温度は常に同じに設定されているものでは
なく、加熱処理の目的、内容に応じて適宜変更されるこ
とも多い。そして、ホットプレート２０の設定温度変更
時には、ＰＩＤ定数決定部１６が上記実処理時とは異な
るＰＩＤ定数を決定するのである。

【００２７】＜Ｂ−２−１．昇温時と降温時＞ホットプ
レート２０の設定温度を変更するときには、設定温度の
変更開始から終了までの時間を短くすること、すなわち
目標とする設定温度まで迅速に到達させることが重要で
ある。このため、ＰＩＤ定数決定部１６は、設定温度の
変更開始から終了までの時間を短時間化するのに適した
ＰＩＤ定数に決定する。そして、温度制御部１５は該Ｐ
ＩＤ定数を使用してホットプレート２０の設定温度変更
の制御を行う。

【００２８】ところで、ホットプレート２０の設定温度
変更には、設定温度を上昇させる場合と降下させる場合
との２通りがある。ホットプレート２０の設定温度を上
昇させる場合と降下させる場合とでは、設定温度の変更
開始から終了までの時間を短時間化するための温度制御
部１５の制御内容を異なるものとした方が好ましいた
め、ＰＩＤ定数決定部１６はそれぞれに適した異なるＰ
ＩＤ定数を決定する。

【００２９】図３は、ホットプレート２０の設定温度を
昇温するときの温度制御部１５による温度制御の様子を
示す図である。また、図４は、ホットプレート２０の設
定温度を降温するときの温度制御部１５による温度制御
の様子を示す図である。

【００３０】ホットプレート２０の設定温度を昇温する
旨の指示を受けると、ＰＩＤ定数決定部１６が設定温度
の昇温開始から終了までの時間を短時間化するのに適し
たＰＩＤ定数を決定する。温度制御部１５はそのＰＩＤ
定数を使用してホットプレート２０の設定温度上昇を制
御する。具体的には、まず温度制御部１５がホットプレ
ート２０への出力を上限まで大きくし、ホットプレート
２０の温度を急速に上昇させる。ある程度までホットプ
レート２０の温度が上昇するとホットプレート２０への
出力を徐々に低下させ、その温度が目標とする変更後の
設定温度に近づくと、当該設定温度にて安定するように
出力を制御する。昇温開始直後においてホットプレート
２０への出力を上限まで大きくしているため、図３に示
すように、目標設定温度近傍においてホットプレート２
０の温度が多少振動した後、目標設定温度に安定する。
そして、ホットプレート２０の温度が目標設定温度に安
定した時点が昇温終了時である。

【００３１】ここで、従来の熱処理装置のように、温度
制御部１５が上記実処理時に適したＰＩＤ定数を使用し
てホットプレート２０の設定温度上昇を制御した場合、
図３中の一点鎖線にて示すような温度上昇を示す。つま
り、実処理時に適したＰＩＤ定数は、ホットプレート２
０の温度の揺らぎを各基板Ｗごとに一定にするのに適し
たＰＩＤ定数であるため、昇温開始直後であっても温度
制御部１５はホットプレート２０への出力を上限まで大
きくすることはない。このため、図３に示す如く、従来
の熱処理装置におけるホットプレート２０の温度上昇速
度は本発明に係る熱処理装置よりも遅くなり、その結果
設定温度の昇温開始から終了までの時間も長時間化する
のである。

【００３２】一方、上記とは逆に、ホットプレート２０
の設定温度を降温する旨の指示を受けると、ＰＩＤ定数
決定部１６が設定温度の降温開始から終了までの時間を
短時間化するのに適したＰＩＤ定数を決定する。温度制
御部１５はそのＰＩＤ定数を使用してホットプレート２
０の設定温度降下を制御する。具体的には、まず温度制
御部１５がホットプレート２０への出力を完全に停止
し、ホットプレート２０の温度を自然冷却に任せて下降
させる。ある程度までホットプレート２０の温度が降温
するとホットプレート２０への出力を徐々に上昇させ、
その温度が目標とする変更後の設定温度に近づくと、当
該設定温度にて安定するように出力を制御する。降温開
始直後においてホットプレート２０への出力を停止して
いるため、図４に示すように、目標設定温度近傍におい
てホットプレート２０の温度が多少振動した後、目標設
定温度に安定する。そして、ホットプレート２０の温度
が目標設定温度に安定した時点が降温終了時である。

【００３３】従来の熱処理装置のように、温度制御部１
５が実処理時に適したＰＩＤ定数を使用してホットプレ
ート２０の設定温度降下を制御した場合、図４中の一点
鎖線にて示すような温度降下を示す。つまり、実処理時
に適したＰＩＤ定数は、ホットプレート２０の温度の揺
らぎを各基板Ｗごとに一定にするのに適したＰＩＤ定数
であるため、降温開始直後であっても温度制御部１５は
ホットプレート２０への出力を完全に停止することはな
い。このため、図４に示す如く、従来の熱処理装置にお
けるホットプレート２０の温度降下速度は本発明に係る
熱処理装置よりも遅くなり、その結果設定温度の降温開
始から終了までの時間も長時間化するのである。

【００３４】また、温度制御部１５が図３に示した設定
温度上昇時に適したＰＩＤ定数を使用してホットプレー
ト２０の設定温度降下を制御した場合も、温度変更開始
直後におけるホットプレート２０への出力態様が全くこ
となるため、設定温度降下に適した制御とはならない。
なお、これとは逆の場合、すなわち設定温度降下時に適
したＰＩＤ定数を使用してホットプレート２０の設定温
度上昇を制御した場合も同様である。

【００３５】このように、本発明に係る熱処理装置にお
いては、ホットプレート２０の設定温度変更時に、ＰＩ
Ｄ定数決定部１６が実処理に適したＰＩＤ定数とは異な
る設定温度変更に適したＰＩＤ定数を決定し、そのＰＩ
Ｄ定数を使用して温度制御部１５がホットプレート２０
の温度変更を制御するため、設定温度の変更開始から終
了までの時間を短時間化することができる。また、ホッ
トプレート２０の設定温度上昇または設定温度降下のそ
れぞれに適したＰＩＤ定数をＰＩＤ定数決定部１６が決
定するため、設定温度上昇および設定温度降下に要する
時間を短時間化することができる。

【００３６】＜Ｂ−２−２．設定温度変更時の温度幅＞
また、本発明に係る熱処理装置においては、ホットプレ
ート２０の設定温度変更時に、その設定温度を変更する
温度幅に応じてＰＩＤ定数決定部１６がＰＩＤ定数を決
定する。例えば、変更する温度幅が１０℃以内である場
合には、ホットプレート２０への出力を上限まで大きく
すると、時間遅れでオーバーシュートが生じ易いため、
出力をある程度まで抑制してオーバーシュートが生じ難
いＰＩＤ定数を決定する。

【００３７】一方、変更する温度幅が１０℃よりも大き
い場合には、ホットプレート２０への出力を上限近くま
で大きくして急速にホットプレート２０の温度を上昇さ
せるのが好ましいため、ＰＩＤ定数決定部１６はそのよ
うな制御を行えるＰＩＤ定数を決定する。

【００３８】このように、ホットプレート２０の設定温
度を変更する温度幅に応じてＰＩＤ定数を決定すれば、
当該温度幅が狭い場合または広い場合のそれぞれに適し
た設定温度変更の制御が行われることとなる。

【００３９】なお、本実施形態では一例として変更する
温度幅を１０℃を境界として２段階に区分し、それぞれ
の区分に応じたＰＩＤ定数を決定するようにしていた
が、これに限定されるものではなく、任意の温度を境界
として区分することが可能であり、また例えば１０℃、
２０℃を境界として３段階に区分するようにしてもよ
い。

【００４０】＜Ｂ−２−３．設定温度変更時の温度帯＞
さらに、本発明に係る熱処理装置においては、ホットプ
レート２０の設定温度変更時に、その設定温度を変更す
る温度帯に応じてＰＩＤ定数決定部１６がＰＩＤ定数を
決定する。例えば、ホットプレート２０の設定温度を３
００℃から２５０℃に変更する場合は、ホットプレート
２０への出力を停止すると急速に温度が低下するため、
ホットプレート２０の温度が２５０℃を下回り過ぎない
ようにＰＩＤ定数を決定する。

【００４１】一方、ホットプレート２０の設定温度を１
００℃から５０℃に変更する場合は、温度低下の速度が
遅いため、設定温度の変更開始から相当時間の間ホット
プレート２０への出力を完全に停止するようにＰＩＤ定
数を決定する。

【００４２】このように、ホットプレート２０の設定温
度を変更する温度帯に応じてＰＩＤ定数を決定すれば、
当該温度帯が高温帯にある場合またはそれよりも低い低
温帯にある場合のそれぞれに適した設定温度変更の制御
が行われることとなる。

【００４３】＜Ｃ．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。上記実施形態においては、熱処理装置の
温調部１０内にＰＩＤ定数決定部１６を備えていたが、
このＰＩＤ定数決定部１６は装置外部、例えば熱処理装
置が組み込まれている基板処理装置本体のコンピュータ
内に設けるようにしても良い。

【００４４】また、上記実施形態においては、ホットプ
レート２０が行う処理内容ごとに予め実験的に定めた基
準ＰＩＤ定数をメモリに記憶させておき、ホットプレー
ト２０が行う処理内容を識別したＰＩＤ定数決定部１６
がその処理内容に対応する基準ＰＩＤ定数を選択し、こ
れをホットプレート２０の設定温度等に応じて基準ＰＩ
Ｄ定数を演算手段により補正して最終的なＰＩＤ定数を
決定するようにしていたが、これに限られるものではな
く、例えば、設定温度、設定温度変更時の温度幅、各設
定温度において基板の連続処理を行う場合の各基板の温
度履歴の一定化などを予め加味してホットプレート２０
が行いうる所定の処理内容に応じたＰＩＤ定数を多数メ
モリに記憶させておき、その中からホットプレート２０
が行う処理内容を識別したＰＩＤ定数決定部１６がその
処理内容に対応するＰＩＤ定数を選択してこれを最終的
なＰＩＤ定数として決定するようにしてもよい。

【００４５】また、上記実施形態においては、ＰＩＤ制
御によってホットプレート２０の温度の制御を行ってい
たが、本発明に係る熱処理装置の制御はＰＩＤ制御に限
定されるものではなく、温度センサ２５の測温結果に基
づいてホットプレート２０の温度のフィードバック制御
を行う形態であれば良い。この場合は、加熱源たるホッ
トプレート２０が行う処理内容に応じて温度制御部１５
のフィードバック制御の態様を決定することとなる。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、加熱源が行う処理内容に応じてフィードバック
制御の態様を決定するため、その態様により温度制御手
段が加熱源を制御することにより、加熱源が行う処理内
容に応じた最適な制御を行うことができる。

【００４７】また、請求項２の発明によれば、加熱源が
行う処理内容に応じてＰＩＤ制御のＰＩＤ定数を決定し
ているため、そのＰＩＤ定数を使用して温度制御手段が
加熱源をＰＩＤ制御することにより、加熱源が行う処理
内容に応じた最適な制御を行うことができる。

【００４８】また、請求項３の発明によれば、加熱源が
実処理を行うかまたは加熱源の設定温度の変更を行うか
に応じて、ＰＩＤ定数を決定しているため、加熱源が実
処理を行うときには各基板の温度履歴は一定の安定した
ものとできるとともに、加熱源の設定温度の変更を行う
ときには設定温度の変更開始から終了までの時間を短時
間化することができる。

【００４９】また、請求項４の発明によれば、加熱源の
設定温度を変更する温度幅に応じてＰＩＤ定数を決定し
ているため、温度幅が狭い場合または広い場合のそれぞ
れに適した設定温度変更の制御を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る熱処理装置の概略構成を示す図で
ある。

【図２】図１のホットプレートが基板の実処理を行うと
きの温度制御部による制御の様子を示す図である。

【図３】図１のホットプレートの設定温度を昇温すると
きの温度制御部による温度制御の様子を示す図である。

【図４】図１のホットプレートの設定温度を降温すると
きの温度制御部による温度制御の様子を示す図である。

【符号の説明】

１０ 温調部 １５ 温度制御部 １６ ＰＩＤ定数決定部 ２０ ホットプレート ２５ 温度センサ Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹田 滋 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F046 KA04 KA10

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に加熱処理を行う熱処理装置であっ
   て、 基板を加熱するための加熱源と、 前記加熱源の温度を測定する測温手段と、 前記測温手段の測温結果に基づいて前記加熱源の温度を
   フィードバック制御する温度制御手段と、 前記加熱源が行う処理内容に応じて前記フィードバック
   制御の態様を決定する制御態様決定手段と、を備えるこ
   とを特徴とする熱処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の熱処理装置において、 前記温度制御手段は、前記加熱源の温度についてＰＩＤ
   制御を行い、 前記制御態様決定手段は、前記加熱源が行う処理内容に
   応じて前記ＰＩＤ制御のＰＩＤ定数を決定することを特
   徴とする熱処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の熱処理装置において、 前記制御態様決定手段は、前記加熱源が実処理を行うか
   または前記加熱源の設定温度の変更を行うかに応じて、
   前記ＰＩＤ定数を決定することを特徴とする熱処理装
   置。
4. 【請求項４】 請求項２または請求項３記載の熱処理装
   置において、 前記制御態様決定手段は、前記加熱源の設定温度を変更
   する温度幅に応じて、前記ＰＩＤ定数を決定することを
   特徴とする熱処理装置。