KR100451282B1 - 웨이퍼용 히터시스템 - Google Patents

웨이퍼용 히터시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR100451282B1
KR100451282B1 KR10-2001-0083522A KR20010083522A KR100451282B1 KR 100451282 B1 KR100451282 B1 KR 100451282B1 KR 20010083522 A KR20010083522 A KR 20010083522A KR 100451282 B1 KR100451282 B1 KR 100451282B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
heater block
lamp
heater
power supply
Prior art date
Application number
KR10-2001-0083522A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030053343A (ko
Inventor
김경환
박병두
Original Assignee
동부전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부전자 주식회사 filed Critical 동부전자 주식회사
Priority to KR10-2001-0083522A priority Critical patent/KR100451282B1/ko
Publication of KR20030053343A publication Critical patent/KR20030053343A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100451282B1 publication Critical patent/KR100451282B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼용 히터시스템에 관한 것으로, 웨이퍼가 안착되도록 하기 위한 척을 일렉트로디 히터블럭(Electrode Heater Block)으로 변경하고, 이 일렉트로디 히터블럭에 연결되는 각 라인은 전원공급을 위한 교류전원과 제어를 위한 PID콘트롤에 연결된 구조로서, 웨이퍼의 히팅 수단인 할로겐 램프(Halogen Lamp)방식에서 일렉트로디 히터블럭 방식에 의하여 장시간의 사용 따른 불균일한 온도변화를 미연에 방지하고, 그에 따라 전체적인 시스템을 안정화 시킬 수 있다.
나아가, 시스템의 내부에 램프 모듈의 설치공간이 제거되어 시스템의 크기를 줄이면서 램프의 소모주기에 따른 교체작업의 번거로움과 불편함을 제거할 수 있도록 한 것이다.

Description

웨이퍼용 히터시스템{Heater System for Wafer}
본 발명은 웨이퍼용 히터시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 히팅 수단인 할로겐 램프(halogen lamp)방식에서 일렉트로디 히터블럭(electrode block)방식으로 변경.개선함으로써, 장시간 사용 따른 불균일한 온도변화를 미연에방지하여 전체적인 시스템을 안정화 시키고 나아가, 램프 모듈의 설치공간을 제거하여 시스템의 크기를 줄이도록 한 것이다.
일반적으로, 반조체 공정 중 메탈 드라이 에칭 공정시스템(Metal Dry Etching Process System)에 적용되는 챔버(Chamber)는 메탈 드라이 에칭 공정을 마친후, 웨이퍼의 표면에 잔류되어 있는 부식성분을 제거하기 위한 하나의 서브 챔버이다.
우선 상기 서브 챔버는 고온(250℃ ∼ 275℃)의 조건에서 공정이 진행되는데, 이러한 고온의 공정을 수행하기 위해 첨부된 에시도면 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼(10)가 안착되는 척(12)은 지지수단(32)에 의해 위치.고정된다.그리고, 상기 척(12)의 하부에는 램프모듈(14)을 구비한 한쌍의 할로겐 램프(16)가 갖추어지며, 이 척(12)과 할로겐 램프(16)의 사이에는 원도우(18)가 설치되어 있다.
그런데, 상기 할로겐 램프(16)는 소모주기가 짧고, 시스템으로부터 램프에 대한 교체작업이 매우 어려워 작업자에게 불편함과 번거로움을 느끼게하고, 나아가 램프(16)의 교체작업시간의 소요로 인하여 생산성과 장비의 가동율을 저하시키게 되는 문제점이 있었다.
또한, 공정의 수행 도중 램프(16)가 아웃될 경우, 탬프 콘트롤(Temp Control)이 신속히 이루어지지 않을 경우, 자칫 대형사고를 유발시킬 수 있고, 나아가 장시간 사용에 따른 불균일한 온도변화를 발생시키며, 램프 모듈의 설치에 의해 시스템의 크기가 전체적으로 커지게 되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위하여 웨이퍼의 히팅 수단인 할로겐 램프 방식에서 일렉트로디 히터블럭 방식으로 변경.개선함으로써, 장시간 사용 따른 불균일한 온도변화를 미연에 방지하여 전체적인 시스템을 안정화 시키고, 아울러 램프 소모주기에 따른 교체작업의 번거로움과 불편함을 제거할 수 있도록 한 것이다.
도 1은 일반적인 웨이퍼용 히터시스템를 개략적으로 나타낸 도면
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼용 히터시스템을 개략적으로 나타낸 도면
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 웨이퍼 12 : 척
14 : 램프 모듈 16 : 할로겐 램프
30 : 일렉트로디 히터블럭 32 : 지지수단
34 : 교류전원 36 : PID콘트롤러
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 웨이퍼가 안착되도록 일렉트로디 히터블럭이 설치되고, 이 상기 일렉트로디 히터블럭에 연결되는 각 라인은 전원공급을 위한 교류전원 및 제어를 위한 PID콘트롤에 연결된 웨이퍼용 히터시스템에 기술적 특징이 있다.나아가, 시스템의 내부에 램프 모듈의 설치공간을 제거하여 시스템의 크기를 줄이면서 램프의 소모주기에 따른 교체작업의 번거로움과 불편함을 제거할 수 있도록 하는 점에 특징이 있다.
이하, 본 발명을 첨부된 예시도면에 의거 상세히 설명하기로 한다.
첨부된 예시도면 도 2는 본 발명의 웨이퍼용 히터시스템를 나타낸 도면인 바,첨부된 예시도면 도 1과 동일한 참조번호는 동일한 부품을 표시하므로 이에 대한 설명은 생략하고 도 1과 상이한 점에 대해서만 설명하기로 한다.
첨부된 예시도면 도 2를 참조하면 챔버의 내부에는 웨이퍼(10)가 놓여지도록 일렉트로디 히터블럭(30)이 양측에 결합되는 지지수단(32)을 매개로 위치.고정되어 있고, 이 일렉트로디 히터블럭(30)에 연결된 각 라인은 전원공급을 위한 교류전원(34)과 온도제어를 위한 PID콘트롤러(36)에 연결된다. 이때 상기 일렉트로디 히터블럭(30)의 재질은 알루미늄 또는 세락믹 처리된 전극으로도 사용할 수 있다.
따라서, 본 발명은 종래와 같이 램프방식을 사용하지 않고, 웨이퍼(10)가 놓여지는 척(12)을 일렉트로디 히터블럭(30)으로 변경시키고, 이 일렉트로디 히터블럭(30)은 교류전원(34)으로부터 공급되는 전원에 의하여 가열된다.이때, 상기 일렉트로디 히터블럭(30)에 연결되는 PID콘트롤러(36)가 일렉트로디 히터블럭(30)에 공급되는 교류전원(34)을 제어하게 된다.본원발명의 웨이퍼용 히터시스템은, 장시간 사용에 의한 불균일한 온도변화와 할로겐 램프(16) 소모주기에 의한 교체작업을 제거하고, 아울러 시스템 내부에 램프 모듈(14)이 삭제되어 시스템의 크기를 줄일 수 있다.
위와 같이 본 발명은 웨이퍼의 히팅 수단인 할로겐 램프방식에서 일렉트로디 히터 블럭방식으로 변경.개선하여 불균일한 온도변화를 방지하면서 시스템을 안정화 시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 램프 모듈이 삭제되어 시스템의 크기를 줄일 수 있고, 아울러 램프 소모주기에 따른 교체작업의 번거로움과 불편함을 제거 할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 챔버 내부에 놓여지는 웨이퍼를 상온으로 형성하기 위한 웨이퍼용 히터시스템에 있어서,
    상기 웨이퍼가 안착되도록 일렉트로디 히터블럭이 설치되고, 이 상기 일렉트로디 히터블럭에 연결된 각 라인은 전원공급을 위한 교류전원 및 제어를 위한 PID콘트롤러에 연결된 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 히터시스템.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 히터블럭과 연결되는 각 라인은 원도우에 진공으로 실링되는 것을 특징으로하는 웨이퍼용 히터시스템.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 일렉트로디 히터블럭의 재질은 알루미늄 또는 세라믹 처리된 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 히터시스템.
KR10-2001-0083522A 2001-12-22 2001-12-22 웨이퍼용 히터시스템 KR100451282B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0083522A KR100451282B1 (ko) 2001-12-22 2001-12-22 웨이퍼용 히터시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0083522A KR100451282B1 (ko) 2001-12-22 2001-12-22 웨이퍼용 히터시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030053343A KR20030053343A (ko) 2003-06-28
KR100451282B1 true KR100451282B1 (ko) 2004-10-06

Family

ID=29577930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0083522A KR100451282B1 (ko) 2001-12-22 2001-12-22 웨이퍼용 히터시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100451282B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180090921A (ko) 2017-02-03 2018-08-14 주식회사 중부종합물산 계란 포장용 상자

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7326877B2 (en) * 2004-12-01 2008-02-05 Ultratech, Inc. Laser thermal processing chuck with a thermal compensating heater module

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980087380A (ko) * 1997-05-29 1998-12-05 타카다 요시유키 기판열처리장치 및 방법
JPH1174187A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板加熱処理方法および装置
JPH11251039A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Kyocera Corp 窒化アルミニウム質セラミックヒータ
JP2000138269A (ja) * 1998-10-29 2000-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd バーンイン装置
JP2000294473A (ja) * 1999-04-01 2000-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
KR20010102324A (ko) * 1999-02-22 2001-11-15 라스프 기판의 열처리를 위한 장치 및 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980087380A (ko) * 1997-05-29 1998-12-05 타카다 요시유키 기판열처리장치 및 방법
JPH1174187A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板加熱処理方法および装置
JPH11251039A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Kyocera Corp 窒化アルミニウム質セラミックヒータ
JP2000138269A (ja) * 1998-10-29 2000-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd バーンイン装置
KR20010102324A (ko) * 1999-02-22 2001-11-15 라스프 기판의 열처리를 위한 장치 및 방법
JP2000294473A (ja) * 1999-04-01 2000-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180090921A (ko) 2017-02-03 2018-08-14 주식회사 중부종합물산 계란 포장용 상자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030053343A (ko) 2003-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102589733B1 (ko) 기판 기형을 정정하기 위한 방법 및 장치
US20080298787A1 (en) Filament lamp and light-irradiation-type heat treatment device
JPH1014266A (ja) 静電チャック装置及び静電チャックを用いたウエハの保持方法及び静電チャックからのウエハの脱着方法
KR100451282B1 (ko) 웨이퍼용 히터시스템
KR100768899B1 (ko) 기판의 가열 장치
EP1640470B1 (en) Nitriding method and device
CN113321403A (zh) 用于熔融玻璃的方法和装置
JP2001105235A (ja) 放電・電解加工方法およびその装置
KR100790795B1 (ko) 진공처리장치
TW202027166A (zh) 電漿處理器以及靜電夾盤加熱方法
KR100765856B1 (ko) 진공로의 가열장치
KR100262463B1 (ko) 배스의 온도 조절장치
JP2587389Y2 (ja) 賦活再生装置
KR102105049B1 (ko) 기판 처리 장치용 윈도우, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN211233903U (zh) 坩埚及热处理设备
WO2016176566A1 (en) Methods and apparatus for correcting substrate deformity
JPH06104198A (ja) ランプアニール装置
KR20060007663A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR200316084Y1 (ko) 진공관속 부품에 유도가열을 이용한 열처리 제조장치
KR101467060B1 (ko) 중공히터를 이용한 플라즈마 가열 방식 가열로 시스템
RU2184406C1 (ru) Установка для диффузионной сварки
KR200147009Y1 (ko) 반도체 제조장치
JP4230716B2 (ja) 基板処理装置
KR200156798Y1 (ko) 반도체 스퍼터링 장비의 웨이퍼 가열장치
JPH0536670A (ja) 湿式エツチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090825

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee