JP2016183815A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Wが載置される上部プレート21が熱処理部23により冷却または加熱される。熱処理部23の温度が温度調整部30により調整される。上部プレート21の温度が検出される。検出された温度に基づいて、上部プレート21の温度を設定された値に維持するために温度調整部30に与えられるべき制御値が制御演算値として算出される。制御演算値が第2のしきい値未満に低下した場合には、制御演算値を温度調整部30に与える第1の制御が行われる。制御演算値が第1のしきい値以上に上昇した場合には、制御演算値よりも高い制御設定値が温度調整部30に与える第2の制御が行われる。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の実施の形態に係る熱処理装置および熱処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
本例においては、まず、上部プレート21の温度が設定温度(本例では23℃)に制御される。次に、図示しない加熱処理装置により高温に加熱された基板Wが上部プレート21に載置される。そのため、上部プレート21の温度が設定温度から急激に上昇する。このような場合でも、上部プレート21の温度が設定温度に戻るように温度調整部30の制御が行われる。この制御においては、温度調整部30から熱処理部23への出力率が調整される。ここで、出力率は、上部プレート21を設定温度に維持するために熱処理部23に供給すべき出力と温度調整部30の供給可能な最大出力との比である。
本実施の形態に係る熱処理装置100においては、出力率がしきい値未満である場合には、上部プレート21の温度を設定温度に維持するために算出された出力率を温度調整部30に与えるフィードバック制御が行われる。これにより、上部プレート21の温度が設定温度に維持される。
(a)上記実施の形態において、プレート部20は基板Wを冷却処理するクーリングプレートであるが、本発明はこれに限定されない。プレート部20は基板Wを加熱処理するホットプレートであってもよい。この場合、熱処理部23の各温調素子23aは、加熱面が上部プレート21に接触しかつ冷却面が下部プレート22に接触するように配置される。あるいは、温調素子23aはペルチェ素子ではなくヒータであってもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
11 記憶部
12 昇降制御部
13 温度算出部
14 演算処理部
15 出力制御部
20 プレート部
21 上部プレート
21h,22h 開口部
22 下部プレート
23 熱処理部
23a 温調素子
30 温度調整部
40 昇降装置
41 昇降ピン
42 ピン駆動部
50 温度検出部
100 熱処理装置
W 基板
Claims (6)
- 基板に熱処理を行う熱処理装置であって、
基板が載置されるプレートと、
前記プレートを冷却または加熱するように配置される熱処理部と、
前記熱処理部の温度を調整する温度調整部と、
前記プレートの温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部により検出された温度に基づいて、前記プレートの温度を設定された値に維持するために前記温度調整部に与えられるべき制御値を制御演算値として算出する制御値算出部と、
前記制御値算出部により算出された制御演算値を前記温度調整部に与える第1の制御と、前記制御値算出部により算出された制御演算値よりも高い制御設定値を前記温度調整部に与える第2の制御とを行う制御切替部とを備え、
前記制御切替部は、前記制御値算出部により算出された制御演算値が第1のしきい値以上に上昇した場合には、前記第1の制御を第2の制御に切り替え、前記制御値算出部により算出された制御演算値が前記第2のしきい値未満に低下した場合には、前記第2の制御を前記第1の制御に切り替える、熱処理装置。 - 前記制御設定値は、予め定められた第1および第2のしきい値よりも高くかつ前記温度調整部に対する最大の制御値以下である、請求項1記載の熱処理装置。
- 前記第1のしきい値と前記第2のしきい値とは互いに等しい、請求項1または2記載の熱処理装置。
- 前記制御値は、前記プレートの温度を設定された値に維持するために前記熱処理部に供給されるべき電力と前記温度調整部が出力可能な最大電力との比率である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の熱処理装置。
- 前記熱処理部はペルチェ素子を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の熱処理装置。
- 基板に熱処理を行う熱処理方法であって、
基板が載置されるプレートを熱処理部により冷却または加熱するステップと、
前記熱処理部の温度を温度調整部により調整するステップと、
前記プレートの温度を検出するステップと、
検出された温度に基づいて、前記プレートの温度を設定された値に維持するために前記温度調整部に与えられるべき制御値を制御演算値として算出するステップと、
算出された制御演算値を前記温度調整部に与える第1の制御と、算出された制御演算値よりも高い制御設定値を前記温度調整部に与える第2の制御とを行うステップとを含み、
前記第1の制御と前記第2の制御とを行うステップは、算出された制御演算値が第1のしきい値以上に上昇した場合には、第1の制御を第2の制御に切り替え、算出された制御演算値が前記第2のしきい値未満に低下した場合には、前記第2の制御を前記第1の制御に切り替えることを含む、熱処理方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020145216A (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP2020181948A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6872914B2 (ja) * | 2017-01-30 | 2021-05-19 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
TW202316906A (zh) * | 2017-08-10 | 2023-04-16 | 美商瓦特洛威電子製造公司 | 控制送至加熱器之電力的系統及方法 |
IT201800020272A1 (it) * | 2018-12-20 | 2020-06-20 | Amx Automatrix S R L | Pressa di sinterizzazione per sinterizzare componenti elettronici su un substrato |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08273993A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置 |
JPH10335209A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Smc Corp | 基板熱処理装置 |
JP2005033178A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07115058A (ja) | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置 |
JPH08148421A (ja) | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置 |
JPH08203796A (ja) | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置 |
US5638687A (en) | 1994-11-21 | 1997-06-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate cooling method and apparatus |
JPH08236414A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置 |
US6230497B1 (en) * | 1999-12-06 | 2001-05-15 | Motorola, Inc. | Semiconductor circuit temperature monitoring and controlling apparatus and method |
US6191399B1 (en) * | 2000-02-01 | 2001-02-20 | Asm America, Inc. | System of controlling the temperature of a processing chamber |
WO2004038776A1 (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JP5040213B2 (ja) * | 2006-08-15 | 2012-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
JP5041016B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2012-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
JP5048810B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
KR101512874B1 (ko) * | 2010-09-07 | 2015-04-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 종형 열처리 장치 및 그 제어 방법 |
JP2012080080A (ja) | 2010-09-07 | 2012-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置及びその制御方法 |
US9038404B2 (en) | 2011-04-19 | 2015-05-26 | Liebert Corporation | High efficiency cooling system |
US20130098086A1 (en) | 2011-04-19 | 2013-04-25 | Liebert Corporation | Vapor compression cooling system with improved energy efficiency through economization |
US9845981B2 (en) | 2011-04-19 | 2017-12-19 | Liebert Corporation | Load estimator for control of vapor compression cooling system with pumped refrigerant economization |
JP5708310B2 (ja) * | 2011-07-01 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2013062361A (ja) | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、温度制御システム、熱処理方法、温度制御方法及びその熱処理方法又はその温度制御方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
JP5951438B2 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-07-13 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
JP6064613B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2017-01-25 | 株式会社ノーリツ | 給湯装置 |
-
2015
- 2015-03-26 JP JP2015063949A patent/JP6442339B2/ja active Active
- 2015-11-17 WO PCT/JP2015/005727 patent/WO2016151651A1/ja active Application Filing
- 2015-11-17 KR KR1020177026625A patent/KR101994570B1/ko active IP Right Grant
- 2015-11-17 US US15/556,919 patent/US10629463B2/en active Active
- 2015-11-17 CN CN201580077665.5A patent/CN107430985B/zh active Active
-
2016
- 2016-01-15 TW TW105101214A patent/TWI644342B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08273993A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置 |
JPH10335209A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Smc Corp | 基板熱処理装置 |
JP2005033178A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020145216A (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
WO2020179278A1 (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP7256034B2 (ja) | 2019-03-04 | 2023-04-11 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP2020181948A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP7198718B2 (ja) | 2019-04-26 | 2023-01-04 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180033660A1 (en) | 2018-02-01 |
JP6442339B2 (ja) | 2018-12-19 |
US10629463B2 (en) | 2020-04-21 |
CN107430985B (zh) | 2020-10-30 |
WO2016151651A1 (ja) | 2016-09-29 |
TWI644342B (zh) | 2018-12-11 |
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