JP2016183815A5 - - Google Patents

Description

比較例１では、上部プレート２１の温度のオーバーシュートはほとんど発生しない反面、基板Ｗが上部プレート２１に載置されてから上部プレート２１の温度が設定温度に戻るまでに比較的長い時間（本例では１３．４秒）を要する。一方、比較例２では、基板Ｗが上部プレート２１に載置されてから比較的短い時間（本例では１１．５秒）で上部プレート２１の温度が設定温度に戻る反面、上部プレート２１の温度の大きなオーバーシュートおよびアンダーシュートが発生する。

Claims (6)

1. 基板に熱処理を行う熱処理装置であって、
   基板が載置されるプレートと、
   前記プレートを冷却または加熱するように配置される熱処理部と、
   前記熱処理部の温度を調整する温度調整部と、
   前記プレートの温度を検出する温度検出部と、
   前記温度検出部により検出された温度に基づいて、前記プレートの温度を設定された値に維持するために前記温度調整部に与えられるべき制御値を制御演算値として算出する制御値算出部と、
   前記制御値算出部により算出された制御演算値を前記温度調整部に与える第１の制御と、前記制御値算出部により算出された制御演算値よりも高い制御設定値を前記温度調整部に与える第２の制御とを行う制御切替部とを備え、
   前記制御切替部は、前記制御値算出部により算出された制御演算値が第１のしきい値以上に上昇した場合には、前記第１の制御を第２の制御に切り替え、前記制御値算出部により算出された制御演算値が第２のしきい値未満に低下した場合には、前記第２の制御を前記第１の制御に切り替える、熱処理装置。
2. 前記制御設定値は、予め定められた前記第１および前記第２のしきい値よりも高くかつ前記温度調整部に対する最大の制御値以下である、請求項１記載の熱処理装置。
3. 前記第１のしきい値と前記第２のしきい値とは互いに等しい、請求項１または２記載の熱処理装置。
4. 前記制御値は、前記プレートの温度を設定された値に維持するために前記熱処理部に供給されるべき電力と前記温度調整部が出力可能な最大電力との比率である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱処理装置。
5. 前記熱処理部はペルチェ素子を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の熱処理装置。
6. 基板に熱処理を行う熱処理方法であって、
   基板が載置されるプレートを熱処理部により冷却または加熱するステップと、
   前記熱処理部の温度を温度調整部により調整するステップと、
   前記プレートの温度を検出するステップと、
   検出された温度に基づいて、前記プレートの温度を設定された値に維持するために前記温度調整部に与えられるべき制御値を制御演算値として算出するステップと、
   算出された制御演算値を前記温度調整部に与える第１の制御と、算出された制御演算値よりも高い制御設定値を前記温度調整部に与える第２の制御とを行うステップとを含み、
   前記第１の制御と前記第２の制御とを行うステップは、算出された制御演算値が第１のしきい値以上に上昇した場合には、第１の制御を第２の制御に切り替え、算出された制御演算値が第２のしきい値未満に低下した場合には、前記第２の制御を前記第１の制御に切り替えることを含む、熱処理方法。