JP2014063972A5

JP2014063972A5 -

Info

Publication number: JP2014063972A5
Application number: JP2013031212A
Authority: JP
Filing date: 2013-02-20
Publication date: 2016-01-28
Anticipated expiration: 2033-02-20

Description

また、同様に、プロセスコントローラ９０は、ヒーター９ａにより静電チャック９の温度を下げる場合に、変更工程において、第２の温度を第４の温度に下げられ始められた後に、第１の温度から第３の温度への変更を開始する。

Claims

基台を第１の温度で制御し、前記基台に配置されて被処理体が載置されるヒーターが内蔵された静電チャックの温度を第２の温度で制御し、前記被処理体に対して第１の処理を行う第１の処理工程と、
前記基台を第３の温度で制御し、前記ヒーターにより前記静電チャックの温度を第４の温度で制御し、前記被処理体に対して第２の処理を行う第２の処理工程とを含み、
前記第１の温度と前記第２の温度との温度差、及び、前記第３の温度と前記第４の温度との温度差が、前記基台と前記静電チャックとを接合する接合層の許容温度となることを特徴とする制御方法。
前記第１の温度と前記第４の温度との差が前記接合層の許容温度を超える場合、前記第１の処理の後、前記第１の温度を、前記第４の温度との温度差が前記接合層の許容温度となるように前記第３の温度に変更する変更工程と
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の制御方法。
前記基台は、前記基台内に設けられた流路をチラーによって冷却媒体が循環させられ、
前記基台の温度は、前記冷却媒体の温度を制御することで制御されることを特徴とする請求項２に記載の制御方法。
前記基台は、前記基台内に設けられた流路をチラーによって冷却媒体が循環させられ、
前記チラーは、前記基台内に設けられた前記流路の入口に前記冷却媒体を送り、前記流路の出口から出てきた前記冷却媒体を受け付け、前記冷却媒体の温度を制御した上で前記流路に再度送ることで、前記流路に前記冷却媒体を循環させるものであって、
前記変更工程は、前記流路の出口から出てきた前記冷却媒体の温度を測定し、当該測定した温度に基づいて、前記流路の入口に送る前記冷却媒体の温度を制御することを特徴とする請求項２又は３に記載の制御方法。
前記ヒーターにより前記静電チャックの温度を上げる場合に、前記変更工程は、前記第２の温度を前記第４の温度に上げられ始める前に、前記第１の温度から前記第３の温度への変更を開始することを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の制御方法。
前記ヒーターにより前記静電チャックの温度を下げる場合に、前記変更工程は、前記第２の温度を前記第４の温度に下げられ始められた後に、前記第１の温度から前記第３の温度への変更を開始することを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の制御方法。
前記基台の温度を制御するチラーは、低温温調ユニット及び高温温調ユニットからなり、前記基台の温度の制御時において低温温調ユニット若しくは高温温調ユニットのいずれか一方からの冷媒を前記流路に流すことを特徴とする請求項３に記載の制御方法。
前記第１の温度と前記第４の温度との差が前記接合層の許容温度を超える場合、前記第１の処理の後、前記第１の温度を、前記第４の温度との温度差が前記接合層の許容温度となるように前記第３の温度に変更する変更工程において、基台内の冷媒の循環を停止する工程を更に含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の制御方法。
基台と、
前記基台に配置されて被処理体が載置される静電チャックと、
前記基台と前記静電チャックとを接合する接合層と、
前記静電チャック内に設けられたヒーターと、
前記基台の温度を制御するチラーと、
前記被処理体に対して第１の処理を行う際に、前記基台を第１の温度で制御しつつ前記ヒーターにより前記静電チャックの温度を第２の温度で制御し、前記被処理体に対して第２の処理を行う際に、前記基台を第３の温度で制御しつつ前記ヒーターにより前記静電チャックの温度を第４の温度で制御する制御部とを具備し、
前記第１の温度と前記第２の温度との温度差、及び、前記第３の温度と前記第４の温度との温度差が、前記接合層の許容温度であることを特徴とするプラズマエッチング装置。
前記制御部は、前記第１の温度と前記第４の温度との差が前記接合層の許容温度を超える場合、前記第１の処理の後、前記第１の温度を、前記第４の温度との温度差が前記接合層の許容温度となるように前記第３の温度に変更することを特徴とする請求項９に記載のプラズマエッチング装置。
前記基台は、前記基台内に設けられた流路を前記チラーによって冷却媒体が循環させられ、
前記基台の温度は、前記冷却媒体の温度を制御することで制御されることを特徴とする請求項９又は１０に記載のプラズマエッチング装置。
前記基台は、前記基台内に設けられた流路をチラーによって冷却媒体が循環させられ、
前記チラーは、前記基台内に設けられた前記流路の入口に前記冷却媒体を送り、前記流路の出口から出てきた前記冷却媒体を受け付け、前記冷却媒体の温度を制御した上で前記流路に再度送ることで、前記流路に前記冷却媒体を循環させるものであって、
前記プラズマエッチング装置は、前記流路の出口から出てきた前記冷却媒体の温度を測定する測定部を更に有し、
前記制御部は、前記測定部により測定された前記冷却媒体の温度に基づいて、前記流路の入口に送る前記冷却媒体の温度を制御することを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
前記制御部は、前記ヒーターにより前記静電チャックの温度を上げる場合に、前記第２の温度を前記第４の温度に上げ始める前に、前記第１の温度から前記第３の温度への変更を開始することを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
前記制御部は、前記ヒーターにより前記静電チャックの温度を下げる場合に、前記第２の温度を前記第４の温度に下げ始めた後に、前記第１の温度から前記第３の温度への変更を開始することを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
前記基台の温度を制御するチラーは、低温温調ユニット及び高温温調ユニットからなり、前記基台の温度の制御時において低温温調ユニット若しくは高温温調ユニットのいずれか一方からの冷媒を前記流路に流すことを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
前記制御部は、前記第１の温度と前記第４の温度との差が前記接合層の許容温度を超える場合、前記第１の処理の後、前記第１の温度を、前記第４の温度との温度差が前記接合層の許容温度となるように前記第３の温度に変更する場合に、基台内の冷媒の循環を停止することを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の制御方法。