JP2014522574A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板を処理する装置であって、
   内側容積を画定するチャンバ本体と、
   前記内側容積内に配置された基板支持体であり、上面と、前記上面付近で基板領域に複数の流体流を供給するように前記上面に形成された複数のポートとを有する基板支持体本体を備える基板支持体と、
   前記複数のポートの少なくとも１つに第１の流体と第２の流体を供給するように構成された流体供給システムと、
   真空源から、前記基板支持体本体の上面に形成された真空ポートに、前記基板領域内で補助力を供給するように構成された補助力アセンブリと
   コントローラであって、
   基板の温度プロファイルを監視し、
   前記複数のポートに供給された前記第１の流体と前記第２の流体を制御し、
   前記基板支持体本体の上面の前記複数のポートを通る前記流体流を調整し、
   前記基板支持体本体の上面の前記真空ポートを通る真空源からの前記流体流を調整する
   ことによって、基板の温度プロファイルを調整および維持するようにプログラムされたコントローラと
   を備える装置。
2. ２つ以上の基板位置センサをさらに備える、請求項１に記載の装置。
3. 前記基板支持体本体内に埋め込まれたヒータをさらに備える、請求項１に記載の装置。
4. 前記第１および第２の流体が、異なる熱質量を有する、請求項１に記載の装置。
5. 前記コントローラに、および前記複数のポートと第１および第２の流体源との間に結合された複数の流体制御デバイスをさらに備え、前記複数の流体制御デバイスがそれぞれ、前記第１および第２の流体源からの前記流体の比を調整する、請求項１に記載の装置。
6. 前記内側容積内に配置された複数の熱センサをさらに備える、請求項１に記載の装置。
7. 基板を処理する装置であって、
   内側容積を画定するチャンバ本体と、
   前記内側容積内に配置された基板支持体であり、上面と、前記上面付近で基板領域に複数の流体流を供給するように前記上面に形成された複数のポートとを有する基板支持体本体を備える基板支持体と、
   前記複数のポートの少なくとも１つに第１の流体と第２の流体を供給するように構成された流体供給システムであって、ここで前記第１の流体と前記第２の流体は異なる、流体供給システムと、
   前記基板領域内で補助力を供給する補助力アセンブリと
   前記複数のポートへの前記第１の流体と前記第２の流体の供給を制御し、前記流体供給システムと前記補助力アセンブリを制御することによって基板の温度プロファイルを維持することができるコントローラと
   を備える装置。
8. 前記補助力アセンブリが、前記基板支持体本体の前記上面に形成された複数の真空ポートに接続された真空源を備える、請求項７に記載の装置。
9. 前記基板支持体本体内に埋め込まれたヒータをさらに備える、請求項７に記載の装置。
10. 前記第１および第２の流体が、異なる熱質量を有する、請求項７に記載の装置。
11. 前記コントローラに、および前記複数のポートと第１および第２の流体源との間に結合された複数の流体制御デバイスをさらに備え、前記複数の流体制御デバイスがそれぞれ、前記第１および第２の流体源からの前記流体の比を調整する、請求項７に記載の装置。
12. 前記内側容積内に配置された複数の熱センサをさらに備える、請求項７に記載の装置。
13. 基板を処理する装置であって、
    内側容積を画定するチャンバ本体と、
    前記内側容積内に配置された基板支持体であり、上面と、前記上面付近で基板領域に複数の流体流を供給するように前記上面に形成された複数のポートとを有する基板支持体本体を備える基板支持体と、
    前記複数のポートの少なくとも１つに第１の流体と第２の流体を供給するように構成された流体供給システムであって、前記第１の流体と前記第２の流体の間の流量比を調整することができる、流体供給システムと、
    前記基板領域内で補助力を供給する補助力アセンブリと
    前記複数のポートへの前記第１の流体と前記第２の流体の供給を制御し、前記流体供給システムと前記補助力アセンブリを制御することによって基板の温度プロファイルを維持することができるコントローラと
    を備える装置。
14. 前記複数のポートと第１および第２の流体源との間に結合された複数の流体制御デバイスをさらに備え、前記複数の流体制御デバイスがそれぞれ、前記第１および第２の流体源からの前記流体の比を調整する、請求項１３に記載の装置。
15. 熱処理中に基板を制御する方法であって、
    処理チャンバ内の基板支持体の上面に形成された複数のポートに複数の流体流を供給することと、
    前記基板支持体の前記上面の上に前記基板が浮上するように、前記複数の流体流の上で基板を受け取ることと、
    前記基板の温度プロファイルを監視することと、
    前記複数の流体流の１つまたは複数の熱質量を調整して前記基板の前記温度プロファイルを調整することと
    を含む方法。