JP2014522574A - 基板を支持および制御する装置および方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 基板を処理する装置であって、
内側容積を画定するチャンバ本体と、
前記内側容積内に配置された基板支持体であり、上面と、前記上面付近で基板領域に複数の流体流を供給するように前記上面に形成された複数のポートとを有する基板支持体本体を備える基板支持体と、
前記基板領域内で補助力を供給する補助力アセンブリと
を備える装置。 - 前記補助力アセンブリが、前記基板支持体本体の前記上面に形成された複数の真空ポートに接続された真空源を備える、請求項1に記載の装置。
- 2つ以上の基板位置センサをさらに備える、請求項2に記載の装置。
- 前記基板支持体本体内に埋め込まれたヒータをさらに備える、請求項2に記載の装置。
- 前記複数のポートに結合された第1の流体源と、
前記複数のポートに結合された第2の流体源と
をさらに備え、前記第1および第2の流体源が、異なる熱質量を有する流体を提供する、請求項4に記載の装置。 - 前記複数のポートと前記第1および第2の流体源との間に結合された複数の流体制御デバイスをさらに備え、前記複数の流体制御デバイスがそれぞれ、前記第1および第2の流体源からの前記流体の比を調整する、請求項5に記載の装置。
- 前記内側容積内に配置された複数の熱センサと、前記内側容積の上に配置されて、前記基板支持体の上の前記基板領域の方へ熱エネルギーを誘導するように構成された加熱アセンブリとをさらに備える、請求項4に記載の装置。
- 基板を取り扱う方法であって、
処理チャンバ内の基板支持体の上面に形成された複数のポートに複数の流体流を供給することと、
前記基板支持体の前記上面の上に前記基板が浮上するように、前記複数の流体流の上で基板を受け取ることと、
前記基板に直接接触することなく前記基板の平坦度を維持するように、前記基板に補助力を印加することと
を含む方法。 - 前記補助力を印加することが、前記基板に静電力を印加することを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記基板支持体内に埋め込まれたヒータを使用して前記基板支持体を加熱することをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記補助力を調整して前記基板と前記基板の前記上面との間の距離を調整することをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 熱処理中に基板を制御する方法であって、
処理チャンバ内の基板支持体の上面に形成された複数のポートに複数の流体流を供給することと、
前記基板支持体の前記上面の上に前記基板が浮上するように、前記複数の流体流の上で基板を受け取ることと、
前記基板の温度プロファイルを監視することと、
前記複数の流体流の1つまたは複数の熱質量を調整して前記基板の前記温度プロファイルを調整することと
を含む方法。 - 各流体流が第1の流体および第2の流体を含み、前記第1の流体が前記第2の流体の熱質量より高い熱質量を有し、前記複数の流体流の1つまたは複数の前記熱質量を調整することが、前記第1の流体と前記第2の流体の比を調整することを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の流体がヘリウムであり、前記第2の流体が窒素である、請求項13に記載の方法。
- 前記基板に直接接触することなく前記基板の平坦度を維持するために、前記基板に補助力を印加することをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 前記補助力を印加することが、前記基板支持体の前記上面に形成された1つまたは複数の真空ポートを通じて前記基板に真空力を印加することを含む、請求項8または15に記載の方法。
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