JP6091496B2 - 基板を支持および制御する装置および方法 - Google Patents
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Description
Claims (8)
- 基板を処理する装置であって、
内側容積を画定するチャンバ本体と、
前記内側容積内に配置された基板支持体であり、基板支持体本体であって、上面と、前記上面に隣接した基板領域に複数の流体流を供給するように前記基板支持体本体の前記上面の下方に配置された複数の流体チャネルとを有する基板支持体本体を備える基板支持体と、
前記基板を浮かせるために、前記基板支持体本体の前記上面の下方の前記複数の流体チャネルのそれぞれに第1の流体と第2の流体とを供給する複数の流体制御デバイスを備え、各流体チャネルは流体を1つの流体制御デバイスのみから受ける、流体供給システムと、
前記基板支持体本体の上面に形成された真空ポートと前記真空ポートに接続された真空源とを有する補助力アセンブリと、
コントローラであって、基板の平坦度プロファイルと温度プロファイルとを、
前記基板の前記平坦度プロファイルを1または複数の基板位置センサで監視することと、
前記基板の前記温度プロファイルを1または複数の熱センサを用いて監視することと、
前記複数の流体チャネルに供給された前記第1の流体と前記第2の流体を、
前記温度プロファイルの変動を減少するために、前記基板支持体本体の前記複数の流体チャネルを通る前記複数の流体流を調整するために、前記1または複数の熱センサからの前記温度プロファイルを用いることと、
前記平坦度プロファイルの変動を減少するために、前記基板支持体本体の前記上面の前記真空ポートを通る、前記真空源からの流れを調整するために、前記1または複数の基板位置センサからの前記基板の前記平坦度プロファイルと前記基板の前記位置を用いることによって、
制御することとによって、
維持するようにプログラムされたコントローラと、
を備える装置。 - 基板を処理する装置であって、
内側容積を画定するチャンバ本体と、
前記内側容積内に配置された基板支持体であり、基板支持体本体であって、上面と、前記上面に隣接した基板領域に複数の流体流を供給するように前記基板支持体本体の前記上面の下方に配置された複数の流体チャネルとを有する基板支持体本体を備える基板支持体と、
前記基板を浮かせるために、前記基板支持体本体の前記上面の下方に配置された前記複数の流体チャネルのそれぞれに第1の流体と第2の流体とを供給する複数の流体制御デバイスを備え、各流体チャネルは流体を1つの流体制御デバイスのみから受け、前記第1の流体と前記第2の流体とは異なる、流体供給システムと、
前記基板領域内に補助力を供給する補助力アセンブリと、
コントローラであって、
前記基板支持体本体の前記上面の下方に配置された前記複数の流体チャネルへの前記第1の流体と前記第2の流体との供給を制御すること、並びに基板の位置、平坦度プロファイル、及び温度プロファイルを維持することをプログラムされて、これらの制御及び維持が、1または複数の基板位置センサを用いて前記基板の位置を、前記1または複数の基板位置センサを用いて前記基板の平坦度プロファイルを、及び1または複数の熱センサを用いて前記基板の前記温度プロファイルを、監視することとによって、並びに、前記1または複数の基板位置センサと前記1または複数の熱センサとから受け取られた信号に基づいて前記流体供給システムと前記補助力アセンブリを制御することによって行う、コントローラとを備える装置。 - 基板を処理する装置であって、
内側容積を画定するチャンバ本体と、
前記内側容積内に配置された基板支持体であり、基板支持体本体であって、上面と、前記上面に隣接した基板領域に複数の流体流を供給するように前記基板支持体本体の前記上面の下方に配置された複数の流体チャネルとを有する基板支持体本体を備える基板支持体と、
前記基板を浮かせるために、前記基板支持体本体の前記上面の下方に配置された前記複数の流体チャネルのそれぞれに第1の流体と第2の流体とを供給する複数の流体制御デバイスを備え、各流体チャネルは流体を1つの流体制御デバイスのみから受け、前記流体制御デバイスが、前記第1の流体と前記第2の流体の間の流量比を調整することができる、流体供給システムと、
前記基板領域内で補助力を供給する補助力アセンブリと、
コントローラであって、
前記基板支持体本体の前記上面の下方に配置された前記複数の流体チャネルへの前記第1の流体と前記第2の流体との供給を制御すること、並びに基板の位置、平坦度プロファイル、及び温度プロファイルを維持することをプログラムされて、これらの制御及び維持が、1または複数の基板位置センサを用いて前記基板の位置を、前記1または複数の基板位置センサを用いて前記基板の平坦度プロファイルを、及び1または複数の熱センサを用いて前記基板の前記温度プロファイルを、監視することとによって、並びに、前記1または複数の基板位置センサと前記1または複数の熱センサとから受け取られた信号に基づいて前記流体供給システムと前記補助力アセンブリを制御することによって行う、コントローラとを備える装置。 - 前記1または複数の基板位置センサが容量センサである、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記基板支持体本体内に埋め込まれたヒータをさらに備える、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1および第2の流体が、異なる熱質量を有する、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記複数の流体制御デバイスがそれぞれ、第1および第2の流体源からの前記流体の比を調整する、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記補助力アセンブリが、前記基板支持体本体の前記上面に形成された複数の真空ポートに接続された真空源を備える、請求項2または3に記載の装置。
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