JPH11140651A - Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板表面の温度のばらつきをなくし、またよ
り速く基板表面の温度を適宜の温度に設定可能なＣＶＤ
装置を提供すること。 【解決手段】 材料ガスを熱分解することにより基板２
８表面に薄膜を形成するＣＶＤ装置２０において、内部
でＣＶＤ処理を行うチャンバ２１と、上記チャンバ２１
内部に設けられた上記基板２８を保持する基板保持手段
２７と、それぞれ温度調整可能に設けられた複数の加熱
手段３０，３１，３２と、複数箇所の基板２８の温度を
計測する温度計測手段４０，４１，４２，４３と、上記
温度計測手段４０，４１，４２，４３の計測結果に基づ
いて、上記加熱手段３０，３１，３２の温度を制御する
制御手段３４と、を具備することを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板をＣＶＤ処理
するＣＶＤ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造プロセスに用いられる基板表
面への薄膜形成を行うＣＶＤ処理方法には、基板を加熱
することにより行う熱励起による処理方法がある。熱励
起によるＣＶＤ処理装置としては、例えばホットウォー
ルバッチ式減圧ＣＶＤ装置がある。このＣＶＤ装置は、
チャンバを有しており、このチャンバの上端側にチャン
バ内部を気密に封止する封止窓が設けられている。

【０００３】上記チャンバ内部には、この封止窓と所定
距離離間して対向するように、拡散板が設けられてい
る。また、上記封止窓と拡散板の間の空間に材料ガスを
導入するための供給管が連通するように設けられてい
る。

【０００４】上記拡散板の通過によって均一化された材
料ガスは、基板保持台の上端に保持された基板の表面に
接触する。この場合、基板表面の温度が予め例えば略７
００。Ｃとなるように加熱されているため、基板の表面
と接触した材料ガスは、熱分解および酸化反応を行っ
て、この基板表面に薄膜を形成する。そして、反応が済
んだ材料ガスは、基板の表面に沿って流通し、上記基板
保持台の外周側に設けられた排気手段により、処理室の
外方へ排気されるようになっている。

【０００５】上記基板を適宜の温度に加熱するために、
上記基板保持台の内部には基板を所定温度に加熱するた
めの加熱ヒータが設けられており、この加熱ヒータの上
方には上記基板に対して均一な熱を与えるための均熱板
が設けられている。このため、上記基板を熱のばらつき
を小さくして熱することが可能となっている。

【０００６】このようなＣＶＤ装置を用いて基板の加熱
を行う場合には、上記電源に印加する電力を一定にし、
上記基板の表面で薄膜の成膜によって生じるこの薄膜に
よる温度干渉を防止するようにしている。

【０００７】また、このように電源によって電力を印加
する場合には、目的温度となるように所定の電力を印加
し、そしてこの基板の温度がそれぞれの位置で均一にな
るまで待った後に、材質ガスを導入して基板表面に薄膜
を形成していた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のＣＶ
Ｄ処理装置においては、以下のような問題が生じてい
た。すなわち、上記加熱ヒータでは基板表面に薄膜を成
膜している場合には、この基板表面の温度制御を行わな
いため、上記加熱ヒータの出力を発生させるサイリスタ
に一定の指令値を与えても、実際には出力がばらついて
しまい、このため基板の表面温度が基板ごとにばらつ
き、よって成膜時の基板表面に形成する膜厚のばらつき
が大きくなってしまうといった問題が生じている。

【０００９】また、上記ＣＶＤ処理装置を用いて基板を
熱すると、６００。Ｃ以下では基板の輻射率が温度によ
って変化してしまう。すなわち、上記基板表面の温度が
高い部分では、この温度の上昇によって基板の輻射率が
増加し、このため所定の熱が基板に印加した場合でも、
他の部分よりもより基板表面の温度上昇が大きくなる
が、基板表面の温度が高くならない部分では、上記基板
表面の輻射率がさほど増加しなく、このため基板表面の
温度上昇もさほど大きくはならないものとなっている。

【００１０】このため、上記基板における温度の不均一
が拡大し、よって基板表面の熱せられた部分とそうでな
い部分との間の伸縮率の差によって基板がうねるものと
なる。また、このような温度の不均一が生じると、基板
表面の温度の高い部分では輻射率の増加によってより一
層所定の温度へ到達する時間をそれ程要しないものとな
るが、基板表面の温度の低い部分では、輻射率がさほど
増加しないために、上記基板の面が所定の温度に到達す
るためには時間を要するものとなっている。

【００１１】また、基板を加熱する過程においても、基
板に与えた熱は周囲に逃げてしまうため、この基板を目
的の温度まで上昇させるためには時間を要するものとな
っている。このため、基板の加熱に時間が掛かり、よっ
て基板一枚当たりのＣＶＤ処理が遅いものとなってしま
う。

【００１２】さらに、上記基板表面の温度は、基板を保
持する基板保持台の付近では、この基板端部が保持台に
接触することにより熱の変動をきたしている。このた
め、上記基板の輻射率が異なり、基板表面の温度にばら
つきを生じてしまう。

【００１３】本発明は上記の事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、基板表面の温度のばら
つきをなくし、またより速く基板表面の温度を適宜の温
度に設定可能なＣＶＤ装置を提供しようとするものであ
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、材料ガスを熱分解すること
により基板表面に薄膜を形成するＣＶＤ装置において、
内部でＣＶＤ処理を行うチャンバと、上記チャンバ内部
に設けられた上記基板を保持する基板保持手段と、それ
ぞれ温度調整可能に設けられた複数の加熱手段と、複数
箇所の基板の温度を計測する温度計測手段と、上記温度
計測手段の計測結果に基づいて、上記加熱手段の温度を
制御する制御手段と、を具備することを特徴とするＣＶ
Ｄ装置である。

【００１５】請求項２記載の発明は、加熱手段は、基板
の中央部を加熱する第１の加熱手段と、基板の縁部を加
熱する第２の加熱手段とを有することを特徴とする請求
項１記載のＣＶＤ装置である。

【００１６】請求項３記載の発明は、上記基板保持手段
は基板外縁部を保持する構成であり、該基板保持手段を
加熱する第３の加熱手段を有することを特徴とする請求
項１または請求項２記載のＣＶＤ装置である。

【００１７】請求項４記載の発明は、基板と加熱手段の
間には、基板温度を均一にするための均等加熱手段が設
けられていることを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装
置である。

【００１８】請求項５記載の発明は、均等加熱手段の少
なくとも表面は、上記材料ガスの熱分解により基板に形
成される薄膜と同じ輻射率を有する材料により形成され
ていることを特徴とする請求項４記載のＣＶＤ装置であ
る。

【００１９】請求項６記載の発明は、チャンバ内部に基
板を搬入して基板保持手段に保持させる工程と、基板を
複数の加熱手段により略均一に加熱する工程と、チャン
バ内に材料ガスを導入して基板の表面に薄膜を形成する
工程とを具備することを特徴とするＣＶＤ処理方法であ
る。

【００２０】請求項７記載の発明は、チャンバ内部に基
板を搬入して基板保持手段に保持させる工程と、基板を
処理温度より高温に加熱する工程と、基板温度が処理温
度より高温に加熱された後、処理温度まで冷却する工程
と、チャンバ内に材料ガスを導入して基板の表面に薄膜
を形成する工程とを具備することを特徴とするＣＶＤ処
理方法である。

【００２１】請求項１の発明によると、内部でＣＶＤ処
理を行うチャンバと、上記チャンバ内部に設けられた上
記基板を保持する基板保持手段と、それぞれ温度調整可
能に設けられた複数の加熱手段と、複数箇所の基板の温
度を計測する温度計測手段と、上記温度計測手段の計測
結果に基づいて、上記加熱手段の温度を制御する制御手
段と、を具備するため、上記制御手段により上記加熱手
段での基板の温度調整を行えば、上記基板の温度を一定
にすることが可能となる。このため、上記基板の表面で
温度のばらつきをなくすることが可能となり、これによ
って、上記基板の表面での薄膜の形成にばらつきが生じ
難いものとなっている。

【００２２】請求項２の発明によると、上記加熱手段
は、基板の中央部を加熱する第１の加熱手段と、基板の
縁部を加熱する第２の加熱手段とを有するため、上記基
板の表面での温度のばらつきを抑えることが可能となっ
ている。

【００２３】請求項３の発明によると、上記基板保持手
段は基板外縁部を保持する構成であり、該基板保持手段
を加熱する第３の加熱手段を有する構成であるため、上
記基板が上記基板保持手段に接触していることによって
生じる上記基板の温度の変動が生じることが少なくな
る。

【００２４】請求項４の発明によると、基板と加熱手段
の間には、基板温度を均一にするための均等加熱手段が
設けられているため、上記加熱手段が複数設けられてこ
の加熱手段同士の間に隙間が生じている場合には、この
隙間に面している部分と加熱手段に面している部分との
温度格差を小さくして上記基板を加熱することが可能と
なる。このため、上記基板をより均一な温度に加熱する
ことが可能となっている。

【００２５】請求項５の発明によると、均等加熱手段の
少なくとも表面は、上記材料ガスの熱分解により基板に
形成される薄膜と同じ輻射率を有する材料により形成さ
れているため、基板保持手段に材質ガスが接触しても、
均等加熱手段と同じ輻射率の薄膜を形成するようにな
る。このため、表面に薄膜が形成されても均等加熱手段
の輻射率が変化することがなく、基板の良好な加熱を行
うことが可能となっている。

【００２６】請求項６の発明によると、チャンバ内部に
基板を搬入して基板保持手段に保持させる工程と、基板
を複数の加熱手段により略均一に加熱する工程と、チャ
ンバ内に材料ガスを導入して基板の表面に薄膜を形成す
る工程とを具備するため、上記基板の均一な加熱でこの
基板の表面に薄膜の形成にばらつきを生じさせることが
なくなる。

【００２７】請求項７の発明によると、チャンバ内部に
基板を搬入して基板保持手段に保持させる工程と、基板
を処理温度より高温に加熱する工程と、基板温度が処理
温度より高温に加熱された後、処理温度まで冷却する工
程と、チャンバ内に材料ガスを導入して基板の表面に薄
膜を形成する工程とを具備するため、上記基板の加熱中
に生じる基板の輻射率の変化による基板のうねりを防止
することが可能となっている。また、所望の温度よりも
基板を高い温度まで加熱することにより、上記基板の輻
射率を安定させることが可能となる。このため、上記基
板の所望の温度への設定が容易に行える。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて、図１または図２に基づいて説明する。図１に示す
ＣＶＤ装置２０はチャンバ２１を有している。このチャ
ンバ２１は、上端が開放して形成されていて、また下端
は各種装置をチャンバ２１内部に突出させるために、所
定の大きさの孔部２２が開放して形成されている。

【００２９】上記チャンバ２１の上端には、材質を例え
ば石英ガラスとする封止部材２３が内部を気密とするよ
うに取り付けられている。また、この封止部材２３に所
定距離をおいて対向するように、材料ガスを導通させる
導通孔２４が多数形成された拡散板２５が取り付けられ
ている。そして、この封止部材２３と拡散板２５の間の
空間に例えばＳｉＨ₄ のような材料ガスを導入するため
のものとして、上記チャンバ２１の側壁には供給路２６
が形成されている。この供給路２６は、不図示の材料ガ
スの供給源に接続されている。

【００３０】上記孔部２２の周囲を覆う位置から上方に
向かい、基板保持台２７が突出して設けられている。こ
の基板保持台２７は、円筒状の側壁部分が上記チャンバ
２１の内部の上方に向かい突出しており、また、この側
壁の上端に基板２８を保持可能とする係止部２９が設け
られている。この係止部２９は、上記基板保持台２７の
上端から径方向内方に向かうように突出形成されてお
り、この突出した内端側に段差が形成されていて、この
段差にて上記基板２８の外縁側を保持可能としている。

【００３１】なお、この係止部２９は、上記基板保持台
２７の上端の全周に亘って設ける必要はなく、適宜の角
度の間隔ごとに配置される構成でも構わない。また、こ
の基板保持台２７の内部は空洞となっており、上記係止
部２９に係止された基板２８に対して加熱などの種々の
作用を施すための機構が設置可能になっている。

【００３２】上記基板保持台２７の内部には、基板２８
を加熱するための第１のヒータ３０が設けられている。
この第１のヒータ３０は、上記基板２８の温度が略７０
０。Ｃとなるような温度に加熱されるものとなってい
る。上記第１のヒータ３０は、上記基板２８の中心から
上記基板２８が係止部２９に係止される位置よりも内径
側までを加熱するように設けられている。

【００３３】そして、上記第１のヒータ３０の外径側に
は、リング状に形成された第２のヒータ３１が、上記基
板２８の係止部２９に係止された位置をカバーして加熱
するように取り付けられている。

【００３４】さらに、この第２のヒータ３１の外径側に
は、リング状に形成された第３のヒータ３２が上記係止
部２９を加熱可能として設けられている。このような第
１ないし第３のヒータ３０，３１，３２は、配線を介し
てそれぞれの電源３３に接続されている。また、上記基
板保持台２７の内部には、上記基板２８を持ち上げるた
めの駆動機構３４が設けられている。この駆動機構３４
は、上下駆動軸３５の上端にプレート体３６が設けられ
ており、このプレート体３６の端部には所定間隔ごとに
配置され、かつ第１のヒータ３０に形成された孔或いは
隙間を通過して基板２８に達する基板押し上げピン３７
が設けられている。このため、基板押し上げピン３７の
上下方向への駆動によって上記基板２８を持ち上げ可能
としており、図示しない搬送ロボットによってこの基板
２８をＣＶＤ装置２０の外方へ搬送可能としている。

【００３５】なお、ここで、上記チャンバ２１には不図
示のゲート弁が設けられており、上記基板２８のＣＶＤ
処理時にはこのゲート弁が閉じてチャンバ２１内部を気
密に維持することが可能となっており、またゲート弁が
開放しているときには、上記搬送ロボットによって基板
２８の搬送を行うことが可能となっている。

【００３６】上記基板保持台２７の外周側には、チャン
バ２１内部の雰囲気を外方に吸引排気するための吸引路
３８が設けられている。この吸引路３８でチャンバ２１
内部を真空吸引することにより、チャンバ２１内部は所
望の圧力の真空状態に維持可能とするとともに、上記供
給路２６によって供給され、基板２８表面を処理し終え
た材質ガスをチャンバ２１外方に排気可能としている。

【００３７】それぞれの電源３３には、各ヒータ３０，
３１，３２に供給する電力（ヒータパワー）を制御する
ためのサイリスタなどの制御手段３９が接続されてい
る。この制御手段３９は、上記封止部材２３の上方に設
けられた第１の放射温度計４０、第２の放射温度計４
１、第３の放射温度計４２、第４の放射温度計４３に接
続されている。このうち、第１の放射温度計４０は、上
記第１のヒータ３０により加熱された基板２８の略中央
側の温度を検出するように、基板２８の中央側の位置に
配置されている。また、第２の放射温度計４１は、上記
基板２８の外周側であって、上記係止部２９より内径側
の基板２８の温度を検出するように設けられている。

【００３８】第３の放射温度計４２は、熱伝導率や輻射
率の異なる係止部２９と接触している基板２８の外径側
端部の温度を検出可能としている。また、第４の放射温
度計４３は、第３の放射温度計４２よりもさらに外径側
に位置しており、基板２８外周の係止部２９の温度を検
出可能としている。

【００３９】このような第１ないし第４の放射温度計４
０，４１，４２，４３により検出された検出結果は、上
記制御手段３９に伝送され、この検出結果に基づいて上
記第１ないし第３のヒータ３０，３１，３２へ供給され
る電力の大きさを制御するようになっている。

【００４０】以上のような構成を有するＣＶＤ装置２０
における処理について、以下に説明する。図示しない搬
送ロボットにより、上昇している基板押し上げピン３７
の上端に基板２８を載置し、駆動機構３４を駆動させて
ピン３７を下降させて基板２８を基板保持台２７の係止
部２９に載置させる。この係止部２９に基板２８を載置
させた後に、上記第１ないし第３のヒータ３０，３１，
３２に対して上記電源３３より電流を導通させる。

【００４１】すると、上記基板２８はそれぞれの部位で
対向している第１ないし第３のヒータ３０，３１，３２
によって加熱されるが、この基板２８の温度上昇につい
ては、上記第１ないし第４の放射温度計４０，４１，４
２，４３によって検出されるようになっている。このた
め、温度の検出結果により上記基板２８の温度が一定の
値を示すように、上記制御手段３９によりそれぞれ第１
ないし第３のヒータ３０，３１，３２に供給される電力
の微調整を行う。これによって、上記第１ないし第３の
ヒータ３０，３１，３２の発熱量が調整でき、上記基板
２８の温度を所望の範囲にすることが可能となってい
る。

【００４２】そして、このような温度制御を行いながら
上記基板２８を例えば７００。Ｃのような所定温度まで
加熱する。基板２８がこの温度まで加熱された後に、上
記供給路２６より材質ガスをチャンバ２１内部に供給す
る。この材質ガスが上記基板２８表面に接触すると、Ｓ
ｉＨ₄ は熱分解によって上記基板２８の表面にＳｉの薄
膜を形成する。

【００４３】そして、Ｓｉの薄膜を形成した後に、それ
ぞれの電源３３からの電力の供給を停止させるととも
に、上記供給路２６からの材料ガスの流通を停止させ
る。これにより、上記基板２８の表面に薄膜が形成され
るのが停止されるものとなる。

【００４４】処理の終了した基板２８は、ピン３７を上
昇させ、チャンバ２１のゲート弁を開放して図示しない
搬送ロボットによってこのチャンバ２１の外方に搬送さ
れ、基板２８を冷却するなどの次工程に移る。

【００４５】このような構成のＣＶＤ装置２０による
と、上記ＣＶＤ装置２０は第１ないし第３のヒータ３
０，３１，３２を制御手段３９によって適宜制御するこ
とにより、上記基板２８の温度制御をするように設けら
れているため、上記基板２８の加熱を調整して上記基板
２８表面の温度を一定にすることが可能となっている。

【００４６】このように基板２８の表面での温度のばら
つきが少なくなったため、上記基板２８の表面に形成さ
れる薄膜のばらつきも抑制することができる。さらに、
上記係止部２９の温度およびこの係止部２９よりもさら
に外径側の係止部２９の温度も上記第３の放射温度計４
２および第４の放射温度計４３によって計測し、この計
測結果に基づいて上記制御手段３９の制御によって第２
のヒータ３１および第３のヒータ３２の加熱温度を制御
できるため、この係止部２９の温度も一定の値に設定で
き、より基板２９表面の温度を良好に設定することが可
能となっている。

【００４７】以上、本発明の第一の実施の形態について
述べたが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となって
いる。以下、それについて述べる。上記実施の形態で
は、ヒータを第１ないし第３のヒータ３０，３１，３２
に分割して設けているが、これ以外にも、基板２８を直
接加熱するヒータと、係止部２９を加熱するヒータが少
なくとも設けられていれば、構わない。

【００４８】また、ヒータの数に合わせて、上記放射温
度計の数も変更可能である。 （第二の実施の形態）以下、本発明の第二の実施の形態
について、図１または図３を参照して説明する。

【００４９】なお、本実施の形態においては、上記第一
の実施の形態で用いられたＣＶＤ装置２０と基本的には
同じ構成であるが、上記第一の実施の形態のＣＶＤ装置
２０とは異なって、第１ないし第３のヒータ３０，３
１，３２が一体的である構成でも構わない。この場合に
は、上記第１ないし第４の放射温度計３９，４０，４
１，４２が１つのみ設けられている構成であっても構わ
ない。

【００５０】本発明においては、このＣＶＤ装置２０を
用いて、以下のような基板２８のＣＶＤ処理を行う。基
板保持台２７に基板２８を載置した後、図３に示すよう
に、上記ヒータ３０，３１，３２には、処理を行う際、
温度（例えば７００。Ｃ）以上に加熱（例えば８００。
Ｃ）するだけの電力を供給して、上記基板２８を急激に
加熱する。

【００５１】そして、上記基板２８の表面温度が略８０
０。Ｃとなった後に、この基板２８を略７００。Ｃに維
持可能な電力まで下げると、基板２８の表面温度は徐々
に低下して略７００。Ｃまで下がる。

【００５２】このように制御することにより、５００。
Ｃから６００。Ｃの間の温度領域のように、温度によっ
て輻射率が非常に変化する温度領域を短時間で通過させ
ることができるので、伸縮率の差で基板２８がうねるの
を抑止することができる。

【００５３】また、上記基板２８を急激に加熱させるも
のであるため、上記基板２８の温度を短時間で所定温度
にまで上昇させることができるので、ＣＶＤ処理に要す
る時間を全体的に短縮することも可能となっている。

【００５４】以上、本発明の第二の実施の形態について
述べたが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となって
いる。以下、それについて述べる。上記実施の形態で
は、略８００。Ｃとなるまで加熱しているが、基板２８
の加熱温度はこの温度に限られない。また、ヒータが分
割されている構成であれば、基板２８を所望の温度より
も高く加熱した後に、それぞれのヒータの加熱温度を制
御して基板２８の表面温度を一定にする構成としても構
わない。

【００５５】（第三の実施の形態）以下、本発明の第三
の実施の形態について、図１または図４を参照して説明
する。

【００５６】本発明のＣＶＤ装置５０においては、上述
の第一の実施の形態におけるＣＶＤ装置２０と構成がほ
ぼ同様のものとなっている。しかしながら、上記第１な
いし第３のヒータ３０，３１，３２が一体的な構成でも
よく、この場合には第１ないし第４の放射温度計３９，
４０，４１，４２が１つのみ、あるいは他に複数個設け
られる構成であっても構わない。

【００５７】本実施の形態においては、上記係止部２９
に載置される基板２８と上記第１ないし第３のヒータ３
０，３１，３２の間に均熱板５１が設けられている。こ
の均熱板５１は、上記基板２８上に成長させる薄膜と同
様の材質より構成されたものが好ましい。

【００５８】すなわち、上記基板２８にはＳｉＨ₄ の材
質ガスの熱分解により、Ｓｉの薄膜が形成されるが、こ
の材質ガスは、上記基板保持台２７の係止部２９と基板
２８との隙間から入り込んで、上記均熱板５１にも接触
する。この場合、上記ＳｉＨ₄ の材質ガスは、ヒータ３
０，３１，３２によって加熱されている均熱板５１への
接触によってやはり熱分解し、均熱板５１の表面にＳｉ
の薄膜が形成されてしまう。

【００５９】このＳｉの薄膜が形成された場合に、上記
均熱板５１の輻射率が変化すると、上記基板２８の加熱
状態が、この均熱板５１のＳｉの薄膜が形成された領域
と、Ｓｉの薄膜が形成されていない領域とで異なったも
のとなってしまう。このため、Ｓｉの薄膜が表面に形成
されても、輻射率が変化しない構成であることが望まし
い。このため、本実施の形態では、上記均熱板５１の少
なくとも表面がＳｉを材質として構成されるようになっ
ている。すると、上記均熱板５１の表面にＳｉの薄膜が
形成されても、輻射率の変化が生じないため、上記基板
２８の加熱への影響を防止することが可能となってい
る。

【００６０】これにより、上記基板２８を良好に加熱で
き、上記基板２８に生じる温度のばらつきを防止するこ
とが可能となる。なお、上記均熱板５１の少なくとも表
面に用いられる材質は、上記Ｓｉと輻射率がほぼ同等の
ものであれば、Ｓｉに限られず、他の材質を用いる構成
であっても構わない。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、基板
の表面で温度のばらつきをなくすることが可能となる。
これにより、上記基板の表面での薄膜の形成にばらつき
が生じ難いものとなっている。

【００６２】また、均等加熱手段の少なくとも表面は、
薄膜と同じ輻射率を有する材料により形成されているた
め、この表面に薄膜が形成されても均等加熱手段の輻射
率が変化することがなく、基板の良好な加熱を行うこと
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施の形態に係わるＣＶＤ装置
の構成を示す側断面図。

【図２】同実施の形態に係わるＣＶＤ装置の拡大部分断
面図。

【図３】本発明の第二の実施の形態に係わり、ヒータで
の基板の加熱の様子を示すグラフ。

【図４】本発明の第三の実施の形態に係わり、ＣＶＤ装
置の拡大部分断面図。

【符号の説明】

２０…ＣＶＤ装置 ２１…チャンバ ２３…封止部材 ２５…拡散板 ２６…供給路 ２７…基板保持台 ２８…基板 ２９…係止部 ３０…第１のヒータ ３１…第２のヒータ ３２…第３のヒータ ３３…電源 ３４…駆動機構 ３８…吸引路 ３９…制御手段 ４０…第１の放射温度計 ４１…第２の放射温度計 ４２…第３の放射温度計 ４３…第４の放射温度計 ５０…ＣＶＤ装置 ５１…均熱板

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 材料ガスを熱分解することにより基板表
   面に薄膜を形成するＣＶＤ装置において、 内部でＣＶＤ処理を行うチャンバと、 上記チャンバ内部に設けられた上記基板を保持する基板
   保持手段と、 それぞれ温度調整可能に設けられた複数の加熱手段と、 複数箇所の基板の温度を計測する温度計測手段と、 上記温度計測手段の計測結果に基づいて、上記加熱手段
   の温度を制御する制御手段と、 を具備することを特徴とするＣＶＤ装置。
2. 【請求項２】 加熱手段は、基板の中央部を加熱する第
   １の加熱手段と、基板の縁部を加熱する第２の加熱手段
   とを有することを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装
   置。
3. 【請求項３】 上記基板保持手段は基板外縁部を保持す
   る構成であり、該基板保持手段を加熱する第３の加熱手
   段を有することを特徴とする請求項１または請求項２記
   載のＣＶＤ装置。
4. 【請求項４】 基板と加熱手段の間には、基板温度を均
   一にするための均等加熱手段が設けられていることを特
   徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。
5. 【請求項５】 均等加熱手段の少なくとも表面は、上記
   材料ガスの熱分解により基板に形成される薄膜と同じ輻
   射率を有する材料により形成されていることを特徴とす
   る請求項４記載のＣＶＤ装置。
6. 【請求項６】 チャンバ内部に基板を搬入して基板保持
   手段に保持させる工程と、 基板を複数の加熱手段により略均一に加熱する工程と、 チャンバ内に材料ガスを導入して基板の表面に薄膜を形
   成する工程とを具備することを特徴とするＣＶＤ処理方
   法。
7. 【請求項７】 チャンバ内部に基板を搬入して基板保持
   手段に保持させる工程と、 基板を処理温度より高温に加熱する工程と、 基板温度が処理温度より高温に加熱された後、処理温度
   まで冷却する工程と、 チャンバ内に材料ガスを導入して基板の表面に薄膜を形
   成する工程とを具備することを特徴とするＣＶＤ処理方
   法。