JP2009283904A - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板を安定して高速回転することのできる成膜装置を提供する。また、基板を安定して高速回転させながら、基板上に膜を形成することのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、シリコンウェハ101を支持するサセプタ102と、サセプタ102を回転させるとともに、サセプタ102により上部が覆われてP2領域を形成する回転部104とを有する。サセプタ102には、シリコンウェハ101との接触面105に複数の孔106が設けられており、P2領域内の気体を排気することにより、シリコンウェハ101をサセプタ102に吸着させる。
【選択図】図1
【解決手段】成膜装置100は、シリコンウェハ101を支持するサセプタ102と、サセプタ102を回転させるとともに、サセプタ102により上部が覆われてP2領域を形成する回転部104とを有する。サセプタ102には、シリコンウェハ101との接触面105に複数の孔106が設けられており、P2領域内の気体を排気することにより、シリコンウェハ101をサセプタ102に吸着させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、成膜装置および成膜方法に関する。
従来より、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)等のパワーデバイスのように、比較的膜厚の大きい結晶膜を必要とする半導体素子の製造には、エピタキシャル成長技術が活用されている。
膜厚の大きなエピタキシャルウェハを高い歩留まりで製造するには、均一に加熱されたウェハの表面に新たな原料ガスを次々に接触させて成膜速度を向上させる必要がある。そこで、ウェハを高速で回転させながらエピタキシャル成長させることが行われている(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1では、ウェハを支持するサセプタがサセプタ支えに嵌着されており、サセプタ支えに接続する回転軸が回転することによって、ウェハが回転するようになっている。しかしながら、ウェハはサセプタ上に載置されるだけの構造であるため、回転数が高くなるとウェハがずれるおそれがあった。
また、エピタキシャル成長を行う際には、成膜室内の圧力が所定の圧力に調圧される。
しかしながら、ウェハを介して実質的に密閉されたサセプタ支え内の圧力の方が高くなるとウェハがサセプタからずれるおそれもあった。
しかしながら、ウェハを介して実質的に密閉されたサセプタ支え内の圧力の方が高くなるとウェハがサセプタからずれるおそれもあった。
さらに、ウェハは、裏面から加熱されて表面にエピタキシャル膜が形成されるが、加熱により表面側に向かって凹状に反ってしまう。このため、高速でウェハを回転させると、サセプタからウェハがずれやすくなるおそれもあった。
上述したように、上述した原因によってウェハがサセプタからずれると、ウェハへの成膜が行えなくなり、エピタキシャルウェハの生産歩留まりが大きく低下する結果となるため、ウェハをサセプタからずれ難くすることが急務となっていた。
本発明は、こうした課題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、基板を安定して高速回転することのできる成膜装置を提供することにある。
また、本発明の目的は、基板を安定して高速回転させながら、基板上に膜を形成することのできる成膜方法を提供することにある。
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
本発明の第1の態様は、成膜室内に搬入される基板に成膜処理を行う成膜装置であって、基板を支持する支持部と、支持部を回転させるとともに、支持部により上部が覆われて中空領域を形成する回転部と、中空領域に配置され、支持部を介して基板を加熱する加熱部と、中空領域内の気体を排気する排気手段とを備えており、支持部には、基板との接触面に複数の孔が設けられていて、中空領域内の気体を排気することにより、基板を支持部に吸着させることを特徴とする成膜装置に関する。
支持部の基板との接触面は、外縁部から中央部に向かって傾斜する凹状であることが好ましい。
排気手段は、成膜室内の圧力を制御する制御手段に接続していることが好ましい。
支持部と基板の摩擦力が基板に働く遠心力より大きくなるように、成膜室内と中空領域の差圧と、孔の数とが設定されることが好ましい。
本発明の第2の態様は、成膜室内に載置された基板の上に膜を形成する成膜方法であって、成膜室内に基板を搬入して、表面に複数の孔が設けられた支持部の上に基板を載置する工程と、支持部を介して基板を回転させながら加熱する工程と、基板が所定の温度に到達した後に、支持部によって成膜室と実質的に隔てられた空間の気体を排気することにより、基板を支持部に吸着させる工程とを有することを特徴とする成膜方法に関する。
所定の温度は成膜温度であることが好ましい。
基板を支持部に吸着させる工程では、空間内の圧力を最高で成膜室内の圧力の95%まで減圧することが好ましい。
本発明の第2の態様は、基板の表面に原料ガスを供給する工程を有することができる。この場合、基板を支持部に吸着させる工程は、基板が所定の温度に到達し、さらに基板が原料ガスが層流状態となる回転数に到達した後に行われる。
支持部によって成膜室と実質的に隔てられた空間の圧力は、成膜室の圧力に応じて変化することが好ましい。
支持部と基板の摩擦力が基板に働く遠心力より大きくなるように、成膜室内と、支持部によって成膜室と実質的に隔てられた空間の差圧と、孔の数とが設定されることが好ましい。
本発明の第1の態様によれば、支持部の基板との接触面に複数の孔を設け、中空領域内の気体を排気することにより基板を支持部に吸着させるので、基板を安定して高速回転することのできる成膜装置とすることができる。
本発明の第2の態様によれば、基板が所定の温度に達した後に、支持部によって成膜室と実質的に隔てられた空間の気体を排気することにより、基板を支持部に吸着させるので、基板を安定して高速回転させながら、基板上に膜を形成することのできる成膜方法が提供される。
図1は、本実施形態における枚葉式の成膜装置100の模式的な断面図である。本実施の形態においては、基板としてシリコンウェハ101を用いる。但し、これに限られるものではなく、場合に応じて、他の材料からなるウェハなどを用いてもよい。
成膜装置100は、成膜室としてのチャンバ103を有する。
チャンバ103の上部には、加熱されたシリコンウェハ101の表面に結晶膜を成膜するための原料ガスを供給するガス供給部123が設けられている。また、ガス供給部123には、原料ガスの吐出孔が多数形成されたシャワープレート124が接続している。シャワープレート124をシリコンウェハ101の表面と対向して配置することにより、シリコンウェハ101の表面に原料ガスを供給できる。
チャンバ103の下部には、反応後の原料ガスを排気するガス排気部125が複数設けられている。ガス排気部125は、調整弁126および真空ポンプ127からなる排気機構128に接続されている。排気機構128は、制御機構112により制御されてチャンバ103内を所定の圧力に調整する。
チャンバ103の内部には、支持部としてのサセプタ102が、回転部104の上に設けられている。
回転部104は、円筒部104aと回転軸104bを有している。回転軸104bには、図示しないモータによって回転し、これにより、サセプタ102が円筒部104aを介して回転する。
図1において、円筒部104aは、上部が解放された構造であるが、サセプタ102が設けられることにより、上部が覆われて中空領域(以下、P2領域と称す。)を形成する。ここで、チャンバ103内をP1領域とすると、P2領域は、サセプタ102によって実質的にP1領域と隔てられた領域となる。
P2領域には、サセプタ102を介してシリコンウェハ101を裏面から加熱するインヒータ120とアウトヒータ121が設けられている。加熱によって変化するシリコンウェハ101の表面温度は、チャンバ103上部に設けられた放射温度計122によって計測される。尚、シャワープレート124を透明石英製とすることによって、放射温度計122による温度測定がシャワープレート124で妨げられないようにすることができる。計測した温度データは、図示しない制御機構に送られた後、インヒータ120およびアウトヒータ121の出力制御にフィードバックされる。これにより、シリコンウェハ101を、その面内での温度分布が均一となるように加熱できる。
回転部104は、チャンバ103外まで延設された回転軸104bが図示しない回転機構と接続しており、シリコンウェハ101と直交する中心線を軸として所定の回転数で回転する。これにより、サセプタ102を回転させることができ、ひいてはサセプタ102に支持されたシリコンウェハ101を回転させることができる。
回転部104には、P2領域内の気体を排気するための排気手段である排気管107が設けられている。排気管107は、回転軸104b内に設けられた略円筒状の石英製のシャフト108の内部を通り、チャンバ103外に設けられた調整弁109と真空ポンプ110とからなる排気機構111に接続する。
図2は、サセプタ102にシリコンウェハ101を載置した状態を示す断面図である。また、図3は、サセプタ102を上方から見た図である。さらに、図4は、サセプタ102の一部拡大断面図である。
図2〜図4に示すように、サセプタ102がシリコンウェハ101と接触する接触面105には、サセプタ102を貫通してP1領域とP2領域とを連通する複数の孔106が設けられている。排気機構111を稼働させると、P2領域にある気体が排気されてP2領域の圧力がP1領域の圧力より低くなる。この圧力差によって、孔106を通じてシリコンウェハ101がP2領域側に吸い寄せられる結果、サセプタ102にシリコンウェハ101を吸着させることができる。これにより、サセプタ102が高速回転してもシリコンウェハ101を安定して支持することが可能となる。尚、排気機構111をP1領域の圧力を制御する制御機構112に接続することで、P2領域の圧力をP1領域の圧力に応じて変化させることができる。
図3では、接触面105の中央部近傍に集中して孔106を設けたが、接触面105の全体に等間隔で均一に分布するように設けてもよく、あるいは、接触面105の中心から同心円状に設けてもよい。孔106の直径が大きすぎたり、孔106の数が多すぎたりすると、回転部104に収容された種々の部材に由来してチャンバ103の内部が金属で汚染されることが懸念される。したがって、この点を考慮しつつ、シリコンウェハ101をサセプタ102に吸着できるよう孔の大きさと数を決定する。
図8は、P1領域とP2領域の差圧と、シリコンウェハ101とサセプタ102の摩擦力との関係の一例を示す図である。尚、この例では、サセプタ102に設ける孔106の直径を2mmとしている。図8から分かるように、差圧が同じである場合、孔106の数が多くなるほど摩擦力は大きくなる。また、孔106の数が同じである場合、差圧が大きくなるほど摩擦力も大きくなる。そして、その傾向(差圧の増大に対する摩擦力の増大の割合)は、孔106の数が多くなるほど大きくなる。図9は、シリコンウェハ101の回転数と、シリコンウェハ101に働く遠心力との関係の一例を示す図である。図9から分かるように、回転数が同じである場合、回転部104の回転中心からシリコンウェハ101の中心までの距離が大きくなるほど遠心力は大きくなる。また、回転部104の回転中心からシリコンウェハ101の中心までの距離が同じである場合、回転数が大きくなるほど遠心力も大きくなる。そして、その傾向(回転数の増大に対する遠心力の増大の割合)は、上記中心間のずれ量が大きくなるほど大きくなる。本実施の形態では、図8および図9を参照して、摩擦力>遠心力となるように、P1領域とP2領域の差圧と孔106の数とを設定する。
接触面105は、図2および図4に示すように、外縁部から中央部に向かって傾斜する凹状とすることが好ましい。これは、成膜時の加熱によってシリコンウェハ101が反ることを考慮したものである。すなわち、予め接触面105の形状を加熱後のシリコンウェハ101の形状としておくことによって、成膜時にシリコンウェハ101がサセプタ102から浮き上がって外れやすくなるのを防ぐことができる。例えば、8インチ(直径約200mm)のシリコンウェハ101を用いる場合、サセプタ102外縁部の略水平の面h1から、最も深い中央部h2までの距離Hを2μm〜30μmとするのがよい。この範囲内であれば、加熱により反ったシリコンウェハ101の裏面に接触面105の表面形状を追随させることができる。
図3において、略円形の接触面105の直径d1は、載置するシリコンウェハ101の直径d2以上であることが好ましい。d1≧d2であると、シリコンウェハ101の外端部まで接触面105と接触させることができ、よりサセプタ102への密着度を高められる。
シリコンウェハ101の口径を変更する場合には、これに応じて接触面105の深さHおよび直径d1を適宜設定することが好ましい。
図5は、本実施の形態の成膜方法を示したフローチャートである。また、図6は、成膜工程の経過時間とシリコンウェハ101の表面温度および回転数との関係を示したグラフである。また、図7は、本実施の形態の成膜工程でシリコンウェハ101をサセプタ102に吸着させる様子を拡大して示した断面図である。
本実施の形態の成膜方法の一態様は、以下の手順で行われる。
まず、図2のようにサセプタ102の上にシリコンウェハ101を載置し、回転部104に付随させて、シリコンウェハ101を50rpm程度で回転させる(S101)。
次に、インヒータ120およびアウトヒータ121によってシリコンウェハ101を加熱する。例えば、成膜温度である1150℃まで徐々に加熱する(S102)。
放射温度計122による測定でシリコンウェハ101の温度が1150℃に達したことを確認した後は、徐々にシリコンウェハ101の回転数を上げていく。そして、シリコンウェハ101の回転数が300rpmを超えたとき(T1)に、排気機構111を稼動させてP2領域の減圧を開始する(S103)。その後、ガス供給部123からシャワープレート124を介して原料ガスをシリコンウェハ101の表面に供給する。
P2領域がP1領域に対して減圧状態になると、図7の矢印で示すような下向きの力がシリコンウェハ101に働く。これにより、シリコンウェハ101はサセプタ102に吸着される(S104)。
シリコンウェハ101の温度を1150℃程度で維持すると、シリコンウェハ101は裏面を凸として反り始める。このとき、サセプタ102の接触面105を外縁部から中央部に向かって傾斜する凹状とすることにより、スムーズにシリコンウェハ101をサセプタ102に密着させることができる。したがって、例えば、サセプタ102を900rpm以上の高速で回転させても、シリコンウェハ101を安定して支持することが可能となる。よって、シリコンウェハ101がサセプタ102からずれてしまうのを防ぐことができる。
制御機構112は、P2領域の圧力が最高でP1領域の圧力の95%まで減圧されるように排気機構111を制御することが好ましい。例えば、P1領域の圧力が700Torrであった場合には、P2領域の圧力は最高で690Torr程度まで減圧されるようにする。これにより、シリコンウェハ101に過度の力をかけることなく十分な吸着力が得られる。また、P1領域における原料ガスの流れが乱れるのを最小限にすることができる。
上述の状態で、チャンバ103上部に設けられたガス供給部123からシャワープレート124を介して次々に新たな原料ガスをシリコンウェハ101に供給することで、高い成膜速度で効率よくエピタキシャル膜を成膜させることができる(S105)。
このように、本実施形態の成膜装置および成膜方法を用いれば、成膜速度の向上のためにサセプタの回転数を高くする場合であっても、基板を安定して回転させることができるので、エピタキシャルウェハを高い生産歩留まりで製造することができる。
以上、具体例を参照しながら、実施の形態について説明した。本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することも構わない。
例えば、上述した本発明の実施形態の一態様では、サセプタ102の回転数が300rpmを超えた時点でP2領域の減圧を開始するとした。これは、サセプタ102の回転数が300rpm程度になると、シリコンウェハ101上に流れる原料ガスが層流状態となるため、P2領域を減圧状態にしても、原料ガスの流れを乱さないためである。しかしながら、チャンバ103内の圧力や温度などのプロセス環境を変更することで、上記の回転数でなくともシリコンウェハ101上で原料ガスを層流にすることができるのであれば、P2領域の減圧を行う時機は上記例に限定されるものではない。つまり、シリコンウェハ101に供給される原料ガスの流れを乱さない時機にP2領域の減圧を行えばよい。
本発明の成膜装置の一例として、エピタキシャル成長装置について説明したが、これに限るものではなく、シリコンウェハ表面に所定の結晶膜を気相成長させるための装置であれば構わない。例えば、ポリシリコン膜を成長させることを目的とした成膜装置であっても本発明と同様の作用効果を得ることができる。
さらに、装置の構成や制御の手法など、本発明に直接必要としない部分などについては記載を省略したが、必要とされる装置の構成や、制御の手法などを適宜選択して用いることができる。
また、本発明を説明するために示した図において、説明のために必要な構成以外は省略し、縮尺等に就いても原寸大のものとは一致させず、明確に視認できるよう適宜変更した。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての気相成長装置、および各部材の形状は、本発明の範囲に包含される。
100…成膜装置
101…シリコンウェハ
102…サセプタ
103…チャンバ
104…回転部
104a…円筒部
104b…回転軸
105…接触面
106…孔
107…排気管
108…シャフト
109、126…調整弁
110、127…真空ポンプ
111、128…排気機構
112…制御機構
120…インヒータ
121…アウトヒータ
122…放射温度計
123…ガス供給部
124…シャワープレート
125…ガス排気部
101…シリコンウェハ
102…サセプタ
103…チャンバ
104…回転部
104a…円筒部
104b…回転軸
105…接触面
106…孔
107…排気管
108…シャフト
109、126…調整弁
110、127…真空ポンプ
111、128…排気機構
112…制御機構
120…インヒータ
121…アウトヒータ
122…放射温度計
123…ガス供給部
124…シャワープレート
125…ガス排気部
Claims (10)
- 成膜室内に搬入される基板に成膜処理を行う成膜装置であって、
前記基板を支持する支持部と、
前記支持部を回転させるとともに、前記支持部により上部が覆われて中空領域を形成する回転部と、
前記中空領域に配置され、前記支持部を介して前記基板を加熱する加熱部と、
前記中空領域内の気体を排気する排気手段とを備えており、
前記支持部には、前記基板との接触面に複数の孔が設けられていて、
前記中空領域内の気体を排気することにより、前記基板を前記支持部に吸着させることを特徴とする成膜装置。 - 前記支持部の前記基板との接触面は、外縁部から中央部に向かって傾斜する凹状であることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記排気手段は、前記成膜室内の圧力を制御する制御手段に接続していることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記支持部と前記基板の摩擦力が前記基板に働く遠心力より大きくなるように、前記成膜室内と前記中空領域の差圧と、前記孔の数とが設定されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 成膜室内に載置された基板の上に膜を形成する成膜方法であって、
前記成膜室内に前記基板を搬入して、表面に複数の孔が設けられた支持部の上に前記基板を載置する工程と、
前記支持部を介して前記基板を回転させながら加熱する工程と、
前記基板が所定の温度に到達した後に、前記支持部によって前記成膜室と実質的に隔てられた空間の気体を排気することにより、前記基板を前記支持部に吸着させる工程とを有することを特徴とする成膜方法。 - 前記所定の温度は成膜温度であることを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。
- 前記基板を前記支持部に吸着させる工程では、前記空間内の圧力を最高で前記成膜室内の圧力の95%まで減圧することを特徴とする請求項5または6に記載の成膜方法。
- 前記基板の表面に原料ガスを供給する工程を有し、
前記基板を前記支持部に吸着させる工程は、前記基板が所定の温度に到達し、さらに前記基板が前記原料ガスが層流状態となる回転数に到達した後に行われることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の成膜方法。 - 前記支持部によって前記成膜室と実質的に隔てられた空間の圧力を前記成膜室の圧力に応じて変化させることを特徴とする請求項5〜8のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記支持部と前記基板の摩擦力が前記基板に働く遠心力より大きくなるように、前記成膜室内と、前記支持部によって前記成膜室と実質的に隔てられた空間の差圧と、前記孔の数とが設定されることを特徴とする請求項5〜9のいずれか1項に記載の成膜方法。
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