TWI587366B - 支撐及控制基材的裝置及方法 - Google Patents
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Description
本發明之實施例大體而言係關於用於處理基材之裝置與方法。更特定言之，本發明之實施例提供用於在熱處理期間支撐基材的裝置與方法。
在半導體處理期間，尤其是在熱處理期間，以傳統基材支撐方式支撐基材由於快速熱加熱所造成的熱梯度而可能導致基材翹曲、彎曲甚至損毀。在一些案例中，基材的形變可能導致橫越基材呈現熱不均勻性，因為形變造成基材有不同的區域因而對熱源具有不同的曝照。
因此，需要一種經改良的裝置與方法，該裝置與方法用於在熱處理期間支撐與控制基材。
本發明之實施例一般而言提供用於處理基材之裝置與方法。更特定言之，本發明之實施例提供用於在熱處理期間控制基材的裝置與方法。
本發明的一個實施例提供用於處理基材的裝置。該裝置包含腔室主體、基材支撐座，以及輔助力組件，該腔室主體定義出內容積，該基材支撐座被配置在該內容積內，該輔助力組件用以施加輔助力於基材。該基材支撐座包含基材支撐座主體，該基材支撐座主體具有上表面。複數個通口形成於該上表面上。該等通口被配置成用以輸送複數個流體流以支撐、定位及/或在上表面上旋轉基材。輔助力被配置成用以調整基材的垂直位置或調整
基材的輪廓。
本發明的其他實施例提供一種用於控制基材的方法。該方法包含以下步驟：將複數個流體流輸送至複數個通口，該等通口形成於處理腔室內的基材支撐座之上表面上，將基材承接於該等複數個流體流上以至於該基材漂浮在該基材支撐座的該上表面上，以及將輔助力施加於該基材以減少基材的形變而無直接接觸該基材。
本發明的另一個實施例提供一種用於在熱處理期間控制基材的方法。該方法包含以下步驟：將複數個流體流輸送至複數個通口，該等通口形成於處理腔室內基材支撐座的上表面上，將基材承接於該複數個流體流上以至於該基材漂浮在該基材支撐座的該上表面上，監測該基材的溫度輪廓，以及調整該複數個流體流中之一或更多者的熱質量以調整該基材的該溫度輪廓。
本發明之實施例一般而言係關於用於處理基材之方法與裝置。在本發明一些實施例中特別地提供了用於在熱處理期間支撐基材之裝置與方法。本發明之實施例中提供處理腔室，該處理腔室藉由以下方法來改良處理期間的基材控制：利用流體流來控制基材、利用可變之流體組成以調整基材溫度，及/或利用輔助力以與流體流相抗衡以維持基材之平坦度。
第1A圖為根據本發明一個實施例所述之熱處理腔室100剖面側視示意圖。熱處理腔室100被配置為用以執行基材之快速熱處理。
熱處理腔室100包含側壁102、耦合至側壁102之腔室底部104，以及配置於側壁102上之石英窗106。側壁102、腔室底部104以及石英窗106定義出內容積108，在此內容積108用於處理基材110。加熱組件112被配置於石英窗106上且加熱組件112被配置成引導熱能穿過石英窗106朝向內容積108。加熱組件112包含複數個加熱元件114。在一個實施例中，複數個加熱元件114為複數盞燈。複數個加熱元件114可受系統控制器152所控制。在一個實施例中，複數個加熱元件114可以獨立方式或以群體方式受控制。
形成穿過側壁102之流量閥門116以用於透過流量閥門116傳遞基材。熱處理腔室100耦合至氣源118，氣源118被配置成在處理期間將一或更多個處理氣體提供至內容積108。真空幫浦120可耦合至熱處理腔室100以用於將內容積108抽成真空。
第1B圖為第1A圖所述之熱處理腔室100移除加熱組件112後的上視示意圖。
基材支撐座122被配置在內容積108內且基材支撐座122被配置成用以在處理期間支撐、定位，及/或旋轉基材110。尤其，基材支撐座122是一種非接觸基材支撐元件，該非接觸基材支撐元件利用流體的流來支撐、定位，及/或旋轉基材110。
在一個實施例中，基材支撐座122包含被配置於腔室底部104上之基材支撐座主體124。在基材支撐座主體124之上表面128形成複數個通口126。第1B圖根據本發明之一個實施例圖示複數個通口126之示範性配置。
複數個通口126透過形成於基材支撐座主體124的複數個通道130連接至流體輸送系統132。在一個實施例中，流體輸送系統132被配置成輸送一或更多種氣體，例如氮、氦、氬、氪、氖、氫，或上述各者之組合。或者，流體輸送系統132可被配置成將液體流輸送至複數個通口126，例如水。
複數個通口126被配置成將複數個流體流引導至靠近上表面128的基材區域以支撐且移動基材110，其中上表面128朝向基材110的下表面134，且該支撐且移動基材110之方法係利用在當流體流撞擊基材110之下表面134時所產生的摩擦力與所傳遞的動量來完成。藉由控制自複數個通口126所輸送之流體流的特性來支撐、定位，及/或在基材區域內旋轉基材110，上述流體流的特性例如複數種流體流的速率與方向。可結合每一種流體流所提供的力量將基材110依需求移動以及定位。
關於利用流體流之示範性基材定位元件之更詳細的描述可在美國公開號2008/0280453之專利申請案中找到，該美國專利申請案之發明名稱為「用於在處理腔室內支撐、定位，以及旋轉基材之裝置與方法(Apparatus And Method For Supporting,Positioning And Rotating a Substrate In A Processing Chamber)」。
熱處理腔室100可包含複數個熱感測器136，該等熱感測器136被配置成在不同位置量測基材110之溫度。複數個熱感測器136可被配置於開孔中，該等開孔係被形成穿過腔室底部104。在一個實施例中，複數個熱感測器136為高溫計。如第1B圖所示，複數個熱感測器136可被配置於不同的徑向位置以量測在不同徑向位置之基材110的溫度，上述量測係用於產生
在處理期間基材110之溫度輪廓。複數個熱感測器136耦合至系統控制器152。在一個實施例中，系統控制器152可被配置成利用從複數個熱感測器136所接收之信號來產生基材110之熱輪廓。
熱處理腔室100亦包含兩個或兩個以上位置感測器138，該等位置感測器138被配置成偵測在熱處理腔室100中之基材110的位置。在一個實施例中，位置感測器138為電容感測器，該等位置感測器138被配置成偵測基材110透視部分的相對位置。複數個位置感測器138耦合至系統控制器152。該感測器138可被一起使用或單獨使用以決定基材110之不同特性，例如垂直位置、水平位置、水平度、平坦度、旋轉速度、旋轉方向。關於利用電容感測器以偵測基材特性之更詳細的描述可在美國申請號12/611,958之專利申請案中找到，該美國專利申請案之發明名稱為「利用電容感測器定位基材之裝置與方法(Apparatus And Method For Positioning A Substrate Using Capacitive Sensor)」。
或者，位置感測器138可為光學感測器，或其他適於偵測基材110位置的感測器。
根據本發明之一個實施例，基材支撐座122被加熱以將熱能提供至基材110的背面。在一個實施例中，基材支撐座122包含相嵌於基材支撐座主體124內之加熱器140。在一個實施例中，加熱器140可為電阻加熱器。加熱器電源供應器142可與加熱器140耦合。基材支撐座主體124被加熱器140直接加熱以藉由熱輻射以及藉由在基材110與基材支撐座主體124之上表面128間流體流的對流將熱能提供至基材110。在一個實施例中，在
處理期間，加熱器140之溫度可維持在約450℃至約720℃間之溫度範圍內。加熱器電源供應器142可與系統控制器152耦合且受系統控制器152所控制。
根據本發明之實施例，流體輸送系統132被配置成將具有可變熱質量之流體流輸送至複數個通口126以調整基材110之溫度。
在一個實施例中，流體輸送系統132藉由調整流體流的組成來輸送具有可變熱質量之流體流。流體輸送系統132可包含兩個或兩個以上流體源144A、144B。流體輸送系統132亦包含複數個流體控制元件146。每一個流體控制元件146連接到介於複數個通口126中之一者與兩個或兩個以上流體源144A、144B之間。每一個流體控制元件146被配置成用以調整輸送至相應通口126的流體流速。
在一個實施例中，每一個流體控制元件146亦可調整來自流體源144A、144B之流體的比例，以調整輸送至相應通口126的流體流的組成。流體源144A被配置成提供具有熱質量之流體，該流體之熱質量有別於流體源144B提供之流體的熱質量。藉由調整提供至每一個通口126之流體流的組成，流體輸送系統132可調整輸送至每一個通口126之流體流的熱質量。在一個實施例中，每個流體控制元件146可單獨受系統控制器152控制。
基材支撐座122更包含輔助力組件，該輔助力組件被配置成用以將輔助力施加於基材區域以平衡或抗衡來自於複數個通口126的流體流對在基材區域內的基材110上的影響。
在一個實施例中，輔助力組件可被配置成藉抽真空而施加垂直向下力。輔助力組件可包含複數個與真空源150連接之真空埠148。在本發明一個實施例中，複數個真空埠148對基材支撐座主體124之上表面128開啟。複數個真空埠148與複數個真空源150相連接。複數個真空埠148可分佈於不同位置以平衡或抗衡來自流體流的力的影響，該流體流係由複數個開口126所輸送。在一個實施例中，複數個真空埠148之每一者可單獨受系統控制器152控制。
在處理期間，熱感測器136、位置感測器138、流體輸送系統132、真空埠148，以及系統控制器152形成閉迴路控制系統以控制基材110之特性以獲得所欲之處理結果。
如上述所討論，基材支撐座122被配置成在基材支撐座主體124受加熱時，藉由來自於複數個通口126之流體流而支撐、定位，及/或旋轉基材110。基材110漂浮在基材支撐座122上而無任何與基材支撐座主體124的固體接觸。
基材110與基材支撐座主體124之間的熱通量可藉由改變流通過複數個通口126的流體流而加以控制，及/或該熱通量可藉由調整基材與基材支撐座主體124之上表面128之間的距離154而控制。
改變流體流可包含調整來自複數個通口126的流體流之流速，及/或調整來自複數個通口126的流體流之組成。
當處於其他情況下，例如在加熱器140的溫度、流體流的組成，以及距離154皆維持不變的情況下，基材110的溫度隨流體流流速增加而下降。
因此，增加來自複數個通口126的流體流之流速可導致基材110的溫度下降，且減少來自複數個通口126的流體流之流速可導致基材110的溫度上升。
如上述所討論，流體源144A被配置成提供具有熱質量之流體，該流體之熱質量有別於流體源144B提供之流體的熱質量。在一個實施例中，流體源144A為氦氣源且流體源144B為氮氣源。氮氣通常具有較氦氣高的熱質量。在其他情況下，例如在加熱器140的溫度、來自複數個通口126之流體流的流速，以及距離154皆維持不變的情況下，當氦氣被用於支撐基材110時基材110的溫度高於當氮氣以相同的流速被用於支撐基材110時基材110的溫度。
例如，當加熱器140維持在約720℃，且內容積108維持在一大氣壓下、被用以支撐基材110之流體流流速介於約500標準毫升每分(sccm)與2500標準毫升每分的流速範圍內、當使用氦氣時之基材110的溫度比在相同流速下使用氮氣時的基材110的溫度高約60℃。因此當利用氮氣與氦氣的混合物來支撐基材110時，基材110之溫度可在約60℃的溫度範圍內變化。當在其他處理條件維持不變之情況下，增加用以支撐基材110之氮氣/氦氣的混合物中氮氣的比例可減少基材110之溫度，且降低氮氣的比例可增加基材110之溫度。
因此，增加來自複數個通口126且具有較高熱質量之流體的比例可導致基材110的溫度下降，且降低來自複數個通口126且具有較高熱質量之流體的比例可導致基材110的溫度上升。
增加距離154而使基材110更接近加熱組件112且使基材110遠離基材支撐座主體124。因此調整距離154可改變基材110之溫度。距離154可藉由改變來自複數個通口126之流體流或藉由施加輔助力來抗衡來自於複數個通口126的舉升力之方式而受控制。增加來自複數個通口126之流體流的流速可增加距離154，其中來自複數個通口126之流體流被配置成使基材110垂直升起，且減少來自複數個通口126之流體流的流速可減少距離154，其中來自複數個通口126之流體流被配置成使基材110垂直升起。
可施加輔助力及/或調整輔助力以調整距離154。當維持流速不變是有益時可選擇施加輔助力以改變距離154。在一個實施例中，可隨來自複數個通口126之流體流預先載入輔助力，且可在處理期間減少或增加輔助力以改變距離154。在一個實施例中，可藉由透過複數個真空埠148載入真空的方式施加輔助力。
在一個實施例中，會預先載入或穩定地施加輔助力以維持處理期間基材之平坦度，該輔助力為例如來自真空埠148的真空力。儘管以加熱組件112、加熱器140加熱或以其他加熱方式加熱會造成基材110內有熱梯度，當基材110漂浮時維持基材110的平坦度的方法允許基材110免於在熱處理期間徑向膨脹。因此，在快速熱處理期間基材110的彎曲，翹曲，及/或破損會減少。此外，維持基材110的平坦度亦可確保基材110內的溫度均勻度，因為平坦基材之不同區域會被定位成與加熱源距相同距離。
第2A-2D根據本發明之實施例示意性地圖示在相反力下經改良平坦度的基材。
第2A圖示意性地圖示基材110在近中心區域受重力G作用而向下且基材110在外圍區域受流體流202所支撐而使基材110呈彎曲狀。在第2B圖中，將輔助力204施加於基材110下方流體流202徑向向外流往的位置。因為結合輔助力204、來自流體流202的舉升力，以及重力G，使基材110平坦化。
第2C圖示意性地圖示基材110因熱梯度影響而呈凸向上之彎曲狀，該熱梯度源自於當基材110之上側206受加熱而達到比基材下側208還高之溫度時所產生之熱梯度。在第2D圖中，將輔助力204施加於基材110下方流體流202徑向向內流往的位置。因為結合輔助力204、來自流體流202的舉升力，以及重力G，使基材110平坦化。
輔助力組件可被配置成藉由任何合適的非接觸方式將力施加於基材110，例如藉由真空力、靜電力、電磁力。
第3圖根據本發明之一個實施例示意性地圖示具有複數個通口126之基材支撐座300，該基材支撐座300用於以流體流以及藉由靜電力所產生之輔助力來支撐基材110。基材支撐座300與基材支撐座122相似，除了基材支撐座300包含相嵌於基材支撐座主體124的電極302且無真空埠148以外。電極302與電源304相連接。電源304可與系統控制器152相連接以至於當基材110漂浮在基材支撐座主體124上時，系統控制器152可控制自電極302施加於基材110之靜電力的大小。
第4圖是根據本發明一個實施例所述之方法400的流程圖，方法400係用於支撐具有經改良熱均勻性之基材。方法400可在與上述處理腔室100相似之處理腔室內執行。
在方塊410中，複數個流體流被輸送至複數個形成於處理腔室內基材支撐座上表面的通口。在一個實施例中，基材支撐座可被加熱。
在方塊420中，經處理之基材被複數個流體流承接，且該複數個流體流支撐該基材使基材在基材支撐座上表面上方以至於基材漂浮著。基材並無接觸基材支撐座的上表面。在一個實施例中，來自於複數個通口的流體流亦可將該基材在基材支撐座上方旋轉。
在一個實施例中，當基材漂浮在基材支撐座上方時可執行熱處理。基材可受在基材支撐座內之加熱器及/或配置於基材上方之加熱源加熱。在一個實施例中，熱處理可為快速熱處理，其中基材以高斜線上升速率加熱。
在方塊430中，可藉由將輔助力施加於基材來維持基材的平坦度。可選擇性地維持基材的平坦度。如第2A-2D圖所圖示，施加輔助力會克服由重力、流體流，或熱梯度所致之形變。在一個實施例中，在基材於處理期間被承接且被調整之前可預先載入輔助力。第5圖詳細描述一種用於維持基材平坦度的方法。
在方塊440中，可利用一或更多個熱感測器來產生基材的溫度輪廓。
在方塊450中，根據在方塊440中所得之基材溫度輪廓，一或更多個處理參數可被調整以調整出所欲之溫度輪廓，例如跨越基材之均勻的溫度輪廓。調整處理參數可包含以下各者之一：基材與基材支撐座之間的距離、
用於支撐基材的流體流之流速、一或更多個流體流的熱質量，或上述各者之組合。在一個實施例中，調整基材與基材支撐座之間的距離可包含加入或調整輔助力。在一個實施例中，可藉由調整兩流體之間的比例來調整流體流的熱質量，其中在流體流內之兩流體具有不同的熱質量。
在一個實施例中，在處理期間方塊440與方塊450可重複執行。
第5圖是根據本發明一個實施例所述之方法500的流程圖，方法500係用於當基材受流體流支撐時維持基材的平坦度。方法500可利用於方法400之方塊430中。
在方塊510中，利用一或更多定位感測器監測基材的輪廓，該基材在被處理時受流體流所支撐。在一個實施例中，定位感測器可為朝向基材之電容感測器。
在方塊520中，可加入或調整施加於基材的輔助力以維持基材的平坦度。在一個實施例中，輔助力可為真空力，該真空力透過形成於基材支撐座上表面的複數個真空埠而施加。在其他實施例中，輔助力可為靜電力。
在一個實施例中，可重複執行方塊510與方塊520以維持處理過程中基材的平坦度。
本發明的實施例具有許多優點能超越傳統用於熱處理的基材支撐座。例如，本發明的實施例提供以非接觸基材支撐之方式而控制基材的溫度之斜線上升速率之方法，以及藉由調整流體流之參數改良處理均勻性，例如流體流的組成及/或流速。本發明之實施例亦藉由在處理期間施加及/或調整輔助力於基材而減輕了熱處理期間基材彎曲、翹曲，以及破損的問題。
即使本發明的實施例所述的處理腔室為快速熱處理(RTP)腔室，本發明的實施例亦可被利用於任何需要熱均勻性的適合之腔室。例如，本發明的實施例可被利用於化學氣相沉積腔室、原子層沉積腔室、具有閃光燈之熱處理腔室、雷射退火腔室、物理氣相沉積腔室、離子佈植腔室、電漿氧化腔室，或負載鎖定腔室。
即使上述為本發明之實施例，在不偏離基本保護範圍之前提下，本發明亦可修改成其他或更進一步之實施例，且本發明之基本保護範圍係由以下申請專利範圍所決定。
100‧‧‧熱處理腔室
102‧‧‧側壁
104‧‧‧腔室底部
106‧‧‧石英窗
108‧‧‧內容積
110‧‧‧基材
112‧‧‧加熱組件
114‧‧‧加熱元件
116‧‧‧流量閥門
118‧‧‧氣源
120‧‧‧真空幫浦
122‧‧‧基材支撐座
124‧‧‧基材支撐座主體
126‧‧‧通口
128‧‧‧上表面
130‧‧‧通道
132‧‧‧流體輸送系統
134‧‧‧下表面
136‧‧‧熱感測器
138‧‧‧位置感測器
140‧‧‧加熱器
142‧‧‧加熱器電源供應器
144A‧‧‧流體源
144B‧‧‧流體源
146‧‧‧流體控制元件
148‧‧‧真空埠
150‧‧‧真空源
152‧‧‧系統控制器
154‧‧‧距離
202‧‧‧流體流
G‧‧‧重力
204‧‧‧輔助力
206‧‧‧上側
208‧‧‧下側
300‧‧‧基材支撐座
302‧‧‧電極
304‧‧‧電源
400‧‧‧方法
410‧‧‧方塊
420‧‧‧方塊
430‧‧‧方塊
440‧‧‧方塊
450‧‧‧方塊
500‧‧‧方法
510‧‧‧方塊
520‧‧‧方塊
為了詳細地理解本案內容的上述特徵，藉由參考本案內容的實施例(其中一些圖示在附圖中)，可以得到上文所簡要概括的內容的更為具體的描述。然而，應注意的是附圖僅圖示本發明之典型實施例且因此附圖不應被視為對本發明範圍的限制，因為本發明可承認其他具等價有效性的實施例。
第1A圖為根據本發明一個實施例所述之熱處理腔室剖面側視示意圖。
第1B圖為第1A圖所述之熱處理腔室移除加熱組件之後的上視示意圖。
第2A-2D根據本發明之實施例示意性地圖示在相反力下經改良平坦度的基材。
第3圖根據本發明之一個實施例示意性地圖示具有複數個通口與靜電夾具之基材支撐座，該等通口用於支撐基材且該靜電夾具用於施加相反力。
第4圖是根據本發明一個實施例所述之方法的流程圖，該方法係用於支撐具有經改良熱均勻性之基材。
第5圖是根據本發明一個實施例所述之方法的流程圖，該方法係用於維持基材的平坦度。
為使更容易瞭解本發明，在可能的情況下，相同的元件符號會指定在不同圖式中共用之相同元件。需瞭解的是，一實施例中揭示的元件可有益地合併於其他實施例中而無須進一步敘述。
100‧‧‧熱處理腔室
102‧‧‧側壁
104‧‧‧腔室底部
106‧‧‧石英窗
108‧‧‧內容積
110‧‧‧基材
112‧‧‧加熱組件
114‧‧‧加熱元件
116‧‧‧流量閥門
118‧‧‧氣源
120‧‧‧真空幫浦
122‧‧‧基材支撐座
128‧‧‧上表面
126‧‧‧通口
132‧‧‧流體輸送系統
130‧‧‧通道
136‧‧‧熱感測器
134‧‧‧下表面
140‧‧‧加熱器
138‧‧‧位置感測器
144A‧‧‧流體源
142‧‧‧加熱器電源供應器
146‧‧‧流體控制元件
144B‧‧‧流體源
150‧‧‧真空源
148‧‧‧真空埠
154‧‧‧距離
152‧‧‧系統控制器
Claims (17)
- 一種用於處理一基材的裝置，該裝置包含：一腔室主體，該腔室主體定義出一內容積；一基材支撐座，該基材支撐座被配置在該內容積內，其中該基材支撐座包含一基材支撐座主體，該基材支撐座主體具有一上表面與複數個流體通道，該等流體通道將複數個流體流輸送至一基材區域，該基材區域鄰接該上表面；一流體輸送系統，該流體輸送系統包含複數個流體控制元件，該等流體控制元件將一第一流體與一第二流體輸送至該基材下方的該複數個流體通道的每一者以漂浮該基材，其中每個該流體通道接收僅來自一個流體控制元件的流體；一輔助力組件，該輔助力組件包含真空埠，該等真空埠形成於該基材支撐座主體之該上表面上，以及一真空源，該真空源與複數個真空埠相連接；以及一控制器，該控制器經程式化以藉由下列步驟來維持該基材的一位置，及維持該基材的一平坦度輪廓與一溫度輪廓：利用位在相距該基材支撐座的一中心不同徑向距離的複數個基材位置感測器監測該基材的該位置；利用該複數個基材位置感測器監測該基材的該平坦度輪廓；利用一或多個熱感測器監測該基材的該溫度輪廓；及藉由下列步驟來控制輸送至該複數個流體通道的該第一流體與該第二流體： 使用來自該一或多個熱感測器的該溫度輪廓，來調整經由該基材支撐座主體的該複數個流體通道的該複數個流體流，以減少該溫度輪廓的變化；及使用來自該複數個位置感測器的該基材的該平坦度輪廓與該基材的該位置，來調整從該真空源經由該基材支撐座主體的該上表面上的該等真空埠的流，以減少該平坦度輪廓的變化。
- 如請求項1所述之裝置，其中該複數個基材位置感測器為電容感測器。
- 如請求項1所述之裝置，更包含一加熱器，該加熱器相嵌於該基材支撐座主體內。
- 如請求項1所述之裝置，其中該第一流體與該第二流體具有不同熱質量。
- 如請求項4所述之裝置，其中該複數個流體控制元件中之每一者調整來自一第一流體源與一第二流體源的該等流體之一比例。
- 一種用於處理一基材的裝置，該裝置包含：一腔室主體，該腔室主體定義出一內容積；一基材支撐座，該基材支撐座被配置在該內容積內，其中該基材支撐座包含一基材支撐座主體，該基材支撐座主體具有一上表面與位於該基材下方的複數個流體通道，該等流體通道將複數個流體流輸送至一基材區域，該基材區域鄰接該上表面； 一流體輸送系統，該流體輸送系統包含複數個流體控制元件，該等流體控制元件將一第一流體與一第二流體輸送至位於該基材下方的該複數個流體通道的每一者，以漂浮該基材，其中每個該流體通道接收僅來自一個該流體控制元件的流體，且其中該第一流體與該第二流體係不相同；一輔助力組件，該輔助力組件用以在該基材區域內輸送一輔助力；以及一控制器，該控制器經程式化以控制將該第一流體與該第二流體輸送至位於該基材下方的該複數個流體通道，並且藉由利用位在相距該基材支撐座的一中心不同徑向距離的複數個基材位置感測器監測該基材的一位置，利用該複數個基材位置感測器監測該基材的一平坦度輪廓，及利用一或多個熱感測器監測該基材的一溫度輪廓，以及藉由依據從該複數個基材位置感測器與該一或多個熱感測器所接收的訊號來控制該流體輸送系統與該輔助力組件，來維持該基材的該位置、該平坦度輪廓及該溫度輪廓。
- 如請求項6所述之裝置，其中該輔助力組件包含一真空源，該真空源與複數個真空埠相連接，該等真空埠形成於該基材支撐座主體之該上表面上。
- 如請求項6所述之裝置，其中該複數個基材位置感測器為電容感測器。
- 如請求項6所述之裝置，更包含一加熱器，該加熱器相嵌於該基材支撐座主體內。
- 如請求項6所述之裝置，其中該第一流體與該第二流體具有不同熱質量。
- 如請求項10所述之裝置，其中該複數個流體控制元件中之每一者調整來自一第一流體源與一第二流體源的該等流體之一比例。
- 一種用於處理一基材的裝置，該裝置包含：一腔室主體，該腔室主體定義出一內容積；一基材支撐座，該基材支撐座被配置在該內容積內，其中該基材支撐座包含一基材支撐座主體，該基材支撐座主體具有一上表面與位於該基材下方的複數個流體通道，該等流體通道將複數個流體流輸送至一基材區域，該基材區域鄰接該上表面；一流體輸送系統，該流體輸送系統包含複數個流體控制元件，該等流體控制元件將一第一流體與一第二流體輸送至位於該基材下方的該複數個流體通道的每一者，以漂浮該基材，其中每個該流體通道接收僅來自一個該流體控制元件的流體，且該等流體控制元件能調整該第一流體與該第二流體之間的流之一比例；一輔助力組件，該輔助力組件用以在該基材區域內輸送一輔助力；以及一控制器，該控制器能藉由利用位在相距該基材支撐座的一中心不同徑向距離的複數個基材位置感測器監測該基材的一位置，利用該複數個基材位置感測器監測該基材的一平坦度輪廓，及利用一或多個熱感測器監測該基材的一溫度輪廓，以及藉由依據從該複數個基材位置感測器與該一或多個熱感測器所接收的訊號來控制該流體輸送系統與該輔助力組件，來維持該基材的該位置、該平坦度輪廓及該溫度輪廓。
- 如請求項12所述之裝置，其中該輔助力組件包含一真空源，該真空源 與複數個真空埠相連接，該等真空埠形成於該基材支撐座主體之該上表面上。
- 如請求項12所述之裝置，其中該複數個基材位置感測器為電容感測器。
- 如請求項12所述之裝置，更包含一加熱器，該加熱器相嵌於該基材支撐座主體內。
- 如請求項12所述之裝置，其中該第一流體與該第二流體具有不同熱質量。
- 如請求項16所述之裝置，其中該複數個流體控制元件中之每一者調整來自一第一流體源與一第二流體源的該等流體之一比例。
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