JP2015179775A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明が解決しようとする課題は、プラズマを用いた半導体基板のエッチングにおいて、エッチングのばらつきを抑制することを可能にする半導体製造装置を提供することである。
【解決手段】
実施形態の半導体製造装置は、反応室内に設けられた下部電極と、前記反応室内に設けられ、前記下部電極に対向する上部電極と、前記反応室内において、前記上部電極と前記下部電極の間を挟むように設けられた1組の電磁石と、前記上部電極に複数設けられたセンサと、を有する。
【選択図】図1
【解決手段】
実施形態の半導体製造装置は、反応室内に設けられた下部電極と、前記反応室内に設けられ、前記下部電極に対向する上部電極と、前記反応室内において、前記上部電極と前記下部電極の間を挟むように設けられた1組の電磁石と、前記上部電極に複数設けられたセンサと、を有する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体製造装置に関する。
一般に、半導体の製造工程において、成膜、エッチングなどの工程に、平行平板タイプのプラズマ処理装置が用いられている。平行平板タイプのプラズマ処理装置は、真空チャンバ内に対向して設けられた二つの電極の間に、高周波を印加して成膜ガス、エッチングガスなどのプロセスガスを流すことにより、プラズマを発生させてウェハを処理するものである。
このような平行平板タイプのプラズマ処理装置においては、発生したプラズマに空間的な偏りが生じる可能性がある。例えば、プラズマを用いた反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching;RIE)法により、ウェハにエッチングを行う場合、プラズマに偏りが生じるとエッチング特性がウェハ面内でばらつく。ウェハ面内において、エッチング特性のばらつきに起因する異常形状が形成されると、ウェハに形成されるトランジスタの性能不良や、製品歩留りの劣化が生じるという問題がある。
本発明が解決しようとする課題は、プラズマを用いた半導体基板のエッチングにおいて、エッチングのばらつきを抑制することを可能にする半導体製造装置を提供することである。
実施形態の半導体製造装置は、反応室内に設けられた下部電極と、前記反応室内に設けられ、前記下部電極に対向する上部電極と、前記反応室内において、前記上部電極と前記下部電極の間を挟むように設けられた1組の電磁石と、前記上部電極に複数設けられたセンサと、を有する。
以下、本発明の実施形態について図を参照しながら説明する。実施例中の説明で使用する図は、説明を容易にするための模式的なものであり、図中の各要素の形状、寸法、大小関係などは、実際の実施においては必ずしも図に示されたとおりとは限らず、本発明の効果が得られる範囲内で適宜変更可能である。半導体としては、シリコンを一例に説明するが、炭化シリコン(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体にも適用可能である。
本発明の実施形態に係る半導体製造装置100について、図1及び図2を用いて説明する。図1は本実施形態に係る半導体製造装置の断面図、及び図2は本実施形態に係る半導体製造装置の平面図を示している。なお、図2は反応室11の上面のみを示しており、誘導コイル部18、及び電磁石23、24は図示していない。
図1に示すように、本実施形態に係る半導体製造装置100は、反応室11、石英蓋12、サセプタ13、排気口14、排気量調整バルブ15、プロセスガス導入口16、支柱17、誘導コイル部18、センサ19、ヒータ20、高周波電源21,22、電磁石23,24、及び電磁石電源25,26を有する。
反応室11は気密性を有するように、その上部が石英蓋12で封止されている。反応室11にはプロセスガス(エッチングガス)を導入するための、プロセスガス導入口16が設けられている。また、真空ポンプなどと接続され、真空に排気することが可能な排気口14が反応室11に設けられている。排気口14には、排気量調整バルブ15が接続されており、反応室11内を所定の圧力に制御することが可能となっている。
石英蓋12には、図2に示すようにプラズマの発光強度を測定するためのセンサ19が設けられている。図2では、センサ19は5つ設けられているが、プラズマ全体の発光強度平均値を測定するために少なくとも2つ設けられていれば実施は可能である。
サセプタ13は反応室11内の下部に設けられ、支柱17により支持されている。また、サセプタ13には高周波電源21が接続されており、例えば、13.56MHzの高周波が印加できるようになっている。サセプタ13は後述するように、反応室11内にプラズマを発生させた際、プラズマ中の活性イオンを引き寄せる電極としての役割も有する。サセプタ13の上面には、例えばシリコン基板からなるウェハwが載置される。サセプタ13内には、サセプタ温度を一定に保つために冷却材を循環させるための冷却パイプ(図示せず)と抵抗加熱ヒータ等のヒータ20が内蔵されている。支柱17には上下駆動機構(図示せず)が設けられており、サセプタ13を昇降することによりウェハwの高さ位置を調整することが可能となっている。
反応室11の外側であり、サセプタ13の反対側(石英蓋12の上部)に誘導コイル18が設けられている。誘導コイル18には高周波電源22が接続されており、例えば、13.56MHzの高周波が印加できるようになっている。
上述したように、サセプタ13と誘導コイル部18には、それぞれサセプタ13と誘導コイル部18間に高周波電圧を印加するための高周波電源21、22が接続されるが、バイアスが印加されないプロセスでは、サセプタ13と誘導コイル部18共に接地される。
反応室11の外側面には、石英蓋12とサセプタ13間に、ウェハw面と離間して磁場を印加するための2組の電磁石23、24が設けられている。電磁石23、24は図2に示すように、それぞれ反応室11を挟むように対になって設けられている。電磁石23、24には、例えばダイポールリングマグネットなど、水平磁場を発生することが可能なものが用いられる。そして、それぞれウェハwの被処理面に平行な磁場を発生させるとともに、磁場印加タイミングおよび強度を制御することが可能な制御機構を備えた電磁石電源25、26が設けられている。なお、電磁石電源25、26にはセンサ19で測定したプラズマ発光強度の結果を踏まえて、電磁石25、26に磁場制御信号を送る制御手段等が接続される(図示せず)。
このような半導体製造装置を用いて、ウェハwに対して例えばプラズマエッチング等の処理が行われる。
次に、本実施形態に係る半導体製造装置を用いて、ウェハwをプラズマエッチングする工程について説明する。本実施形態の場合、プラズマエッチングによりウェハwに微細なトレンチを複数形成する場合について説明する。
まず、搬送室(図示せず)および反応室11内を、排気口14より真空排気し、ウェハwを搬送室(図示せず)より反応室11に搬送して、サセプタ13上に載置する。この際、微細パターンが形成される領域以外のウェハw上にはレジスト(図示せず)が設けられている。次いで、プラズマ処理が行われる温度、例えば350℃となるように、ヒータ20により加熱する。そして、流量制御されたプロセスガスが、プロセスガス導入口16より導入される。プロセスガスには、例えば、四フッ化炭素(CF4)等が用いられる。
このとき、反応室11内の圧力は、排気量調整バルブ15により、5Torr程度となるように自動調圧される。そして、石英蓋12とサセプタ13間の距離が例えば30mmとなるように、支柱17によりサセプタ13を昇降させる。
このような状態で、高周波電源22より誘導コイル部18に例えば13.56MHzの高周波電圧を印加し、サセプタ13は接地し、500Wで放電を行う。このような高周波を印加すると、特に放電開始時(プラズマイグナイト時)は、ガスフロー中にプラズマが形成されるため、分子であったガスの乖離により体積膨張を生じ、一時的に反応室11内の圧力が増加する。そこで、圧力増加を補正するために、排気量調整バルブ15により排気量が自動的に調整される。
このような状態において、放電を開始してプラズマを発生させ、ウェハwがエッチングされる。プラズマによるウェハwのエッチング中は、センサ19によりプラズマの発光強度を測定し、測定結果は例えば1秒毎に更新される。
プラズマの発光強度を測定した結果、ウェハwの面内方向についてプラズマ発光強度のばらつきがあった場合、電磁石23、24により、反応室11内に磁場を印加し、プラズマ発光強度のばらつきを補正する。
以上のような工程により、本実施形態に係る半導体製造装置を用いたウェハwのエッチングは行われる。
ここで、本実施形態の効果について説明する。図3は比較例に係る半導体製造装置を用いた際のプラズマ密度分布プロファイル、図4は本実施形態に係る半導体製造装置を用いた際のプラズマ密度分布プロファイルを示している。また、図3と図4は共に、縦軸がプラズマ発光強度、横軸がウェハwの面内位置を示している。なお、比較例に係る半導体製造装置は、本実施形態に係る半導体製造装置からセンサ19を取り除いた構造を有する。
反応室11内にプラズマを発生させてウェハwをエッチングする際、図3のようにプラズマ発光強度がウェハwの面内位置でばらつきが生じる可能性がある。プラズマ発光強度にばらつきが生じると、ウェハwのエッチング特性も面内でばらつき、ウェハwに形成するトレンチの形状にばらつきが生じる。結果として、ウェハwに半導体装置を作り込んだ際、半導体装置の特性ばらつきが生じるため、信頼性の低下に繋がる恐れがある。
本実施形態に係る半導体製造装置の場合、ウェハwの面内方向におけるプラズマ発光強度をセンサ19により測定し、プラズマ発光強度にばらつきが生じた際、電磁石23、24により反応室11内に磁場を印加してプラズマ発光強度の補正を行っている。従って、図4に示すようにウェハwのエッチングばらつきが抑制され、結果として、半導体装置の信頼性も向上する。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
w…ウェハ、11…反応室、12…石英蓋、13…サセプタ、14…排気口、15…排気量調整バルブ、16…プロセスガス導入口、17…支柱、18…支柱、19…センサ、20…ヒータ、21,22…高周波電源、23,24…電磁石、25,26…電磁石電源、100…半導体製造装置
Claims (3)
- 反応室内に設けられた下部電極と、
前記反応室内に設けられ、前記下部電極に対向する上部電極と、
前記反応室内において、前記上部電極と前記下部電極の間を挟むように設けられた1組の電磁石と、
前記上部電極に複数設けられたセンサと、
を有する半導体製造装置。 - 前記センサは、前記上部電極と前記下部電極との間に形成されるプラズマの発光強度を測定することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記センサの結果に基づき、前記プラズマの発光強度を均一にするよう前記電磁石を動作させることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014057238A JP2015179775A (ja) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2014057238A JP2015179775A (ja) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | 半導体製造装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2015179775A true JP2015179775A (ja) | 2015-10-08 |
Family
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JP2014057238A Pending JP2015179775A (ja) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | 半導体製造装置 |
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JP (1) | JP2015179775A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022202551A1 (ja) * | 2021-03-23 | 2022-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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2014
- 2014-03-19 JP JP2014057238A patent/JP2015179775A/ja active Pending
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