JP2009188162A5 - - Google Patents
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基板をプラズマ処理する処理チャンバー内に設けられ、給電線周囲が絶縁材料で構成された給電部と、内部に冷却媒体流路とを備えた基板載置台であって、
前記載置台の基板載置面側を複数の領域に仕切る凸部と、
前記凸部で仕切られた領域に冷却ガスを導入する導入口と、
前記冷却ガスの圧力又は流量を調節する調節手段とを設け、
前記凸部で仕切られた複数の領域のそれぞれに、前記冷却ガスの排出口が形成されていることを特徴とする基板載置台。
- 前記領域の面積は、前記給電線の中心に近い領域ほど小さくなっていることを特徴とする請求項１に記載の基板載置台。
- 前記給電部が、基板載置台の中心部にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板載置台。
- 前記凸部が、前記給電部の周囲を所定の半径で同心円状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の基板載置台。
- 前記凸部が、前記給電部の中心を中心軸として同心円状に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の基板載置台。
- 前記給電部が、少なくとも１個以上、基板載置台の周縁部にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板載置台。
- 前記給電部の周囲を所定の半径で同心円状に少なくとも１個以上の領域に仕切る凸部が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の基板載置台。
- 前記凸部が、前記給電部の中心を中心軸として同心円状に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の基板載置台。
- 請求項１から８のいずれかに記載の基板載置台を備えた基板処理装置。
- 基板をプラズマ処理する処理チャンバー内に設けられ、給電線周囲が絶縁材料で構成された給電部と、内部に冷却媒体流路とを備えた基板載置台に載置される被処理基板の温度制御方法であって、
前記載置台の基板載置面側に、前記給電線の周囲を複数の領域に仕切る凸部を形成し、
前記凸部で仕切られた複数の領域のそれぞれに冷却ガスを導入し、
前記領域に供給する前記冷却ガスの圧力又は流量を調節することにより、被処理基板の温度を調整することを特徴とする被処理基板の温度制御方法。
- 前記領域の面積をその外側領域の面積より小さくして被処理基板の温度を調整することを特徴とする請求項１０に記載の被処理基板の温度制御方法。
- 前記給電部を中心としてその周囲を所定の半径で同心円状に複数の領域に仕切る凸部を形成し、被処理基板の温度を調整することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の被処理基板の温度制御方法。
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|---|---|---|---|---|
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| CN101866826B (zh) * | 2010-04-29 | 2012-04-11 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种用于真空处理系统的流体传输装置 |
| JP5101665B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム |
| TWI568319B (zh) | 2011-10-05 | 2017-01-21 | 應用材料股份有限公司 | 電漿處理設備及其蓋組件（二） |
| JP5993568B2 (ja) * | 2011-11-09 | 2016-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置システム、基板処理装置、静電チャック及び基板冷却方法 |
| DE102012101923B4 (de) * | 2012-03-07 | 2019-11-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Substratträgeranordnung, Beschichtungsanlage mit Substratträgeranordnung und Verfahren zur Durchführung eines Beschichtungsverfahrens |
| JP5946365B2 (ja) * | 2012-08-22 | 2016-07-06 | 株式会社アルバック | 静電吸着装置、残留吸着除去方法 |
| JP6010433B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台および基板処理装置 |
| JP6388886B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2018-09-12 | プラズマ − サーム、エルエルシー | 半導体ウエハをプラズマ・ダイシングするための方法 |
| US20150060013A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-05 | Applied Materials, Inc. | Tunable temperature controlled electrostatic chuck assembly |
| CN104465450B (zh) * | 2013-09-22 | 2017-05-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种用于冷却静电吸盘的供气装置及供气方法 |
| CN104752301B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-05-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种静电卡盘以及腔室 |
| CN103792974B (zh) * | 2014-01-22 | 2015-12-02 | 清华大学 | 一种可快速精细调节温度场空间分布的加热盘及控制方法 |
| WO2015145663A1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| CN103972013B (zh) * | 2014-05-14 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种真空设备 |
| JP6469985B2 (ja) * | 2014-07-28 | 2019-02-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US9613839B2 (en) * | 2014-11-19 | 2017-04-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Control of workpiece temperature via backside gas flow |
| KR101670457B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2016-10-31 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| JP2016136554A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US10515786B2 (en) * | 2015-09-25 | 2019-12-24 | Tokyo Electron Limited | Mounting table and plasma processing apparatus |
| CN108475658B (zh) * | 2016-01-19 | 2023-12-22 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电卡盘装置 |
| JP6847610B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-03-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
| DE102017200588A1 (de) * | 2017-01-16 | 2018-07-19 | Ers Electronic Gmbh | Vorrichtung zum Temperieren eines Substrats und entsprechendes Herstellungsverfahren |
| KR102529412B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2023-05-04 | 램 리써치 코포레이션 | 플렉서블 웨이퍼 온도 제어부를 갖는 정전 척 (electrostatic chuck) |
| JP7030557B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2022-03-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
| JP7145625B2 (ja) * | 2018-03-07 | 2022-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置構造体およびプラズマ処理装置 |
| CN110767568B (zh) * | 2018-07-26 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 压力调节组件、下电极装置、工艺腔室和半导体处理设备 |
| JP2020043171A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調方法 |
| JP7209515B2 (ja) * | 2018-11-27 | 2023-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持機構および成膜装置 |
| US11875970B2 (en) * | 2018-12-17 | 2024-01-16 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China | Radio frequency electrode assembly for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus |
| CN111326390B (zh) * | 2018-12-17 | 2023-09-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 射频电极组件和等离子体处理设备 |
| JP7186096B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2022-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱板の冷却方法及び加熱処理装置 |
| JP7254542B2 (ja) * | 2019-02-01 | 2023-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
| JP7407529B2 (ja) | 2019-07-10 | 2024-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台、基板処理装置及び温度制御方法 |
| WO2021060843A1 (ko) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 주식회사 뷰웍스 | 신틸레이터 증착을 위한 기판 고정 장치, 이를 포함하는 기판 증착 장치 및 이를 이용한 신틸레이터의 증착 방법 |
| JP7402037B2 (ja) | 2019-12-23 | 2023-12-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
| CN113053715B (zh) * | 2019-12-27 | 2023-03-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法 |
| CN113130279B (zh) * | 2019-12-30 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法 |
| JP7442347B2 (ja) * | 2020-03-06 | 2024-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP7356587B2 (ja) | 2020-05-25 | 2023-10-04 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3086970B2 (ja) * | 1991-07-03 | 2000-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JPH0567551A (ja) | 1991-09-05 | 1993-03-19 | Canon Inc | ウエハチヤツク |
| US5738165A (en) * | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
| TW277139B (ja) * | 1993-09-16 | 1996-06-01 | Hitachi Seisakusyo Kk | |
| US5609720A (en) * | 1995-09-29 | 1997-03-11 | Lam Research Corporation | Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching |
| JPH09213777A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Kyocera Corp | 静電チャック |
| JP2000317761A (ja) | 1999-03-01 | 2000-11-21 | Toto Ltd | 静電チャックおよび吸着方法 |
| US6740853B1 (en) * | 1999-09-29 | 2004-05-25 | Tokyo Electron Limited | Multi-zone resistance heater |
| JP4317329B2 (ja) | 2000-01-20 | 2009-08-19 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
| US7161121B1 (en) * | 2001-04-30 | 2007-01-09 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck having radial temperature control capability |
| US20050211385A1 (en) * | 2001-04-30 | 2005-09-29 | Lam Research Corporation, A Delaware Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
| JP3810300B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2006-08-16 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
| JP2003282692A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板搬送用トレーおよびこれを用いた基板処理装置 |
| US7156951B1 (en) * | 2002-06-21 | 2007-01-02 | Lam Research Corporation | Multiple zone gas distribution apparatus for thermal control of semiconductor wafer |
| JP4367685B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2009-11-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 静電チャック装置 |
| JP2005079415A (ja) | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP4540407B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-09-08 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
| KR101064872B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2011-09-16 | 주성엔지니어링(주) | 정전척 |
| US8608900B2 (en) * | 2005-10-20 | 2013-12-17 | B/E Aerospace, Inc. | Plasma reactor with feed forward thermal control system using a thermal model for accommodating RF power changes or wafer temperature changes |
| US8226769B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
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