JP5101665B2 - 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム - Google Patents

基板載置台、基板処理装置および基板処理システム Download PDF

Info

Publication number
JP5101665B2
JP5101665B2 JP2010149652A JP2010149652A JP5101665B2 JP 5101665 B2 JP5101665 B2 JP 5101665B2 JP 2010149652 A JP2010149652 A JP 2010149652A JP 2010149652 A JP2010149652 A JP 2010149652A JP 5101665 B2 JP5101665 B2 JP 5101665B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
peripheral
central
mounting member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010149652A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012015285A (ja
Inventor
正弥 小田桐
雄介 村木
仁 富士原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2010149652A priority Critical patent/JP5101665B2/ja
Priority to TW100122073A priority patent/TWI436447B/zh
Priority to CN201110185040.4A priority patent/CN102315151B/zh
Priority to KR1020110063428A priority patent/KR101317992B1/ko
Priority to US13/172,317 priority patent/US9153465B2/en
Priority to DE102011108632A priority patent/DE102011108632A1/de
Publication of JP2012015285A publication Critical patent/JP2012015285A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5101665B2 publication Critical patent/JP5101665B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part

Description

本発明は、例えば半導体製造プロセス等の微細加工分野において用いられる基板載置台、基板処理装置および基板処理システムに関する。
従来より真空中での半導体プロセス等における基板（ウェハ）処理においては、処理均一性の向上のために、基板の表面温度を均一化させるための温度調整が行われている。基板温度調整の手段としては、基板を載せる基板載置台（ステージ）の内部に冷媒流路を設け、その流路に冷媒を流し、基板載置台からの輻射熱でもって基板載置台に載置された基板表面を冷却して温度調整する方法が一般的である。
例えば、特許文献１には、プラズマ処理装置において、基板載置台の内部に同心円状の２つの冷媒流路を設け、外側の流路に流す冷媒と内側の流路に流す冷媒の温度を相対的に異なる温度とし、チャンバ内壁からの輻射熱を受ける基板周縁部に対する冷却を基板中央部に対する冷却より強冷却とすることで、基板の表面温度を均一化するプラズマ処理装置が開示されている。
特開平９−１７７７０号公報
しかしながら、上記特許文献１に記載のプラズマ処理装置においては、互いに異なる温度の冷媒を流す２系統の冷媒流路が１つの基板載置台の内部において隣接しており、これら２系統の冷媒流路の温度が互いに影響しあうことにより、基板の中央部と周縁部それぞれの冷却が独立制御できない恐れがある。即ち、基板載置台に載置した基板の中央部および周縁部のそれぞれ精密な温度管理・温度制御ができず、チャンバ内壁からの輻射熱の影響を大きく受けてしまう基板周縁部の表面温度とその影響の少ない基板中央部の表面温度を均一化することが困難になってしまう。そのため、基板処理における基板表面全面の条件が均一化されないことから、基板の処理が均一に行われないといった問題点があった。さらには、プラズマ処理装置内において基板載置台が一体的に構成されていることも、２系統の冷媒流路の温度が互いに影響しあい、基板温度の中央部および周縁部における独立制御ができないことの原因となっていた。
そこで、上記問題点等に鑑み、本発明の目的は、基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御を、それぞれに影響しないように独立して精密に行うことが可能な基板載置台、基板処理装置および基板処理システムを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明によれば、２枚以上の基板を載置する基板載置台であって、前記基板の周縁部を載置して温度制御を行う周縁載置部材と、前記基板の中央部を載置して温度制御を行う中央載置部材と、前記周縁載置部材および前記中央載置部材を支持する支持台と、を備え、前記周縁載置部材は２つ以上の周縁部と該周縁部同士を結合させる周縁結合部からなり、前記中央載置部材は前記周縁部の内周に対応した形状の２つ以上の中央部と該中央部同士を結合させる中央結合部からなり、前記周縁部と前記中央部の間には水平方向に環状の隙間が形成され、前記周縁結合部と前記中央結合部の間には鉛直方向に隙間が形成され、前記周縁結合部および前記中央結合部はそれぞれ前記支持台に結合される、基板載置台が提供される。なお、ここで温調とは温度制御・温度調節を示している。
また、前記周縁載置部材および前記中央載置部材の内部には温調媒体循環機構に連通する温調流路が設けられていても良い。
また、別な観点からの本発明によれば、基板を真空処理空間において処理する基板処理装置であって、基板処理を行う処理チャンバと、前記処理チャンバ内を真空引きする排気口と、前記処理チャンバ内に処理ガスを導入する処理ガス導入口と、
上記記載の基板載置台とを備える、基板処理装置が提供される。
また、前記処理チャンバには、前記基板載置台から上方に突出して基板を昇降自在に支持する支持ピンが備えられ、前記基板載置台の上面には突起部が設けられ、前記基板は前記突起部によって基板載置台の上面に非接触な状態で載置されても良い。
さらに別の観点からの本発明によれば、基板を搬送する搬送部と、基板処理を行う処理部と、基板の加熱処理を行う加熱部とを備える基板処理システムであって、前記処理部は基板処理を行う処理チャンバと、前記処理チャンバ内を真空引きする排気口と、前記処理チャンバ内に処理ガスを導入する処理ガス導入口と、上記記載の基板載置台から構成される、基板処理システムが提供される。
また、前記処理チャンバには、前記基板載置台から上方に突出して基板を昇降自在に支持する支持ピンが備えられ、前記基板載置台の上面には突起部が設けられ、前記基板は前記突起部によって基板載置台の上面に非接触な状態で載置されても良い。
本発明によれば、基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御を、それぞれに影響しないように独立して精密に行うことが可能な基板載置台、基板処理装置および基板処理システムが提供される。
基板処理装置の概略断面図である。 基板載置台についての説明図であって、（ａ）は各部材（周縁載置部材、中央載置部材、支持台）を連結させていない状態での基板載置台の正面斜視図であり、（ｂ）は各部材を連結させた状態での基板載置台の正面斜視図である。 基板処理システムの説明図であって、（ａ）は基板処理システムの斜視概略図であり、（ｂ）は基板処理システムの側面断面図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。なお、以下の本発明の実施の形態では、２枚の基板Ｗを同時に配置し、処理する基板処理装置１を実施の形態の一例として挙げて説明する。
図１は本発明の実施の形態にかかる基板処理装置１の概略断面図である。図１に示すように、基板処理装置１は処理チャンバ１０と処理チャンバ１０内に配置され、基板Ｗの処理を行う際に基板Ｗが載置される基板載置台２０から構成されている。なお、図１には基板Ｗを２枚基板載置台２０の上面に載置した場合を図示している。また、処理チャンバ１０には、処理ガス供給機構２２に連通する例えばシャワー形状である処理ガス導入部２３と、真空ポンプ２５に連通する排気口２６が設けられている。これにより、処理チャンバ１０内は真空引き可能であり、また、基板Ｗ処理時には処理ガス導入部２３から処理チャンバ１０内に処理ガスが導入される。
また、処理チャンバ１０には、基板載置台２０を貫通して、その上方に突出することで基板Ｗを支持し、基板Ｗの基板載置台２０への載置を行う支持ピン２８が複数設けられている。支持ピン２８は、支持ピン２８に結合し、支持ピン２８を鉛直方向（図１中上下方向）に昇降させる昇降機構２９によって昇降自在に構成されている。なお、図１に示すように、昇降機構２９は、処理チャンバ１０の外部に設けられる例えばエアシリンダー等である駆動部２９ａと、駆動部２９ａに接続され駆動部２９ａから処理チャンバ１０内に伸長する昇降部２９ｂから構成される。支持ピン２８は昇降部２９ｂに取り付けられており、駆動部２９ａの稼動によって昇降する昇降部２９ｂに連動して支持ピン２８も昇降する。基板Ｗを基板載置台２０の上面に載置する際には、支持ピン２８を所定の長さだけ基板載置台２０の上方に突出させ、その突出させた支持ピン２８の上端に基板Ｗを載せた状態で支持ピン２８の先端が基板載置台２０の上面近傍まで近づくように支持ピン２８を下降させることで、基板Ｗが基板載置台２０に載置される。
また、基板載置台２０の上面には微小な突起部３０が設けられており、上述したように基板Ｗが支持ピン２８に支持された状態で基板載置台２０の上面近傍まで下降させられた場合に、基板Ｗは基板載置台２０上面の突起部３０によって基板載置台２０上面から浮いた状態（基板載置台２０とほぼ非接触な状態）で載置される。なお、本実施の形態にかかる基板処理装置１では、支持ピン２８は基板Ｗ１枚に対して３本設けられ、また、突起部３０も基板Ｗ１枚に対して３箇所に設けられるものとし、３本の支持ピン２８が基板Ｗを３点支持することで基板Ｗが支持・昇降させられ、基板載置台２０の上面の３箇所（基板１枚に対して）に設けられた突起部３０によって基板Ｗが基板載置台２０にほぼ非接触な状態で載置される。ここで、基板Ｗを基板載置台２０の上面にほぼ非接触な状態で載置させるのは、基板Ｗを基板載置台２０に直接載置してしまうと、基板載置台２０表面に存在するパーティクル等の不純物が基板Ｗ表面に付着してしまう恐れがあるからである。
図２は基板載置台２０についての説明図である。ここで、説明のために図２（ａ）には、以下に説明する各部材（周縁載置部材４０、中央載置部材５０、支持台５５）を連結させていない状態での基板載置台２０の正面斜視図を示し、図２（ｂ）には各部材を連結させた状態での基板載置台２０の正面斜視図を示す。ここで、基板載置台２０は、上記図１に示す基板処理装置１において、処理チャンバ１０内に配置される場合、図２（ｂ）に示す各部材が連結された状態でもって配置される。
図２に示すように、基板載置台２０は、基板周縁部Ｗ１を載置する周縁載置部材４０と、基板中央部Ｗ２を載置する中央載置部材５０と、周縁載置部材４０および中央載置部材５０を支持する支持台５５によって構成される。周縁載置部材４０は２つの略円環形状である周縁部４１と、２つの周縁部４１を水平に並べて配置した状態で結合する周縁結合部４３から構成される。また、中央載置部材５０は２つの略円板形状である中央部５１と、２つの中央部５１を水平に並べて配置した状態で結合する中央結合部５３から構成される。ここで、周縁部４１の内周の形状と中央部５１の形状の関係は対応関係となっている。即ち、図２（ｂ）に示すように、周縁載置部材４０と中央載置部材５０を重ね合わせた場合に、略円環形状である周縁部４１の中心部の空間４１ａに中央部５１が収まるような構成である。従って、空間４１ａの平面（上面）形状と中央部５１の平面（上面）形状はほぼ同一形状であり、かつ、中央部５１の上面面積は空間４１ａの上面面積より小さくなっている。また、周縁部４１の上面面積と中央部５１の上面面積はほぼ等しい面積となっている。
上述したように、周縁部４１の形状と中央部５１の形状の関係が対応関係にあることから、図２（ｂ）に示すように周縁載置部材４０と中央載置部材５０を重ね合わせた際には、周縁部４１と中央部５１との間に水平方向に環状の隙間５６が形成される。また、図２（ａ）に示すように、中央結合部５３の中央部には、例えば四角形状の穴部５７が設けられており、基板載置台２０を構成させる場合の各部材（周縁載置部材４０、中央載置部材５０、支持台５５）の結合の際には、周縁結合部４３と支持台５５は穴部５７を通る図示しないネジ部材によって結合され、中央結合部５３と支持台５５も図示しないネジ部材によって結合される。なお、結合のために、支持台５５には穴部５７に対応する形状の凸部５８が設けられている。ここで、周縁結合部４３と中央結合部５３との間には、鉛直方向に隙間５９が形成されるように各部材の結合が行われ、その結果、周縁載置部材４０と中央載置部材５０は互いに非接触である状態でもって基板載置台２０が構成されることとなる。
一方、図１に示すように、周縁載置部材４０の内部には温調流路６０が設けられ、中央載置部材５０の内部には温調流路６２が設けられている。各温調流路６０、６２は、例えば冷却水等の冷媒が貯留された温調媒体循環機構７０、７１に連通している。即ち、温調媒体循環機構７０、７１の稼動により、温調媒体循環機構７０、７１と各温調流路６０、６２の間に冷媒を循環させることができる。なお、温調流路６０が温調媒体循環機構７０に連通し、温調流路６２が温調媒体循環機構７１に連通しており、温調媒体循環機構７０、７１の稼動は、各温調流路（温調流路６０、温調流路６２）ごとに独立して制御できる構成である。これにより、温調流路６０、温調流路６２にそれぞれ流す冷媒の温度・流速等を制御することで、周縁載置部材４０の基板周縁部Ｗ１に対する温調効果（冷却効果）と、中央載置部材５０の基板中央部Ｗ２に対する温調効果（冷却効果）をそれぞれ独立して制御することができる。即ち、このように設けられた温調流路６０、６２による基板Ｗの冷却が、周縁載置部材４０の内部に設けられた温調流路６０の冷却能力によって基板周縁部Ｗ１が冷却され、中央載置部材５０の内部に設けられた温調流路６２の冷却能力によって基板中央部Ｗ２が冷却されるといったように、基板周縁部Ｗ１と基板中央部Ｗ２がそれぞれ異なる温調流路の冷却能力によって行われる。
また、基板Ｗは突起部３０先端のみに接触した状態で基板載置台２０に載置されており、基板Ｗと基板載置台２０（周縁載置部材４０、中央載置部材５０）との間には隙間７５が形成されている。この基板Ｗと基板載置台２０との間の隙間７５は基板Ｗの厚さに比べ極めて狭いものであり、基板Ｗの温調（温度制御）は周縁載置部材４０および中央載置部材５０との熱交換によって行うことが可能となっている。また、基板処理時には処理チャンバ１０内は処理ガス雰囲気下となるため、上記基板Ｗと基板載置台２０との間の隙間にも処理ガスが入り込むこととなり、基板Ｗと周縁載置部材４０および中央載置部材５０との熱交換がより促進され、基板Ｗの温調（温度制御）が効率的に行われる。
以上説明した構成である基板載置台２０を備える基板処理装置１において、基板処理が行われる。本実施の形態にかかる基板処理装置１で行われる基板処理は特に限定されるものではないが、例えば基板Ｗ表面に形成されたＳｉＯ２膜を処理ガスであるＨＦガス、ＮＨ３ガスを用いて処理し、その後の加熱処理を経てＳｉＯ２膜を基板Ｗ上から除去する基板洗浄処理等が例示される。例示した基板洗浄処理に限らず、様々な基板処理において、基板処理を均一に行うためには、処理中の基板Ｗの表面温度は均一であることが必要であるため、基板Ｗの表面温度の温度管理・温度制御が求められる。基板処理においては、基板Ｗには基板Ｗより高温である処理チャンバ１０の内壁からの輻射熱による入熱があり、特に基板周縁部Ｗ１は基板中央部Ｗ２より処理チャンバ１０の内壁との距離が短いため、基板周縁部Ｗ１には基板中央部Ｗ２より多くの入熱がある。そこで、基板Ｗの表面温度を均一にするために基板載置台２０による基板の温度管理・温度制御が必要となる。
本実施の形態にかかる基板処理装置１に設けられる基板載置台２０は、上述したように周縁載置部材４０と中央載置部材５０を有しており、周縁載置部材４０と中央載置部材５０との間には水平方向の隙間５６と鉛直方向の隙間５９がそれぞれ形成されているため、周縁載置部材４０と中央載置部材５０は互いに非接触である。基板処理中の処理チャンバ１０内は真空引きされた状態であることから、上記隙間５６、隙間５９は真空断熱され、周縁載置部材４０と中央載置部材５０の温度が互いに影響しない。即ち、周縁載置部材４０内に設けられた温調流路６０の温度と中央載置部材５０内に設けられた温調流路６２の温度は互いに影響しない。従って、周縁載置部材４０と中央載置部材５０はそれぞれ独立に所定の温度に制御される。
周縁載置部材４０内に設けられた温調流路６０の冷媒温度と、中央載置部材５０内に設けられた温調流路６２の冷媒温度とを互いに独立して温度管理・温度制御することで、温調流路６０によって冷却（温度制御）される基板周縁部Ｗ１と温調流路６２によって冷却（温度制御）される基板中央部Ｗ２の温度管理・温度制御は独立して精密に行われる。従って、基板処理時の基板Ｗ全体の表面温度を精密に均一化させることが可能となる。即ち、例えば処理チャンバ１０の内壁からの輻射熱によって基板周縁部Ｗ１が基板中央部Ｗ２より高温となってしまった場合には、温調流路６０の冷媒温度を温調流路６２の冷媒温度より低い温度に制御することで、基板周縁部Ｗ１を基板中央部Ｗ２より強冷却し基板Ｗ全体の表面温度を均一にすることができる。
なお、上述してきた本発明の実施の形態では、温調媒体循環機構７０、７１の稼動により、温調流路６０、６２には冷媒を流し、基板Ｗの表面を冷却する場合について説明したが、基板Ｗの精密な温度制御を行うために、例えば、加熱した所定の温度の流体を流す場合もある。
次に、本実施の形態にかかる基板処理装置１を備える基板処理システム１００について以下に説明する。図３は基板処理システム１００の説明図である。なお、図３（ａ）は基板処理システム１００の斜視概略図であり、図３（ｂ）は基板処理システム１００の側面断面図である。
図３に示すように、基板処理システム１００は主に基板処理装置１からなる処理部１０７と、加熱部１１０と、搬送部１２０から構成される。ここで、基板処理装置１は図示しない冷媒貯留装置に連通しており、処理部１０７と加熱部１１０は隣接して配置され、加熱部１１０と搬送部１２０は隣接して配置される。基板処理装置１と加熱部１１０との間にはゲートバルブ１３０が設けられ、加熱部１１０と搬送部１２０との間にはゲートバルブ１３１が設けられている。なお、上記図示しない冷媒貯留装置内には、本実施の形態で説明した温調媒体循環機構７０、７１が配置され、加熱部１１０内には基板Ｗを加熱する例えば熱板等である加熱機構１１５が配置され、搬送部１２０には基板Ｗを搬送する搬送アーム１２５が配置されている。
図３に示すように構成される基板処理システム１００において、例えば基板Ｗ表面に形成されたＳｉＯ２膜を除去する洗浄処理が行われる場合、先ず、基板Ｗが搬送部１２０から搬送アーム１２５の稼動によって基板処理装置１内に搬送され、基板処理装置１内の基板載置台２０に載置される。基板処理装置１内において基板Ｗ全体の表面温度が均一に保たれた状態でＨＦガス、ＮＨ３ガス等の処理ガスを用いて基板処理が行われる。次いで、搬送アーム１２５の稼動によって処理ガスによって処理された基板Ｗが加熱部１１０内の加熱機構１１５に搬送される。加熱部１１０において、基板Ｗに例えば熱板処理等の熱処理が施され、処理ガスによって基板Ｗ上に生成された生成物を除去する。そしてこのような工程で洗浄された基板Ｗが搬送アーム１２５の稼動によって基板処理システム１００から搬出される。
以上説明した本発明にかかる基板処理システム１００においては、基板処理装置１において基板処理を均一に行うことができるように、基板処理時の基板Ｗ全体の表面温度を精密に均一化させることが可能である。そのため、例えば基板Ｗ表面に形成されたＳｉＯ２膜を除去する洗浄処理を行う場合に、ＳｉＯ２膜への処理ガスでの処理が均一かつ効率的に行われる。これにより、加熱部１１０での熱処理による基板Ｗ上での不要な生成物の除去も均一かつ効率的に行われることとなり、基板処理システム１００における基板Ｗの洗浄処理が基板全体に均一に行われることとなる。
以上、本発明の実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、上記実施の形態の一例においては、周縁載置部材４０と中央載置部材５０との間には、水平方向の隙間５６と鉛直方向の隙間５９が形成され、真空引きされた処理チャンバ１０内において隙間５６、５９は真空断熱されるものとして説明したが、隙間５６、５９に例えばポーラスセラミックス等の断熱部材が施工されていてもよい。これにより、周縁載置部材４０と中央載置部材５０との間の断熱性がより高まり、周縁載置部材４０と中央載置部材５０相互間の温度変化による影響が低減され、周縁載置部材４０内に設けられた温調流路６０の冷媒温度と、中央載置部材５０内に設けられた温調流路６２の冷媒温度とを、より精密に独立して温度管理・温度制御することが可能となる。
また、上記実施の形態にかかる基板処理装置１において、処理チャンバ１０の内壁からの輻射熱の入熱が、基板Ｗの中心部（基板中心部Ｗ２）より周縁部（基板周縁部Ｗ１）により大きく作用し、基板Ｗの表面温度が不均一になってしまう旨を説明したが、この問題を低減し、処理チャンバ１０内壁からの基板Ｗへの入熱を少しでも抑止するために、処理チャンバ１０の内壁に断熱部材を施工してもよい。この時、断熱部材の施工は処理チャンバ１０の内壁全面に行ってもよいが、好ましくは、処理チャンバ１０内壁の基板Ｗ近傍において施工を行えばよい。
また、上記実施の形態にかかる基板処理装置１においては、周縁載置部材４０および中央載置部材５０は、何れも処理チャンバ１０内に固定された状態で配置されるものとして説明したが、周縁載置部材４０および中央載置部材５０をそれぞれ昇降自在に配置することも可能である。即ち、上記実施の形態では、周縁載置部材４０および中央載置部材５０は支持台５５に対し図示しないネジ部材で結合されるとしたが、周縁載置部材４０および中央載置部材５０を昇降自在にした状態で支持台５５に支持させることもできる。
例えば、処理チャンバ１０内に周縁載置部材４０および中央載置部材５０をそれぞれ独立して昇降させる制御部を設け、基板Ｗを載置した状態で周縁載置部材４０、中央載置部材５０の一方または双方を昇降させ、基板Ｗと周縁載置部材４０あるいは中央載置部材５０との熱交換を制御し、基板Ｗの表面温度を最適な値に保つことが考えられる。基板Ｗと周縁載置部材４０との間の間隔を微調整することで、より精密に基板Ｗ表面温度の温度管理・温度制御が可能となり、基板の表面状態を所望の状態（例えば、表面温度が均一な状態）にすることができる。
本発明は、例えば半導体製造プロセス等の微細加工分野において用いられる基板載置台、基板処理装置および基板処理システムに適用できる。
１…基板処理装置
１０…処理チャンバ
２０…基板載置台
２２…処理ガス供給機構
２３…処理ガス導入部
２５…真空ポンプ
２６…排気口
２８…支持ピン
２９…昇降機構
３０…突起部
４０…周縁載置部材
４１…周縁部
４３…周縁結合部
５０…中央載置部材
５１…中央部
５３…中央結合部
５５…支持台
５６、５９…隙間
５７…穴部
５８…凸部
６０、６２…温調流路
７０、７１…温調媒体循環機構
１００…基板処理システム
１０７…処理部
１１０…加熱部
１１５…加熱機構
１２０…搬送部
１２５…搬送アーム
１３０、１３１…ゲートバルブ
Ｗ…基板
Ｗ１…基板周縁部
Ｗ２…基板中央部

Claims (6)

  1. ２枚以上の基板を載置する基板載置台であって、
    前記基板の周縁部を載置して温度制御を行う周縁載置部材と、
    前記基板の中央部を載置して温度制御を行う中央載置部材と、
    前記周縁載置部材および前記中央載置部材を支持する支持台と、を備え、
    前記周縁載置部材は２つ以上の周縁部と該周縁部同士を結合させる周縁結合部からなり、
    前記中央載置部材は前記周縁部の内周に対応した形状の２つ以上の中央部と該中央部同士を結合させる中央結合部からなり、
    前記周縁部と前記中央部の間には水平方向に環状の隙間が形成され、
    前記周縁結合部と前記中央結合部の間には鉛直方向に隙間が形成され、
    前記周縁結合部および前記中央結合部はそれぞれ前記支持台に結合される、基板載置台。
  2. 前記周縁載置部材および前記中央載置部材の内部には温調媒体循環機構に連通する温調流路が設けられる、請求項１に記載の基板載置台。
  3. 基板を真空処理空間において処理する基板処理装置であって、
    基板処理を行う処理チャンバと、
    前記処理チャンバ内を真空引きする排気口と、
    前記処理チャンバ内に処理ガスを導入する処理ガス導入口と、
    請求項１又は２に記載の基板載置台とを備える、基板処理装置。
  4. 前記処理チャンバには、前記基板載置台から上方に突出して基板を昇降自在に支持する支持ピンが備えられ、
    前記基板載置台の上面には突起部が設けられ、
    前記基板は前記突起部によって基板載置台の上面に非接触な状態で載置される、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 基板を搬送する搬送部と、基板処理を行う処理部と、基板の加熱処理を行う加熱部とを備える基板処理システムであって、
    前記処理部は基板処理を行う処理チャンバと、前記処理チャンバ内を真空引きする排気口と、前記処理チャンバ内に処理ガスを導入する処理ガス導入口と、請求項１又は２に記載の基板載置台から構成される、基板処理システム。
  6. 前記処理チャンバには、前記基板載置台から上方に突出して基板を昇降自在に支持する支持ピンが備えられ、
    前記基板載置台の上面には突起部が設けられ、
    前記基板は前記突起部によって基板載置台の上面に非接触な状態で載置される、請求項５に記載の基板処理システム。
JP2010149652A 2010-06-30 2010-06-30 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム Active JP5101665B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010149652A JP5101665B2 (ja) 2010-06-30 2010-06-30 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム
TW100122073A TWI436447B (zh) 2010-06-30 2011-06-23 A substrate stage, a substrate processing device, and a substrate processing system
CN201110185040.4A CN102315151B (zh) 2010-06-30 2011-06-28 基板承载台、基板处理装置及基板处理系统
KR1020110063428A KR101317992B1 (ko) 2010-06-30 2011-06-29 기판 적재대, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
US13/172,317 US9153465B2 (en) 2010-06-30 2011-06-29 Substrate stage, substrate processing apparatus and substrate processing system
DE102011108632A DE102011108632A1 (de) 2010-06-30 2011-06-30 Substratstage, Substrat-Prozessierungs-Vorichtung und Substrat-Prozessierungs-System

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010149652A JP5101665B2 (ja) 2010-06-30 2010-06-30 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012015285A JP2012015285A (ja) 2012-01-19
JP5101665B2 true JP5101665B2 (ja) 2012-12-19

Family

ID=45398798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010149652A Active JP5101665B2 (ja) 2010-06-30 2010-06-30 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9153465B2 (ja)
JP (1) JP5101665B2 (ja)
KR (1) KR101317992B1 (ja)
CN (1) CN102315151B (ja)
DE (1) DE102011108632A1 (ja)
TW (1) TWI436447B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017533582A (ja) * 2014-09-19 2017-11-09 北京北方華創微電子装備有限公司Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｎａｕｒａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 支承装置および半導体処理設備

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5171969B2 (ja) * 2011-01-13 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
WO2013162774A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for independent wafer handling
WO2013187192A1 (ja) * 2012-06-13 2013-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
CN108336011B (zh) * 2012-11-30 2022-08-02 株式会社尼康 搬入方法、搬送系统及曝光装置、和器件制造方法
JP6541374B2 (ja) 2014-07-24 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10096495B2 (en) 2014-12-26 2018-10-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP6478828B2 (ja) * 2015-06-16 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法および基板載置台
JP6584286B2 (ja) 2015-10-26 2019-10-02 日本発條株式会社 ヒータユニット
US10446419B2 (en) * 2016-03-11 2019-10-15 Toshiba Memory Corporation Semiconductor manufacturing apparatus
JP6512182B2 (ja) 2016-06-27 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
KR102603528B1 (ko) * 2016-12-29 2023-11-17 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템
CN109461691A (zh) * 2017-09-06 2019-03-12 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 晶圆支撑装置
TWI661510B (zh) * 2017-09-06 2019-06-01 京鼎精密科技股份有限公司 晶圓支撐裝置
KR102429979B1 (ko) * 2018-11-08 2022-08-08 주식회사 원익아이피에스 공정 온도 조절이 가능한 기판 처리 장치
CN114453346A (zh) * 2022-01-19 2022-05-10 中国科学院微电子研究所 一种针对碳纳米管表面残留有机物的去除设备和去除方法
KR102510315B1 (ko) * 2022-12-27 2023-03-15 주식회사 우원기술 로드락 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 시스템

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03113722A (ja) 1989-09-25 1991-05-15 Fuji Electric Co Ltd 磁気ディスクの製造方法
JP3300380B2 (ja) * 1991-03-26 2002-07-08 日本碍子株式会社 半導体製造装置
JPH0661900B2 (ja) 1991-09-02 1994-08-17 正三郎 角 装飾用編地シートまたは装飾用編地リボン
JP2565156Y2 (ja) * 1991-12-28 1998-03-11 国際電気株式会社 半導体製造装置及びそのウェーハ置台
TW254030B (en) * 1994-03-18 1995-08-11 Anelva Corp Mechanic escape mechanism for substrate
JPH0917770A (ja) * 1995-06-28 1997-01-17 Sony Corp プラズマ処理方法およびこれに用いるプラズマ装置
JP3650248B2 (ja) 1997-03-19 2005-05-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6143082A (en) * 1998-10-08 2000-11-07 Novellus Systems, Inc. Isolation of incompatible processes in a multi-station processing chamber
JP2001127142A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
DE10043600B4 (de) * 2000-09-01 2013-12-05 Aixtron Se Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren, insbesondere ebenfalls kristallinen Substraten
JP2002184558A (ja) * 2000-12-12 2002-06-28 Ibiden Co Ltd ヒータ
JP2003031341A (ja) * 2001-07-13 2003-01-31 Espec Corp プレートヒータ
US6592675B2 (en) * 2001-08-09 2003-07-15 Moore Epitaxial, Inc. Rotating susceptor
JP3921060B2 (ja) 2001-08-31 2007-05-30 京セラ株式会社 ウエハ加熱装置
US7347901B2 (en) 2002-11-29 2008-03-25 Tokyo Electron Limited Thermally zoned substrate holder assembly
US6951821B2 (en) * 2003-03-17 2005-10-04 Tokyo Electron Limited Processing system and method for chemically treating a substrate
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
US20050051098A1 (en) 2003-09-05 2005-03-10 Tooru Aramaki Plasma processing apparatus
US20060027169A1 (en) 2004-08-06 2006-02-09 Tokyo Electron Limited Method and system for substrate temperature profile control
KR101153118B1 (ko) * 2005-10-12 2012-06-07 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
JP2007242648A (ja) 2006-03-04 2007-09-20 Masato Toshima 基板の処理装置
JP4392724B2 (ja) * 2007-11-02 2010-01-06 日本電熱株式会社 サセプタ
JP5222442B2 (ja) * 2008-02-06 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置及び被処理基板の温度制御方法
US8287688B2 (en) 2008-07-31 2012-10-16 Tokyo Electron Limited Substrate support for high throughput chemical treatment system
JP2010149652A (ja) 2008-12-25 2010-07-08 Nissan Motor Co Ltd 油圧制御装置
JP3155802U (ja) * 2009-09-17 2009-12-03 日本碍子株式会社 ウエハー載置装置
JP5119297B2 (ja) * 2010-06-30 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017533582A (ja) * 2014-09-19 2017-11-09 北京北方華創微電子装備有限公司Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｎａｕｒａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 支承装置および半導体処理設備

Also Published As

Publication number Publication date
TWI436447B (zh) 2014-05-01
JP2012015285A (ja) 2012-01-19
CN102315151A (zh) 2012-01-11
CN102315151B (zh) 2014-02-12
US9153465B2 (en) 2015-10-06
TW201230242A (en) 2012-07-16
US20120000612A1 (en) 2012-01-05
DE102011108632A1 (de) 2012-01-26
KR20120002465A (ko) 2012-01-05
KR101317992B1 (ko) 2013-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5101665B2 (ja) 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム
JP5119297B2 (ja) 基板処理装置
US6193507B1 (en) Multi-function chamber for a substrate processing system
JP4860167B2 (ja) ロードロック装置，処理システム及び処理方法
KR20160006630A (ko) 프로세스 챔버의 기판 업스트림 프리-베이킹 장치 및 방법
TWI449112B (zh) 平板、具有平板之基板之溫度調整裝置以及用以處理具有平板之基板之裝置
JP2003031647A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR20100033391A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW201413864A (zh) 基板載置台及基板處理裝置
JP4840168B2 (ja) 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
KR20110112074A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
TWI745744B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
US10425990B2 (en) Vacuum processing device
KR100921026B1 (ko) 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법
KR20190042861A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
JPH1163838A (ja) ハイブリッド型熱処理装置
JP2003124134A (ja) 加熱処理装置および加熱処理方法
JP2003347183A (ja) 基板温度処理装置
JP2001338890A (ja) 基板処理装置
KR20230099544A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20220007518A (ko) 탑재대, 기판을 처리하는 장치, 및 기판을 온도 조절하는 방법
JP2004023060A (ja) 基板処理装置
JP2007281010A (ja) 基板ステージとそれを用いた基板処理装置及び方法
JP2008010721A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
JP2003109962A (ja) 熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120411

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120417

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120615

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120904

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120926

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5101665

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250