TWI745744B - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種使在基板搬送裝置中之基板搬送能力提高且改善基板處理裝置之處理能力的技術。
本發明提供一種構成，其具備有：基板搬送裝置，其具有第1基板搬送臂與第2基板搬送臂；搬送室，其於內部配置有基板搬送裝置及基板冷卻單元；基板處理室，其被構成為對基板進行加熱的處理；載入鎖定室；及控制部，其對基板搬送裝置進行控制；控制部係控制第1基板搬送臂而執行將載入鎖定室內之基板向上述基板處理室內搬送的第1搬送處理、及將被載置於上述基板冷卻單元的基板向載入鎖定室內搬送的第3搬送處理；控制第2基板搬送臂而執行將基板處理室內之基板以載置於基板冷卻單元之方式搬送的第2搬送處理；且以在第1搬送處理與第3搬送處理中施加於基板的加速度之最大值大於在第2搬送處理中施加於基板的加速度之最大值之方式控制第1基板搬送臂及第2基板搬送臂。
Description
本揭示係關於一種基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
在半導體裝置之製造步驟中所被使用的基板處理裝置具備：處理室，其對晶圓等之基板進行處理；及搬送裝置，其進行向該處理室內的基板搬入及自該處理室內的基板搬出。例如專利文獻1中揭示有搬送裝置及該搬送裝置所具備有的基板保持具(鉗子)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-82071號公報
(發明所欲解決之問題)
藉由搬送裝置所進行之基板之搬送能力(搬送產能)大幅影響具備有搬送裝置的基板處理裝置整體之基板處理能力，因此追求藉由搬送裝置所進行之基板之搬送能力的提高。
本揭示提供一種使在基板搬送裝置中之基板搬送能力提高且改善基板處理裝置之處理能力的技術。
(解決問題之技術手段)
根據本揭示之一態樣，提供一種基板處理裝置，其具備有：
基板搬送裝置，其構成為分別藉由對第1基板搬送臂與第2基板搬送臂進行驅動而搬送基板；
搬送室，其於內部配置有上述基板搬送裝置及對上述基板進行冷卻所構成的基板冷卻單元；
基板處理室，其被配置為與上述搬送室鄰接，且構成為對上述基板進行加熱的處理；
載入鎖定室，其被配置為與上述搬送室鄰接；及
控制部，其對上述基板搬送裝置進行控制；
上述控制部構成為：
控制上述第1基板搬送臂，執行將上述載入鎖定室內之上述基板向上述基板處理室內搬送的第1搬送處理、及將被載置(裝填)於上述基板冷卻單元的上述基板向上述載入鎖定室內搬送的第3搬送處理；
控制上述第2基板搬送臂，執行將上述基板處理室內之上述基板以載置於上述基板冷卻單元之方式搬送的第2搬送處理；且
以在上述第1搬送處理與上述第3搬送處理中施加於上述基板的加速度之最大值大於在上述第2搬送處理中施加於上述基板的加速度之最大值之方式控制上述第1基板搬送臂及上述第2基板搬送臂。
(對照先前技術之功效)
根據本揭示之技術，可使在基板搬送裝置中之基板搬送能力提高且改善基板處理裝置之處理能力。
＜本揭示之第1實施形態＞
以下，一面參照圖式一面對本揭示之第1實施形態進行說明。
(1)基板處理裝置之構成
首先，一面參照圖1～7一面對本揭示之一實施形態之基板處理裝置之構成例進行說明。此處，列舉以基板處理裝置為用於對基板進行退火處理的退火裝置之情況為例。圖2係表示圖1中所示之Y軸方向上之基板處理裝置之垂直剖面的圖。同樣，圖3係表示圖1中所示之X軸方向上之基板處理裝置之垂直剖面的圖。
如圖1所示，本實施形態之基板處理裝置10具備有殼體11、及對基板處理裝置10之各構成部進行控制的控制器121。
於殼體11內，以搬送室12為中心配置有2個載入鎖定室14a、14b、第1處理室群116、第2處理室群117。於搬送室12與各載入鎖定室14a、14b之間分別設有閘閥361a、361b，且構成為藉由打開該閘閥，搬送室12內與各載入鎖定室14a、14b內可連通。又，於搬送室12與各處理室群116、117之間亦分別設有閘閥351a、351b，且構成為藉由打開該閘閥，搬送室12內與各處理室群116、117內可連通。再者，搬送室12、載入鎖定室14a、14b、第1處理室群116、第2處理室群117之內部分別經由未圖示之排氣通路及被設於各排氣通路的排氣閥而連接於真空泵。真空泵及各排氣閥以使搬送室12等之內部之壓力成為既定值之方式進行控制。又，於搬送室12內配置有2個基板冷卻單元13a、13b。
於殼體11外，以與載入鎖定室14a、14b面對之方式配置有作為前模組的設備前端模組(EFEM，Equipment Front End Module)18。EFEM18構成為可搭載例如存儲25片作為基板之晶圓1的前開式晶圓搬送盒(FOUP：Front Open Unified Pod)。又，於EFEM18內，設有可於大氣中進行與各載入鎖定室14a、14b之間之晶圓移載的大氣機器人(未圖示)。
(載入鎖定室)
於載入鎖定室14a、14b內分別設有例如將25片晶圓1於縱方向隔開固定間隔而收納的基板支撐體(晶舟)20。藉由該基板支撐體20，於各載入鎖定室14a、14b內保持晶圓1。基板支撐體20例如以碳化矽(SiC)、鋁等所構成。又，基板支撐體20係於載入鎖定室14a、14b內構成為沿鉛直方向(上下方向)移動，並且構成為以於鉛直方向延伸的旋轉軸為軸進行旋轉(參照圖中箭頭)。
(第1、第2處理室群)
第1處理室群116具有作為基板處理室的處理室16a、16b，第2處理室群117同樣具有處理室17a、17b。又，於第1處理室群116內與第2處理室群117內分別設有基板保持台36a、36b與機器人手臂40。處理室16a與處理室16b經由被設於其等之間的連接空間48而連通。於連接空間48設有間隔構件46。
機器人手臂40構成為接收藉由後述之機器人30所搬送的晶圓1，且分別載置於基板保持台36a、36b。又，機器人手臂40構成為將被載置於基板保持台36a、36b之處理結束的晶圓1向機器人30之鉗子上移載。
處理室16a、16b中，分別被載置於基板保持台36a、36b的2片晶圓1同時地被處理。於基板保持台36a、36b分別內置有作為加熱部的加熱器37a、37b，可將晶圓1升溫至450℃。本實施形態中，藉由在處理室16a、16b內將晶圓1升溫(加熱)，而進行對晶圓1的退火處理。
再者，本實施形態中設為藉由被內置於基板保持台36a、36b的加熱器37a、37b可將晶圓1升溫至450℃之構成，但亦可設為配合對晶圓1的處理之種類而可將晶圓1升溫至更高溫之構成。例如亦可設為如下構成：藉由在處理室16a、16b內分別進而設置燈加熱器，而可將晶圓1升溫至1000℃左右。
(基板冷卻單元)
被設於搬送室12內的基板冷卻單元13a、13b係如圖4、5所示，分別具備有作為基板冷卻構件的基板冷卻板131a、131b。以下，對基板冷卻單元13a之構成進行說明，基板冷卻單元13b亦具有同樣之構成。
於基板冷卻板131a設有4個作為基板保持部的間隔件152a，該間隔件152a構成為於其上方支撐晶圓1。又，本實施形態中，藉由間隔件構成基板保持部，但並不限於此，只要為如下構造即可，即，構成為於各基板冷卻板之上方或下方，可自基板冷卻板之上表面或下表面以既定之間隔支撐晶圓1。例如，亦可利用被形成為突起狀、棒狀的支撐銷、或以自基板冷卻板131a之外側支撐晶圓1之外緣之方式延出的保持具等構成基板保持部。又，亦可具備有使該等基板保持部沿上下方向升降的驅動裝置，而構成為可升降該等基板保持部及以該等所支撐的晶圓1。
於基板冷卻板131a之內部設有冷媒所流動的冷媒流路153a，構成為對基板冷卻板131a之上表面側及下表面側進行冷卻。藉此，構成為藉由間隔件152a所支撐的晶圓1被冷卻。基板冷卻板131a亦可被認為是包含有構成本體的板狀構造體與被設於板狀構造體之內部的冷媒流路53a、53b的構造。板狀構造體係藉由例如不鏽鋼等之金屬所構成。
基板冷卻單元13a進而具備有將冷媒供給至冷媒流路153a的冷媒供給單元(冷媒供給部)155。於冷媒供給單元155中被冷卻的冷媒向冷媒流路153a之一端被供給，自另一端再次返回至冷媒供給單元而進行循環。冷媒供給單元構成為可對向冷媒流路153a所供給的冷媒之溫度、流量個別地調整。
本實施形態中使用水作為冷媒，但亦可使用其他液體(冷卻溶劑)，又，亦可使用作為冷媒的氣體。又，亦可不為冷媒流路，而構成為使用帕耳帖元件等之熱電元件進行冷卻。
又，於基板冷卻板131a，如圖4所示般設有與後述之鉗子32a之指狀板321a、鉗子32b之指狀板321b為相同形狀的缺口，且構成為指狀板321a及321b可於缺口之內側沿鉛直方向移動。圖4中表示出指狀板321b被插入至缺口內之情況。
本實施形態中設為如下構成：將於處理室16a、16b等中被加熱的晶圓1載置於基板冷卻板131a、131b之上表面，可急速冷卻至例如室溫。但，亦可設為如下構成：使於冷媒流路中所流動的冷媒溫度更低，可將晶圓1冷卻至未滿室溫。又，於基板冷卻室13a、13b中並不需要必須將晶圓1之溫度冷卻至室溫。亦可考慮處理產能等，將晶圓1載置於基板冷卻板131a、131b上進行冷卻至晶圓1成為高於室溫且低於被搬入至基板冷卻室13a、13b內之前之溫度的既定溫度(例如100～300℃)為止。
又，基板冷卻單元13a、13b被設於搬送室12內，被搬送至基板冷卻單元13a、13b的晶圓1於與搬送室12相同之環境氣體下被冷卻。即，於冷卻單元13a、13b與搬送室12之間未設置有閘閥等之將兩者間隔開的構成。
(機器人(基板搬送裝置))
於搬送室12內設有作為基板搬送裝置的機器人30，其於載入鎖定室14a、14b、第一處理室群116及第二處理室群117、以及基板冷卻單元13a、13b之間搬送晶圓1。如圖6所示，機器人30具備有：作為基板保持具的鉗子，其將晶圓1以自下表面支撐之方式保持；及作為基板搬送臂的臂，其使該鉗子移動。
鉗子包含有作為第1基板保持具的鉗子32a及作為第2基板保持具的鉗子32b。臂包含有於前端具備有鉗子32a的臂34a及於前端具備有鉗子32b的臂34b。鉗子32a及鉗子32b均呈雙叉狀之形狀，於上下方向以既定間隔隔開，自臂34a、臂34b分別大致水平地沿相同方向延伸，且分別支撐作為搬送對象物的晶圓1。針對鉗子32a及鉗子32b之詳細構造於後文敍述。
臂34a、34b構成為分別可個別地沿水平方向(圖6中之X1、X2方向)水平移動，可沿圖4中之Y方向旋轉移動，可沿圖6中之Z方向升降移動。各臂34a、34b係以互不干涉而可個別移動之方式配置。即，在鉗子32a位於上方側，鉗子32b位於下方側之狀態下，分別可個別地移動而不干涉。
(上鉗子)
鉗子32a係如圖7所示般支撐作為例如φ300 mm之圓板狀基板的晶圓1者，且具有作為第1板狀體的指狀板321a，該指狀板321a為晶圓1之支撐基體。指狀板321a係利用例如氧化物系之陶瓷材料(氧化鋁陶瓷等)、SiC，具有一對帶形狀部分而形成為雙叉狀。各帶形狀部分係於鉗子32a支撐晶圓1之狀態下以與晶圓1之一部分重疊之方式配置，並且前端延伸至較晶圓1之外周端緣更外側的位置。
於指狀板321a上設有第1支撐部322a，其藉由被設於較晶圓1之直徑小且共有晶圓1之中心位置的圓周上(即，較晶圓1之直徑小的同心圓上)的複數個凸部所構成。
即，於指狀板321a上，在藉由導引側壁324a所被包圍的區域內形成有第1支撐部322a，其藉由自指狀板321a之上表面朝晶圓1側突出的複數個凸部所構成。此處，構成第1支撐部的複數個凸部分別藉由圓柱狀墊所構成。
[第1支撐部]
圓柱狀墊之各者係藉由橡膠材料(於室溫下具有橡膠彈性的高分子材料)所形成，且構成為藉由所突出的頂面抵接於晶圓1之下表面(被處理面之相反面)，第1支撐部322a將晶圓1自下表面支撐。藉由利用以橡膠材料所形成的墊構成第1支撐部322a，與使用以與指狀板321a相同的材料所形成的墊等之情況相比，可增大第1支撐部322a(尤其是與晶圓1之下表面的接觸面)與晶圓1之下表面之間的摩擦係數(摩擦力)。
作為橡膠材料，尤其理想的是使用對耐熱性、耐磨耗性等之特性優異的合成橡膠。例如，使用氟橡膠、矽橡膠、全氟彈性體等之合成橡膠。該等合成橡膠之耐熱溫度通常為200～350℃左右。
本實施形態中，為於第1支撐部322a與晶圓1之下表面之間獲得充分之摩擦力，墊之直徑理想的是φ5.0 mm以上。又，為避免墊向晶圓1之下表面之貼附，墊之直徑理想的是φ20.0 mm以下。本實施形態中設為φ10.0 mm。
又，構成第1支撐部322a的圓柱狀墊係配置為於指狀板321面上之一個圓周上，分散在均等地支撐晶圓1的複數個部位。作為可均等支撐的複數個部位，例如可列舉：以晶圓1之平面中心點為基準之情況下成為點對稱的複數個部位、或以穿過晶圓1之中心點的線段為基準之情況下成為線對稱的複數個部位(左右均等之複數個部位等)。更具體而言，構成第1支撐部322a的圓柱狀墊係於指狀板321面上之一個圓周上，分散配置在該圓周上之相互隔開之4個部位。
藉由此種向4個部位的分散配置，於一個圓周上存在有4個支撐部位，各個支撐部位均等地支撐晶圓1之外周端緣附近4個部位。利用該等4個支撐部位，構成對晶圓1的支撐位置。再者，此處列舉了向4個部位的分散配置為例，但並不限定於此，即便為向未滿4個部位、5個部位以上的分散配置亦可實現。再者，構成為構成第1支撐部322a的複數個圓柱狀墊中位於對象位置的墊之對於晶圓1的支撐面積彼此相等。
[導引側壁]
於指狀板321a之帶形狀部分之前端部分，設有與晶圓1之外周形狀對應的圓弧狀之導引側壁324a。又，於與各帶形狀部分之前端部分對向的側(即，鉗子32a之根基側)，亦設有與晶圓1之外周形狀對應的圓弧狀之導引側壁324a。該等導引側壁324a分別形成為較構成第1支撐部322a的凸部即墊為高。
(下鉗子)
鉗子32b係如圖8所示般與鉗子32a同樣支撐晶圓1者，且具有雙叉狀之作為第2板狀體的指狀板321b，其為晶圓1之支撐基體。
於指狀板321b上，在藉由導引側壁324b所被包圍的區域內設有第2基板支撐部322b，其藉由被配置於較晶圓1之直徑小的同心圓上的複數個凸部所構成。構成第2支撐部322b的複數個凸部係以自指狀板321b之上表面朝晶圓1側突出之方式所形成。
指狀板321b及導引側壁324b之構成係與鉗子32a之指狀板321a及導引側壁324a之構成相同。又，導引側壁324b分別形成為較構成第2支撐部322b的凸部為高。
(第2支撐部)
第2支撐部322b分別藉由形成為圓弧狀的複數個凸部(圓弧狀凸部)所構成。該等複數個圓弧狀凸部均藉由與指狀板321相同的材料所形成，且構成為藉由所突出的頂面抵接於晶圓1之下表面而支撐晶圓1。
(上鉗子與下鉗子之對比)
此處，對鉗子32a與鉗子32b之構成之不同進行說明。如上所述，鉗子32a之第1支撐部322a利用藉由橡膠材料所形成的複數個墊所構成，相對於此，鉗子32b之第2支撐部322b利用藉由與指狀板321b相同的材料所形成的複數個圓弧狀凸部所構成。因該構造上之不同點，兩者具有如以下之差異。
(可搬送之速度之不同)
因構成第1支撐部322a的複數個墊以橡膠材料所形成，故對作為搬送對象的晶圓1之下表面的摩擦係數(摩擦力)大於藉由陶瓷材料、SiC等所形成的第2支撐部322b之摩擦係數(摩擦力)。因此，於使用鉗子32a搬送晶圓1之情況下，與使用鉗子32b之情況相比，難以發生搬送中之晶圓1之偏移、滑動。更具體而言，例如即便於搬送中之施加於晶圓1之加速度相同之情況下，亦難以發生晶圓1之偏移、滑動。因此，可一面抑制晶圓1之偏移、滑動之發生，一面讓使用鉗子32a的晶圓1之搬送速度大於使用鉗子32b的晶圓1之搬送速度。
(可搬送之晶圓溫度之不同)
另一方面，因構成第1支撐部322a的複數個墊以橡膠材料所形成，故其耐熱溫度低於藉由陶瓷材料、SiC等所形成的第2支撐部322b之耐熱溫度。因此，若使用鉗子32a搬送溫度較其耐熱溫度高的晶圓1，則容易發生以橡膠材料所形成的墊之變形、向晶圓1之下表面的貼附。即，於搬送被加熱至較墊之橡膠材料之耐熱溫度高之溫度的晶圓1之情況下，使用鉗子32a並不理想。於搬送被加熱至較墊之橡膠材料之耐熱溫度高之溫度的晶圓1之情況下，理想的是使用鉗子32b。
(控制器)
如圖9所示，作為控制部(控制手段)的控制器121以電腦之形式所構成，其具備有中央處理單元(CPU，Central Processing Unit)121a、隨機存取記憶體(RAM，Random Access Memory)121b、記憶裝置121c、輸入/輸出(I/O，Input/Output)端口121d。RAM121b、記憶裝置121c、I/O端口121d構成為經由內部匯流排121e可與CPU121a進行資料交換。於控制器121，連接有例如以觸控面板等之形式所構成的輸入輸出裝置122。
記憶裝置121c包含有例如快閃記憶體、硬碟驅動器(HDD，Hard Disk Drive)等。於記憶裝置121c內，可讀出地儲存有控制基板處理裝置之動作的控制程式、記載有後述之基板處理之程序、條件等的製程配方等。製程配方係使控制器121執行後述之基板處理步驟中之各程序，而以可獲得既定結果之方式組合者，其作為程式而發揮功能。以下，亦將該製程配方、控制程式等統一簡稱為程式。又，亦將製程配方簡稱為配方。於本說明書中使用程式一詞之情況下，存在僅包含有配方之情況、僅包含有控制程式之情況或包含有該等兩者之情況。RAM121b係以暫時地保持有藉由CPU121a所被讀出之程式、資料等的記憶區域之形式所構成。
I/O端口121d連接於機器人30、閘閥351a、351b、361a、361b、冷媒供給單元155、機器人手臂40、加熱器37a、37b等。
CPU121a構成為自記憶裝置121c讀出控制程式而進行執行，並且配合來自輸入輸出裝置122之操作指令之輸入等而自記憶裝置121c讀出配方。CPU121a構成為以按照所讀出的配方之內容之方式控制藉由機器人30所進行之基板搬送動作、閘閥351a、351b、361a、361b之開閉動作、加熱器37a、37b之溫度調整動作、真空泵之啟動及停止、藉由大氣機器人所進行之基板搬送動作等。
控制器121可藉由將被儲存於外部記憶裝置(例如，硬碟等之磁碟、CD等之光碟、MO等之磁光碟、USB記憶體等之半導體記憶體)123的上述程式安裝於電腦而構成。記憶裝置121c、外部記憶裝置123係以電腦可讀取之記錄媒體之形式所構成。以下，亦將該等統一簡稱為記錄媒體。於本說明書中使用記錄媒體一詞之情況下，存在僅包含有記憶裝置121c之情況、僅包含有外部記憶裝置123之情況或包含有該等兩者之情況。再者，向電腦的程式之提供亦可不使用外部記憶裝置123，而使用網際網路、專用線路等之通信手段進行。
(2)基板處理裝置之動作
其次，按照圖10所示之基板處理裝置10中之基板處理流程，對本實施形態之基板處理裝置10之動作進行說明。
(大氣側搬入步驟S100)
首先，自EFEM18向載入鎖定室14a內移載未處理之晶圓1，且載入鎖定室14a內氣密地關閉。其後，打開閘閥361a，使載入鎖定室14a與搬送室12連通。
(第1搬送步驟S110)
繼而，機器人30驅動臂34a，於鉗子32a上接收載入鎖定室14a內之基板支撐體20所保持的晶圓1。其後，打開閘閥351a或351b，將在鉗子32a上所接收的晶圓1向第1處理室群116內或第2處理室群117內之任一者搬送。以下，對將晶圓1向第1處理室群116內搬入並處理之情況進行說明，但關於將晶圓1向第2處理室群117內搬入並處理之情況亦進行同樣之動作。
於處理室16a內對該被搬送的晶圓1進行處理之情況下，機器人30將保持晶圓1的鉗子32a插入至第1處理室群116內，且將該被搬送的晶圓1載置於基板保持台36a上。又，於處理室16b中對該被搬送的晶圓1進行處理之情況下，機器人30將保持晶圓1的鉗子32a插入至第1處理室群116內，且於機器人手臂40與鉗子32a之間進行該被搬送的晶圓1之交接。機器人手臂40係以將所接受的晶圓1載置於基板保持台36b上之方式進行動作。
此處，將利用機器人30將晶圓1自載入鎖定室14a或載入鎖定室14b內搬送至第1處理室群116或第2處理室群117內為止之步驟稱為第1搬送步驟S110。
如後述，本實施形態中，於第1搬送步驟S110中，利用控制器121以尤其是僅使用臂34a及鉗子32a，而不使用臂34b及鉗子32b之方式控制機器人30。
(基板處理步驟S120)
其後，若閘閥351a被關閉，則基板保持台36a、36b上之晶圓1藉由加熱器37a、37b分別被加熱，實施既定處理。本實施形態中，晶圓1升溫至400℃而執行退火處理。
(第2搬送步驟S130)
若在第1處理室群116內之處理結束，則閘閥351a被打開。機器人30驅動臂34b，將鉗子32b向處理室群116內插入，自基板保持台36a上接收經被處理的晶圓1或於基板保持台36b上自機器人手臂40接收經被處理的晶圓1。繼而，機器人30將被保持於鉗子32b上的處理結束之晶圓1自處理室群116內經由搬送室12內而向基板冷卻單元13a或基板冷卻單元13b之任一者搬送並裝填。以下，對將晶圓1向基板冷卻單元13a搬送之情況進行說明，但關於將晶圓1向基板冷卻單元13b搬送並冷卻之情況亦進行同樣之動作。
機器人30若將晶圓1搬送至基板冷卻單元13a，則將晶圓1載置於間隔件152a上。具體而言，機器人30係於晶圓1之下表面之高度較間隔件152a為高的狀態下使支撐有晶圓1的鉗子32b移動至基板冷卻板131a之上方。繼而，使鉗子32b向下方下降，藉此晶圓1被載置於間隔件152a上。
此處，將利用機器人30將晶圓1自第1處理室群116或第2處理室群117內搬送至基板冷卻單元13a或基板冷卻單元13b的步驟稱為第2搬送步驟S130。
如後述，本實施形態中，於第2搬送步驟S130中，利用控制器121尤其是以僅使用臂34b及鉗子32b而不使用臂34a及鉗子32a之方式控制機器人30。
(基板冷卻步驟S140)
被載置於基板冷卻板131a上的晶圓1於下表面與藉由在內部流動的冷媒所被冷卻的基板冷卻板131a接觸，藉此被冷卻至未滿既定溫度。本實施形態中將晶圓1冷卻至成為未滿200℃。
(第3搬送步驟S150)
若晶圓1被冷卻至未滿既定溫度而冷卻步驟結束時，則機器人30驅動上臂34a，將鉗子32a插入至基板冷卻單元13a內，於鉗子32a上接收被載置於基板冷卻板131a上之冷卻結束的晶圓1。
繼而，打開閘閥361b，將在鉗子32a上所接收的晶圓1向載入鎖定室14b內之空置狀態之基板支撐體20上移載。
此處，將利用機器人30將晶圓1自基板冷卻室13a或基板冷卻室13b內搬送至載入鎖定室14b內為止的步驟稱為第3搬送步驟S150。
如後述，本實施形態中，於第3搬送步驟S150中利用控制器121尤其是以僅使用臂34a及鉗子32a而不使用臂34b及鉗子32b之方式控制機器人30。
(大氣側搬出步驟S160)
重複如以上之處理動作，若載入鎖定室14b內之基板支撐體20接收既定數之處理結束之晶圓1，則關閉閘閥361b，將載入鎖定室14b內朝大氣打開。其後，將處理結束之晶圓1自載入鎖定室14b內向EFEM18移載，且藉由未圖示之外部搬送裝置搬出至外部。
(3)藉由機器人30所進行之基板搬送動作
繼而，使用圖11，對於上述第1～第3基板搬送步驟(S110、130、150)中之機器人30之動作，一面進行本實施形態與比較例的對比一面詳細敍述。圖11中之(A)所示之順序為本實施形態之機器人30之動作順序，(B)所示之順序為比較例之機器人30之動作順序。又，於圖11(A)(B)各者之順序中，上段表示藉由臂34a所進行之基板搬送動作，下段表示藉由臂34b所進行之基板搬送動作。
此處，本實施形態與比較例之間的不同點之一在於如下方面：本實施形態中臂34a具備有鉗子32a，相對於此，比較例中臂34a具備具有與鉗子32b相同之構成的鉗子(以下，為便於說明，將該鉗子稱為「鉗子32b'」)。即，比較例中，臂34a及臂34b之任一者均具備具有與鉗子32b相同之構成的鉗子32b'。
又，如後述，本實施形態中利用控制器121以如下方式控制機器人30，即，讓使用具備有鉗子32a的臂34a進行搬送時施加於晶圓1的加速度之最大值Va(最大加速度Va)大於使用具備有鉗子32b的臂34b進行搬送時施加於晶圓1的加速度之最大值Vb(最大加速度Vb)。另一方面，比較例中以使用具備有鉗子32b'的臂34a搬送晶圓1時的最大加速度Va'與使用具備有鉗子32b的臂34b搬送晶圓1時的最大加速度Vb'相同的方式控制機器人30，於此方面，本實施形態與比較例不同。關於其他之構成，比較例與本實施形態相同，故省略說明。
再者，本說明書中之所謂「加速度」係主要指晶圓1之搬送動作中於水平方向上所施加的加速度，但亦包含在第1支撐部322a或第2支撐部322b與晶圓1之下表面之間摩擦力所作用的於晶圓1之移動方向上所施加的加速度全部。
(第1基板搬送步驟)
本實施形態中，如上所述般利用控制器121以使用臂34a及鉗子32a執行第1基板搬送步驟S110，而不使用臂34b及鉗子32b執行本步驟之方式控制機器人30。又，此時，機器人30於使用臂34a搬送晶圓1時以施加於晶圓1的最大加速度Va成為加速度vh之方式驅動臂34a。
另一方面，比較例中，於本步驟中藉由具備有鉗子32b'的臂34a搬送晶圓1。此時，機器人30以使用臂34a搬送晶圓1時施加於晶圓1的最大加速度Va'成為較加速度vh小的加速度vl之方式驅動臂34a。
加速度vh係於使用鉗子32a進行第1基板搬送步驟S110及第3基板搬送步驟S150時在晶圓1與鉗子32a之間不發生偏移、滑動之條件下所被容許的加速度之最大值。加速度vl係於使用鉗子32b、32b'進行第2基板搬送步驟S130時在晶圓1與鉗子32b、32b'之間不發生偏移、滑動之條件下所被容許的加速度之最大值。
此處，所被容許的加速度之最大值vh及vl之差異係因第1基板搬送步驟S110及第3基板搬送步驟S150與第2基板搬送步驟S130之間之以下2點差異而產生。
＜因基板發生熱變形而產生之差異＞
首先，第1基板搬送步驟S110及第3基板搬送步驟S150與第2基板搬送步驟S130中，所被搬送之基板之溫度狀態存在有差異。具體而言，第2基板搬送步驟S130中係搬送在處理室16a、16b內之既定處理過程中被升溫之狀態的晶圓1。另一方面，第1基板搬送步驟S110及第3基板搬送步驟S150中係搬送在處理室16a、16b中升溫前的晶圓1或在基板冷卻單元13a、13b中被冷卻後的晶圓1。
此處，晶圓1通常於常溫下維持平面，但若被加熱，則存在有如下情況：晶圓1之正面及背面或面內發生溫度偏差，產生起因於此之歪斜或翹曲、波紋變形等。因此，在既定處理過程中被升溫之狀態的晶圓1(即，在第2基板搬送步驟S130中之晶圓1)，與在處理室16a、16b中被升溫前的晶圓1或在基板冷卻單元13a、13b中被冷卻後的晶圓1(即，在第1基板搬送步驟S110或第3基板搬送步驟S150中之晶圓1)相比，產生上述變形之可能性、該變形之程度則變大。
又，例如圖12所示，第2搬送步驟S130中，若以自晶圓1之中央側朝外緣側翹起之方式發生變形，則如圖中所示之點A般成為於第2支撐部322b之被限定的部分支撐晶圓1之背面的狀態。因此，晶圓1之背面與第2支撐部322b的接觸面積減少，與晶圓1之背面之間的摩擦力減少而保持力下降。又，若因保持力之下降，在搬送中於鉗子32b上產生晶圓1之位置偏移，則存在有如下情況：於晶圓1之背面與第2支撐部322b之間發生摩擦，對晶圓1之背面造成傷痕或產生微粒。
因此，為避免搬送中之晶圓1之位置偏移、伴隨其之摩擦之發生，在容易產生晶圓1之變形的第2基板搬送步驟S130中所被容許的最大之加速度vl小於相對地難以產生晶圓1之變形的第1基板搬送步驟S110及第3基板搬送步驟S150中所被容許的最大之加速度vh。換言之，根據本實施形態，可使相對地難以產生晶圓1之變形的第1基板搬送步驟S110及第3基板搬送步驟S150中的最大之加速度vh大於在第2基板搬送步驟S130中的最大之加速度vl。
又，因晶圓1被加熱而產生的變形通常有如下傾向：晶圓1之溫度越高越容易發生，且其程度亦容易變大。因此，亦可以如下方式進行設定，即，配合於處理室16a、16b中在被進行之既定處理中晶圓1所被升溫的溫度(處理溫度)，使第2搬送步驟S130中的最大之加速度vl不同。例如，亦可於處理溫度相對地變低之情況下以增大最大之加速度vl之方式進行變更，於處理溫度相對地變高之情況下以減小最大之加速度vl之方式進行變更。
＜因鉗子之構成所產生的差異＞
又，如上所述般藉由使用在第1支撐部322a上保持晶圓1的鉗子32a，而與使用在第2支撐部322b上保持晶圓1的鉗子32b、32b'之情況相比，可增大不發生晶圓1之偏移、滑動的加速度值。即，可設為vh＞vl。
本實施形態中，藉由設vh＞vl、最大加速度Va=vh、最大加速度Vb=vl而執行本步驟，可使本步驟中之晶圓1之搬送速度(搬送產能)最大化。另一方面，在比較例中設為最大加速度Va=Vb=vl而執行本步驟，因此於晶圓1之搬送速度(搬送產能)之觀點上差於本實施形態。如圖11中所示，關於本步驟結束為止所需之時間，比較例之情況長於本實施形態之情況。
再者，作為其他實施形態，加速度vh及vl分別無需為該條件下之最大值，只要至少vh＞vl即可。但，從使晶圓1之搬送產能最大化的觀點而言，理想的是如本實施形態般加速度vh、vl為該條件下的最大值。
此處，本步驟係在較晶圓1被加熱的基板處理步驟S120前進行執行，故所被搬送的晶圓1之溫度低於利用基板處理步驟S120所被加熱後的溫度。因此，本步驟中，即便使用鉗子32a搬送晶圓1，該鉗子32a以利用由橡膠材料所形成的墊所構成的第1支撐部322a保持晶圓1，亦基本無須考慮墊之變形、向晶圓1之下表面的貼附的課題。
換言之，本步驟中，使用臂34a及鉗子32a，僅搬送構成第1支撐部322a的墊之橡膠材料之耐熱溫度(以下，亦稱為第1溫度)以下之溫度的晶圓1。
(第2基板搬送步驟)
本實施形態中，如上所述般利用控制器121以使用臂34b及鉗子32b執行第2基板搬送步驟S130之方式控制機器人30。又，本步驟中，於比較例亦同樣地利用具備有鉗子32b的臂34b搬送晶圓1。因此，本步驟中，於本實施形態與比較例之任一者中，機器人30均以施加於晶圓1的最大加速度Vb成為加速度vl之方式(即，以成為Vb=vl之方式)驅動臂34b。
即，如圖11中所示，關於本步驟結束為止所需之時間，本實施形態之情況與比較例之情況相同。
此處，本步驟在較晶圓1被加熱的基板處理步驟S120後進行執行，故所被搬送的晶圓1之溫度高於利用基板處理步驟S120被加熱前的溫度。因此，於欲使用構成第1支撐部322a的墊為以橡膠材料所形成的鉗子32a搬送本步驟中之晶圓1之情況下，晶圓1之溫度超過該橡膠材料之耐熱溫度(第1溫度)，存在有發生墊之變形、墊向晶圓1之下表面的貼附的可能性。
本實施形態中，藉由控制器121以使用臂34b及鉗子32b執行本步驟而不使用臂34a及鉗子32a執行本步驟之方式控制機器人30。即，本步驟中，僅使用臂34b及鉗子32b搬送超過構成第1支撐部322a的墊之橡膠材料之耐熱溫度(第1溫度)之溫度的晶圓1。如此，本步驟中藉由以僅使用臂34b及鉗子32b之方式控制機器人30，可避免因在鉗子32a中使用橡膠材料所產生的上述課題。
(第3基板搬送步驟)
本實施形態中，與第1基板搬送步驟S110同樣地利用控制器121以使用臂34a及鉗子32a執行第3基板搬送步驟S150而不使用臂34b及鉗子32b執行本步驟之方式控制機器人30。又，此時，機器人30於使用臂34a搬送晶圓1時以施加於晶圓1的最大加速度Va成為加速度vh之方式驅動臂34a。
另一方面，比較例中，亦與第1基板搬送步驟S110同樣地於本步驟中利用具備有鉗子32b'的臂34a搬送晶圓1。此時，機器人30於使用臂34a搬送晶圓1時以施加於晶圓1的最大加速度Va'成為較加速度vh小的加速度vl之方式驅動臂34a。
因此，本實施形態中，與第1基板搬送步驟S110之情況同樣，藉由設vh＞vl、加速度Va=vh、加速度Vb=vl而執行本步驟，可使本步驟中之晶圓1之搬送速度(搬送產能)最大化。如圖11中所示，關於本步驟結束為止所需的時間，比較例之情況長於本實施形態之情況。
又，在本實施形態之本步驟中，與第1基板搬送步驟S110之情況同樣，使用臂34a及鉗子32a僅搬送第1溫度以下之溫度的晶圓1。
如以上，本實施形態中，對臂34a進行控制以使其執行自載入鎖定室14a向第1處理室群116搬送晶圓1的第1基板搬送步驟S110、與自基板冷卻室13a向載入鎖定室14b搬送晶圓1的第3基板搬送步驟S150，並且不執行自第1處理室群116向基板冷卻室13a搬送晶圓1的第2基板搬送步驟S130，且對臂34b進行控制以使其執行第2基板搬送步驟S130，並且不執行第1基板搬送步驟S110與第3基板搬送步驟S150。
又，在本實施形態之第1～第3基板搬送步驟S110、130、150中，構成為鉗子32a僅搬送構成第1支撐部322a的墊之橡膠材料之耐熱溫度(第1溫度)以下的晶圓1，且構成為鉗子32b僅搬送超過構成第1支撐部322a的墊之橡膠材料之耐熱溫度(第1溫度)的晶圓1。又，藉由控制器121控制機器人30以臂34a僅搬送第1溫度以下的晶圓1之方式進行驅動且以臂34b僅搬送超過第1溫度的晶圓1之方式驅動。
(4)本實施形態之效果
根據本實施形態，發揮以下所示之一個或複數個效果。
根據本實施形態，如圖11中所示，可使自第1基板搬送步驟S110中開始自載入鎖定室14a向第1處理室群116搬送晶圓1至第3基板搬送步驟S150中結束自基板冷卻室13a向載入鎖定室14b搬送晶圓1為止之期間之所需時間較比較例之情況縮短。即，可提高晶圓1之搬送產能，提高基板處理之生產性。
又，根據本實施形態，作為形成構成鉗子32a的第1支撐部322a的材料，容許使用耐熱溫度低的材料，因此可增大使用材料之自由度。例如，可藉由如橡膠材料般之保持晶圓1之力大(即，摩擦係數大)的材料構成第1支撐部322a。
又，根據本實施形態，可抑制構成第1支撐部322a的墊之變形，因此可減少墊等之零件的更換之頻率。
又，根據本實施形態，可避免構成第1支撐部322a的墊貼附於晶圓1之下表面，因此可防止因貼附所引起之搬送錯誤之發生、晶圓1之品質下降等。
又，根據本實施形態，因於具備有基板冷卻室13a、13b的基板處理裝置10中進行基板搬送動作，故與在不具備有基板冷卻室13a、13b的基板處理裝置中進行基板搬送動作之情況相比，執行搬送低溫之晶圓1的步驟的頻率相對地大於執行搬送如剛被加熱處理後之晶圓1般的高溫之晶圓1的步驟的頻率。因此，藉由增大在搬送如第1溫度以下般之低溫之晶圓1的步驟中的搬送速度，可更有效地提高晶圓1之搬送產能。
若使用如以上之本實施形態之基板處理裝置10製造半導體裝置，能以高效率進行半導體裝置之製造。
又，第1實施形態中，對設置有圓柱狀之墊作為構成第1支撐部322a的凸部之例進行了說明，但本揭示並不限定於該形態。即，作為構成第1支撐部322a的凸部，亦可藉由形成為圓環狀之構件所構成。更具體而言，形成為圓環狀的構件亦可藉由O形環所構成。圖13中，表示出在鉗子32a中藉由O形環構成第1支撐部322a'的例。O形環之頂面之高度係與上述實施形態中之墊同樣，分別形成為較導引側壁324a低。
又，構成第1支撐部322a的凸部之形狀並不限於圓柱狀，亦可為角柱狀或圓弧狀等之各種形狀。
＜本揭示之第2實施形態＞
又，本揭示之第2實施形態中，於第1實施形態中之第2搬送步驟S130之後，進而進行利用基板冷卻單元13a、13b將鉗子32b冷卻的鉗子冷卻步驟S200。
(鉗子冷卻步驟S200)
第1實施形態中，第2搬送步驟S130中將晶圓1載置於間隔件152a上時，進行使鉗子32b向下方下降的動作，但本步驟中，以如下方式控制機器人30，即，將晶圓1載置於間隔件152a上之後，進而使鉗子32b移動至冷卻板131a之下方的位置，且將鉗子32b於該位置維持既定時間。具體而言，將晶圓1載置於間隔件152a上之後，使鉗子32a直接垂直下降至較冷卻板131a之下表面為低的位置，且使鉗子32b於該位置僅停止既定時間。再者，本說明書中所謂冷卻板131a之下方係指包含被設於冷卻板131a之用於使鉗子32b於下方通過的缺口之下方的位置。
藉由進行本步驟，可將因被支撐於鉗子32b上的晶圓1而溫度所上升的鉗子32b急速地冷卻。藉由將鉗子32b冷卻，可抑制因熱所引起之鉗子32a之變形、劣化。
使鉗子32a維持在冷卻板32a之停止狀態的上述既定時間只要為可將鉗子32b實質上冷卻的時間即可，若該時間過長，則存在有如下可能性：使搬送產能下降，或於搬送晶圓1時因被過冷卻的鉗子32b而使晶圓1產生顯著之溫度偏差。因此，例如可設為5～60秒。
又，本實施形態中，對使鉗子32b於冷卻板131a之下方停止的例進行了說明，但亦可根據基板冷卻單元13a之構成，使鉗子32b於冷卻板131a之上方停止。
再者，本實施形態中，因於搬送室12內設有基板冷卻單元13a、13b，故可一面將晶圓1冷卻，一面並行地藉由基板冷卻單元13a、13b將鉗子32b繼續冷卻。
＜本揭示之第3實施形態＞
又，本揭示之第3實施形態中，利用控制器121特別是以臂34a、34b之任一者均不執行於處理室群116內與處理室群117內之間搬送晶圓1的動作之方式控制機器人30。藉由如此般控制機器人30，尤其於臂34b搬送在處理室群116、117內被升溫的晶圓1時，僅進行如基板搬送步驟S130般將晶圓1搬送至基板冷卻單元13a、13b之動作，因此可防止因連續搬送被升溫的晶圓1而將鉗子32b過度地加熱。
＜本揭示之其他實施形態＞
上述實施形態中，列舉了基板處理裝置10為退火裝置之情況為例，但本揭示並不限定於該形態。即，本揭示不論處理室內之處理內容，只要是於該處理室內產生基板之升溫者，便亦可應用於進行例如成膜處理、蝕刻處理、擴散處理、氧化處理、氮化處理、灰化處理等之其他處理的裝置。
又，上述實施形態中，列舉了分別於臂34a設有一個鉗子32a，於臂34b設有一個鉗子32b之情況為例，但本揭示並不限定於該形態。即，臂34a、34b亦可構成為分別具有複數個鉗子。
又，上述實施形態中，列舉了機器人30具有2根之臂34a、34b之情況為例，但本揭示並不限定於該形態。即，機器人30亦可構成為具有臂34a、34b以外之其他基板搬送用臂。
又，上述實施形態中，對如下例進行了說明，即，以使於第1基板搬送步驟S110中搬出晶圓1的載入鎖定室與於第3基板搬送步驟S150中搬入晶圓1的載入鎖定室1不同之方式進行基板搬送動作，但本揭示並不限定於該形態。即，亦可將在第1基板搬送步驟S110及第3基板搬送步驟S150中搬出、搬入晶圓1的載入鎖定室設為同一者而進行基板搬送。
又，上述實施形態中，列舉了作為搬送對象物的基板為晶圓1之情況為例，但本揭示並不限定於該形態。即，本揭示中成為搬送對象物的基板亦可為光罩或印刷配線基板、液晶面板等。
如以上，本揭示能以各種形態被實施，因此本揭示之技術範圍並不限定於上述實施形態。例如，在上述實施形態中所說明的基板處理裝置10之構成(例如處理室群116、117等之構成)僅為一具體例，自不用說可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變更。
1:晶圓
10:基板處理裝置
11:殼體
12:搬送室
13a、13b:基板冷卻室
14a、14b:載入鎖定室
16a、16b、17a、17b:處理室
18:EFEM
20:基板支撐體
30:機器人
32a、32b:鉗子
34a、34b:臂
36a、36b:基板保持台
37a、37b:加熱器
40:機器人手臂
46:間隔構件
48:連接空間
116:第一處理室群
117:第二處理室群
121:控制器
121a:CPU
121b:RAM
121c:記憶裝置
121d:I/O端口
121e:內部匯流排
122:輸入輸出裝置
123:外部記憶裝置
131a、131b:基板冷卻板
152a:間隔件
153a:冷媒流路
155:冷媒供給單元
321a、321b:指狀板
322a、322a':第1支撐部
322b:第2支撐部
324a、324b:導引側壁
351a、351b、361a、361b:閘閥
圖1係本揭示之一實施形態之基板處理裝置之概略構成圖。
圖2係圖1所示之基板處理裝置之局部垂直剖面圖。
圖3係圖1所示之基板處理裝置之其他之局部垂直剖面圖。
圖4係自上方觀察本揭示之一實施形態之基板冷卻單元之構成圖。
圖5係自側方觀察本揭示之一實施形態之基板冷卻單元之剖面構成圖。
圖6係本揭示之一實施形態之基板搬送裝置之概略構成圖。
圖7係表示本揭示之一實施形態之鉗子之一例的立體圖。
圖8係表示本揭示之一實施形態之其他之鉗子之一例的立體圖。
圖9係表示本揭示之一實施形態之基板處理裝置之控制器之構成例的方塊圖。
圖10係表示本揭示之一實施形態之基板處理步驟之概要的流程圖。
圖11(A)及(B)係對藉由本揭示之一實施形態之基板搬送裝置所進行之基板搬送之順序、及藉由比較例之基板搬送裝置所進行之基板搬送之順序進行比較之順序圖。
圖12係表示在本揭示之一實施形態之鉗子上搬送熱變形之基板時的狀態之一例之剖面圖。
圖13係表示本揭示之其他之實施形態之鉗子之一例之立體圖。
1:晶圓
10:基板處理裝置
11:殼體
13a、13b:基板冷卻室
14a、14b:載入鎖定室
16a、16b、17a、17b:處理室
18:EFEM
36a、36b:基板保持台
40:機器人手臂
48:連接空間
116:第一處理室群
117:第二處理室群
121:控制器
351a、351b、361a、361b:閘閥
Claims (10)
- 一種基板處理裝置，其具備有：基板搬送裝置，其構成為分別藉由對第1基板搬送臂與第2基板搬送臂進行驅動而搬送基板；搬送室，其於內部配置有上述基板搬送裝置及對上述基板進行冷卻所構成的基板冷卻單元；複數個基板處理室，其被配置為與上述搬送室鄰接，且構成為對上述基板進行加熱的處理；載入鎖定室，其被配置為與上述搬送室鄰接；及控制部，其對上述基板搬送裝置進行控制；上述控制部構成為：控制上述第1基板搬送臂，執行將上述載入鎖定室內之上述基板向上述基板處理室內搬送的第1搬送處理、及將被載置於上述基板冷卻單元的上述基板向上述載入鎖定室內搬送的第3搬送處理；控制上述第2基板搬送臂，執行將上述基板處理室內之上述基板以載置於上述基板冷卻單元之方式搬送的第2搬送處理；以在上述第1搬送處理與上述第3搬送處理中施加於上述基板的加速度之最大值大於在上述第2搬送處理中施加於上述基板的加速度之最大值之方式控制上述第1基板搬送臂及上述第2基板搬送臂；以不執行自上述複數個基板處理室之一個向上述複數個基板處理室之其他之一個搬送上述基板的動作之方式控制上述第1基板搬送臂及上述第2基板搬送臂。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為以如下方式控制上述基板搬送裝置：利用上述第1基板搬送臂僅搬送第1溫度以下的上述基板；利用上述第2基板搬送臂僅搬送超過上述第1溫度的上述基板。
- 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述第1基板搬送臂具備有第1基板保持具，其構成為將上述基板自下表面支撐而保持；上述第2基板搬送臂具備有第2基板保持具，其構成為將上述基板自下表面支撐而保持；上述第1基板保持具具有：第1板狀體，係為上述基板之支撐基體；及第1支撐部，其藉由被配置於上述第1板狀體之面上的複數個凸部所構成，且構成為將上述基板自下表面支撐；上述第2基板保持具具有：第2板狀體，成為上述基板之支撐基體；及第2支撐部，其藉由被配置於上述第2板狀體之面上的複數個凸部所構成，且構成為將上述基板自下表面支撐；且上述第1支撐部藉由與上述基板之下表面之間的摩擦係數較構成上述第2支撐部的材料為大的材料所構成。
- 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述第1支撐部藉由橡膠材料所構成。
- 如請求項4之基板處理裝置，其中，上述第2板狀體藉由陶瓷材 料或碳化矽所構成。
- 如請求項3之基板處理裝置，其中，構成上述第1支撐部的材料之耐熱溫度低於構成上述第2支撐部的材料之耐熱溫度。
- 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述第1溫度為構成上述第1支撐部的材料之耐熱溫度。
- 一種基板處理裝置，其具備有：基板搬送裝置，其構成為分別藉由對第1基板搬送臂與第2基板搬送臂進行驅動而搬送基板；搬送室，其於內部配置有上述基板搬送裝置及對上述基板進行冷卻所構成的基板冷卻單元；基板處理室，其被配置為與上述搬送室鄰接，且構成為對上述基板進行加熱的處理；載入鎖定室，其被配置為與上述搬送室鄰接；及控制部，其對上述基板搬送裝置進行控制；上述基板冷卻單元具有基板冷卻板及基板保持部，該基板保持部構成為於上述基板冷卻板之上方或下方保持上述基板；上述控制部構成為：控制上述第1基板搬送臂，執行將上述載入鎖定室內之上述基板向上述基板處理室內搬送的第1搬送處理、及將被載置於上述基板冷卻單元的上述基板向上述載入鎖定室內搬送的第3搬送處理；控制上述第2基板搬送臂，執行將上述基板處理室內之上述基板以載置於上述基板冷卻單元之方式搬送的第2搬送處理； 以在上述第1搬送處理與上述第3搬送處理中施加於上述基板的加速度之最大值大於在上述第2搬送處理中施加於上述基板的加速度之最大值之方式控制上述第1基板搬送臂及上述第2基板搬送臂；於上述第2搬送處理中，以如下方式控制上述第2基板搬送臂，即，藉由上述基板保持部使上述基板保持在上述基板冷卻板之上方或下方之後，構成上述第2基板搬送臂的第2基板保持具維持於在上述基板冷卻板之上方或下方停止既定時間的狀態。
- 一種半導體裝置之製造方法，其具有在基板處理裝置中搬送基板的步驟，該基板處理裝置具備有：基板搬送裝置，其構成為分別藉由對第1基板搬送臂與第2基板搬送臂進行驅動而搬送上述基板；搬送室，其於內部配置有上述基板搬送裝置及對上述基板進行冷卻所構成的基板冷卻單元；複數個基板處理室，其被配置為與上述搬送室鄰接，且構成為對上述基板進行加熱的處理；及載入鎖定室，其被配置為與上述搬送室鄰接；搬送上述基板之步驟具有：第1搬送步驟，其係使用上述第1基板搬送臂且不使用上述第2基板搬送臂，將上述載入鎖定室內之上述基板向上述基板處理室內搬送；第2搬送步驟，其係使用上述第2基板搬送臂且不使用上述第1基板搬送臂，將上述基板處理室內之上述基板以載置於上述基板冷卻單元之方式搬送；及第3搬送步驟，其係使用上述第1基板搬送臂且不使用上述第2基板搬送 臂，將被載置於上述基板冷卻單元的上述基板向上述載入鎖定室內搬送；以不執行自上述複數個基板處理室之一個向上述複數個基板處理室之其他之一個搬送上述基板的動作之方式控制上述第1基板搬送臂及上述第2基板搬送臂；以在上述第1搬送步驟與上述第3搬送步驟中施加於上述基板的加速度之最大值大於在上述第2搬送步驟中施加於上述基板的加速度之最大值之方式控制上述第1基板搬送臂及上述第2基板搬送臂。
- 一種記錄媒體，其係記錄有如下程式且可利用電腦讀取者，該程式係利用電腦使基板處理裝置執行在上述基板處理裝置中搬送基板的程序，該基板處理裝置具備有：基板搬送裝置，其構成為分別藉由對第1基板搬送臂與第2基板搬送臂進行驅動而搬送上述基板；搬送室，其於內部配置有上述基板搬送裝置及對上述基板進行冷卻所構成的基板冷卻單元；複數個基板處理室，其被配置為與上述搬送室鄰接，且構成為對上述基板進行加熱的處理；及載入鎖定室，其被配置為與上述搬送室鄰接；搬送上述基板的程序具有：第1搬送程序，其係使用上述第1基板搬送臂且不使用上述第2基板搬送臂，將上述載入鎖定室內之上述基板向上述基板處理室內搬送；第2搬送程序，其係使用上述第2基板搬送臂且不使用上述第1基板搬送臂，將上述基板處理室內之上述基板以載置於上述基板冷卻單元之方式搬送；及第3搬送程序，其係使用上述第1基板搬送臂且不使用上述第2基板搬送臂，將被載置於上述基板冷卻單元的上述基板向上述載入鎖定室內搬送；以不執行自上述複數個基板處理室之一個向上述複數個基板處理室之其他 之一個搬送上述基板的動作之方式控制上述第1基板搬送臂及上述第2基板搬送臂；以在上述第1搬送程序與上述第3搬送程序中施加於上述基板的加速度之最大值大於在上述第2搬送程序中施加於上述基板的加速度之最大值之方式控制上述第1基板搬送臂及上述第2基板搬送臂。
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