TWI449112B - 平板、具有平板之基板之溫度調整裝置以及用以處理具有平板之基板之裝置 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種平板、具有平板之基板之溫度調整裝置以及用以處理具有平板之基板之裝置，且特別是有關於一種用以整體性且均勻地調整基板溫度之平板、具有平板之基板之溫度調整裝置以及用以處理具有平板之基板之裝置。
在半導體處理技術中，半導體元件之製造可透過對半導體基板進行不同處理而完成。舉例來說，可對半導體基板進行熱處理以製造所需之半導體元件。
半導體基板可加熱至一預定溫度以進行熱處理。在進行熱處理之後，半導體基板可冷卻至一預定溫度。
用以調整半導體基板之溫度調整裝置可包括一平板，用以支撐半導體基板並用以加熱或冷卻半導體基板。平板可包括一主體。主體之上表面係用以支撐半導體基板，且主體內具有一通道，使得流體得以通過通道，以加熱或冷卻半導體基板。
通道可包括一入口跟一出口。某一部分之半導體基板之溫度可能比另一部份半導體基板之溫度來得高或低。此處所指之某一部分之半導體基板係為位於接近通道入口之部分主體，而另一部份之半導體基板係為位於接近通道出口之部分主體。因此，半導體基板可能並非整體地被均
勻加熱或冷卻，因而降低了半導體基板之產量。此外，加熱或冷卻半導體基板至所需溫度之時間可能因此而增加。
本發明之實施例係提供一種平板，用以整體性且均勻地調整基板之溫度。
本發明之實施例係提供一種具有平板之裝置，能夠整體性且均勻地調整基板之溫度。
本發明之實施例係提供一種用以處理基板之裝置，包括一平板，能夠整體性且均勻地調整基板之溫度。
根據本發明提出一種用以調整基板溫度之平板，此平板包括一主體、一第一通道及一第二通道。主體係用以支撐基板。第一通道係配置於主體內且具有一第一入口及一第一出口，使得第一流體得以通過第一通道，用以調整基板之溫度。第二通道係配置於主體內且具有一第二入口及一第二出口。第一入口鄰近於第一出口，且第二出口鄰近於第一入口。第二流體係通過第二通道以調整基板之溫度。
本發明之實施例中，第一入口及第一出口可配置於主體之側表面部分且彼此相對。此外，第二入口及第二出口可配置於主體之側表面部分且彼此相對。
本發明之實施例中，第一通道及第二通道各包括二分叉之次通道。此些次通道係對稱於主體之中心而配置。
本發明之實施例中，第一通道之次通道可分叉於鄰近
於第一入口之一點且匯集於鄰近於第一出口之一點。第二通道之次通道可分叉於鄰近於第二入口之一點且匯集於鄰近於第二出口之一點。
本發明之實施例中，第一通道及第二通道可緊密相連地配置。
本發明之實施例中，一隔熱件可配置於第一通道及第二通道之間，用以阻隔第一流體及第二流體間之熱傳導。
本發明之實施例中，第一通道及第二通道各具有一彎曲之形狀。
根據本發明提出一種用以調整基板溫度之裝置。裝置包括一平板及一流體供應部。平板可包括包括一主體、一第一通道及一第二通道。主體係用以支撐基板。第一通道係配置於主體內且具有一第一入口及一第一出口，使得第一流體得以通過第一通道，用以調整基板之溫度。第二通道係配置於主體內且具有一第二入口及一第二出口。第二入口鄰近於第一出口，且第二出口鄰近於第一入口。第二流體係通過第二通道以調整基板之溫度。流體供應部為平板供應第一流體及第二流體。
本發明之實施例中，第一入口及第一出口可配置於主體之側表面部分且彼此相對。此外，第二入口及第二出口可配置於主體之側表面部分且彼此相對。
本發明之實施例中，第一通道及第二通道可包括二分叉之次通道。此些次通道係對稱於主體之一中心而配置。
本發明之實施例中，第一通道之次通道可分叉於鄰近
於第一入口之一點且匯集於鄰近於第一出口之一點。第二通道之次通道可分叉於鄰近於第二入口之一點且匯集於鄰近於第二出口之一點。
本發明之實施例中，第一通道及第二通道可緊密相連地配置。
本發明之實施例中，一隔熱件可配置於第一通道及第二通道之間，用以阻隔第一流體及第二流體間之熱傳導。
本發明之實施例中，一流量調整部可配置於第一入口、第二入口及流量供應部之間，用以調整第一流體及第二流體之流量。第一流體及第二流體係分別地供應給第一通道及第二通道。
本發明之實施例中，流量調整部可包括一電動閥。
本發明之實施例中，一溫度量測部可量測第一流體及第二流體之溫度。第一流體及第二流體係分別地供應給第一通道及第二通道。
本發明之實施例中，供應給第一通道之第一流體之溫度可等於供應給第二通道之第二流體之溫度。
本發明之實施例中，數個頂升銷係可移動式地穿過主體而配置於一垂直方向。頂升銷可將基板載入主體，且由主體卸載基板。
本發明之實施例中，頂升銷可連接至一驅動部，用以於垂直方向上移動頂升銷。
根據本發明提出一種用以處理基板之裝置。裝置包括一熱處理單元及溫度調整單元。熱處理單元係用以熱處理
基板，溫度調整單元係用以調整被熱處理單元熱處理過之基板。溫度調整單元包括一平板及一流體供應部。平板可包括包括一主體、一第一通道及一第二通道。主體係用以支撐基板。第一通道係配置於主體內且具有一第一入口及一第一出口，使得第一流體得以通過第一通道，用以調整基板之溫度。第二通道係配置於主體內且具有一第二入口及一第二出口。第二入口鄰近於第一出口，且第二出口鄰近於第一入口。第二流體係通過第二通道以調整基板之溫度。流體供應部可為平板供應第一流體及第二流體。
根據本發明之實施例，平板可包括第一通道及第二通道，使得第一流體及第二流體可分別通過此些通道，用以調整基板之溫度。第一通道可具有第一入口及第一出口。第二通道可具有第二入口及第二出口。第二入口鄰近於第一出口，且第二出口鄰近於第一入口。此外，第一通道及第二通道可緊密相連地配置於平板之主體內。因此，由主體支撐之基板可整體性且均勻地被調整。
為讓本發明之上述內容能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
以下將參照所附圖式說明本發明之實施例。然而，本發明可以不同形式實施，且不限於文中之實施例。實施例之提供係用以完全揭露本發明，使得本發明所屬技術領域中具有通常知識者可完全了解。在所附圖式中，為了更清
楚地說明本發明，層及區域之尺寸及相對尺寸可能被較誇張地繪示。
可了解的是，當敘述一元件位於另一元件上，或敘述一元件連接至另一元件時，此元件可直接配置於另一元件上，或有再一元件位於兩者之間。相反地，當敘述一元件直接位於另一元件上，或敘述一元件直接與另一元件連接時，兩者之間並無其他元件。圖式中相似之元件係以相似之標號標示。以下所用之「且/或」包括所列舉之所有項目之任一項目及任一組合。
可了解的是，雖然使用第一、第二、第三等用語描述不同之元件、成分、區域、層且/或部分，此些元件、成分、區域、層且/或部分並不限於此些用語。此些用語僅用以區別不同之元件、成分、區域、層且/或部分。因此，以下所述之第一元件、成分、區域、層且/或部分可被稱為第二元件、成分、區域、層且/或部分，並不脫離所揭露之精神。
文中所使用之空間相對用語，例如是「下」、「上」或相似之用語，係用以描述圖中一元件或特徵與另一元件或特徵之關係。可了解的是，在圖式中所描述之方位之外，空間相對用語亦包括了裝置之不同方位。舉例來說，當一圖式中之裝置被翻轉時，被描述為在其他元件「下」或「之下」之元件，會被描述為在其他元件「上」或「之上」。因此，用以舉例之用語「下」包括了上及下兩種方位。裝置亦可依不同方位繪示(旋轉90度或依另一方位繪示)，文中所使用之空間相對用語係依照所示之方位而描述。
文中使用之用以描述特定實施例之用語並非用以限制本發明。除非有特別說明，文中所用之「一」及「此」之單數形式，亦包括複數之形式。亦可了解的是，此說明書中所用之「包括」及「包含」，係用以指出所述之特徵、整數、步驟、操作、元件且/或成分，但並非排除其他任何特徵、整數、步驟、操作、元件、成分且/或其群組。
除非特別定義，文中所用之所有之用語(包括技術性及科學性之用語)之意義，係與本發明所屬技術領域中之具有通常知識者所一般性地了解之意義相同。可進一步了解的是，除非特別定義，本發明所揭露內容中之用語意義當被視為與相關技藝範疇中之用語意義一致，而非視為理想化或過度正式之用法。此處所謂之用語例如是定義於常用之字典中之用語。
本發明之實施例係參照圖式之剖面圖而描述，此些圖式係繪示本發明之理想實施例之示意圖。可預期的是圖式之形狀會有所誤差。此些差異例如是由製造技術及/或誤差所造成。因此，本發明之實施例不應限於特定之形狀，而應包括例如由製造所造成之差異。圖式中所繪示之區域係為概要式的，且此些形狀並非用以描述區域之準確形狀，更並非用以限縮本發明之範圍。
第1圖繪示依照本發明之實施例之用以處理基板之裝置之平面圖。第2圖繪示第1圖之基板處理裝置之第一處理區塊之側視圖。第3圖繪示第1圖之基板處理裝置之第二處理區塊之側視圖。
請參照第1圖至第3圖，根據本發明之一實施例，基板處理裝置10可用以處理一半導體基板，例如是矽晶圓。舉例來說，裝置10可用以進行一塗佈製程(coating process)，以在基板上形成光阻層或底部抗反射層(bottom anti－reflective coating,BARC)。在進行用以轉錄電路圖案至光阻層之曝光製程之後，基板10可用以進行顯影製程，以在基板上形成光阻圖案。此外，基板10可用以進行烘烤製程，以硬化光阻層或光阻圖案，或用以進行其他類似製程。
基板處理裝置10可包括用以處理基板之基板處理模組20、用以傳輸基板之基板傳輸模組30以及配置於基板處理模組20及曝光裝置2之間之介面模組40。
基板傳輸模組30可包括數個載入埠32，用以支撐容器4。每一個基板係於容器4中被接收，且基板傳輸模組30可於容器4及基板處理模組20間傳輸基板。舉例來說，一前開式通用晶圓盒(front－opening unified pod,FOUP)可放置於每一個載入埠32上。
基板傳輸室34可連接至基板處理模組20。一基板傳輸機械36可配置於基板傳輸室34內。基板傳輸機械36可在水平及垂直方向上移動，例如是在X軸方向、Y軸方向及Z軸方向上移動。此外，基板傳輸機械36之機械手臂可旋轉、伸展及縮短。風扇過濾單元38可配置於基板傳輸室34之上部之內，以提供淨化之空氣進入基板傳輸室34中。
基板處理模組20可包括第一處理區塊100。第一處理區塊100可用光阻成分或抗反射材料塗佈基板，用以於基板上形成一光阻層或一底部抗反射層。此外，第一處理區塊100可於基板上顯影一光阻層，且曝光裝置2係於基板上進行曝光製程。
第一處理區塊100可包括數個堆疊為數層之上單元區塊110及下單元區塊130。上單位區塊110可包括數個塗佈單元。下單元區塊130可包括數個顯影單元。或是，上單位區塊110可包括數個曝光單元，而下單位區塊130可包括數個塗佈單元。
如圖所示，第一處理區塊100可包括兩個上單元區塊110及兩個下單元區塊130。然而，本發明之範圍並不限制上單位區塊110及下單位區塊130之數目。
依照本發明之一實施例，每一個上單位區塊110可包括第一塗佈單元112及第二塗佈單元114。第一塗佈單元112係用以形成底部抗反射層，且第二塗佈單元114係用以形成光阻層。第一塗佈單元112及第二塗佈單元114可於X軸方向上排列。依照本發明之另一實施例，每一個上單元區塊110可包括數個塗佈單元，排列於一水平方向，例如是排列於X軸方向。每一個塗佈單元可用以於基板上形成光阻層。
每一個下單元區塊130可包括數個顯影單元132，排列於X軸方向上。每一個顯影單元132可用以於基板上顯影一光阻層，且曝光裝置2係於基板上進行曝光製程。
依照本發明之一實施例，中單元區塊150可配置於上單元區塊110及下單元區塊130之間。中單元區塊150可選擇性地包括塗佈單元及顯影單元。舉例來說，中單元區塊150可包括數個塗佈單元或顯影單元。中單位區塊150可包括一塗佈單元及數個顯影單元，或包括數個塗佈單元及一顯影單元。此外，中單位區塊150亦可包括數個塗佈單元及數個顯影單元。
如圖所示，中單位區塊150包括一塗佈單元152及兩顯影單元154。然而，本發明並不限制中單位區塊150之配置，例如是本發明並不限制塗佈單元及顯影單元之數目。
具體地來說，中單位區塊150之塗佈單元及顯影單元係可分開地配置於上單元區塊110及下單元區塊130之間。亦即，中單位區塊150之配置可根據預定之處理方法而改變。因此可改善基板處理裝置10之生產能力。
基板處理模組20可包括一第二處理區塊200，相對於第一處理區塊100。第二處理區塊200可包括數個排列於X軸方向之單元區塊，用以熱處理半導體基板。
基板傳輸區塊300可配置於第一處理區塊100及第二處理區塊200之間，用以傳輸基板。傳輸機械310及320可配置於基板傳輸區塊300內，用以傳輸基板。舉例來說，一上傳輸機械310及一下傳輸機械320可配置於基板傳輸區塊300內。
第二處理區塊200可包括第一單元區塊210、第二單
元區塊230及第三單元區塊250。第二單元區塊230可配置於第一單元區塊210及第三單元區塊250之間。第一單元區塊210及第三單元區塊250可包括數個加熱單元212、214、252及254，用以加熱基板。第二單元區塊230可包括數個熱處理區塊232及234，用以加熱及冷卻基板。加熱單元212、214、252及254以及熱處理單元232及234可於垂直方向上堆疊。
第一加熱單元212可配置於第一單元區塊210之上部內，且第二加熱單元214可配置於第一單元區塊210之下部內。第三加熱單元252可配置於第三單元區塊250之上部內。第四加熱單元254可配置於第三單元區塊250之下部內。然而，本發明並不限制加熱單元212、214、252及254之位置。
基板處理模組20可進一步包括第三處理區塊400及第四處理區塊500，用以調整基板溫度。第三處理區塊400及第四處理區塊500可配置於基板傳輸區塊300之兩側，且排列於第一處理區塊100及第二處理區塊200之排列方向之垂直方向，亦即，X軸方向。更詳細地來說，第三處理區塊400及第四處理區塊500可分別配置於基板傳輸模組30、基板傳輸區塊300及介面模組40之間。
第三處理區塊400及第四處理區塊500可用以冷卻被第二處理區塊200加熱之基板。舉例來說，每一個第三處理區塊400及第四處理區塊500可包括數個溫度調整單元600，用以冷卻基板至一預定溫度，例如是約攝氏23度。
溫度調整單元600可堆疊為數層。
此外，當上熱處理單元232或下熱處理單元234之冷卻板冷卻基板之後，第三處理區塊400及第四處理區塊500可用以輔助冷卻此些基板至約攝氏23度。上熱處理單元232或下熱處理單元234之冷卻板可先冷卻基板至約攝氏30度至50度。
每一個溫度調整單元600可包括一冷卻室(未顯示於圖式中)及一配置於冷卻室之平板。藉由通過平板之主體的流體，可使得平板之溫度維持在約攝氏23度。流體可用以當作用以冷卻基板之冷卻劑。此外，可提供用以傳輸基板之一閘門，且閘門係位於靠近基板傳輸區塊300之冷卻室之一側壁。
雖然未繪示於圖式中，平板可用以加熱基板。舉例來說，平板可用以加熱位於加熱單元212、214、252及254及/或熱處理單元232及234內之基板。
再者，第三處理區塊400及第四處理區塊500可包括第一傳輸台410及第二傳輸台510，分別用以接收半導體基板。每一個第一傳輸台410及第二傳輸台510可配置於溫度調整單元600之間。舉例來說，第一傳輸台410及第二傳輸台510可於水平方向上鄰近於第一處理區塊100之中單元區塊150。
介面模組40可配置於第四處理區塊500及曝光裝置2之間。一介面機械42可配置於介面模組40內，用以於基板處理模組20及曝光裝置2之間傳輸基板。介面機械
42可於垂直方向上移動，且介面機械之一機械手臂可旋轉、延伸及縮短以傳輸基板。
進一步來說，一邊緣曝光單元44及一接收台46可配置於介面模組40內。邊緣曝光單元44可用以由基板之邊緣部分移除光阻層之邊緣部分。在曝光製程之前或之後，基板可於接收台46內處於準備就緒之狀態。邊緣曝光單元44及接收台46可於Y軸方向上配置於彼此相對之位置，且以介面機械42為中心。
第4圖繪示第3圖之溫度調整單元之前視圖。第5圖繪示第3圖之溫度調整單元之另一例之立體圖。
請參照第4圖，每一個溫度調整單元600可包括數個頂升銷(lift pin)622，係於垂直方向上可移動式地穿過平板610而配置，用以載入或卸載半導體基板。
頂升銷622可穿過平板610之主體620，且平板610係用以支撐基板。舉例來說，頂升銷622係於垂直方向上可移動式地穿過平板610之主體620。此外，一驅動部624可配置於平板610下。驅動部624可連接頂升銷622，用以於垂直方向上移動頂升銷622。頂升銷622可將基板載入於主體620之上表面，並將基板由主體620之上表面卸載。
舉例來說，頂升銷622可向上移動，以支撐由上傳輸機械310或下傳輸機械320運送之基板。頂升銷622亦可向下移動，以將基板載入平板610之主體620上。當調整基板溫度之後，頂升銷622可向上移動，以由平板610之
主體620卸載基板，且基板可由上傳輸機械310或下傳輸機械320運送出去。
如上所述，雖然平板610係用以冷卻基板，平板610亦可用以加熱基板。舉例來說，平板610可用以加熱位於加熱單元212、214、252及254以及熱處理單元232及234內之基板。
請參照第5圖，每一個溫度調整單元600可包括一升降件700及驅動部706。升降件700係用以升降基板以載入或卸載基板，驅動部706係連接至升降件700。
升降件700可為具有開口之圓環狀，例如是馬蹄狀或是一般的C形。升降件700之開口部702可用以防止升降件700干擾上傳輸機械310或下傳輸機械320之機械手臂(未顯示於圖式中)，且開口部702可朝向冷卻室之閘門。數個凸部704可配置於升降件700之內表面，用以支撐基板。
平板610可為對應於基板之碟狀。數個溝槽626可形成於平板610之外表面部分之垂直方向上，使得凸部704可通過此些溝槽626。上傳輸機械310及下傳輸機械320運送之基板可藉由升降件700從上傳輸機械310或下傳輸機械320升降。之後，升降件700可向下移動以將基板載入平板610。升降件700可升降平板610所支撐之基板，且平板610可稍後由上傳輸機械310或下傳輸機械320送出冷卻室。
驅動部706可於水平方向上配置於平板610之一側，
且可與升降件700連接。因此，與使用頂升銷622之情況相較，溫度調整單元600之高度可被減少。
第6圖繪示第3圖之平板之平面圖。第7圖繪示第6圖之A部分之一例之部分放大圖。第8圖繪示第6圖之A部分之另一例之部分放大圖。
請參照第6圖及第7圖，根據本發明之某些實施例，平板610可包括主體620、第一通道630及第二通道640，使得流體可通過此些通道。
主體620可支撐基板。舉例來說，主體620可具有用以支撐基板之上表面。在進行熱處理製程之後，基板可由上傳輸機械310或下傳輸機械320傳輸至平板610之主體620。
第一通道630可配置於主體620內。第一通道630可包括兩個分叉之次通道，且第一流體可通過第一通道630之次通道，以調整基板之溫度。
第二通道640可配置於主體620內。第二通道640可包括兩個分叉之次通道，且第二流體可通過第二通道640之次通道，以調整基板之溫度。
如上所述，雖然第一通道630及第二通道640各包括兩個次通道，本發明並不限制次通道之數目。第一通道630及第二通道640之每一個次通道可具有彎曲之形狀，以均勻地調整基板溫度。
此外，第一通道630及第二通道640之次通道可對稱於主體620之中心，以均勻地調整基板溫度。
第一通道630可具有一第一入口632及一第一出口634，且第二通道640可具有一第二入口642及一第二出口644。更具體地來說，第一入口632及第一出口634可配置於主體620之側表面部分且彼此相對。此外，第一入口632可鄰近於第二出口644，且第一出口634可鄰近於第二入口642。
再者，第一通道630及第二通道640可鄰近於彼此。也就是說，第一通道630及第二通道640可緊密相連地配置。因此，第一流體及第二流體可於相對之方向上流動。藉由第一流體及第二流體間的熱傳導可降低第一流體及第二流體間的溫度差異。如此一來，第一入口632及第一出口634及/或第二入口642及第二出口644之溫度差異可充分地抵銷。也就是說，藉由熱傳導可充分地抵銷第一入口632及第二出口644及/或第二入口642及第一出口634之溫度差異，藉以均勻地調整整個基板之溫度。
舉例來說，第一流體及第二流體可冷卻承載於平板610之主體620之基板至約攝氏23度至27度。另一方面，第一流體及第二流體可加熱承載於平板610之主體620之基板至約攝氏70度至100度。
第一通道630之次通道可分叉於鄰近第一入口632之一點且匯集於鄰近第一出口634之一點。第二通道640之次通道可分叉於鄰近第二入口642之一點且匯集於鄰近第二出口644之一點。
請參照第8圖，一隔熱件650可配置於第一通道630
及第二通道640之間。隔熱件650可用以隔絕第一流體及第二流體間之熱傳導。
供給至第一入口632之第一流體之溫度可等於供給至第二入口642之第二流體之溫度。
通過第一通道630之第一部份之第一流體之溫度可與通過第一通道630之第二部分之第一流體之溫度不同。第一通道630之第一部份係鄰近於第一入口632，第一通道630之第二部分係鄰近於第一出口634之第一出口634。然而，通過第一通道630之第一部份之第一流體之溫度可等於通過第二通道640之第一部份之第二流體之溫度。第二通道640之第一部份係鄰近於第二入口642。通過第一通道630之第二部分之第一流體之溫度可等於通過第二通道640之第二部分之第二流體之溫度。第二通道640之第二部分係鄰近於第二出口644。
隔熱件650可防止第一流體及第二流體間之熱傳導。因此，通過第一通道630之第一流體之溫度可不同於通過第二通道640之第二流體之溫度。然而，由於第一流體及第二流體係以相對之方向流動，基板之溫度可整體性且均勻地被調整。
第9圖繪示第3圖之溫度調整單元之示意圖。
請參照第9圖，溫度調整單元600可包括平板610及流體供應部670。
流體供應部670可為平板610供應流體。舉例來說，流體供應部670可連接至第一入口632及第二入口642，
分別為第一通道630及第二通道640提供第一流體及第二流體。
溫度調整單元600可進一步包括流量調整部680，用以調整第一流體及第二流體之流量。舉例來說，流量調整部680可配置於第一入口632、第二入口642及流體供應部670之間。
流量調整部680可逐步地增加或減少第一流體及第二流體之流量，以均勻地調整基板溫度。
流量調整部680可包括一電動閥。舉例來說，流量調整部680可包括一電磁閥(solenoid valve)。雖然並未顯示於圖式中，流量調整部680可更包括一控制器，用以控制電動閥之運作。
溫度控制單元600可更包括一溫度量測部690，用以量測第一流體及第二流體之溫度。
溫度量測部690可鄰近於第一入口632及第二入口642。舉例來說，溫度量測部690可配置於平板610及流量調整部680之間。
流量調整部680可根據溫度量測部690所測得之第一流體與第二流體之溫度，而調整第一流體及第二流體之流量，藉以均勻地調整基板溫度至一預定溫度。此外，流體供應部670可根據溫度量測部690所測得之第一流體及第二流體之溫度，而調整第一流體及第二流體之溫度至一預定溫度。
根據本發明之實施例，平板可包括第一通道及第二通
道，使得第一流體及第二流體可分別通過此些通道，用以調整基板溫度。第一通道可具有第一入口及第一出口，且第二通道可具有鄰近於第一出口之第二入口以及鄰近於第一入口之第二出口。此外，第一通道及第二通道可緊密相連地延伸於平板之主體內。藉此，由平板之主體支撐之基板的溫度可被整體性且均勻地調整。
綜上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
2‧‧‧曝光裝置
4‧‧‧容器
10‧‧‧基板處理裝置
20‧‧‧基板處理模組
30‧‧‧基板傳輸模組
32‧‧‧載入埠
34‧‧‧基板傳輸室
36‧‧‧基板傳輸機械
38‧‧‧風扇過濾單元
40‧‧‧介面模組
42‧‧‧介面機械
44‧‧‧邊緣曝光單元
46‧‧‧接收台
100‧‧‧第一處理區塊
110‧‧‧上單元區塊
112‧‧‧第一塗佈單元
114‧‧‧第二塗佈單元
130‧‧‧下單元區塊
132‧‧‧顯影單元
150‧‧‧中單元區塊
152‧‧‧塗佈單元
154‧‧‧顯影單元
200‧‧‧第二處理區塊
210‧‧‧第一單元區塊
212、214、252、254‧‧‧加熱單元
230‧‧‧第二單元區塊
232、234‧‧‧熱處理區塊
250‧‧‧第三單元區塊
300‧‧‧基板傳輸區塊
310‧‧‧上傳輸機械
320‧‧‧下傳輸機械
400‧‧‧第三處理區塊
410‧‧‧第一傳輸台
500‧‧‧第四處理區塊
510‧‧‧第二傳輸台
600‧‧‧溫度調整單元
610‧‧‧平板
620‧‧‧主體
622‧‧‧頂升銷
624‧‧‧驅動部
626‧‧‧溝槽
630‧‧‧第一通道
632‧‧‧第一入口
634‧‧‧第一出口
640‧‧‧第二通道
642‧‧‧第二入口
644‧‧‧第二出口
650‧‧‧隔熱件
670‧‧‧流體供應部
680‧‧‧流量調整部
690‧‧‧溫度量測部
700‧‧‧升降件
702‧‧‧開口部
704‧‧‧凸部
706‧‧‧驅動部
第1圖繪示依照本發明之實施例之用以處理基板之裝置之平面圖；第2圖繪示第1圖之基板處理裝置之第一處理區塊之側視圖；第3圖繪示第1圖之基板處理裝置之第二處理區塊之側視圖；第4圖繪示第3圖之溫度調整單元之前視圖；第5圖繪示第3圖之溫度調整單元之另一例之立體圖；第6圖繪示第3圖之平板之平面圖；第7圖繪示第6圖之A部分之一例之部分放大圖；第8圖繪示第6圖之A部分之另一例之部分放大圖；以及第9圖繪示第3圖之溫度調整單元之示意圖。
610‧‧‧平板
620‧‧‧主體
630‧‧‧第一通道
632‧‧‧第一入口
634‧‧‧第一出口
640‧‧‧第二通道
642‧‧‧第二入口
644‧‧‧第二出口
Claims (18)
- 一種用以調整一基板之溫度之平板，該平板包括：一主體，用以支撐該基板；一第一通道，配置於該主體內，該第一通道具有一第一入口及一第一出口，且一第一流體係通過該第一通道以調整該基板之溫度；以及一第二通道，配置於該主體內，該第二通道具有一第二入口及一第二出口，該第二入口係鄰近於該第一出口，且該第二出口係鄰近於該第一入口，一第二流體係通過該第二通道以調整該基板之溫度，其中該第一入口及該第一出口係配置於該主體之複數個側表面部分且彼此相對。
- 如申請專利範圍第1項所述之平板，其中該第一通道及該第二通道各包括二分叉之次通道，該些次通道係對稱於該主體之一中心而配置。
- 如申請專利範圍第2項所述之平板，其中該第一通道之該些次通道係分叉於鄰近於該第一入口之一點，且匯集於鄰近於該第一出口之一點，且該第二通道之該些次通道係分叉於鄰近於該第二入口之一點，且匯集於鄰近於該第二出口之一點。
- 如申請專利範圍第1項所述之平板，其中該第一通道及該第二通道係緊密相連地配置。
- 如申請專利範圍第1項所述之平板更包括一隔熱件，配置於該第一通道及該第二通道之間，用以阻隔該第一流 體及該第二流體間之熱傳導。
- 如申請專利範圍第1項所述之平板，其中該第一通道及該第二通道各具有一彎曲之形狀。
- 一種用以調整一基板之溫度之裝置，該裝置包括：一平板，：包括一主體，用以支撐該基板；一第一通道，配置於該主體內，該第一通道具有一第一入口及一第一出口，且一第一流體係通過該第一通道以調整該基板之溫度；及一第二通道，配置於該主體內，該第二通道具有一第二入口及一第二出口，該第二入口係鄰近於該第一出口，且該第二出口係鄰近於該第一入口，一第二流體係通過該第二通道以調整該基板之溫度；以及一流體供應部，為該平板供應該第一流體及該第二流體，其中該第一入口及該第一出口係配置於複數個側表面部分且彼此相對。
- 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該第一通道及該第二通道各包括分叉之二次通道，該些次通道係對稱於該主體之一中心而配置。
- 如申請專利範圍第8項所述之裝置，其中該第一通道之該些次通道係分叉於鄰近於該第一入口之一點，且匯集於鄰近於該第一出口之一點，且該第二通道之該些次通道係分叉於鄰近於該第二入口之一點，且匯集於鄰近於 該第二出口之一點。
- 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該第一通道及該第二通道係緊密相連地配置。
- 如申請專利範圍第10項所述之裝置，更包括一隔熱件，配置於該第一通道及該第二通道之間，用以阻隔該第一流體及該第二流體間之熱傳導。
- 如申請專利範圍第7項所述之裝置，更包括一流量調整部，配置於該第一入口、該第二入口及該流量供應部之間，用以調整該第一流體及該第二流體之流量，且該第一流體及該第二流體係分別地供應給該第一通道及該第二通道。
- 如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中該流量調整部包括一電動閥。
- 如申請專利範圍第7項所述之裝置，更包括一溫度量測部，用以量測該第一流體及該第二流體之溫度，且該第一流體及該第二流體係分別地供應給該第一通道及該第二通道。
- 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中供應給該第一通道之該第一流體之溫度係等於供應給該第二通道之該第二流體之溫度。
- 如申請專利範圍第7項所述之裝置，更包括複數個頂升銷，係可移動式地通過該主體而配置於一垂直方向，用以載入該基板至該主體，且由該主體卸載該基板。
- 如申請專利範圍第16項所述之裝置，更包括連接該些 頂升銷之一驅動部，用以於該垂直方向上移動該些頂升銷。
- 一種用以處理一基板之裝置，該裝置包括：一熱處理單元，用以熱處理該基板；以及一溫度調整單元，用以調整該基板之溫度，且該熱處理單元係熱處理該基板，該溫度調整單元包括：一平板，：包括一主體，用以支撐該基板；一第一通道，配置於該主體內，該第一通道具有一第一入口及一第一出口，且一第一流體係通過該第一通道以調整該基板之溫度；及一第二通道，配置於該主體內，該第二通道具有一第二入口及一第二出口，該第二入口係鄰近於該第一出口，且該第二出口係鄰近於該第一入口，一第二流體係通過該第二通道以調整該基板之溫度；以及一流體供應部，為該平板供應該第一流體及該第二流體，其中該第一入口及該第一出口係配置於複數個側表面部分且彼此相對。
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