KR20090006273A - 플레이트, 온도 조절 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치 - Google Patents
플레이트, 온도 조절 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090006273A KR20090006273A KR1020070069442A KR20070069442A KR20090006273A KR 20090006273 A KR20090006273 A KR 20090006273A KR 1020070069442 A KR1020070069442 A KR 1020070069442A KR 20070069442 A KR20070069442 A KR 20070069442A KR 20090006273 A KR20090006273 A KR 20090006273A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solution
- substrate
- temperature
- line
- support
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 225
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 36
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 150000002505 iron Chemical class 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (25)
- 외부로부터 전달받은 기판을 지지하는 지지부;상기 지지부의 내부에 형성되고, 서로 갈라지는 적어도 두 개의 경로를 갖고, 상기 지지부의 제1 위치로부터 제2 위치로 제1 용액을 제공하기 위한 제1 전달 라인; 및상기 지지부의 내부에 형성되고, 서로 갈라지는 적어도 두 개의 경로를 갖고, 상기 지지부의 제2 위치와 인접한 제3 위치로부터 상기 제1 위치와 인접한 제4 위치로 제2 용액을 제공하기 위한 제2 전달 라인을 포함하고,서로 인접한 위치로 제공되는 상기 제1 용액과 제2 용액이 상기 지지부에 놓여진 기판에 대한 온도를 보상하여 상기 기판으로 전달함으로써 상기 기판의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 플레이트.
- 제1 항에 있어서, 상기 제1 전달 라인의 제1 위치와 상기 제2 전달 라인의 제3 위치가 서로 반대편에 위치하고, 상기 제1 전달 라인의 제2 위치와 상기 제2 전달 라인의 제4 위치가 서로 반대편에 위치하는 것을 플레이트.
- 제1 항에 있어서, 상기 제1 전달 라인 및 상기 제2 전달 라인은 곡선 궤적을 갖는 적어도 두 개의 경로들을 포함하고, 상기 제1 전달 라인 및 상기 제2 전달 라인은 상기 지지부의 중심을 기준으로 서로 대칭되게 배치되는 것을 특징으로 하는 플레이트.
- 제1 항에 있어서, 상기 기판의 크기가 커질수록 상기 제1 용액 및 상기 제2 용액의 경로들의 수가 증가하는 것을 특징으로 하는 플레이트.
- 제1 항에 있어서, 상기 제1 전달 라인과 상기 제2 전달 라인은 나란하게 형성되고, 상기 제1 전달 라인 및 상기 제2 전달 라인을 통하여 흐르는 제1 용액 및 제2 용액이 상기 기판의 전체적인 면에 균일하게 상기 기판에 온도를 보상하여 전달하는 것을 특징으로 하는 플레이트.
- 제1 항에 있어서, 상기 제1 전달 라인의 상기 제1 위치에 배치되고 상기 제1 용액이 유입되는 제1 유입구와 상기 제1 전달 라인의 상기 제2 위치에 배치되고 상기 제1 용액이 배출되는 제1 배출구를 더 포함하고,상기 제2 전달 라인의 상기 제3 위치에 배치되고 상기 제2 용액이 유입되는 제2 유입구와 상기 제2 전달 라인의 상기 제4 위치에 배치되고 상기 제2 용액이 배출되는 제2 배출구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플레이트.
- 제1 항에 있어서, 상기 제1 전달 라인과 상기 제2 전달 라인 사이에 배치되고 상기 제1 용액과 상기 제2 용액 사이의 열 교환을 차단하기 위한 차단벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플레이트.
- 외부로부터 기판을 전달받아 지지하는 플레이트; 및상기 플레이트에 제1 용액 및 제2 용액을 전달하는 용액 공급부를 포함하고,상기 플레이트는상기 기판을 지지하기 위한 지지부;상기 지지부의 내부에 형성되고, 서로 갈라지는 적어도 두 개의 경로를 갖고, 상기 지지부의 제1 위치로부터 제2 위치로 상기 제1 용액을 제공하기 위한 제1 전달 라인; 및상기 지지부의 내부에 형성되고, 서로 갈라지는 적어도 두 개의 경로를 갖고, 상기 지지부의 제2 위치와 인접한 제3 위치로부터 상기 제1 위치와 인접한 제4 위치로 상기 제2 용액을 제공하기 위한 제2 전달 라인을 포함하고,서로 인접한 위치로 제공되는 상기 제1 용액과 제2 용액이 상기 지지부에 놓여진 기판에 대한 온도를 보상하여 상기 기판으로 전달함으로써 상기 기판의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제8 항에 있어서, 상기 제1 전달 라인의 제1 위치와 상기 제2 전달 라인의 제3 위치가 서로 반대편에 위치하고, 상기 제1 전달 라인의 제2 위치와 상기 제2 전달 라인의 제4 위치가 서로 반대편에 위치하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제8 항에 있어서, 상기 제1 전달 라인과 상기 제2 전달 라인은 나란하게 형성되고, 상기 제1 전달 라인 및 상기 제2 전달 라인을 통하여 흐르는 제1 용액 및 제2 용액이 상기 기판의 전체적인 면에 균일하게 상기 기판에 온도를 보상하여 전달하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제8 항에 있어서, 상기 제1 전달 라인의 상기 제1 위치에 배치되고 상기 제1 용액이 유입되는 제1 유입구와 상기 제1 전달 라인의 상기 제2 위치에 배치되고 상기 제1 용액이 배출되는 제1 배출구를 더 포함하고,상기 제2 전달 라인의 상기 제3 위치에 배치되고 상기 제2 용액이 유입되는 제2 유입구와 상기 제2 전달 라인의 상기 제4 위치에 배치되고 상기 제2 용액이 배출되는 제2 배출구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제11 항에 있어서, 상기 제1 유입구 및 제2 유입구와 상기 용액 공급부 사이에 배치되어 상기 제1 전달 라인 및 상기 제2 전달 라인으로 공급되는 상기 제1 용액 및 상기 제2 용액의 유량을 조절하기 위한 유량 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제12 항에 있어서, 상기 유량 조절부는 제1 용액 및 상기 제2 용액의 유량을 단계적으로 조절하여 상기 기판을 설정된 온도로 조절하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제12 항에 있어서, 상기 유량 조절부는 제1 용액 및 상기 제2 용액을 온-오프 방식으로 유량을 조절하여 상기 기판을 설정된 온도로 조절하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제12 항에 있어서, 상기 유량 조절부는 전자석을 이용하여 상기 제1 용액 및 상기 제2 용액의 유량을 조절하는 전자 밸브인 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제11 항에 있어서, 상기 제1 유입구 및 상기 제2 유입구와 인접하게 배치되어 상기 제1 전달 라인 및 상기 제2 전달 라인으로 공급되는 제1 용액 및 상기 제2 용액의 온도를 측정하기 위한 온도 측정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제16 항에 있어서, 상기 제1 용액과 상기 제2 용액은 동일한 온도로 공급되는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제8 항에 있어서, 상기 지지부를 관통하고, 상하로 이동하여 상기 기판을 상기 지지부의 상부면에 위치시키거나 상기 기판을 상기 지지부로부터 일정 높이만큼 상부로 들어올리기 위한 리프트 핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제18 항에 있어서, 상기 리프트 핀과 연결되고 상기 리프트 핀을 상하로 구동시키는 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 기판에 열 처리하기 위한 열 처리 유닛; 및상기 기판을 전달받아 지지하는 플레이트 및 상기 플레이트에 제1 용액 및 제2 용액을 전달하는 용액 공급부를 포함하고, 상기 기판에 전달되는 온도를 조절하기 위한 온도 조절 유닛을 포함하고,상기 플레이트는상기 기판을 지지하기 위한 지지부;상기 지지부의 내부에 형성되고, 서로 갈라지는 적어도 두 개의 경로를 갖고, 상기 지지부의 제1 위치로부터 제2 위치로 상기 제1 용액을 제공하기 위한 제1 전달 라인; 및상기 지지부의 내부에 형성되고, 서로 갈라지는 적어도 두 개의 경로를 갖고, 상기 지지부의 제2 위치와 인접한 제3 위치로부터 상기 제1 위치와 인접한 제4 위치로 상기 제2 용액을 제공하기 위한 제2 전달 라인을 포함하고,서로 인접한 위치로 제공되는 상기 제1 용액과 제2 용액이 상기 지지부에 놓여진 기판에 대한 온도를 보상하여 상기 기판으로 전달함으로써 상기 기판의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제20 항에 있어서, 상기 제1 전달 라인의 제1 위치와 상기 제2 전달 라인의 제3 위치가 서로 반대편에 위치하고, 상기 제1 전달 라인의 제2 위치와 상기 제2 전달 라인의 제4 위치가 서로 반대편에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제20 항에 있어서, 상기 제1 전달 라인과 상기 제2 전달 라인은 나란하게 형성되고, 상기 제1 전달 라인 및 상기 제2 전달 라인을 통하여 흐르는 제1 용액 및 제2 용액이 상기 기판의 전체적인 면에 균일하게 상기 기판에 온도를 보상하여 전달하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제20 항에 있어서, 상기 제1 전달 라인의 상기 제1 위치에 배치되고 상기 제1 용액이 유입되는 제1 유입구와 상기 제1 전달 라인의 상기 제2 위치에 배치되고 상기 제1 용액이 배출되는 제1 배출구를 더 포함하고,상기 제2 전달 라인의 상기 제3 위치에 배치되고 상기 제2 용액이 유입되는 제2 유입구와 상기 제2 전달 라인의 상기 제4 위치에 배치되고 상기 제2 용액이 배출되는 제2 배출구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제21 항에 있어서, 상기 제1 유입구 및 제2 유입구와 상기 용액 공급부 사이에 배치되어 상기 제1 전달 라인 및 상기 제2 전달 라인으로 공급되는 상기 제1 용 액 및 상기 제2 용액의 유량을 조절하기 위한 유량 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제20 항에 있어서, 상기 열 처리 유닛으로부터 복수개의 기판들이 전달되는 경우에 상기 기판들의 수에 대응하는 온도 조절 유닛들을 구비하고, 상기 용액 공급부는 상기 제1 용액 및 제2 용액을 각각의 온도 조절 유닛에 설정된 시간만큼 시간차를 두고 순차적으로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070069442A KR100905258B1 (ko) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | 플레이트, 온도 조절 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치 |
TW097125969A TWI449112B (zh) | 2007-07-11 | 2008-07-09 | 平板、具有平板之基板之溫度調整裝置以及用以處理具有平板之基板之裝置 |
US12/169,889 US8115142B2 (en) | 2007-07-11 | 2008-07-09 | Plate, apparatus for adjusting temperature of substrate having the plate and apparatus for processing substrate having the plate |
JP2008180272A JP2009021596A (ja) | 2007-07-11 | 2008-07-10 | プレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置。 |
CN2008101315412A CN101345188B (zh) | 2007-07-11 | 2008-07-11 | 板、具有该板的用于调节基板温度的装置及加工基板的装置 |
JP2012219406A JP5497127B2 (ja) | 2007-07-11 | 2012-10-01 | プレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070069442A KR100905258B1 (ko) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | 플레이트, 온도 조절 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090006273A true KR20090006273A (ko) | 2009-01-15 |
KR100905258B1 KR100905258B1 (ko) | 2009-06-29 |
Family
ID=40247149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070069442A KR100905258B1 (ko) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | 플레이트, 온도 조절 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8115142B2 (ko) |
JP (2) | JP2009021596A (ko) |
KR (1) | KR100905258B1 (ko) |
CN (1) | CN101345188B (ko) |
TW (1) | TWI449112B (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100892756B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2009-04-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법 |
US9267739B2 (en) * | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
JP6563640B2 (ja) * | 2014-11-21 | 2019-08-21 | ナブテスコ株式会社 | 偏心揺動型歯車装置 |
DE102017200588A1 (de) * | 2017-01-16 | 2018-07-19 | Ers Electronic Gmbh | Vorrichtung zum Temperieren eines Substrats und entsprechendes Herstellungsverfahren |
JP7027198B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-03-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US11586113B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-02-21 | Mattson Technology, Inc | Methods and apparatus for post exposure bake processing of a workpiece |
CN110658683A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 晶片承载系统和浸没光刻设备 |
JP7277137B2 (ja) | 2018-12-28 | 2023-05-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、および搬送モジュール |
JP6918042B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2021-08-11 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置装置 |
KR102263713B1 (ko) * | 2019-06-27 | 2021-06-10 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
CN114680594B (zh) * | 2020-12-29 | 2023-09-19 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 蒸汽发生装置、烹饪器具和衣物处理装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4361749A (en) | 1980-02-04 | 1982-11-30 | Western Electric Co., Inc. | Uniformly cooled plasma etching electrode |
JP2751588B2 (ja) * | 1990-07-10 | 1998-05-18 | 忠弘 大見 | 液冷式冷却装置 |
US5192849A (en) * | 1990-08-10 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Multipurpose low-thermal-mass chuck for semiconductor processing equipment |
JP3106499B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2000-11-06 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH07142377A (ja) * | 1993-11-18 | 1995-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
TW439094B (en) * | 1998-02-16 | 2001-06-07 | Komatsu Co Ltd | Apparatus for controlling temperature of substrate |
JP2000216140A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | ウエハステ―ジおよびウエハ処理装置 |
JP2001358045A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002220661A (ja) | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Sharp Corp | スパッタリング装置に用いられるバッキングプレートおよびスパッタリング方法 |
KR100436657B1 (ko) * | 2001-12-17 | 2004-06-22 | 미래산업 주식회사 | 반도체 소자 테스트 핸들러의 소자 가열 및 냉각장치 |
JP2003243490A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置とウエハステージ及びウエハ処理方法 |
US20040187787A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-09-30 | Dawson Keith E. | Substrate support having temperature controlled substrate support surface |
JP2006032701A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 温調ステージ |
US7544251B2 (en) * | 2004-10-07 | 2009-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
KR101218569B1 (ko) * | 2005-05-13 | 2013-01-04 | 주성엔지니어링(주) | 박막증착장치 |
JP2006332518A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Nikon Corp | 静電チャックおよび露光装置 |
KR100637717B1 (ko) | 2005-09-28 | 2006-10-25 | 세메스 주식회사 | 베이크 유닛, 상기 베이크 유닛에 사용되는 가열플레이트를 냉각하는 방법, 그리고 상기 베이크 유닛을포함하는 기판 처리 장치 및 방법 |
KR100711729B1 (ko) * | 2005-10-25 | 2007-04-25 | 세메스 주식회사 | 냉각 플레이트 및 베이크 장치 |
JP5347214B2 (ja) * | 2006-06-12 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び熱処理装置 |
-
2007
- 2007-07-11 KR KR1020070069442A patent/KR100905258B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-07-09 US US12/169,889 patent/US8115142B2/en active Active
- 2008-07-09 TW TW097125969A patent/TWI449112B/zh active
- 2008-07-10 JP JP2008180272A patent/JP2009021596A/ja active Pending
- 2008-07-11 CN CN2008101315412A patent/CN101345188B/zh active Active
-
2012
- 2012-10-01 JP JP2012219406A patent/JP5497127B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI449112B (zh) | 2014-08-11 |
JP5497127B2 (ja) | 2014-05-21 |
JP2009021596A (ja) | 2009-01-29 |
US20090014431A1 (en) | 2009-01-15 |
CN101345188B (zh) | 2010-12-22 |
US8115142B2 (en) | 2012-02-14 |
JP2013051422A (ja) | 2013-03-14 |
TW200903688A (en) | 2009-01-16 |
CN101345188A (zh) | 2009-01-14 |
KR100905258B1 (ko) | 2009-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100905258B1 (ko) | 플레이트, 온도 조절 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치 | |
US8113142B2 (en) | Apparatus for processing a substrate | |
US8113141B2 (en) | Apparatus for processing a substrate | |
KR101274890B1 (ko) | 기판 탑재 기구 및 그것을 이용한 기판 처리 장치 | |
KR101999890B1 (ko) | 열처리 장치, 기판 처리 장치 및 열처리 방법 | |
KR20080018455A (ko) | 베이크 공정장치 및 방법 | |
CN109671649B (zh) | 基板处理方法和装置 | |
KR20090002933A (ko) | 공조 시스템을 갖는 기판 처리 장치 | |
JP2003007594A (ja) | 基板熱処理装置 | |
KR20210055362A (ko) | 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20010015371A (ko) | 기판가열처리장치 및 온도제어방법 | |
KR20210009891A (ko) | 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2004235469A (ja) | 熱的処理方法および熱的処理装置 | |
KR100793171B1 (ko) | 베이크 공정 장치 및 상기 베이크 공정 장치에 구비되는 가열판의 냉각 방법 | |
KR100836069B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR100994097B1 (ko) | 기판처리장치 | |
KR20230099544A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR20220011261A (ko) | 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 리프팅 방법 | |
KR20220059127A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN113862626A (zh) | 一种材料处理方法及设备 | |
JP2001230171A (ja) | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130531 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140603 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150602 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160531 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170601 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190604 Year of fee payment: 11 |