JP3106499B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JP3106499B2 JP3106499B2 JP34098290A JP34098290A JP3106499B2 JP 3106499 B2 JP3106499 B2 JP 3106499B2 JP 34098290 A JP34098290 A JP 34098290A JP 34098290 A JP34098290 A JP 34098290A JP 3106499 B2 JP3106499 B2 JP 3106499B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- suction
- pin
- convex portion
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、LSI,VLSI等の半導体素子を製造するための
半導体ウエハ、もしくは液晶素子を製造するためのガラ
スプレート等の基板を平坦に吸着保持する装置に関する
ものである。
半導体ウエハ、もしくは液晶素子を製造するためのガラ
スプレート等の基板を平坦に吸着保持する装置に関する
ものである。
［従来の技術］ 集積回路やプリント配線板を製造する際に用いられる
半導体基板や、液晶素子を製造するためのガラスプレー
ト等の基板を露光する露光装置においては、カセットに
収納された半導体ウエハもしくはガラスプレート等の基
板を所定箇所まで順次移送し、ここで基板はステージに
受け渡されてステージ上に吸着保持される。次に、所定
の駆動信号に従ってステージを移動し、所定の露光位置
に基板上の極小領域を位置決めした後、その領域にマス
クに形成されたパターンを露光する。このような露光装
置では、極小領域の位置決め等に数/10μｍ以下の高い
精度が要求されるようになっている。
半導体基板や、液晶素子を製造するためのガラスプレー
ト等の基板を露光する露光装置においては、カセットに
収納された半導体ウエハもしくはガラスプレート等の基
板を所定箇所まで順次移送し、ここで基板はステージに
受け渡されてステージ上に吸着保持される。次に、所定
の駆動信号に従ってステージを移動し、所定の露光位置
に基板上の極小領域を位置決めした後、その領域にマス
クに形成されたパターンを露光する。このような露光装
置では、極小領域の位置決め等に数/10μｍ以下の高い
精度が要求されるようになっている。
また、上記基板は真空吸着ホルダを介してステージ上
に載置されるが、この際基板の反りや捻れを矯正して基
板表面をほぼ水平に保持する必要がある。この種の基板
吸着装置としては、例えばUSP 4,213,698に開示された
装置がある。
に載置されるが、この際基板の反りや捻れを矯正して基
板表面をほぼ水平に保持する必要がある。この種の基板
吸着装置としては、例えばUSP 4,213,698に開示された
装置がある。
［発明が解決しようとする課題］ 上記の如き従来の技術においては、真空吸着ホルダ上
に載置された基板に露光エネルギーが照射されると、そ
の一部が熱として基板に蓄積されるとともに、この熱が
真空吸着ホルダ、さらにはステージまで伝導する。これ
より、上記熱の吸収による真空吸着ホルダの膨張によっ
て基板が膨張（変形）するとともに、真空吸着ホルダと
ステージとの間にも同様の現象が生じ、これを要因とし
ても基板が変形し得る。この結果、マスクパターンを基
板上の回路パターンに正確に重ね合わせて露光すること
ができないと言う問題点があった。また上記、ホルダ等
を熱膨張率の低い材料（セラミック、インバー等）で構
成しても、基板交換を行って新たに露光を行う際に、前
の基板の露光時にホルダ等に蓄積された熱によって基板
が変形してしまい、同様に重ね合わせ精度が低下すると
言う問題点もあった。
に載置された基板に露光エネルギーが照射されると、そ
の一部が熱として基板に蓄積されるとともに、この熱が
真空吸着ホルダ、さらにはステージまで伝導する。これ
より、上記熱の吸収による真空吸着ホルダの膨張によっ
て基板が膨張（変形）するとともに、真空吸着ホルダと
ステージとの間にも同様の現象が生じ、これを要因とし
ても基板が変形し得る。この結果、マスクパターンを基
板上の回路パターンに正確に重ね合わせて露光すること
ができないと言う問題点があった。また上記、ホルダ等
を熱膨張率の低い材料（セラミック、インバー等）で構
成しても、基板交換を行って新たに露光を行う際に、前
の基板の露光時にホルダ等に蓄積された熱によって基板
が変形してしまい、同様に重ね合わせ精度が低下すると
言う問題点もあった。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、露光エ
ネルギーの照射による基板の熱膨張、及び真空吸着ホル
ダやステージの熱吸収を防止でき、基板及び真空吸着ホ
ルダの温度を安定化して基板の変形を防止できる露光装
置を得ることを目的としている。
ネルギーの照射による基板の熱膨張、及び真空吸着ホル
ダやステージの熱吸収を防止でき、基板及び真空吸着ホ
ルダの温度を安定化して基板の変形を防止できる露光装
置を得ることを目的としている。
［課題を解決するための手段］ 本発明に係る投影露光装置は、マスクに形成されたパ
ターンを基板上に転写するもので、例えば、前記基板の
保持面を形成する複数の凸部が設けられ、かつ前記複数
の凸部が複数のピン状凸部を含む基板保持部材と、該凸
部で囲まれた第１の凹部に連通し、前記基板と前記第１
の凹部とで形成される第１の隔室を減圧して前記基板を
前記複数の凸部上に吸着固定するための減圧手段と、前
記凸部で囲まれた前記第１の凹部と異なる第２の凹部と
前記基板とで形成される第２の隔室に、所定の温度に制
御された流体を供給する流体供給手段とを備えたもので
ある。
ターンを基板上に転写するもので、例えば、前記基板の
保持面を形成する複数の凸部が設けられ、かつ前記複数
の凸部が複数のピン状凸部を含む基板保持部材と、該凸
部で囲まれた第１の凹部に連通し、前記基板と前記第１
の凹部とで形成される第１の隔室を減圧して前記基板を
前記複数の凸部上に吸着固定するための減圧手段と、前
記凸部で囲まれた前記第１の凹部と異なる第２の凹部と
前記基板とで形成される第２の隔室に、所定の温度に制
御された流体を供給する流体供給手段とを備えたもので
ある。
［作 用］ 本発明においては、載置面には凸部で囲まれた第１の
凹部と異なる第２の凹部が設けられ；該第２の凹部と前
記基板とで形成される第２の隔室に、所定の温度に制御
された液体を供給する流体供給手段を備えたものである
ため、第２の隔室、即ち基板と基板保持部材の載置面間
の空間の一部が温調部として機能する構成となってい
る。このため、基板で発生した熱は基板保持部材に伝導
することなく所定の温度に制御された流体（以下、温調
流体と記す）により吸収でき、かつ、基板保持部材の温
度を前記温調流体の温度として保持することが可能とな
り、基板保持部材上に基板を載置した時に、基板を熱膨
張させることなく保持できる。
凹部と異なる第２の凹部が設けられ；該第２の凹部と前
記基板とで形成される第２の隔室に、所定の温度に制御
された液体を供給する流体供給手段を備えたものである
ため、第２の隔室、即ち基板と基板保持部材の載置面間
の空間の一部が温調部として機能する構成となってい
る。このため、基板で発生した熱は基板保持部材に伝導
することなく所定の温度に制御された流体（以下、温調
流体と記す）により吸収でき、かつ、基板保持部材の温
度を前記温調流体の温度として保持することが可能とな
り、基板保持部材上に基板を載置した時に、基板を熱膨
張させることなく保持できる。
［実施例］ 第１図は本発明の第１実施例による装置の構成を示す
正面図、第２図は第１図のAA′矢視断面図、第３図は第
１図のBB′矢視断面図である。
正面図、第２図は第１図のAA′矢視断面図、第３図は第
１図のBB′矢視断面図である。
尚、基板Ｗは受渡手段（15）が上下動することによっ
て搬送手段（図示せず）と基板吸着装置（１）との間で
受渡しが行われる。第１図〜第３図において、基板（半
導体ウエハ）Ｗを載置する基板吸着装置（１）の載置面
は、基板Ｗの直径よりもわずかに小さい径の円板であ
る。この載置面には同心円状に複数（第１図では８つ）
の環状凸部（16）が所定のピッチでリム状に形成されて
おり、環状凸部（16）の上端面によって規定される面が
基板Ｗの平坦化の基準面となっている。環状凸部（16）
で囲まれた複数（７つ）の環状凹部（溝）は載置面に載
置される基板Ｗを天蓋として各々の隔室（２）〜（８）
を形成する。各々の隔室（２）〜（８）のうち、吸引隔
室（第１の隔室）（２）〜（５）の環状凹部の各々に
は、真空吸着のための吸引孔（９）が半径方向に並べて
形成され、各吸引孔（９）は別途の吸引ポンプ（真空
源）に、装置内部に半径方向に延びたスリーグ状の吸引
配管（10）を介して連通している。また、各々の隔室の
うち温調隔室（第２の隔室）（６）〜（８）の各々に
は、各温調隔室（６）〜（８）に流体供給手段（図示せ
ず）によって所定温度に制御された流体（例えば、空
気，窒素等であって以下、温調流体と記す）を供給する
供給配管（11）に連通した供給孔（12）が形成されてい
る。また、載置面の中心を挟んでその対向位置に形成さ
れた排出孔（13）は排出配管（14）に連通されており、
温調流体はこれらを介して装置（１）外へ排出される。
て搬送手段（図示せず）と基板吸着装置（１）との間で
受渡しが行われる。第１図〜第３図において、基板（半
導体ウエハ）Ｗを載置する基板吸着装置（１）の載置面
は、基板Ｗの直径よりもわずかに小さい径の円板であ
る。この載置面には同心円状に複数（第１図では８つ）
の環状凸部（16）が所定のピッチでリム状に形成されて
おり、環状凸部（16）の上端面によって規定される面が
基板Ｗの平坦化の基準面となっている。環状凸部（16）
で囲まれた複数（７つ）の環状凹部（溝）は載置面に載
置される基板Ｗを天蓋として各々の隔室（２）〜（８）
を形成する。各々の隔室（２）〜（８）のうち、吸引隔
室（第１の隔室）（２）〜（５）の環状凹部の各々に
は、真空吸着のための吸引孔（９）が半径方向に並べて
形成され、各吸引孔（９）は別途の吸引ポンプ（真空
源）に、装置内部に半径方向に延びたスリーグ状の吸引
配管（10）を介して連通している。また、各々の隔室の
うち温調隔室（第２の隔室）（６）〜（８）の各々に
は、各温調隔室（６）〜（８）に流体供給手段（図示せ
ず）によって所定温度に制御された流体（例えば、空
気，窒素等であって以下、温調流体と記す）を供給する
供給配管（11）に連通した供給孔（12）が形成されてい
る。また、載置面の中心を挟んでその対向位置に形成さ
れた排出孔（13）は排出配管（14）に連通されており、
温調流体はこれらを介して装置（１）外へ排出される。
吸引隔室（２）〜（５）は第２図に示したように吸引
孔（９）及び吸引配管（10）を通して、減圧手段として
の吸引ポンプ（図示せず）へ連通し、この吸引孔（９）
を介して吸引（減圧）することにより吸引隔室（２）〜
（５）が負圧となって、載置面上に載置された基板Ｗは
環状凸部（16）の上端面にならって平坦化矯正されて載
置面上に吸着固定される。
孔（９）及び吸引配管（10）を通して、減圧手段として
の吸引ポンプ（図示せず）へ連通し、この吸引孔（９）
を介して吸引（減圧）することにより吸引隔室（２）〜
（５）が負圧となって、載置面上に載置された基板Ｗは
環状凸部（16）の上端面にならって平坦化矯正されて載
置面上に吸着固定される。
また、温調隔室（６）〜（８）は第３図に示したよう
に温度コントロールされた温調流体を供給配管（11）及
び供給孔（12）から供給し、各温調隔室（６）〜（８）
へ導く。各温調隔室（６）〜（８）へ導かれた温調流体
は、基板Ｗの裏面に沿って流れ、排出孔（13）及び排出
配管（14）を通して基板吸着装置（１）の外へ排出され
る。
に温度コントロールされた温調流体を供給配管（11）及
び供給孔（12）から供給し、各温調隔室（６）〜（８）
へ導く。各温調隔室（６）〜（８）へ導かれた温調流体
は、基板Ｗの裏面に沿って流れ、排出孔（13）及び排出
配管（14）を通して基板吸着装置（１）の外へ排出され
る。
以上のように、各温調隔室（６）〜（８）へ導かれた
温調流体は、基板Ｗの裏面に沿って流れるため、基板Ｗ
で発生した熱を基板吸着装置（１）本体に伝導すること
なく吸収でき、基板吸着装置（１）の温度を一定に保持
することが可能なので、基板吸着装置（１）上に基板Ｗ
を載置した時に、基板Ｗを熱膨張させることなく保持で
き、高い精度を維持できるものである。
温調流体は、基板Ｗの裏面に沿って流れるため、基板Ｗ
で発生した熱を基板吸着装置（１）本体に伝導すること
なく吸収でき、基板吸着装置（１）の温度を一定に保持
することが可能なので、基板吸着装置（１）上に基板Ｗ
を載置した時に、基板Ｗを熱膨張させることなく保持で
き、高い精度を維持できるものである。
また、温調流体が基板Ｗの裏面や環状凸部（16）にほ
ぼ沿って流れながら排出口（13）へ導かれることによ
り、基板裏面に付着したゴミや装置内のゴミ等が吸引さ
れる作用もあり、微細なゴミ等を極力嫌う露光装置にお
いて、作業環境が高まる効果も有する。
ぼ沿って流れながら排出口（13）へ導かれることによ
り、基板裏面に付着したゴミや装置内のゴミ等が吸引さ
れる作用もあり、微細なゴミ等を極力嫌う露光装置にお
いて、作業環境が高まる効果も有する。
第４図は本発明の第２の実施例による装置の構成を示
す正面図である。
す正面図である。
図において、基板Ｗを載置する基板吸着装置（41）の
載置面は、基板Ｗの直径よりもわずかに小さい径の円形
である。この載置面には渦巻状の凸部（基板支持部）
（49）が形成されており、基板Ｗは凸部（44）の上端面
にならって平坦化矯正されて載置面上に吸着固定され
る。凸部（44）で囲まれた２つの渦巻状凹部（溝）は、
載置面に載置される基板Ｗを天蓋として２種類の隔室
（42）と（46）（49）とを形成する。隔室のうち吸引隔
室（第１の隔室）（42）の渦巻状凹部には、吸引配管
（45）を介して別途の吸引ポンプ（図示せず）に連通し
た吸引孔（43）が形成されている。また、第２の隔室と
しての温調隔室（46）（49）の各々は、一端が大気へ開
放されているとともに、他端には大気を装置（41）外へ
排出する排出孔（47）が形成され、各排出孔（47）は排
出配管（48）に連通されている。尚、図示していない
が、排出配管（48）には気体供給手段として吸引ポンプ
が接続されており、この吸引ポンプによって温調隔室
（46）（49）の吸引を行うことにより、大気に開放され
ている吸入孔から大気が流入し、温調隔室（46）（49）
内を基板Ｗの裏面に沿って流れた後、排出孔（47）及び
排出配管（48）を介して載置（41）外へ排出される。
載置面は、基板Ｗの直径よりもわずかに小さい径の円形
である。この載置面には渦巻状の凸部（基板支持部）
（49）が形成されており、基板Ｗは凸部（44）の上端面
にならって平坦化矯正されて載置面上に吸着固定され
る。凸部（44）で囲まれた２つの渦巻状凹部（溝）は、
載置面に載置される基板Ｗを天蓋として２種類の隔室
（42）と（46）（49）とを形成する。隔室のうち吸引隔
室（第１の隔室）（42）の渦巻状凹部には、吸引配管
（45）を介して別途の吸引ポンプ（図示せず）に連通し
た吸引孔（43）が形成されている。また、第２の隔室と
しての温調隔室（46）（49）の各々は、一端が大気へ開
放されているとともに、他端には大気を装置（41）外へ
排出する排出孔（47）が形成され、各排出孔（47）は排
出配管（48）に連通されている。尚、図示していない
が、排出配管（48）には気体供給手段として吸引ポンプ
が接続されており、この吸引ポンプによって温調隔室
（46）（49）の吸引を行うことにより、大気に開放され
ている吸入孔から大気が流入し、温調隔室（46）（49）
内を基板Ｗの裏面に沿って流れた後、排出孔（47）及び
排出配管（48）を介して載置（41）外へ排出される。
温調隔室（46）（49）は、基板吸着装置（41）の周辺
の大気温度が安定である様な環境下（例えば、露光装置
が恒温チャンバー内に収納されている場合等）では、上
記の如く大気が温調流体として排出孔（47）に流れ込
み、基板Ｗの裏面に沿って流れることによって、基板Ｗ
で発生した熱を基板吸着装置（41）本体に伝導すること
なく吸収できる。この結果、基板吸着装置（41）の温度
を一定に保持することが可能なので、基板吸着装置（4
1）上に基板Ｗを載置した時に、基板Ｗを熱膨張させる
ことなく保持でき、高い精度を維持できる。また、上記
構成の装置（第４図）において温調隔室（46）（49）内
での流体の流れる方向を逆にし、第１実施例と全く同様
に温度コントロールされた空気を、排出孔（47）（供給
孔）を通して温調隔室（46）（49）に導き、基板吸着装
置（41）及び基板Ｗを温調後、空気を温調隔室（46）
（49）の外へ放出するようにしても良い。
の大気温度が安定である様な環境下（例えば、露光装置
が恒温チャンバー内に収納されている場合等）では、上
記の如く大気が温調流体として排出孔（47）に流れ込
み、基板Ｗの裏面に沿って流れることによって、基板Ｗ
で発生した熱を基板吸着装置（41）本体に伝導すること
なく吸収できる。この結果、基板吸着装置（41）の温度
を一定に保持することが可能なので、基板吸着装置（4
1）上に基板Ｗを載置した時に、基板Ｗを熱膨張させる
ことなく保持でき、高い精度を維持できる。また、上記
構成の装置（第４図）において温調隔室（46）（49）内
での流体の流れる方向を逆にし、第１実施例と全く同様
に温度コントロールされた空気を、排出孔（47）（供給
孔）を通して温調隔室（46）（49）に導き、基板吸着装
置（41）及び基板Ｗを温調後、空気を温調隔室（46）
（49）の外へ放出するようにしても良い。
第５図は本発明の第３実施例による装置の構成を示す
正面図、第６図は第５図の断面図である。
正面図、第６図は第５図の断面図である。
第５図、第６図において、基板吸着装置（51）の載置
面は、基板Ｗの直径よりもわずかに小さい径の円板であ
り、その最も外側と内側とには輪帯状の凸部（53）（5
4）が形成されている。さらに凸部（53）（54）で囲ま
れた領域には、複数のピン状の凸部（基板支持部）（5
2）が輪帯状凸部（53）（54）とほぼ同じ高さで形成さ
れており、基板Ｗは輪帯状凸部（53）（54）及びピン状
凸部（52）の上端面にならって平坦化矯正される。ピン
状凸部（52）の内部には円形または四角形（第５図では
円形）の吸引孔が設けられており、この吸引孔（円柱状
の凹部）は基板Ｗを天蓋として第１の隔室である吸引隔
室（55）を形成している。吸引隔室（55）は、装置内部
に設けられた吸引配管（57）に連通しており、吸引配管
（57）を図示していない吸引ポンプ（真空源）につなげ
て減圧することにより、吸引隔室（55）が負圧となって
基板Ｗが載置面に吸着固定される。また、輪帯状凸部
（53）（54）及びピン状凸部（52）で囲まれた凹部
（溝）は、基板Ｗを天蓋として第２の隔室である温調隔
室（56）を形成している。第６図に示すように温調隔室
（56）には、流体供給手段（図示せず）からの温調流体
を隔室に供給する供給配管（61）に連通した供給孔（6
3）が形成されている。更に載置面の中心を挟んでその
対向位置には、温調流体を温調隔室（56）から排出する
ための排出孔（62）も形成されており、温調流体は排出
孔（62）が連通した排出配管（64）を介して装置（51）
外へ排出される。尚、図面の都合上第６図では温調流体
が装置内部で排出されるように図示しているが、実際に
は排出配管（64）が装置（51）の端部まで延びており、
温調流体は装置外へ排出される。
面は、基板Ｗの直径よりもわずかに小さい径の円板であ
り、その最も外側と内側とには輪帯状の凸部（53）（5
4）が形成されている。さらに凸部（53）（54）で囲ま
れた領域には、複数のピン状の凸部（基板支持部）（5
2）が輪帯状凸部（53）（54）とほぼ同じ高さで形成さ
れており、基板Ｗは輪帯状凸部（53）（54）及びピン状
凸部（52）の上端面にならって平坦化矯正される。ピン
状凸部（52）の内部には円形または四角形（第５図では
円形）の吸引孔が設けられており、この吸引孔（円柱状
の凹部）は基板Ｗを天蓋として第１の隔室である吸引隔
室（55）を形成している。吸引隔室（55）は、装置内部
に設けられた吸引配管（57）に連通しており、吸引配管
（57）を図示していない吸引ポンプ（真空源）につなげ
て減圧することにより、吸引隔室（55）が負圧となって
基板Ｗが載置面に吸着固定される。また、輪帯状凸部
（53）（54）及びピン状凸部（52）で囲まれた凹部
（溝）は、基板Ｗを天蓋として第２の隔室である温調隔
室（56）を形成している。第６図に示すように温調隔室
（56）には、流体供給手段（図示せず）からの温調流体
を隔室に供給する供給配管（61）に連通した供給孔（6
3）が形成されている。更に載置面の中心を挟んでその
対向位置には、温調流体を温調隔室（56）から排出する
ための排出孔（62）も形成されており、温調流体は排出
孔（62）が連通した排出配管（64）を介して装置（51）
外へ排出される。尚、図面の都合上第６図では温調流体
が装置内部で排出されるように図示しているが、実際に
は排出配管（64）が装置（51）の端部まで延びており、
温調流体は装置外へ排出される。
上記構成の装置では、温調流体が隔室（56）内を基板
Ｗの裏面、更には輪帯状凸部（53）（54）及びピン状凸
部（52）にほぼ沿って流れることになる。この結果、露
光エネルギーの照射により基板Ｗで発生した熱は、基板
吸着装置（51）本体に伝導することなく温調流体に吸収
されることになり、基板吸着装置（51）、更には基板Ｗ
の温度までも一定に維持することが可能となる。従っ
て、基板吸着装置（51）には上記熱が蓄積されることが
ないので、基板Ｗを載置面上に吸着した時に熱膨張させ
ることなく保持することが可能となり、特に上記装置を
露光装置に適用した場合には重ね合わせ精度の低下を防
止できるといった効果も得られる。
Ｗの裏面、更には輪帯状凸部（53）（54）及びピン状凸
部（52）にほぼ沿って流れることになる。この結果、露
光エネルギーの照射により基板Ｗで発生した熱は、基板
吸着装置（51）本体に伝導することなく温調流体に吸収
されることになり、基板吸着装置（51）、更には基板Ｗ
の温度までも一定に維持することが可能となる。従っ
て、基板吸着装置（51）には上記熱が蓄積されることが
ないので、基板Ｗを載置面上に吸着した時に熱膨張させ
ることなく保持することが可能となり、特に上記装置を
露光装置に適用した場合には重ね合わせ精度の低下を防
止できるといった効果も得られる。
次に、第７図を参照して本発明による基板吸着装置を
露光装置に適用した場合について述べる。第７図は本発
明による装置（ウエハホルダ）を備えた露光装置の概略
的な構成を示す平面図であって、所定波長域の露光光IL
の照射によりマスク（図示せず）に形成されたパターン
は、投影光学系（20）の最良結像面内に配置された基板
（ウエハ）Ｗに転写される。ウエハＷは、本発明による
基板吸着装置（以下、ウエハホルダWHと記す）に真空吸
着され、更にウエハホルダWHはモータ（21）により水平
面内で２次元移動可能なウエハステージ（22）上に配置
されている。ウエハステージ（22）の端部には、レーザ
光波干渉測長器（干渉計）（23）からのレーザビームを
反射する移動鏡（24）が設けられている。ウエハステー
ジ（22）の位置は干渉計（24）によって、例えば0.01μ
ｍ程度の分解能で常時検出される。
露光装置に適用した場合について述べる。第７図は本発
明による装置（ウエハホルダ）を備えた露光装置の概略
的な構成を示す平面図であって、所定波長域の露光光IL
の照射によりマスク（図示せず）に形成されたパターン
は、投影光学系（20）の最良結像面内に配置された基板
（ウエハ）Ｗに転写される。ウエハＷは、本発明による
基板吸着装置（以下、ウエハホルダWHと記す）に真空吸
着され、更にウエハホルダWHはモータ（21）により水平
面内で２次元移動可能なウエハステージ（22）上に配置
されている。ウエハステージ（22）の端部には、レーザ
光波干渉測長器（干渉計）（23）からのレーザビームを
反射する移動鏡（24）が設けられている。ウエハステー
ジ（22）の位置は干渉計（24）によって、例えば0.01μ
ｍ程度の分解能で常時検出される。
また、ウエハＷは搬送手段（28）によって所定位置ま
で搬送された後、例えば第１図中に示した受渡手段（1
5）が上下動してウエハホルダWHに受け渡される。上記
の各実施例で述べた如く真空源（29）が第２の隔室（吸
引隔室）を減圧することによって、ウエハＷは凸部（基
板支持部）の上端面で規定される基準面にならって載置
面上に吸着固定される。流体供給手段（25）は、所定の
温度に制御した流体（例えば空気，窒素等の熱容量が大
きい気体）を、チューブ（26）を介してウエハホルダWH
に供給するものである。尚、上記の各実施例では第２の
隔室に供給された温調流体を排出配管等を介して装置外
へ排出する構成としたが、この排出された流体をチュー
ブ等を用いて流体供給手段（27）に導き循環させる構成
としてもよい。コントローラ（27）は、流体供給手段
（25）及び真空源（29）を始めとして露光装置全体を総
括制御する。
で搬送された後、例えば第１図中に示した受渡手段（1
5）が上下動してウエハホルダWHに受け渡される。上記
の各実施例で述べた如く真空源（29）が第２の隔室（吸
引隔室）を減圧することによって、ウエハＷは凸部（基
板支持部）の上端面で規定される基準面にならって載置
面上に吸着固定される。流体供給手段（25）は、所定の
温度に制御した流体（例えば空気，窒素等の熱容量が大
きい気体）を、チューブ（26）を介してウエハホルダWH
に供給するものである。尚、上記の各実施例では第２の
隔室に供給された温調流体を排出配管等を介して装置外
へ排出する構成としたが、この排出された流体をチュー
ブ等を用いて流体供給手段（27）に導き循環させる構成
としてもよい。コントローラ（27）は、流体供給手段
（25）及び真空源（29）を始めとして露光装置全体を総
括制御する。
次に、上記構成の装置の動作について簡単に説明す
る。コントローラ（27）は、まず搬送手段（28）によっ
て搬入されたウエハＷを真空源（29）によりウエハホル
ダWHに吸着固定した後、露光動作に先立って所定の指令
信号を流体供給手段（25）に与え、ウエハＷ及びウエハ
ホルダWHの温度制御を開始する。つまり、流体供給手段
（25）は上記信号に従って、所定温度（例えば23℃）に
制御された流体をウエハホルダWHへ供給する。しかる
後、パターン露光を開始するが、コントローラ（27）は
ウエハホルダWHに設けられた温度センサー（図示せず）
からの出力を常時モニターしておき、露光エネルギーの
照射による温度上昇に対応して流体供給手段（25）から
の温調流体の温度を制御する。この結果、ウエハ全面の
露光を行ってもウエハホルダWHに熱が蓄積されることが
ないので、ウエハホルダWHの温度をほぼ一定に維持でき
るとともに、次のウエハをウエハホルダWHに載置しても
当該ウエハが熱膨張することはない。ここで、ウエハホ
ルダWHにおいて温調流体はウエハＷの裏面に沿って流れ
るため、露光エネルギーの吸収によるウエハ自身の温度
上昇を大幅に低減でき、ウエハＷの温度もほぼ一定に維
持することが可能となっている。尚、ここではウエハホ
ルダWHの温度変化に応じて流体温度を微調整していた
が、予め流体温度を低く設定（例えば21℃程度）してお
き、常時一定温度の流体を供給するようにしておけば、
特に温度センサーを設けて温度調製する必要がなくな
る。また、上記実施例ではウエハＷとウエハホルダWHと
の間での熱の移動について説明した。しかしながら、実
際には上記熱がウエハホルダWHを介してウエハステージ
（22）まで伝導し、このウエハステージ（22）に蓄積さ
れる熱によっても同様にウエハＷが膨脹し得るが、上記
実施例ではこの膨脹までも防止できることは言うまでも
ない。更にウエハステージ（22）の移動に伴ってそのそ
の駆動機構（送りネジ等）が発熱し、ここで発生した熱
がウエハホルダWHまで伝導し得るが、上記実施例ではこ
の熱によるウエハホルダWHの膨脹及びウエハホルダWHに
蓄積された熱等を要因としたウエハＷの膨脹までも防止
できることは明らかである。
る。コントローラ（27）は、まず搬送手段（28）によっ
て搬入されたウエハＷを真空源（29）によりウエハホル
ダWHに吸着固定した後、露光動作に先立って所定の指令
信号を流体供給手段（25）に与え、ウエハＷ及びウエハ
ホルダWHの温度制御を開始する。つまり、流体供給手段
（25）は上記信号に従って、所定温度（例えば23℃）に
制御された流体をウエハホルダWHへ供給する。しかる
後、パターン露光を開始するが、コントローラ（27）は
ウエハホルダWHに設けられた温度センサー（図示せず）
からの出力を常時モニターしておき、露光エネルギーの
照射による温度上昇に対応して流体供給手段（25）から
の温調流体の温度を制御する。この結果、ウエハ全面の
露光を行ってもウエハホルダWHに熱が蓄積されることが
ないので、ウエハホルダWHの温度をほぼ一定に維持でき
るとともに、次のウエハをウエハホルダWHに載置しても
当該ウエハが熱膨張することはない。ここで、ウエハホ
ルダWHにおいて温調流体はウエハＷの裏面に沿って流れ
るため、露光エネルギーの吸収によるウエハ自身の温度
上昇を大幅に低減でき、ウエハＷの温度もほぼ一定に維
持することが可能となっている。尚、ここではウエハホ
ルダWHの温度変化に応じて流体温度を微調整していた
が、予め流体温度を低く設定（例えば21℃程度）してお
き、常時一定温度の流体を供給するようにしておけば、
特に温度センサーを設けて温度調製する必要がなくな
る。また、上記実施例ではウエハＷとウエハホルダWHと
の間での熱の移動について説明した。しかしながら、実
際には上記熱がウエハホルダWHを介してウエハステージ
（22）まで伝導し、このウエハステージ（22）に蓄積さ
れる熱によっても同様にウエハＷが膨脹し得るが、上記
実施例ではこの膨脹までも防止できることは言うまでも
ない。更にウエハステージ（22）の移動に伴ってそのそ
の駆動機構（送りネジ等）が発熱し、ここで発生した熱
がウエハホルダWHまで伝導し得るが、上記実施例ではこ
の熱によるウエハホルダWHの膨脹及びウエハホルダWHに
蓄積された熱等を要因としたウエハＷの膨脹までも防止
できることは明らかである。
［発明の効果］ 本発明によれば、複数のピン状凸部を含む基板保持部
材上に該基板を載置した時に、該基板を熱膨張（変形）
させることなく保持できる。
材上に該基板を載置した時に、該基板を熱膨張（変形）
させることなく保持できる。
第１図は本発明の第１実施例による装置の構成を示す正
面図、第２図は第１図のAA′矢視断面図、第３図は第１
図のBB′矢視断面図、第４図は本発明の第２の実施例に
よる装置の構成を示す正面図、第５図は本発明の第３実
施例による装置の構成を示す正面図、第６図は第５図の
断面図、第７図は本発明による装置を備えた露光装置の
概略的な構成を示す平面図である。 ［主要部分の符号の説明］ （１）（41）（51）……基板吸着装置 （２）（３）（４）（５）（42）（52）……吸引隔室 （６）（７）（８）（46）（49）（56）……温調隔室 （９）（43）（59）……吸引孔 （10）（60）……吸引配管 （11）（61）……供給配管 （12）（63）……供給孔 （13）（47）（62）……排出孔 （14）（48）（64）……排出配管 （53）……外縁 （54）……内縁
面図、第２図は第１図のAA′矢視断面図、第３図は第１
図のBB′矢視断面図、第４図は本発明の第２の実施例に
よる装置の構成を示す正面図、第５図は本発明の第３実
施例による装置の構成を示す正面図、第６図は第５図の
断面図、第７図は本発明による装置を備えた露光装置の
概略的な構成を示す平面図である。 ［主要部分の符号の説明］ （１）（41）（51）……基板吸着装置 （２）（３）（４）（５）（42）（52）……吸引隔室 （６）（７）（８）（46）（49）（56）……温調隔室 （９）（43）（59）……吸引孔 （10）（60）……吸引配管 （11）（61）……供給配管 （12）（63）……供給孔 （13）（47）（62）……排出孔 （14）（48）（64）……排出配管 （53）……外縁 （54）……内縁
Claims (4)
- 【請求項１】マスクに形成されたパターンを基板上に転
写する露光装置において、 前記基板の保持面を形成する複数の凸部が設けられ、か
つ前記複数の凸部が複数のピン状凸部を含む基板保持部
材と、 該凸部で囲まれた第１の凹部に連通し、前記基板と前記
第１の凹部とで形成される第１の隔室を減圧して前記基
板を前記複数の凸部上に吸着固定するための減圧手段
と、 前記凸部で囲まれた前記第１の凹部と異なる第２の凹部
と前記基板とで形成される第２の隔室に、所定の温度に
制御された流体を供給する流体供給手段と、 を備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】マスクに形成されたパターンを基板上に転
写する投影露光装置において、 前記基板の保持面を形成する複数のピン状凸部が設けら
れた基板保持部材と、 該ピン状凸部上に前記基板が渡されたときに前記ピン状
凸部の内部に形成される隔室を減圧して前記ピン状凸部
上に前記基板を吸着固定する吸着手段と、 前記基板と前記基板保持部材との間の熱伝導を抑制する
熱伝導抑制手段と、 を備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項３】マスクに形成されたパターンを基板上に転
写する投影露光装置において、 前記基板の保持面を形成する複数のピン状凸部が設けら
れ、前記基板の裏面が前記複数のピン状凸部に接触する
ように前記基板を保持する基板保持部材と、 該ピン状凸部上に前記基板が載置されたときに減圧によ
り前記ピン状凸部上に前記基板を吸着固定する吸着手段
と、 前記ピン状凸部上に前記基板を吸着固定した状態で前記
基板の裏面から前記基板の熱を吸収する熱吸収手段と、 を備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項４】前記熱吸収手段は、前記ピン状凸部上に吸
着固定された前記基板の裏面側に形成される空間を利用
して前記基板の熱を吸収することを特徴とする請求項３
に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34098290A JP3106499B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34098290A JP3106499B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04208551A JPH04208551A (ja) | 1992-07-30 |
| JP3106499B2 true JP3106499B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=18342109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34098290A Expired - Fee Related JP3106499B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3106499B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100853927B1 (ko) * | 2001-04-17 | 2008-08-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포막 형성장치 및 스핀척 |
| US8749762B2 (en) | 2004-05-11 | 2014-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4694400B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-06-08 | 株式会社トプコン | ウェハ保持装置 |
| US7593096B2 (en) * | 2006-05-15 | 2009-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4657193B2 (ja) * | 2006-11-08 | 2011-03-23 | 株式会社アロン社 | 吸着盤 |
| KR100905258B1 (ko) * | 2007-07-11 | 2009-06-29 | 세메스 주식회사 | 플레이트, 온도 조절 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치 |
| NL1036080A1 (nl) | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Asml Netherlands Bv | Position measurement system and Lithographic Apparatus. |
| WO2010082475A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP7348744B2 (ja) * | 2019-04-24 | 2023-09-21 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
| JP2022120984A (ja) * | 2021-02-08 | 2022-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板支持器、及び基板処理方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP34098290A patent/JP3106499B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04208551A (ja) | 1992-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6952853B2 (ja) | 接合システム、および接合方法 | |
| US10935895B2 (en) | Lithographic apparatus | |
| US5738165A (en) | Substrate holding apparatus | |
| US7250616B2 (en) | Temperature adjustment apparatus, exposure apparatus having the same, and device fabricating method | |
| JP3106499B2 (ja) | 露光装置 | |
| TWI729191B (zh) | 微影設備 | |
| US4720732A (en) | Pattern transfer apparatus | |
| US5220171A (en) | Wafer holding device in an exposure apparatus | |
| US7191599B2 (en) | Cooling apparatus and method, and exposure apparatus having the cooling apparatus | |
| US4496239A (en) | Projection exposure apparatus | |
| US20040051984A1 (en) | Devices and methods for cooling optical elements in optical systems, including optical systems used in vacuum environments | |
| US20030127605A1 (en) | Substrate holding unit, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP2001244177A (ja) | ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置 | |
| JP2007142238A (ja) | 基板保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| US7193682B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP2003332411A (ja) | 基板保持装置及び露光装置 | |
| JP2008103409A (ja) | 露光装置 | |
| JP3207871B2 (ja) | ウエハ支持装置 | |
| JP2004080025A (ja) | 冷却装置及び方法、当該冷却装置を有する露光装置 | |
| JPH10214782A (ja) | 露光装置 | |
| JPH07142555A (ja) | ウエハチャック | |
| JP3291832B2 (ja) | 基板保持部材、および、露光装置 | |
| KR101847226B1 (ko) | 포토마스크 건조 장치 및 방법 | |
| JPH10209036A (ja) | 露光方法および露光装置 | |
| JPH10116772A (ja) | 露光装置及び露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |