JP2022120984A - 基板処理装置、基板支持器、及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の温度制御を高速に行う技術を提供する。【解決手段】開示される基板処理装置は、チャンバ及び基板支持器を備える。基板支持器は、チャンバ内に設けられている。基板支持器は、その上面の上に載置される基板の裏面に熱交換媒体が直接的に接するように形成された一つ以上の熱交換領域を提供している。熱交換媒体は、基板支持器上に載置された基板に対する基板処理における該基板の設定温度において、該基板処理におけるチャンバ内の設定圧力の１０－２倍以下の蒸気圧を有する。【選択図】図３

Description

本開示の例示的実施形態は、基板処理装置、基板支持器、及び基板処理方法に関するものである。

基板処理装置が、基板処理のために用いられている。基板処理装置は、チャンバ及び基板支持器を備える。基板支持器は、チャンバ内に設けられている。基板は、基板支持器上に載置された状態で処理される。

下記の特許文献１に記載された基板処理装置は、基板支持器としてステージを備えている。ステージは、静電チャックを有している。基板は、静電チャックの上面の上に載置される。ステージは、基板の温度を制御するために、静電チャックの裏面に熱交換媒体を供給するように構成されている。

特開２０１８－８２０４２号公報

本開示は、基板の温度制御を高速に行う技術を提供する。

一つの例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、チャンバ及び基板支持器を備える。基板支持器は、チャンバ内に設けられている。基板支持器は、その上面の上に載置される基板の裏面に熱交換媒体が直接的に接するように形成された一つ以上の熱交換領域を提供している。熱交換媒体は、基板支持器上に載置された基板に対する基板処理における該基板の設定温度において、該基板処理におけるチャンバ内の設定圧力の１０^－２倍以下の蒸気圧を有する。

一つの例示的実施形態によれば、基板の温度制御を高速に行うことが可能となる。

一つの例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。 一つの例示的実施形態に係る基板支持器の分解斜視図である。 一つの例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。 一つの例示的実施形態に係る基板処理装置における供給システムの一部を示す図である。 一つの例示的実施形態に係る基板支持器の別の部分拡大断面図である。 一つの例示的実施形態に係る基板処理装置における供給システムの別の一部を示す図である。 一つの例示的実施形態に係る基板支持器の第１の部材の斜視図である。 一つの例示的実施形態に係る基板支持器の第２の部材の斜視図である。 図９の（ａ）は、図８に示す第２の部材のセル部の平面図であり、図９の（ｂ）は、図８に示す第２の部材のセル部の斜視図であり、図９の（ｃ）は、図８に示す第２の部材のセル部の別の斜視図である。 一つの例示的実施形態に係る基板支持器の第３の部材の斜視図である。 一つの例示的実施形態に係る基板処理方法の流れ図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、チャンバ及び基板支持器を備える。基板支持器は、チャンバ内に設けられている。基板支持器は、その上面の上に載置される基板の裏面に熱交換媒体が直接的に接するように形成された一つ以上の熱交換領域を提供している。熱交換媒体は、基板支持器上に載置された基板に対する基板処理における該基板の設定温度において、該基板処理におけるチャンバ内の設定圧力の１０^－２倍以下の蒸気圧を有する。

上記実施形態では、熱交換媒体が直接的に基板の裏面に接するように供給されるので、基板の温度が高速に制御される。また、基板の温度は、効率的に制御され得る。さらに、上述の熱交換媒体は、基板処理時のその蒸発を抑制し得る。

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、一つ以上の熱交換領域として、互いに分離された複数の熱交換領域を提供していてもよい。

一つの例示的実施形態において、基板処理装置は、基板支持器の上面において基板を保持するように構成された保持機構を更に備えていてもよい。

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、一つ以上の第１の管及び一つ以上の第２の管を含んでいてもよい。一つ以上の第１の管はそれぞれ、一つ以上の熱交換領域に熱交換媒体を供給するように一つ以上の熱交換領域に接続されている。一つ以上の第２の管はそれぞれ、一つ以上の熱交換領域から熱交換媒体を排出するように一つ以上の熱交換領域に接続されている。保持機構は、一つ以上の第１の管、一つ以上の第２の管、及び一つ以上のポンプを含んでいてもよい。一つ以上のポンプはそれぞれ、該一つ以上のポンプと一つ以上の熱交換領域との間で熱交換媒体を循環させるために、一つ以上の第１の管と一つ以上の第２の管との間で接続されている。一つ以上の熱交換領域の各々に対する熱交換媒体の排出側の圧力が、一つ以上の熱交換領域の各々に対する熱交換媒体の供給側の圧力よりも低い圧力に設定される。この実施形態によれば、一つ以上の熱交換領域の各々に対する熱交換媒体の排出側の吸込圧力により、基板を基板支持器の上面の上で保持することが可能となる。また、熱交換媒体が基板のエッジから漏れ出すことが抑制される。

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、該基板支持器上での基板の上下動のために、フランジを有するリフトピンを更に含んでいてもよい。基板支持器は、その中にリフトピンが設けられた孔を提供していてもよい。孔は、フランジから上方で延在する第１の部分とフランジから下方で延在する第２の部分を含んでいてもよい。基板処理装置は、ポンプを更に含んでいてもよい。ポンプは、流体を供給するように構成されている。ポンプは、孔の第１の部分における流体の圧力と孔の第２の部分における流体の圧力との間の差によりリフトピンを上下動させるように構成されていてもよい。この実施形態によれば、基板のリフト機構を小型化することが可能となる。

一つの例示的実施形態において、熱交換媒体はイオン液体であってもよい。

別の例示的実施形態において、基板支持器が提供される。基板支持器は、基板を支持するように構成されている。基板支持器は、上面及び一つ以上の熱交換領域を備える。一つ以上の熱交換領域は、基板支持器の上面の上に載置される基板に熱交換媒体が直接的に接するように形成されている。熱交換媒体は、基板支持器上に載置された基板に対する基板処理における基板の設定温度において、該基板処理がその中で行われるチャンバ内の設定圧力の１０^－２倍以下の蒸気圧を有する。

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、一つ以上の熱交換領域として、互いに分離された複数の熱交換領域を備えていてもよい。

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、一つ以上の第１の管及び一つ以上の第２の管を含んでいてもよい。一つ以上の第１の管はそれぞれ、一つ以上の熱交換領域に熱交換媒体を供給するように一つ以上の熱交換領域に接続されている。一つ以上の第２の管はそれぞれ、一つ以上の熱交換領域から熱交換媒体を排出するように一つ以上の熱交換領域に接続されている。一つ以上の熱交換領域の各々に対する熱交換媒体の排出側の圧力が、一つ以上の熱交換領域の各々に対する熱交換媒体の供給側の圧力よりも低い圧力に設定される。

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、該基板支持器上での基板の上下動のために、フランジを有するリフトピンを更に備えていてもよい。基板支持器は、その中にリフトピンが設けられた孔を提供していてもよい。孔は、フランジから上方で延在する第１の部分及びフランジから下方で延在する第２の部分を含んでいてもよい。基板支持器は、孔の第１の部分における流体の圧力と孔の第２の部分における流体の圧力との間の差によりリフトピンを上下動させるように構成されていてもよい。

更に別の例示的実施形態において、基板処理方法が提供される。基板処理方法は、チャンバ内に設けられた基板支持器の上面の上に基板を載置する工程を含む。基板支持器は、基板の裏面に熱交換媒体が直接的に接するように形成された一つ以上の熱交換領域を提供する。基板処理方法は、基板が基板支持器の上面の上に載置されている状態で、基板を処理する工程を更に含む。基板処理方法は、基板支持器の上面から基板を持ち上げる工程を更に含む。基板を処理する工程が行われている間、熱交換媒体が一つ以上の熱交換領域に供給される。

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、一つ以上の第１の管及び一つ以上の第２の管を含んでいてもよい。一つ以上の第１の管はそれぞれ、一つ以上の熱交換領域に熱交換媒体を供給するように一つ以上の熱交換領域に接続されている。一つ以上の第２の管はそれぞれ、一つ以上の熱交換領域から熱交換媒体を排出するように一つ以上の熱交換領域に接続されている。一つ以上のポンプがそれぞれ、該一つ以上のポンプと一つ以上の熱交換領域との間で熱交換媒体を循環させるために、一つ以上の第１の管と一つ以上の第２の管との間で接続されていてもよい。基板を処理する工程が行われている間、一つ以上の熱交換領域の各々に対する熱交換媒体の排出側の圧力が、一つ以上の熱交換領域の各々に対する熱交換媒体の供給側の圧力よりも低い圧力に設定されてもよい。

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、該基板支持器上での基板の上下動のために、フランジを有するリフトピンを更に含んでいてもよい。基板支持器は、その中にリフトピンが設けられた孔を提供していてもよい。孔は、フランジの上方で延在する第１の部分及びフランジの下方で延在する第２の部分を含んでいてもよい。基板を載置する工程は、基板支持器の上面から突き出されたリフトピン上に基板を載置する工程を含む。基板を載置する工程は、基板支持器の上面の上に基板を載置するためにリフトピンを下方に移動させる工程を更に含む。リフトピンを下方に移動させる工程において、第１の部分における流体の圧力が第２の部分における該流体の圧力よりも高くなるように、流体が基板支持器の孔に供給されてもよい。基板を持ち上げる工程において、リフトピンを上方に移動させるために、第１の部分における流体の圧力が第２の部分における流体の圧力よりも低くなるように、流体が基板支持器の孔に供給されてもよい。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図１では、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置が、部分的に破断された状態で示されている。図１に示す基板処理装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置である。

基板処理装置１は、チャンバ２を備えている。チャンバ２は、内部空間２ｓを提供している。チャンバ２は、チャンバ本体２ｍを含んでいてもよい。チャンバ本体２ｍは、略円筒形状を有している。内部空間２ｓは、チャンバ本体２ｍの内側に提供されている。チャンバ本体２ｍは、アルミニウムといった金属から形成されている。チャンバ本体２ｍの内部空間２ｓ側の表面は、耐プラズマ性の膜で覆われていてもよい。この膜は、酸化アルミニウム又は酸化イットリウムから形成され得る。チャンバ本体２ｍは接地されている。チャンバ本体２ｍの側壁からは、接地導体２ａが上方に延びていてもよい。接地導体２ａは、略円筒形状を有しており、その上端において閉じられている。

基板処理装置１は、基板支持器１０を更に備えている。基板支持器１０は、その上に載置された基板Ｗを支持するよう構成されている。基板支持器１０は、エッジリングＥＲを更に支持するように構成されていてもよい。基板Ｗは、エッジリングＥＲによって囲まれた領域内に配置される。一実施形態において、基板支持器１０は、第１の部材１２、ケース１４、第２の部材１６、及び第３の部材１８を含んでいてもよい。第１の部材１２は、第２の部材上に設けられている。第２の部材１６は、第３の部材１８上に設けられている。第２の部材１６及び第３の部材１８は、ケース１４内に収容されている。基板Ｗは、第１の部材１２上に載置される。なお、基板支持器１０の詳細については、後述する。

基板処理装置１は、上部電極６０を更に備えている。上部電極６０は、基板支持器１０の上方に設けられている。上部電極６０は、部材６２を介して、チャンバ本体２ｍの上部に支持されている。上部電極６０は、天板６４及び支持体６６を含み得る。天板６４の下面は、内部空間２ｓを画成している。天板６４は、複数のガス孔６４ａを提供している。複数のガス孔６４ａは、内部空間２ｓに向けて開口している。天板６４は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から形成され得る。天板６４は、接地されていてもよい。天板６４が接地される場合には、部材６２は、導電性を有し、接地されていてもよい。一方、高周波電源が上部電極６０に接続される場合には、部材６２は、絶縁性を有する材料から形成される。

支持体６６は、天板６４を着脱自在に支持し得る。支持体６６は、例えばアルミニウムといった導電性材料から形成され得る。支持体６６は、水冷構造を有し得る。支持体６６は、その中にガス拡散室６６ａを提供している。また、支持体６６は、複数の孔６６ｂを更に提供している。複数の孔６６ｂはそれぞれ、ガス拡散室６６ａから下方に延びて、複数のガス孔６４ａに接続している。また、支持体６６は、ポート６６ｃを更に提供している。ポート６６ｃは、ガス拡散室６６ａに接続されている。ポート６６ｃには、ガス供給管６８が接続されている。

ガス供給管６８には、一つ以上のバルブ７２及び一つ以上の流量制御器７４を介して、一つ以上のガスソース７０が接続されている。なお、一つ以上の流量制御器７４の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。一つ以上のガスソース７０は、基板処理装置１での基板処理に用いられる処理ガスのソースである。一つ以上のガスソース７０からの処理ガスは、ガス供給管６８、ガス拡散室６６ａ、複数の孔６６ｂ、及び複数のガス孔６４ａを介して内部空間２ｓに吐出される。

チャンバ２の側壁は、開口２ｐを提供している。基板Ｗは、チャンバ２の内部と外部との間で開口２ｐを経由して搬送される。開口２ｐは、ゲートバルブ２ｇによって開閉可能となっている。チャンバ２の側壁と基板支持器１０との間には、バッフル板５１が設けられている。バッフル板５１は、複数の貫通孔を提供している。

チャンバ２は、バッフル板５１の下方において排気口２ｅを提供している。排気口２ｅには、排気管５３を介して排気装置５４が接続されている。排気装置５４は、圧力制御器及びターボ分子ポンプといった真空ポンプを有している。

基板処理装置１は、高周波電源４４、整合器４５、高周波電源４６、及び整合器４７を更に備えていてもよい。高周波電源４４は、プラズマ生成用の高周波電力を発生する電源である。高周波電源４４によって発生される高周波電力の周波数は、２７ＭＨｚ以上の周波数であり、例えば４０ＭＨｚである。高周波電源４４は、整合器４５を介して第１の部材１２に接続されている。高周波電源４４によって発生される高周波電力は、整合器４５を介して第１の部材１２に供給される。整合器４５は、高周波電源４４の負荷側のインピーダンスを高周波電源４４の出力インピーダンスに整合させるための整合回路を含んでいる。なお、高周波電源４４は、整合器４５を介して上部電極６０に接続されていてもよい。

高周波電源４６は、基板Ｗにイオンを引き込むための高周波電力を発生する電源である。高周波電源４６によって出力される高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚ以下の周波数であり、例えば３ＭＨｚである。高周波電源４６は、整合器４７を介して第１の部材１２に接続されている。高周波電源４６によって発生される高周波電力は、整合器４７を介して第１の部材１２に供給される。整合器４７は、高周波電源４６の負荷側のインピーダンスを高周波電源４６の出力インピーダンスに整合させるための整合回路を含んでいる。

一実施形態において、基板処理装置１は、制御部Ｃｎｔを更に備えている。制御部Ｃｎｔは、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり得る。制御部Ｃｎｔは、基板処理装置１の各部、例えば電源系やガス供給系、駆動系等を制御する。この制御部Ｃｎｔでは、入力装置を用いて、オペレータが基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、この制御部Ｃｎｔでは、表示装置により、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示すことができる。また、制御部Ｃｎｔの記憶部には、基板処理装置１で実行される各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラム、及び、処理レシピが記憶されている。

以下、図１、図２、及び図３を参照して、基板支持器１０について詳細に説明する。図２は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器の分解斜視図である。図３は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。

一実施形態において、基板支持器１０は、上面１２ａ及び複数の熱交換領域１０ｒを提供している。基板Ｗは、その裏面が上面１２ａに接するように、上面１２ａの上に載置される。一実施形態において、上面１２ａは、第１の部材１２によって提供されている。

複数の熱交換領域１０ｒは、基板支持器１０において熱交換媒体の複数の流路それぞれの一部を構成している。複数の熱交換領域１０ｒは、上面１２ａの上に載置される基板Ｗの裏面に熱交換媒体が直接的に接するように形成されている。また、基板支持器１０では、熱交換媒体が直接的に基板Ｗの裏面に接するように供給される。したがって、基板Ｗの温度が高速に制御される。また、基板Ｗの温度が効率的に制御される。

熱交換媒体は、低い蒸気圧を有する液体である。熱交換媒体は、基板支持器１０上に載置された基板Ｗに対する基板処理における基板Ｗの設定温度において、当該基板処理におけるチャンバ２内の設定圧力の１０^－２倍以下の蒸気圧を有する。かかる熱交換媒体は、基板処理時のその蒸発を抑制し得る。

熱交換媒体は、常温（２５℃）において１０^－６Ｐａ以下の蒸気圧を有していてもよい。熱交換媒体は、例えば、３５０℃といった高温、且つ、１Ｐａといった高真空環境下において殆ど蒸発しない液体であってもよい。熱交換媒体は、基板Ｗの設定温度、且つ、０．５Ｐａの高真空環境下において、殆ど揮発しない液体であってもよい。基板Ｗの設定温度は、２５０℃以上であってもよい。基板Ｗの設定温度は、約６００℃であってもよい。

一実施形態において、上述の熱交換媒体は、イオン液体であってもよい。イオン液体は、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１－ｎ－オクチルピリジニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１－ｎ－ブチル－１－メチルピペリジニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１－トリ－ｎ－ブチル－１－ｎ－ドデシルホスホニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリブチルヘキサデシルホスホニウム３－トリメチルシリル－１－プロパンスルホネート（ＢＨＤＰ・ＤＳＳ）、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）アンモニウム テトラフルオロボラート（ＤＥＭＥ・ＢＦ４）、Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（ＭＥＭＰ・ＴＦＳＩ）、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムアセテート（ＥＭＩ・ＡｃＯ）、コリンクロライドウレア等であってもよい。これらのイオン液体は、基板Ｗの設定温度が－５０℃以上、４５０℃以下である場合に、液体の状態を維持し得る。なお、４５０℃以下の温度で熱分解をしない他のイオン液体が、熱交換媒体として用いられてもよい。

別の実施形態において、上述の熱交換媒体は、テトラフェニルテトラメチルトリシロキサン、ペンタフェニルトリメチルトリシロキサン等のシリコン油、ペンタフェニルエーテル、テトラッフェニルエーテル、アルキルジフェニルエーテル等のフェニルエーテル油、パーフロロポリエーテル等のフッ素油などであってもよい。これらの熱交換媒体は、基板Ｗの設定温度が－２０℃以上、８０℃以下である場合に、液体の状態を維持し得る。

図３に示すように、基板支持器１０は、複数の第１の管１６１及び複数の第２の管１６２を含んでいる。複数の第１の管１６１はそれぞれ、複数の熱交換領域１０ｒに接続されている。熱交換媒体は、複数の第１の管１６１を通って複数の熱交換領域１０ｒに供給される。複数の第２の管１６２はそれぞれ、複数の熱交換領域１０ｒに接続されている。熱交換媒体は、複数の熱交換領域１０ｒから複数の第２の管１６２を通って排出される。

以下、図１～図３に加えて、図４を参照する。図４は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置における供給システムの一部を示す図である。基板処理装置１は、供給システム４２を更に備えている。供給システム４２は、複数のユニット４２１を含んでいる。複数のユニット４２１の各々は、バルブ４２１ａ、温調器４２１ｂ、ポンプ４２１ｐ、バルブ４２１ｃ、圧力計４２１ｄ、圧力計４２１ｅ、及びバルブ４２１ｆを含んでいる。

ポンプ４２１ｐは、複数の第１の管１６１のうち一つの第１の管と複数の第２の管１６２のうち一つの第２の管との間で接続されている。具体的に、ポンプ４２１ｐは、温調器４２１ｂ、バルブ４２１ａ、及び配管４０ａを介して、複数の第１の管１６１のうち一つに接続されている。また、ポンプ４２１ｐは、バルブ４２１ｃ及び配管４０ｂを介して、複数の第２の管１６２のうち一つに接続されている。ポンプ４２１ｐは、温調器４２１ｂ、バルブ４２１ａ、配管４０ａ、及び対応の第１の管１６１を介して、熱交換媒体を対応の熱交換領域１０ｒに供給する。ポンプ４２１ｐは、対応の第２の管１６２、配管４０ｂ、及びバルブ４２１ｃを介して、対応の熱交換領域１０ｒから熱交換媒体を回収する。即ち、複数のユニット４２１の各々は、熱交換媒体の循環回路の一部を構成している。なお、複数のユニット４２１の各々は、複数の熱交換領域１０ｒのうち二つ以上の熱交換領域に熱交換媒体を供給し、当該二つ以上の熱交換領域から熱交換媒体を回収してもよい。

温調器４２１ｂは、熱交換媒体の温度を調整するように構成されている。圧力計４２１ｄは、配管４０ａ内の圧力、即ち対応の熱交換領域１０ｒに対する熱交換媒体の供給側の圧力を測定するように構成されている。圧力計４２１ｅは、配管４０ｂ内の圧力、即ち対応の熱交換領域１０ｒに対する熱交換媒体の排出側の圧力を測定するように構成されている。バルブ４２１ｆは、配管４０ｂとタンク４２ｔとの間で接続されている。タンク４２ｔは、熱交換媒体用のタンクである。タンク４２ｔ内の熱交換媒体は、必要に応じて、上述の循環回路に補充される。

一実施形態において、複数のユニット４２１のポンプ４２１ｐ、複数の第１の管１６１、及び複数の第２の管１６２は、基板Ｗの保持機構を構成している。複数のユニット４２１の各々において、ポンプ４２１ｐは、対応の熱交換領域１０ｒに対する熱交換媒体の排出側の圧力が、当該対応の熱交換領域１０ｒに対する熱交換媒体の供給側の圧力よりも低くなるように、吐出圧力及び吸込圧力を調整する。供給側の圧力は、圧力計４２１ｄによって測定され得る。排出側の圧力は、圧力計４２１ｅによって測定され得る。この実施形態によれば、複数の熱交換領域１０ｒの各々に対する熱交換媒体の排出側の吸込圧力により、基板Ｗを基板支持器１０の上面１２ａの上で保持することが可能となる。また、熱交換媒体が基板Ｗのエッジから漏れ出すことが抑制される。

以下、図５及び図６を参照する。図５は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器の別の部分拡大断面図である。図６は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置における供給システムの別の一部を示す図である。基板支持器１０は、流体を用いた基板Ｗのリフト機構を備えている。具体的に、基板支持器１０は、複数のリフトピン８０を有していてもよい。基板支持器１０において、複数のリフトピン８０は、それらの上端の上に載置される基板Ｗを支持可能であるように配置されている。複数のリフトピン８０の各々は、主部８０ｍを有している。主部８０ｍは、柱状（例えば円柱状）をなしており、鉛直方向に延びている。複数のリフトピン８０の各々において、主部８０ｍは、上端と下端を提供している。複数のリフトピン８０の各々は、その上端と下端との間にフランジ８０ｆを有している。フランジ８０ｆは、柱状（例えば円柱状）をなしており、主部８０ｍの幅よりも大きい幅を有する。

基板支持器１０は、複数の孔１０ｈを提供している。複数の孔１０ｈは、鉛直方向に延在している。一実施形態においては、複数の孔１０ｈは、第１の部材１２及び第２の部材１６によって提供されている。複数のリフトピン８０はそれぞれ、複数の孔１０ｈの中に配置されている。複数の孔１０ｈの各々は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２を含んでいる。第１の部分１０１は、フランジ８０ｆよりも上方で延在している。第２の部分１０２は、フランジ８０ｆよりも下方で延在している。基板支持器１０は、複数の流路１０ｆを更に提供している。複数の流路１０ｆの各々は、対応の孔１０ｈの第１の部分１０１に接続している。一実施形態において、複数の流路１０ｆは、第１の部材１２及び第２の部材１６によって提供されている。

図６に示すように、供給システム４２は、ユニット４２２を更に含んでいてもよい。ユニット４２２は、バルブ４２２ａ、ポンプ４２２ｐ、バルブ４２２ｂ、圧力計４２２ｄ、圧力計４２２ｅ、及びバルブ４２２ｆを含んでいる。ポンプ４２２ｐは、二方向に流体を出力するように構成されている。一実施形態においては、ポンプ４２２ｐから出力される流体は、上述の熱交換媒体である。なお、ポンプ４２２ｐから出力される流体は、上述の熱交換媒体とは別の流体であってもよい。ポンプ４２２ｐは、複数の孔１０ｈの各々の第１の部分１０１と第２の部分１０２との間で接続されている。具体的に、ポンプ４２２ｐは、バルブ４２２ａ及び配管４０ａを介して、第２の部分１０２に接続されている。また、ポンプ４２２ｐは、バルブ４２２ｂ及び流路１０ｆを介して、第１の部分１０１に接続されている。

圧力計４２２ｄは、配管４０ａ内の圧力、即ち第２の部分１０２における圧力を測定するように構成されている。圧力計４２２ｅは、配管４０ｂ内の圧力、即ち第１の部分１０１における圧力を測定するように構成されている。バルブ４２２ｆは、ポンプ４２２ｐとタンク４２ｔとの間で接続されている。タンク４２ｔは、補充用の流体として、上述の熱交換媒体を補充している。流体が、上述の熱交換媒体とは別の流体である場合には、タンク４２ｔに代えて、補充用の流体を貯蔵している別のタンクが、バルブ４２２ｆを介してポンプ４２２ｐに接続される。

ポンプ４２２ｐは、孔１０ｈの第１の部分１０１における流体の圧力と孔１０ｈの第２の部分１０２における流体の圧力との間の差により複数のリフトピン８０を上下動させるように構成されている。例えば、ポンプ４２２ｐは、孔１０ｈの第２の部分１０２に向かう方向に流体を供給することにより、複数のリフトピン８０を上方に移動させることができる。複数のリフトピン８０を上方に移動させることにより、基板Ｗを基板支持器１０から上方に持ち上げることができる。

また、複数のリフトピン８０の上端が基板支持器１０の上面１２ａから上方に突き出している状態では、チャンバ２内に搬送されてきた基板Ｗを複数のリフトピン８０の上端に受け渡すことができる。また、ポンプ４２２ｐは、孔１０ｈの第１の部分１０１に向かう方向に流体を供給することにより、複数のリフトピン８０を下方に移動させることができる。複数のリフトピン８０を下方に移動させることにより、複数のリフトピン８０の上端の上に載置されている基板Ｗを基板支持器１０の上面１２ａの上に載置することができる。

かかるリフト機構は、流体を動力源として基板Ｗを複数のリフトピン８０を上下に移動させることができる。したがって、基板Ｗのリフト機構を小型化することが可能である。

以下、図１～図６と共に図７、図８、図９の（ａ）、図９の（ｂ）、図９の（ｃ）、及び図１０を参照して、基板支持器１０の第１の部材１２、ケース１４、第２の部材１６、及び第３の部材１８について詳細に説明する。図７は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器の第１の部材の斜視図である。図８は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器の第２の部材の斜視図である。図９の（ａ）は、図８に示す第２の部材のセル部の平面図であり、図９の（ｂ）は、図８に示す第２の部材のセル部の斜視図であり、図９の（ｃ）は、図８に示す第２の部材のセル部の別の斜視図である。図１０は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器の第３の部材の斜視図である。

図７に示すように、第１の部材１２は、略円盤形状を有している。第１の部材１２は、上面１２ａ及び下面１２ｂを含んでいる。一実施形態において、第１の部材１２は、主部１２１と周縁部１２２を含み得る。主部１２１は、略円形の平面形状を有する。周縁部１２２は、環状の平面形状を有するフランジであり、主部１２１の外周を囲むように主部１２１に連続している。第１の部材１２の主部１２１は、複数の貫通孔１２ｈを提供している。複数の貫通孔１２ｈは、第１の部材１２の厚さ方向に延びている。複数の貫通孔１２ｈは、上述の複数の熱交換領域１０ｒをそれぞれ含んでいる。複数の貫通孔１２ｈの各々は、平面視において、第１の部材１２の中心から外側に向かうにつれてその幅が広くなる略矩形の平面形状を有し得る。複数の貫通孔１２ｈは、それらが互いに内包しないように２次元的に配列されている。なお、複数の貫通孔１２ｈの平面形状は、他の形状、例えば円形又は三角形、六角形といった多角形であってもよい。

第１の部材１２は、金属から形成され得る。第１の部材１２は、例えば、ステンレス材（例えば、ＳＵＳ３０４）、アルミニウム、又はチタン含有物質から形成されていてもよい。第１の部材１２は、その上面１２ａを構成するセラミック（例えば、酸化イットリウム）の溶射膜を含んでいてもよい。なお、第１の部材１２が高周波電力のための電極として用いられない場合には、第１の部材１２は窒化アルミニウムのようなセラミックから形成されていてもよい。この第１の部材１２は、第２の部材１６上に設けられている。

図８に示すように、第２の部材１６は、略円盤形状を有している。第２の部材１６は、複数の第１の管１６１、複数の第２の管１６２、及び隔壁１６３を含んでいる。一実施形態において、第２の部材１６は、主部１６４及び周縁部１６５を含んでいてもよい。主部１６４は、略円形の平面形状を有する。周縁部１６５は、環状の平面形状を有するフランジであり、主部１６４の外周を囲むように主部１６４に連続している。図３に示すように、第１の部材１２の周縁部１２２は、第２の部材１６の周縁部１６５上に配置されている。第２の部材１６の周縁部１６５と第１の部材１２の周縁部１２２との間には、Ｏリングのような封止部材２１が挟持されていてもよい。

第２の部材１６の主部１６４は、複数のセル部１６ｃを提供している。複数のセル部１６ｃの各々は、平面視において、第２の部材１６の中心から外側に向かうにつれてその幅が広くなる略矩形の平面形状を有し得る。複数のセル部１６ｃは、複数の空間１６ｓをそれぞれ提供している。複数の空間１６ｓの各々は、略矩形の平面形状を有し得る。複数の空間１６ｓは、隔壁１６３によって画成されている（図３及び図５を参照）。複数の空間１６ｓはそれぞれ、第１の部材１２の複数の貫通孔１２ｈの下方に位置しており、複数の貫通孔１２ｈに連続している。なお、複数のセル部１６ｃ及び複数の空間１６ｓの各々の平面形状は、他の形状、例えば、円形又は三角形、六角形といった多角形であってもよい。

図８、図９の（ａ）、図９の（ｂ）、及び図９の（ｃ）に示すように、複数のセル部１６ｃの各々は、複数の第１の管１６１のうち一つ、及び、複数の第２の管１６２のうち一つを含んでいる。各セル部１６ｃにおいて、第１の管１６１は、空間１６ｓの中心線にその中心軸線が一致するように、延在している。複数の第１の管１６１は、互いに平行に延在している。複数の第１の管１６１の各々は、第１の開口端１６１ａ及び第２の開口端１６１ｂを有している。複数の第１の管１６１の各々は、第２の開口端１６１ｂから第１の開口端１６２ａに向けて上方に延在している。第１の開口端１６１ａは、対応の貫通孔１２ｈの内部に配置されている。第１の開口端１６１ａは、基板Ｗの裏面に対面するよう、対応の熱交換領域１０ｒに向けて開口している。

各セル部１６ｃにおいて、隔壁１６３は、第１の管１６１の外周面の周りに空間１６ｓを提供するよう、当該第１の管１６１の外周面を囲んでいる。各セル部１６ｃにおいて、隔壁１６３は、第１の開口端１６１ａと第２の開口端１６１ｂとの間で第１の管１６１の外周面に接続して、第１の管１６１の周りで空間１６ｓの底部を閉じている。各セル部１６ｃにおいて、隔壁１６３は、空間１６ｓの底部と反対側で当該空間１６ｓを開口させている。また、各セル部１６ｃにおいて、第１の管１６１の第２の開口端１６２ｂは、空間１６ｓの外側に配置されている。

複数の第２の管１６２の各々は、第１の開口端１６２ａ及び第２の開口端１６２ｂを有している。各セル部１６ｃにおいて、第２の管１６２の第１の開口端１６２ａは、空間１６ｓの底部において、当該空間１６ｓに接続している。各セル部１６ｃにおいて、第２の管１６２の第２の開口端１６２ｂは、空間１６ｓの外側に配置されている。

一実施形態において、第２の部材１６は、樹脂、セラミック、又は、金属を主成分として含む材料から形成され得る。第２の部材１６は、隣り合うセル部１６ｃの互いからの影響を抑制するために、低い熱伝導率を有する材料、例えば、セラミック又は樹脂から形成されていてもよい。第２の部材１６は、当該第２の部材１６の強度及び／又は熱伝導率を部分的に変更するために、部分的に異なる材料から形成されていてもよい。第２の部材１６は、例えば３Ｄプリンタを用いて形成され得る。この第２の部材１６と第３の部材１８は、ケース１４内に収容されている。

ケース１４は、例えばステンレスといった金属から形成されている。図２に示すように、ケース１４は、側壁１４ａと底壁１４ｂとを有しており、その内部に収容空間１４ｓを画成している。側壁１４ａは、円筒形状を有しており、その上端面１４ｃで第１の部材１２を支持する。側壁１４ａは、筒状部１４２及び筒状部１４４を提供している。筒状部１４２は、側壁１４ａの径方向に沿って延びており、第１の開口１４６を介して収容空間１４ｓに連通している。筒状部１４４は、側壁１４ａの径方向に沿って延びており、第２の開口１４８を介して収容空間１４ｓに連通している。第２の部材１６と第３の部材１８は、収容空間１４ｓの中に配置される。

図３に示すように、Ｏリングのような封止部材１９が、第１の部材１２の周縁部１２２と側壁１４ａの上端面１４ｃとの間で挟持されていてもよい。第１の部材１２の周縁部１２２は、ケース１４にねじ２３で締結されてもよい。これにより、封止部材１９は、第１の部材１２の周縁部１２２と側壁１４ａの上端面１４ｃとの間で押圧される。

第３の部材１８は、複数の第１の管１６１に熱交換媒体を供給するための流路、及び、複数の第２の管１６２から熱交換媒体を回収するための流路を提供する。図１０に示すように、第３の部材１８は、略円柱形のブロック体である。第３の部材１８は、上面１８ａ及び側面１８ｂを有している。

第３の部材１８は、複数の第１の流路１８１及び複数の第２の流路１８２を提供している。複数の第１の流路１８１及び複数の第２の流路１８２の各々は、第３の部材１８の内部を貫通する小径の空洞から構成されている。複数の第１の流路１８１の各々は、一端１８１ａ及び他端１８１ｂを有しており、一端１８１ａと他端１８１ｂとの間で延在している。複数の第１の流路１８１の一端１８１ａはそれぞれ、第３の部材１８の上面１８ａにおいて複数の第１の管１６１の第２の開口端１６１ｂに対応する位置に形成されている。複数の第１の流路１８１の一端１８１ａは、複数の第１の管１６１の第２の開口端１６１ｂにそれぞれ接続される。複数の第１の流路１８１の他端１８１ｂは、側面１８ｂに形成された第１の集合部１８ｄに局所的に集められている。第１の集合部１８ｄは、ケース１４の第１の開口１４６に対応する位置に形成されている。第１の集合部１８ｄは、第３の部材１８がケース１４内に収容された状態において、第１の開口１４６に対面する。

複数の第２の流路１８２の各々は、一端１８２ａ及び他端１８２ｂを有しており、一端１８２ａと他端１８２ｂとの間で延在している。複数の第２の流路１８２の一端１８２ａはそれぞれ、第３の部材１８の上面１８ａにおいて複数の第２の管１６２の第２の開口端１６２ｂに対応する位置に形成されている。複数の第２の流路１８２の一端１８２ａは、複数の第２の管１６２の第２の開口端１６２ｂにそれぞれ接続される。複数の第２の流路１８２の他端１８２ｂは、側面１８ｂに形成された第２の集合部１８ｅに局所的に集められている。第２の集合部１８ｅは、ケース１４の第２の開口１４８に対応する位置に形成されている。第２の集合部１８ｅは、第３の部材１８がケース１４内に収容された状態において、第２の開口１４８に対面する。

複数の第１の流路１８１及び複数の第２の流路１８２は、互いに連通しない独立した流路として形成されている。一実施形態では、複数の第１の流路１８１は互いに等しいコンダクタンスを有しており、複数の第２の流路１８２は互いに等しいコンダクタンスを有している。ここで、コンダクタンスとは、流体の流れやすさを示す指標であり、流路の径、長さ、及び屈曲率によって定まる値である。複数の第１の流路１８１及び複数の第２の流路１８２の各々は、その長さに応じて調整された径及び屈曲率を有している。これにより、複数の第１の流路１８１のコンダクタンスが、互いに等しくなるよう調整される、また、複数の第２の流路１８２のコンダクタンスが、互いに等しくなるよう調整される。なお、一実施形態では、第３の部材１８は、樹脂を主成分として構成され得る。このようにブロック状の第３の部材１８に複数の第１の流路１８１及び複数の第２の流路１８２を形成することにより、それらの径を最大化することができる。したがって、複数の第１の流路１８１及び複数の第２の流路１８２のそれぞれのコンダクタンスを大きくすることができる。

図１に示すように、ケース１４の筒状部１４２には、複数の配管４０ａが挿入されている。また、筒状部１４４には、複数の配管４０ｂ一端が挿入されている。複数の配管４０ａの各々は、対応の第１の流路１８１と対応のバルブ４２１ａとの間で接続されている。複数の配管４０ｂの各々は、対応の第２の流路１８２と対応のバルブ４２１ｃとの間で接続されている。

図６及び図１０に示すように、第３の部材１８は、複数の流路１８３及び複数の流路１８４を更に提供し得る。複数の流路１８３及び複数の流路１８４の各々は、第３の部材１８の内部を貫通する小径の空洞から構成されている。複数の流路１８３の各々は、一端１８３ａ及び他端１８３ｂを有しており、一端１８３ａと他端１８３ｂとの間で延在している。複数の流路１８３の一端１８３ａはそれぞれ、第３の部材１８の上面１８ａにおいて複数の孔１０ｈの下端（第２の部分１０２の下端）に対応する位置に形成されている。複数の流路１８３の一端１８３ａは、複数の孔１０ｈの第２の部分１０２にそれぞれ接続されている。複数の流路１８３の他端１８３ｂは、第１の集合部１８ｄに局所的に集められていてもよい。複数の流路１８３の他端１８３ｂの各々は、複数の配管４０ａのうち一つに接続されている。

複数の流路１８４の各々は、一端１８４ａ及び他端１８４ｂを有しており、一端１８４ａと他端１８４ｂとの間で延在している。複数の流路１８４の一端１８４ａはそれぞれ、第３の部材１８の上面１８ａにおいて複数の流路１０ｆに対応する位置に形成されている。複数の流路１８４の一端１８４ａは、複数の流路１０ｆにそれぞれ接続されている。複数の流路１８４の他端１８４ｂは、第２の集合部１８ｅに局所的に集められていてもよい。複数の流路１８４の他端１８４ｂの各々は、複数の配管４０ｂのうち一つに接続されている。

以下、図１１を参照しつつ、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法について説明する。図１１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法の流れ図である。以下では、図１１に示す基板処理方法（以下、「方法ＭＴ」という）について、それが基板処理装置１を用いて行われる場合を例にとって、説明する。なお、方法ＭＴにおいて、基板処理装置１の各部は、制御部Ｃｎｔによって制御され得る。

方法ＭＴは、工程ＳＴａで開始する。工程ＳＴａでは、基板Ｗが、基板支持器１０の上面１２ａの上に載置される。工程ＳＴａは、工程ＳＴａ１及び工程ＳＴａ２を含む。工程ＳＴａ１では、基板Ｗが複数のリフトピン８０の上端の上に載置される。具体的に、工程ＳＴａ１では、基板Ｗが、搬送装置によってチャンバ２内に搬送される。基板Ｗは、基板支持器１０の上方の領域に配置される。そして、工程ＳＴａ１では、バルブ４２２ａ及びバルブ４２２ｂが開かれる。また、工程ＳＴａ１では、複数の孔１０ｈの各々において第２の部分１０２の中の圧力が第１の部分１０１の中の圧力よりも高くなるように、ポンプ４２２ｐから第２の部分１０２に向かう方向に流体が出力される。その結果、工程ＳＴａ１では、複数のリフトピン８０は、それらが基板支持器１０の上面１２ａから上方へ突き出すように、上方へ移動される。これにより、基板Ｗは、搬送装置から複数のリフトピン８０に受け渡される。

続く工程ＳＴａ２では、複数のリフトピン８０が下方に移動される。具体的に、工程ＳＴａ２では、バルブ４２２ａ及びバルブ４２２ｂが開かれる。また、工程ＳＴａ２では、複数の孔１０ｈの各々において第１の部分１０１の中の圧力が第２の部分１０２の中の圧力よりも高くなるように、ポンプ４２２ｐから第１の部分１０１に向かう方向に流体が出力される。その結果、工程ＳＴａ２では、複数のリフトピン８０は、それらが基板支持器１０の上面１２ａから下方に退避するように、下方へ移動される。これにより、基板Ｗは、複数のリフトピン８０から基板支持器１０の上面１２ａに受け渡される。

次いで、方法ＭＴでは、工程ＳＴｂが行われる。工程ＳＴｂでは、基板支持器１０による基板Ｗの保持が開示される。一実施形態の工程ＳＴｂでは、複数のユニット４２１の各々のバルブ４２１ａ及びバルブ４２１ｃが開かれる。そして、複数の熱交換領域１０ｒの各々に対する熱交換媒体の排出側の圧力が、複数の熱交換領域１０ｒの各々に対する熱交換媒体の供給側の圧力よりも低い圧力となるように、複数のユニット４２１の各々のポンプ４２１ｐから熱交換媒体が出力される。これにより、基板Ｗは、基板支持器１０によって保持される。基板支持器１０による基板Ｗの保持は、後述の工程ＳＴｄにおいてそれが停止されまで継続する。なお、基板Ｗが基板支持器１０によって保持されている間、複数の熱交換領域１０ｒの各々に対する熱交換媒体の供給側の圧力は、チャンバ２の内部空間２ｓの中の圧力と略同じ圧力に設定され得る。

次いで、方法ＭＴでは、工程ＳＴｃが行われる。工程ＳＴｃでは、基板処理が行われる。工程ＳＴｃでは、基板Ｗは、基板支持器１０上に載置されている状態で、処理される。基板Ｗの処理は、上述の処理ガスを用いて行われる。基板Ｗの処理は、エッチング、成膜、表面処理といった如何なる処理であってもよい。基板Ｗの処理においては、プラズマが、チャンバ２内で処理ガスから生成されてもよい。或いは、基板Ｗの処理においては、プラズマは、チャンバ２内で生成されなくてもよい。工程ＳＴｃが行われている間、基板Ｗの温度が調整される。基板Ｗの温度は、複数の熱交換領域１０ｒに供給される熱交換媒体により調整される。複数の熱交換領域１０ｒに供給される熱交換媒体の温度は、複数のユニット４２１各々の温調器４２１ｂによって調整される。

次いで、方法ＭＴでは、工程ＳＴｄが行われる。工程ＳＴｄでは、基板支持器１０による基板Ｗの保持が停止される。一実施形態の工程ＳＴｄでは、複数のユニット４２１の各々のバルブ４２１ａ及びバルブ４２１ｃが閉じられる。

次いで、方法ＭＴでは、工程ＳＴｅが行われる。工程ＳＴｅでは、基板Ｗを基板支持器１０から上方に移動させるために、複数のリフトピン８０が上方に移動される。具体的に、工程ＳＴｅでは、バルブ４２２ａ及びバルブ４２２ｂが開かれる。また、工程ＳＴｅでは、複数の孔１０ｈの各々において第２の部分１０２の中の圧力が第１の部分１０１の中の圧力よりも高くなるように、ポンプ４２２ｐから第２の部分１０２に向かう方向に流体が出力される。その結果、工程ＳＴｅでは、複数のリフトピン８０が上方へ移動され、基板Ｗが基板支持器１０から上方に移動される。基板Ｗは、基板支持器１０から上方に移動された後に、複数のリフトピン８０から搬送装置に受け渡されて、搬送装置によってチャンバ２から搬出される。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

例えば、基板支持器１０の熱交換領域１０ｒの個数は、一つであってもよい。また、基板支持器１０は、基板Ｗの保持機構として、静電チャック又は他のクランプ機構を有していてもよい。また、別の例示的実施形態において、基板処理装置は、容量結合型以外の他のタイプのプラズマ処理装置であってもよく、プラズマ処理装置以外の他の基板処理装置であってもよい。

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

１…基板処理装置、２…チャンバ、１０…基板支持器、１０ｒ…熱交換領域。

Claims (14)

1. チャンバと、
   前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
   を備え、
   前記基板支持器は、その上面の上に載置される基板の裏面に熱交換媒体が直接的に接するように形成された一つ以上の熱交換領域を提供しており、
   前記熱交換媒体は、前記基板支持器上に載置された基板に対する基板処理における該基板の設定温度において、該基板処理における前記チャンバ内の設定圧力の１０^－２倍以下の蒸気圧を有する、
   基板処理装置。
2. 前記基板支持器は、前記一つ以上の熱交換領域として、互いに分離された複数の熱交換領域を提供している、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記上面において前記基板を保持するように構成された保持機構を更に備える、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
4. 前記基板支持器は、一つ以上の第１の管及び一つ以上の第２の管を含み、
   前記一つ以上の第１の管はそれぞれ、前記一つ以上の熱交換領域に前記熱交換媒体を供給するように前記一つ以上の熱交換領域に接続されており、
   前記一つ以上の第２の管はそれぞれ、前記一つ以上の熱交換領域から前記熱交換媒体を排出するように前記一つ以上の熱交換領域に接続されており、
   前記保持機構は、前記一つ以上の第１の管、前記一つ以上の第２の管、及び一つ以上のポンプを含み、
   前記一つ以上のポンプはそれぞれ、該一つ以上のポンプと前記一つ以上の熱交換領域との間で前記熱交換媒体を循環させるために、前記一つ以上の第１の管と前記一つ以上の第２の管との間で接続されており、
   前記一つ以上の熱交換領域の各々に対する前記熱交換媒体の排出側の圧力が、前記一つ以上の熱交換領域の各々に対する前記熱交換媒体の供給側の圧力よりも低い圧力に設定される、
   請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記基板支持器は、該基板支持器上での基板の上下動のためにフランジを有するリフトピンを更に含み、その中に前記リフトピンが設けられた孔を提供し、
   流体を供給するように構成されたポンプであり、前記フランジから上方で延在する前記孔の第１の部分における該流体の圧力と前記フランジから下方で延在する前記孔の第２の部分における該流体の圧力との間の差により前記リフトピンを上下動させるように構成された、該ポンプを更に備える、請求項１～４の何れか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記熱交換媒体と同じ液体が、前記流体として用いられる、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記熱交換媒体はイオン液体である、請求項１～６の何れか一項に記載の基板処理装置。
8. 基板を支持するように構成された基板支持器であって、
   上面と、
   前記上面の上に載置される基板に熱交換媒体が直接的に接するように形成された一つ以上の熱交換領域と、
   を備え、
   前記熱交換媒体は、前記基板支持器上に載置された基板に対する基板処理における該基板の設定温度において、該基板処理がその中で行われるチャンバ内の設定圧力の１０^－２倍以下の蒸気圧を有する、
   基板支持器。
9. 前記一つ以上の熱交換領域として、互いに分離された複数の熱交換領域を備える、請求項８に記載の基板支持器。
10. 一つ以上の第１の管及び一つ以上の第２の管を含み、
    前記一つ以上の第１の管はそれぞれ、前記一つ以上の熱交換領域に前記熱交換媒体を供給するように前記一つ以上の熱交換領域に接続されており、
    前記一つ以上の第２の管はそれぞれ、前記一つ以上の熱交換領域から前記熱交換媒体を排出するように前記一つ以上の熱交換領域に接続されており、
    前記一つ以上の熱交換領域の各々に対する前記熱交換媒体の排出側の圧力が、前記一つ以上の熱交換領域の各々に対する前記熱交換媒体の供給側の圧力よりも低い圧力に設定される、
    請求項８又は９に記載の基板支持器。
11. 該基板支持器上での基板の上下動のためにフランジを有するリフトピンを更に備え、
    該基板支持器は、
    その中に前記リフトピンが設けられた孔を提供し、
    前記フランジから上方で延在する前記孔の第１の部分における流体の圧力と前記フランジから下方で延在する前記孔の第２の部分における該流体の圧力との間の差により前記リフトピンを上下動させるように構成されている、
    請求項８～１０の何れか一項に記載の基板支持器。
12. チャンバ内に設けられた基板支持器の上面の上に基板を載置する工程であり、該基板支持器は、該基板の裏面に熱交換媒体が直接的に接するように形成された一つ以上の熱交換領域を提供している、該工程と、
    前記基板が前記上面の上に載置されている状態で、前記基板を処理する工程と、
    前記基板支持器の前記上面から前記基板を持ち上げる工程と、
    を含み、
    前記基板を処理する工程が行われている間、熱交換媒体が前記一つ以上の熱交換領域に供給される、
    基板処理方法。
13. 前記基板支持器は、一つ以上の第１の管及び一つ以上の第２の管を含み、
    前記一つ以上の第１の管はそれぞれ、前記一つ以上の熱交換領域に前記熱交換媒体を供給するように前記一つ以上の熱交換領域に接続されており、
    前記一つ以上の第２の管はそれぞれ、前記一つ以上の熱交換領域から前記熱交換媒体を排出するように前記一つ以上の熱交換領域に接続されており、
    一つ以上のポンプがそれぞれ、該一つ以上のポンプと前記一つ以上の熱交換領域との間で前記熱交換媒体を循環させるために、前記一つ以上の第１の管と前記一つ以上の第２の管との間で接続されており、
    前記基板を処理する前記工程が行われている間、前記一つ以上の熱交換領域の各々に対する前記熱交換媒体の排出側の圧力が、前記一つ以上の熱交換領域の各々に対する前記熱交換媒体の供給側の圧力よりも低い圧力に設定される、
    請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記基板支持器は、該基板支持器上での基板の上下動のためにフランジを有するリフトピンを更に含み、その中に前記リフトピンが設けられた孔を提供し、
    前記孔は、前記フランジの上方で延在する第１の部分及び該フランジの下方で延在する第２の部分を含み、
    基板を載置する前記工程は、
    前記基板支持器の前記上面から突き出された前記リフトピン上に前記基板を載置する工程と、
    前記上面の上に前記基板を載置するために前記リフトピンを下方に移動させる工程と、
    を含み、
    前記リフトピンを下方に移動させる前記工程において、前記第１の部分における流体の圧力が前記第２の部分における該流体の圧力よりも高くなるように、該流体が前記孔に供給され、
    前記基板を持ち上げる前記工程において、前記リフトピンを上方に移動させるために、前記第１の部分における前記流体の圧力が前記第２の部分における該流体の圧力よりも低くなるように、該流体が前記孔に供給される、
    請求項１２又は１３に記載の基板処理方法。

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