JP7004589B2 - 昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置 - Google Patents

昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7004589B2
JP7004589B2 JP2018018005A JP2018018005A JP7004589B2 JP 7004589 B2 JP7004589 B2 JP 7004589B2 JP 2018018005 A JP2018018005 A JP 2018018005A JP 2018018005 A JP2018018005 A JP 2018018005A JP 7004589 B2 JP7004589 B2 JP 7004589B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat transfer
transfer gas
insertion hole
pin
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018018005A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019135737A (ja
Inventor
俊泳 鄭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2018018005A priority Critical patent/JP7004589B2/ja
Priority to US16/263,114 priority patent/US20190244791A1/en
Priority to TW108103708A priority patent/TW201937592A/zh
Priority to KR1020190013743A priority patent/KR20190095157A/ko
Publication of JP2019135737A publication Critical patent/JP2019135737A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7004589B2 publication Critical patent/JP7004589B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3343—Problems associated with etching
    • H01J2237/3347—Problems associated with etching bottom of holes or trenches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

本発明は、昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置に関する。
近年の半導体製造装置では、コンタクトホール等のホールや溝を基板に生成する際、高アスペクト比のホール等をエッチングすることの要求が増している（例えば、特許文献１を参照）。高アスペクト比のホール等をハイスピードでエッチングするために、基板を載置した載置台に供給されるＲＦの高周波のパワーは、従前よりもを徐々に上がっている。
特開２０１４－１７４３８号公報
しかしながら、ＲＦの高周波のパワーが上がると、載置台の上面と基板の裏面との間に伝熱ガスを供給するために、載置台の上面に貫通する伝熱ガス孔において異常放電が生じる頻度が高くなる。
上記課題に対して、一側面では、本発明は、載置台における異常放電を防止することを目的とする。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、処理容器内にて処理される被処理体を載置する載置台に上下方向に貫設されたピン挿通孔に挿通され、上下方向に昇降するリフターピンと、前記リフターピンの所定の高さにて前記リフターピンと前記ピン挿通孔の内面との間に設けられ、前記リフターピンに潤滑剤を供給する潤滑部と、前記リフターピンを上下方向に駆動する駆動部と、前記潤滑部より上部にて前記ピン挿通孔に連通する伝熱ガス供給経路を有し、前記ピン挿通孔に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、を有し、前記伝熱ガス供給経路は、前記潤滑部から前記リフターピンの昇降量よりも離間した上部にて前記ピン挿通孔に連通する、被処理体の昇降機構が提供される。
一の側面によれば、載置台における異常放電を防止することができる。
一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す図。 従来の載置台の一例を示す図。 一実施形態に係る載置台（リフターピンを下げたとき）の一例を示す図。 一実施形態に係る載置台（リフターピンを上げたとき）の一例を示す図。 一実施形態に係る載置台の変形例を示す図。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
［プラズマ処理装置］
まず、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置１の全体構成の一例について、図１を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置１の一例を示す図である。プラズマ処理装置１は、プラズマを用いて高アスペクト比のホールや溝を、被処理体としての半導体ウエハＷ（以下、ウエハＷと称呼する）にエッチングすることが可能な半導体製造装置の一例である。
プラズマ処理装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形の処理容器１０を有している。処理容器１０は、接地されている。処理容器１０の内部には載置台１２が設けられている。載置台１２には、ウエハＷが載置されている。ウエハＷには、処理容器１０の内部にてエッチング処理等のプラズマ処理が実行される。載置台１２は、絶縁性の支持部２２を介して処理容器１０の底部に設置される。
載置台１２は、たとえばアルミニウムの静電チャック２１と基台２３とを有する。静電チャック２１は、基台２３の上面に設けられている。静電チャック２１は導電膜からなるチャック電極２１ａを絶縁層２１ｂの間に挟み込んだものであり、チャック電極２１ａには直流電源１１３が接続されている。静電チャック２１は、直流電源１１３からの電圧により、クーロン力によってウエハＷを静電チャック上に吸着して保持する。ウエハＷの周縁には、載置台１２の外周上面にてウエハＷを環状に囲む、例えばシリコンや石英から構成されたフォーカスリング２５が配置されている。フォーカスリング２５及び載置台１２の外周は、円筒形のインシュレータリング２６により覆われている。
載置台１２の基台２３には、第１高周波電源３２が整合器３３を介して接続されている。また、基台２３には、第２高周波電源３４が整合器３５を介して接続されている。例えば、第１高周波電源３２は、処理容器１０内にてプラズマを生成するために適した第１の周波数、例えば４０ＭＨｚの周波数であって３ｋＷの高周波電力を載置台１２に印加する。第２高周波電源３４は、載置台１２上のウエハＷにプラズマ中のイオンを引き込むのに適した第１の周波数よりも低い周波数、例えば３ＭＨｚの周波数であって５ｋＷ以上の高周波電力を載置台１２に印加する。このようにして載置台１２は、ウエハＷを載置するとともに、下部電極としての機能を有する。
載置台１２の内部には冷媒管２４ａが設けられている。冷媒管２４ａには、配管２４ｂ、２４ｃを介してチラーユニットから所定温度の冷媒が供給され、循環する。これによって、静電チャック２１上のウエハＷは所望の温度に調整される。
処理容器１０の底部には、排気口を形成する排気管６０が設けられ、排気管６０は排気装置６５に接続されている。排気装置６５は、ターボ分子ポンプやドライポンプ等の真空ポンプから構成され、処理容器１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧するとともに、処理容器１０内のガスを排気する。
処理容器１０の側壁には、ウエハＷの搬入及び搬出時に搬送口６７を開閉するゲートバルブ６８が取り付けられている。
処理容器１０の天井部には、ガスシャワーヘッド４０がリング状の絶縁体４１を介して設けられ、天井部を閉塞する。これにより、ガスシャワーヘッド４０は接地電位の上部電極としての機能を有し、第１高周波電源３２からのプラズマ生成用の高周波電力は載置台１２とガスシャワーヘッド４０との間に容量的に印加される。
ガスシャワーヘッド４０は、電極支持体４０ａと電極板４０ｂとを有する。電極板４０ｂは、多数のガス通気孔５５を有する。電極支持体４０ａは、電極板４０ｂを着脱可能に支持する。電極支持体４０ａの内部には中央のバッファ室５０ａとその外周のバッファ室５０ｂとが設けられている。ガス導入口４５にはガス供給配管４６を介してガス供給源３０が接続されている。かかる構成により、ガス供給源３０から供給される所定のガスは、ガス供給配管４６を介してバッファ室５０ａ、５０ｂを通り、各バッファ室５０ａ、５０ｂにて拡散されて処理容器１０内に供給される。
載置台１２の内部には、搬送アームとの間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを昇降させるリフターピン１０３が複数（例えば３本）設けられている。載置台１２には、上下方向に貫設されたピン挿通孔が設けられ、リフターピン１０３はピン挿通孔に挿通されている。
各リフターピン１０３は、駆動部３６に接続されている。駆動部３６は、モータ等から構成され、リフターピン１０３を昇降させる。すなわち、リフターピン１０３は、処理容器１０の底部、支持部２２を貫通し、載置台１２に貫設されたピン挿通孔１２０に挿通され、駆動部３６の駆動により上下方向に昇降する。
リフターピン１０３が上昇すると、搬送アームから渡されたウエハＷがリフターピン１０３の先端部１０３ａに保持される。その後、リフターピン１０３が下降し、ピン挿通孔１２０内に退避すると、ウエハＷは載置台１２に載置される。
ウエハＷの処理後に再びリフターピン１０３が上昇すると、リフターピン１０３の先端部１０３ａがウエハＷの裏面に当設され、ウエハＷが持ち上がる。持ち上がったウエハＷは搬送アームに渡され、処理容器１０の外部に搬出される。
載置台１２は、ウエハＷの裏面と静電チャック２１の上面の間にＨｅガスやＡｒガス等の伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部１００を有する。伝熱ガス供給部１００は、基台２３の内部にて水平方向に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給経路１０２と伝熱ガス供給管１０１とを有する。伝熱ガス供給源１０５から出力された伝熱ガスは、伝熱ガス供給管１０１を流れ、伝熱ガス供給管１０１に連通する伝熱ガス供給経路１０２に通され、載置台１２に貫設されたピン挿通孔１２０を通って静電チャック２１の上面に供給される。
制御部２００は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit），ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）を有し、ＣＰＵはこれらの記憶領域に格納された各種レシピに従ってプラズマ処理を実行する。レシピにはプロセス条件に対するプラズマ処理装置１の制御情報であるプロセス時間、処理室内温度（上部電極温度、処理室の側壁温度、ＥＳＣ温度など）、圧力（ガスの排気）、高周波電力や電圧、各種プロセスガス流量、伝熱ガス流量などが記載されている。
これにより、制御部２００は、プラズマ処理装置１に取り付けられた各部、たとえばガス供給源３０、排気装置６５、直流電源１１３、第１高周波電源３２、整合器３３、第２高周波電源３４、整合器３５、伝熱ガス供給源１０５、駆動部３６等を制御する。
かかる構成のプラズマ処理装置１において、エッチング等の所定の処理を行うには、先ずゲートバルブ６８を開き、搬送口６７から搬送アーム上に保持されたウエハＷを処理容器１０内に進入させる。
次に、静電チャック２１の表面から突出したリフターピン１０３によりウエハＷが搬送アームからリフターピン１０３に移され、リフターピン１０３の先端部１０３ａに保持される。次いで、その搬送アームが搬送口６７から処理容器１０の外部へ退避し、リフターピン１０３が下降して静電チャック２１内に収納されることでウエハＷが静電チャック２１上に載置される。
ウエハＷ搬入後、ゲートバルブ６８が閉じられ、エッチングガス等の所望のガスが、ガス供給源３０から供給され、所定の流量で処理容器１０内に導入されるとともに、排気装置６５による排気によって処理容器１０内の圧力が設定値に減圧される。
さらに、第１高周波電源３２から所定のパワーの高周波が載置台１２に印加される。また、直流電源１１３から直流電流が静電チャック２１のチャック電極２１ａへ印加され、ウエハＷを静電チャック２１に吸着、保持する。ガスシャワーヘッド４０からシャワー状に導入されたガスは、高周波電力によりプラズマ化される。生成されたプラズマによってウエハＷがエッチングされる。
プラズマエッチング終了後、静電チャック２１からウエハを離脱させる際には、伝熱ガスの供給を停止する。そして、不活性ガスを処理室内へ導入し処理室内を所定の圧力に維持しながら、プラズマ処理中にチャック電極２１ａへ印加していた電圧とは正負が逆の電圧を、チャック電極２１ａへ印加した後に電圧の印加を停止する。この処理により静電チャック２１及びウエハＷに存在する電荷を除電する除電処理が行われる。その状態で、リフターピン１０３を上昇させてウエハＷを静電チャック２１から持ち上げ、ウエハＷを静電チャックから離脱させる。ゲートバルブ６８を開口して搬送アームが処理容器１０内に進入し、リフターピン１０３が下げられウエハＷが搬送アーム上に保持される。次いで、その搬送アームが処理容器１０の外部へ退避し、次のウエハＷが搬送アームにより処理容器１０内へ搬入される。この処理を繰り返すことで連続してウエハＷが処理される。
［従来の載置台］
次に、従来の載置台１１２の一例について、図２を参照して説明した後、図３を参照して本実施形態に係る昇降機構を有する載置台１２について詳述する。図２は、従来の載置台１１２の一例を示す図である。従来の載置台１１２では、伝熱ガス供給源１０５から出力された伝熱ガスは、伝熱ガス供給管１０１を介して載置台１１２に基台２３内を水平方向に延びる伝熱ガス供給経路１０２に通される。そして、伝熱ガスは、伝熱ガス供給経路１０２に連通し、載置台１１２内を垂直方向に延びる伝熱ガス供給経路１０４を通って、伝熱ガス供給孔１０４ａから静電チャック２１の上面に導出される。
従来の載置台１１２では、伝熱ガス供給経路１０２にＯリング１０６、１０７が設けられている。Ｏリング１０７は、リフターピン１０３が挿通するピン挿通孔１２０と伝熱ガス供給経路１０２とを分離し、伝熱ガスがピン挿通孔１２０内に入らないようにする。Ｏリング１０６は、処理容器１０内の処理空間側に伝熱ガスが漏れないようにする。
ピン挿通孔１２０には、リフターピン１０３の回りに潤滑部１０８が設けられている。潤滑部１０８では、リング状部材１０８ａ及び１０８ｂの隙間である潤滑空間１０８ｃにグリス等の潤滑剤が収容されている。潤滑剤は、リフターピン１０３の上下移動に応じて潤滑空間１０８ｃから少量ずつリフターピン１０３の表面に塗布され、リフターピン１０３の滑りを良くする。これにより、リフターピン１０３をスムーズに昇降させることができる。
なお、Ｏリング１０６、１０７及びにリング状部材１０８ａ及び１０８ｂよって、真空空間である処理空間と大気空間とを仕切っている。
［本実施形態に係る載置台］
次に、本実施形態に係る載置台１２及びウエハＷの昇降機構について図３及び図４を参照しながら説明する。図３及び図４は、一実施形態に係るウエハＷの昇降機構を含む載置台１２の一例を示す図である。図３では、リフターピン１０３が下がった状態の載置台１２の一例を示し、図４は、リフターピン１０３が上がった状態の載置台１２の一例を示す。
本実施形態に係る載置台１２が有するウエハＷの昇降機構は、ピン挿通孔１２０と、リフターピン１０３と、駆動部３６と、ピン挿通孔１２０とリフターピン１０３との間にて所定の高さに設けられ、リフターピン１０３に潤滑剤を供給する潤滑部１０８とを有する。また、昇降機構は、伝熱ガス供給部１００を有する。伝熱ガス供給部１００は、潤滑部１０８より上部にてピン挿通孔１２０に連通する伝熱ガス供給経路１０２を有し、ピン挿通孔１２０に伝熱ガスを供給する。
ピン挿通孔１２０は、載置台１２に上下方向に貫設される。リフターピン１０３は、ピン挿通孔１２０に挿通され、上下方向に昇降する。潤滑部１０８は、ピン挿通孔１２０に連通する伝熱ガス供給経路１０２よりも下側にてリフターピン１０３の回りに設けられる。潤滑部１０８では、グリス等の潤滑剤がリング状部材１０８ａ及び１０８ｂの隙間である潤滑空間１０８ｃに収容されている。
Ｏリング１０６は、処理空間側に伝熱ガスが漏れないように機能する。また、Ｏリング１０６、リング状部材１０８ａ、１０８ｂ及びＯリング１１１は、真空空間である処理空間と、大気空間とを仕切っている。
かかる構成により、伝熱ガス供給源１０５から出力された伝熱ガスは、伝熱ガス供給管１０１を介して、伝熱ガス供給経路１０２からピン挿通孔１２０に通され、ピン挿通孔１２０の開口から静電チャック２１の上面に供給される。これにより、伝熱ガスを、静電チャック２１の上面とウエハＷの裏面との間に供給することができる。
伝熱ガス供給経路１０２のピン挿通孔１２０に連通する部分には、溝１３０が形成されている。溝１３０は、ピン挿通孔１２０の一部を形成する貫通孔を有する部材１０９の上面に形成されている。溝１３０は、部材１０９の上面に１本形成されてもよいし、複数本形成されてもよい。これにより、伝熱ガス供給経路１０２とピン挿通孔１２０とが交差する地点Ａにおいて、伝熱ガスの流れをよくし、伝熱ガスが地点Ａにて滞留せずに、ウエハＷ側に流れるようにする。
このように、図２の従来の載置台１１２と比較して、本実施形態に係る載置台１２では、載置台１２内を水平方向に延びる伝熱ガス供給経路１０２にＯリング１０７が設けられていない。また、本実施形態に係る載置台１２では、図２に示した従来の載置台１１２内を垂直方向に延びる伝熱ガス供給経路１０４が設けられていない。
これにより、ピン挿通孔１２０を、リフターピン１０３を昇降させる穴としてだけでなく、伝熱ガスの経路として利用することで、図２に示した伝熱ガス供給経路１０４をなくすことができる。この結果、図２に示した伝熱ガス供給孔１０４ａが、本実施形態では載置台１２の上面に形成されることがなくなり、載置台１２の上面とウエハＷの裏面との間で異常放電が発生することを防止できる。
［本実施形態に係る潤滑部の位置］
本実施形態では、伝熱ガスが載置台１２を貫通するピン挿通孔１２０から載置台１２の上面に供給される。このため、リフターピン１０３のピン挿通孔１２０から伝熱ガスとともにパーティクルとなる潤滑剤がウエハＷ上のプラズマ側に導出され、処理容器１０内が汚染されることが懸念される。
したがって、潤滑剤が伝熱ガスと一緒にプラズマ側（ウエハＷ側）へ導出されないように、潤滑部１０８は、伝熱ガス供給部１００の伝熱ガス供給経路１０２よりも下に配置される。更に、潤滑剤は、リフターピン１０３が図３に示す最下位置にあるときの潤滑部１０８の位置Ｈ１にてリフターピン１０３に供給され、リフターピン１０３が図４の最上位置まで上昇するのに伴い、リフターピン１０３とともに図４の位置Ｈ２まで移動可能である。
ウエハＷが載置されている状態は、リフターピン１０３が最も下がっているリフターピンの最下位置である。つまり、リフターピン１０３が図３に示す最下位置にあるとき、リフターピン１０３の先端部１０３ａが静電チャック２１（載置台１２）の上面の高さＴ１まで下降してウエハＷが静電チャック２１に載置された状態となる。
ウエハを保持しながらリフターピンを上昇させ、ウエハを最も上に持ち上げた位置がリフターピンの最上位置である。つまり、リフターピン１０３が図４に示す最上位置にあるとき、リフターピン１０３の先端部１０３ａが静電チャック２１の上面から突出し、位置Ｔ２まで上昇してウエハＷが最も持ち上がった状態となる。
リフターピン１０３の最下位置と最上位置の間の距離が、図４のストロークＳに示すように、リフターピン１０３の昇降の最大量である。このようにリフターピン１０３を最下位置から最上位置まで昇降させるときのリフターピン１０３の昇降量を考慮して、伝熱ガス供給経路１０２は、潤滑部１０８からリフターピン１０３の昇降量よりも離間した上部にてピン挿通孔１２０に連通する。
つまり、伝熱ガス供給経路１０２とピン挿通孔１２０とが連通する位置Ａから潤滑部１０８までの距離は、リフターピン１０３の最大昇降量（図４のストロークＳ）よりも遠くなるように潤滑部１０８は伝熱ガス供給経路１０２から離して設置される。
ウエハＷが載置台１２に載置されている間、伝熱ガスは載置台１２の上面とウエハＷの裏面の間に供給されるので、その間、伝熱ガスは、部材１０９のピン挿通孔１２０の部分１２０ｂに充填される。このため、リフターピン１０３に付いている潤滑剤と接触している伝熱ガスは、伝熱ガス供給経路１０２及びピン挿通孔１２０の伝熱ガス供給経路１０２よりも上に位置する部分１２０ａを通り処理容器１０のプラズマ側に導出されることはない。
ウエハＷが載置台１２に載置されていないとき、部材１０９のピン挿通孔１２０の部分１２０ｂに充填され、潤滑剤と接触している伝熱ガスは、伝熱ガス供給管１０１に接続された排気装置により、伝熱ガス供給経路１０２を通り、伝熱ガス供給管１０１から排気される。よって、ウエハＷが載置台１２に載置されている間及びウエハＷが載置台１２に載置されていないときのいずれも、潤滑剤と接触している伝熱ガスは、ピン挿通孔１２０を通って処理容器１０のプラズマ側に導出されることはない。
以上に説明したように、本実施形態に係る昇降機構を含む載置台１２では、ピン挿通孔１２０を、リフターピン１０３を昇降させるとともに伝熱ガスの経路として共通化する。これにより、伝熱ガス供給専用の伝熱ガス供給孔をなくすことができ、載置台１２の上面とウエハＷの裏面との間で異常放電が発生することを防止できる。
加えて、潤滑部１０８を伝熱ガス供給経路１０２よりも下側に配置する。より好ましくは、潤滑部１０８をリフターピン１０３の昇降量だけ伝熱ガス供給経路１０２から離して設置する。これにより、リフターピン１０３の先端部１０３ａを静電チャック２１の上面の位置Ｔ１からストローク分だけ上昇させ、最上位置Ｔ２に移動したときにも、リフターピン１０３の潤滑剤が塗布されている部分が伝熱ガス供給経路１０２に達しない。これにより、リフターピン１０３の表面に塗布された潤滑剤を伝熱ガスと接触させないようにすることができる。
なお、リフターピン１０３の最大昇降量はプラズマ処理装置１によって異なるので、プラズマ処理装置１毎のリフターピン１０３の最大昇降量（最大ストローク）よりも下部に潤滑部１０８が設けられることが好ましい。
［変形例］
最後に、図５を参照しながら本実施形態の変形例に係る載置台１２について説明する。図５は、一実施形態に係る載置台１２の変形例を示す図である。本実施形態の変形例に係る載置台１２では、排気装置が接続される排気管１４０が部材１０９のピン挿通孔１２０の部分１２０ｂに連通し、ピン挿通孔１２０内の伝熱ガス及び伝熱ガス供給経路１０２内の伝熱ガスをピン挿通孔１２０の部分１２０ｂから排気する点が、本実施形態に係る載置台１２の構成と異なる。本変形例に係る載置台１２の他の構成については、本実施形態に係る載置台１２と同一であるため、上記の異なる構成部分のみ説明する。
排気管１４０は、部材１０９に連結され、部材１０９内のピン挿通孔１２０の部分１２０ｂに連通する。排気管１４０は、伝熱ガス供給経路１０２とピン挿通孔１２０とが連通した部分Ａと潤滑部１０８の間に配置されている。つまり、排気管１４０は、ピン挿通孔１２０の部分１２０ｂのうち、図４のストロークＳに示す部分においてピン挿通孔１２０に挿通される。
排気管１４０には、オリフィス１４１が設けられている。オリフィス１４１により排気管１４０内に絞り部分を設けることで、常時、微小流量の伝熱ガスを排気管１４０から排気することができる。これにより、潤滑剤に触れた伝熱ガスを開放された排気管１４０から排気することができる。これにより、潤滑剤に触れた伝熱ガスがピン挿通孔１２０の伝熱ガス供給経路１０２よりも上の部分１２０ａに流れ、プラズマ側に導出されないようにすることができる。
また、本変形例では、潤滑剤と接触している伝熱ガスは、伝熱ガス供給経路１０２を通らずに排気される。これにより、処理容器内１０を潤滑剤により汚染することなく、伝熱ガスをピン挿通孔１２０からウエハＷの裏面に供給することができる。なお、本変形例においても、ピン挿通孔１２０を伝熱ガスの経路とすることにより、伝熱ガス供給専用の伝熱ガス供給孔をなくすことができ、載置台１２の上面とウエハＷの裏面との間で異常放電が発生することを防止できる。
以上、本実施形態及びその変形例による昇降機構を有する載置台１２及びプラズマ処理装置１によれば、伝熱ガスをピン挿通孔１２０からウエハＷの裏面に供給する。これにより、ピン挿通孔１２０では絶縁体の部材１０９によって、伝熱ガス供給管１０１から伝熱ガスを供給する場合と比べて異常放電が起こりにくくなり、載置台１２における異常放電を防止することができる。
以上、昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置を上記実施形態により説明したが、本発明にかかる昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
例えば、上記実施形態及び変形例に係る昇降機構は、静電チャック２１を有する載置台１２に備えられたが、これに限らず、例えば、静電チャック２１を有しない載置台１２に備えられてもよい。
本発明に係るプラズマ処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。
本明細書では、被処理体の一例として半導体ウエハＷを挙げて説明した。しかし、被処理体は、これに限らず、LCD(Liquid Crystal Display)、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種基板、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。
１ プラズマ処理装置
１０ 処理容器
１２ 載置台
２１ 静電チャック
２３ 基台
２５ フォーカスリング
３０ ガス供給源
３２ 第１高周波電源
３４ 第２高周波電源
４０ ガスシャワーヘッド
１００ 伝熱ガス供給部
１０２ 伝熱ガス供給経路
１０３ リフターピン
１０３ａ 先端部
１０５ 伝熱ガス供給源
１０６、１０７ Ｏリング
１０８ 潤滑部
１０８ｃ 潤滑空間
１０９ 部材
１１３ 直流電源
１２０ ピン挿通孔
１４０ 排気管
１４１ オリフィス
２００ 制御部

Claims (14)

  1. 処理容器内にて処理される被処理体を載置する載置台に上下方向に貫設されたピン挿通孔に挿通され、上下方向に昇降するリフターピンと、
    前記リフターピンの所定の高さにて前記リフターピンと前記ピン挿通孔の内面との間に設けられ、前記リフターピンに潤滑剤を供給する潤滑部と、
    前記リフターピンを上下方向に駆動する駆動部と、
    前記潤滑部より上部にて前記ピン挿通孔に連通する伝熱ガス供給経路を有し、前記ピン挿通孔に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、を有し、
    前記伝熱ガス供給経路は、前記潤滑部から前記リフターピンの昇降量よりも離間した上部にて前記ピン挿通孔に連通する、
    被処理体の昇降機構。
  2. 前記リフターピンの昇降量は、被処理体が前記載置台に載置されているときの最下位置から被処理体が前記リフターピンにより最も持ち上げられたときの最上位置までのリフターピンの移動量である、
    請求項１に記載の被処理体の昇降機構。
  3. 処理容器内にて処理される被処理体を載置する載置台に上下方向に貫設されたピン挿通孔に挿通され、上下方向に昇降するリフターピンと、
    前記リフターピンの所定の高さにて前記リフターピンと前記ピン挿通孔の内面との間に設けられ、前記リフターピンに潤滑剤を供給する潤滑部と、
    前記リフターピンを上下方向に駆動する駆動部と、
    前記潤滑部より上部にて前記ピン挿通孔に連通する伝熱ガス供給経路を有し、前記ピン挿通孔に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、
    前記ピン挿通孔に挿通され、伝熱ガスを排気する排気管と、を有し、
    前記排気管は、前記伝熱ガス供給経路と前記ピン挿通孔とが連通した部分と前記潤滑部との間に配置されている、
    被処理体の昇降機構。
  4. 前記伝熱ガス供給部は、前記伝熱ガス供給経路を経由して前記ピン挿通孔に前記伝熱ガスを通し、前記載置台の上面に供給する、
    請求項１～３のいずれか一項に記載の被処理体の昇降機構。
  5. 前記伝熱ガス供給経路の前記ピン挿通孔に連通する部分には、溝が形成されている、
    請求項１～４のいずれか一項に記載の被処理体の昇降機構。
  6. 処理容器内にて処理される被処理体を載置する載置台であって、
    前記載置台に上下方向に貫設されたピン挿通孔に挿通され、上下方向に昇降するリフターピンと、
    前記リフターピンの所定の高さにて前記リフターピンと前記ピン挿通孔の内面との間に設けられ、前記リフターピンに潤滑剤を供給する潤滑部と、
    前記リフターピンを上下方向に駆動する駆動部と、
    前記潤滑部より上部にて前記ピン挿通孔に連通する伝熱ガス供給経路を有し、前記ピン挿通孔に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、を有する昇降機構を備え、
    前記伝熱ガス供給経路は、前記潤滑部から前記リフターピンの昇降量よりも離間した上部にて前記ピン挿通孔に連通する、載置台。
  7. 前記リフターピンの昇降量は、被処理体が前記載置台に載置されているときの最下位置から被処理体が前記リフターピンにより最も持ち上げられたときの最上位置までのリフターピンの移動量である、
    請求項６に記載の載置台。
  8. 処理容器内にて処理される被処理体を載置する載置台であって、
    前記載置台に上下方向に貫設されたピン挿通孔に挿通され、上下方向に昇降するリフターピンと、
    前記リフターピンの所定の高さにて前記リフターピンと前記ピン挿通孔の内面との間に設けられ、前記リフターピンに潤滑剤を供給する潤滑部と、
    前記リフターピンを上下方向に駆動する駆動部と、
    前記潤滑部より上部にて前記ピン挿通孔に連通する伝熱ガス供給経路を有し、前記ピン挿通孔に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、
    前記ピン挿通孔に挿通され、伝熱ガスを排気する排気管と、を有する昇降機構を備え、
    前記排気管は、前記伝熱ガス供給経路と前記ピン挿通孔とが連通した部分と前記潤滑部との間に配置されている、載置台。
  9. 処理容器内にて処理される被処理体を載置する載置台であって、
    前記載置台を構成する基台に上下方向に貫設されたピン挿通孔に挿通され、上下方向に昇降するリフターピンと、
    前記リフターピンの所定の高さにて前記リフターピンと前記ピン挿通孔の内面との間に設けられ、前記リフターピンに潤滑剤を供給する潤滑部と、
    前記リフターピンを上下方向に駆動する駆動部と、
    前記ピン挿通孔に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、を備え、
    前記基台の内部であって前記潤滑部より上部において前記ピン挿通孔に連通し水平方向に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給経路が形成され、前記伝熱ガス供給部は前記ピン挿通孔よりも径方向外側において伝熱ガスを下方から前記伝熱ガス供給経路に供給することにより前記ピン挿通孔に伝熱ガスを供給する、載置台。
  10. 前記伝熱ガス供給経路は、前記基台とリング状部材とで形成される、
    請求項９に記載の載置台。
  11. 前記リング状部材は、前記基台の内部であって被処理体の載置面よりも外周側に設けられ、前記伝熱ガス供給経路を前記処理容器内の処理空間から仕切り、前記処理空間に伝熱ガスが漏れないように構成される、
    請求項１０に記載の載置台。
  12. 前記伝熱ガス供給部は、前記伝熱ガス供給経路を経由して前記ピン挿通孔に前記伝熱ガスを通し、前記載置台の上面に供給する、
    請求項６～１１のいずれか一項に記載の載置台。
  13. 前記伝熱ガス供給経路の前記ピン挿通孔に連通する部分には、溝が形成されている、
    請求項６～１２のいずれか一項に記載の載置台。
  14. 処理容器と、
    前記処理容器にガスを供給するガス供給部と、
    前記処理容器内に設けられる、請求項６～１３のいずれか一項に記載の載置台と、
    前記処理容器内にプラズマを生成する高周波電力を供給する第１高周波電源と、
    前記載置台にプラズマ中のイオンを引き込む高周波電力を供給する第２高周波電源と、
    を有する、プラズマ処理装置。
JP2018018005A 2018-02-05 2018-02-05 昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置 Active JP7004589B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018018005A JP7004589B2 (ja) 2018-02-05 2018-02-05 昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置
US16/263,114 US20190244791A1 (en) 2018-02-05 2019-01-31 Raising-and-lowering mechanism, stage and plasma processing apparatus
TW108103708A TW201937592A (zh) 2018-02-05 2019-01-31 升降機構、載置台及電漿處理裝置
KR1020190013743A KR20190095157A (ko) 2018-02-05 2019-02-01 승강 기구, 배치대 및 플라즈마 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018018005A JP7004589B2 (ja) 2018-02-05 2018-02-05 昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019135737A JP2019135737A (ja) 2019-08-15
JP7004589B2 true JP7004589B2 (ja) 2022-02-10

Family

ID=67477014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018018005A Active JP7004589B2 (ja) 2018-02-05 2018-02-05 昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20190244791A1 (ja)
JP (1) JP7004589B2 (ja)
KR (1) KR20190095157A (ja)
TW (1) TW201937592A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10950483B2 (en) * 2017-11-28 2021-03-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for fixed focus ring processing
CN113035682B (zh) * 2019-12-25 2023-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种下电极组件及其等离子体处理装置
JP7512037B2 (ja) * 2019-12-27 2024-07-08 東京エレクトロン株式会社 載置台、基板処理装置及び伝熱ガス供給方法
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
JP2022120984A (ja) * 2021-02-08 2022-08-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板支持器、及び基板処理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153678A (ja) 2008-12-26 2010-07-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法
US20110164955A1 (en) 2009-07-15 2011-07-07 Applied Materials,Inc. Processing chamber with translating wear plate for lift pin
US20140265090A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Substrate support bushing

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08274152A (ja) * 1996-03-18 1996-10-18 Hitachi Ltd プラズマ処理方法
JP3456890B2 (ja) * 1998-01-16 2003-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6001940B2 (ja) 2012-07-11 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 パターン形成方法及び基板処理システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153678A (ja) 2008-12-26 2010-07-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法
US20110164955A1 (en) 2009-07-15 2011-07-07 Applied Materials,Inc. Processing chamber with translating wear plate for lift pin
US20140265090A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Substrate support bushing

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190095157A (ko) 2019-08-14
JP2019135737A (ja) 2019-08-15
TW201937592A (zh) 2019-09-16
US20190244791A1 (en) 2019-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7004589B2 (ja) 昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置
JP7345607B2 (ja) 基板処理装置
KR102434559B1 (ko) 탑재대 및 플라즈마 처리 장치
JP5496568B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US11264260B2 (en) Cleaning method and substrate processing apparatus
US11328904B2 (en) Substrate processing apparatus
JP4255747B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US11830751B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR102542777B1 (ko) 냉매용의 유로를 가지는 부재, 냉매용의 유로를 가지는 부재의 제어 방법 및 기판 처리 장치
JP2008251854A (ja) プラズマ処理装置
JP7339062B2 (ja) 載置台及び基板処理装置
JP7138418B2 (ja) 脱離制御方法及びプラズマ処理装置
KR101760982B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2017126727A (ja) 載置台の構造及び半導体処理装置
KR20150001664A (ko) 온도 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치
US20190355598A1 (en) Processing apparatus, member, and temperature control method
JP2020126755A (ja) プラズマ処理装置および電極構造体
KR102143140B1 (ko) 배플 유닛, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2020115519A (ja) 載置台及び基板処理装置
KR102504269B1 (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US12027349B2 (en) Plasma processing apparatus
JP7438018B2 (ja) 基板載置方法及び基板載置機構
TW202139252A (zh) 載置台、基板處理裝置及傳熱氣體供給方法
JPWO2005055298A1 (ja) プラズマ処理装置及びマルチチャンバシステム
US11705346B2 (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200910

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210816

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211022

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220104

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7004589

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150