JP7438018B2 - 基板載置方法及び基板載置機構 - Google Patents

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Description

本開示は、基板載置方法及び基板載置機構に関する。
特許文献１には、可撓性のある基板にプラズマ処理を行う処理チャンバ内に設置され、前記基板を静電吸着により吸着する静電チャックを備えた載置台に、前記基板を受け渡す基板受け渡し方法であって、前記載置台は、前記基板を載置する基板載置面と、該基板載置面に対して突没可能であり、前記基板の周縁部を支持する第１の昇降ピンと、前記基板載置面に対して突没可能であり、前記基板の中央部を支持する第２の昇降ピンとを備え、前記基板を前記基板載置面の上方にて、前記第１の昇降ピンと、前記第１の昇降ピンよりも低い位置の第２の昇降ピンとにより支持した前記基板を下降させ、前記基板を、該基板の中央部から前記基板載置面に載置させる基板載置工程と、前記基板載置面に載置された前記基板を前記静電チャックにより吸着して、前記基板にプラズマ処理を行う工程と、前記プラズマ処理終了後、前記静電チャックによる吸着を解除し、前記第１の昇降ピンと前記第２の昇降ピンとを同じ高さとして前記基板を支持し、前記基板を前記基板載置面から離脱させる基板離脱工程と、を含むことを特徴とする基板受け渡し方法が開示されている。
特開２０１３－３３８４７号公報
一の側面では、本開示は、可撓性を有する基板を載置台に載置する際の基板の変形を抑制する基板載置方法及び基板載置機構を提供する。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、可撓性を有する矩形状の基板を載置する載置面を有する載置台に、前記基板を載置する基板載置方法であって、前記載置面は、前記基板に対応した載置領域を有し、前記載置台は、前記載置領域の角部において突没可能に設けられた第１のリフトピンと、前記載置領域の短辺中央部において突没可能に設けられた第２のリフトピンと、前記載置領域の長辺中央部において突没可能に設けられた第３のリフトピンと、前記載置領域の面中央部において突没可能に設けられた第４のリフトピンと、を備え、少なくとも、前記第３のリフトピンよりも前記第４のリフトピンが高く、前記第４のリフトピンよりも前記第２のリフトピンが高く、前記第２のリフトピンよりも前記第１のリフトピンが高くなる状態で、前記第１乃至第４のリフトピンにより前記基板を支持する工程と、前記基板を支持する工程の後、前記第１乃至第４のリフトピンを前記載置台に収納して前記基板を前記載置領域に載置する工程と、を有し、前記基板を前記載置領域に載置する工程は、少なくとも、最初に前記基板の長辺中央部が前記載置面に載置され、次に前記基板の面中央部が前記載置面に載置され、次に前記基板の短辺中央部が前記載置面に載置される、基板載置方法が提供される。
一の側面によれば、可撓性を有する基板を載置台に載置する際の基板の変形を抑制する基板載置方法及び基板載置機構を提供することができる。
基板処理装置の概略断面図の一例。 基板処理装置の平面方向の概略断面図の一例。 リフトピンを駆動させる駆動機構の構成を示すブロック図の一例。 基板処理装置の基板受け渡し動作の一例を説明するフローチャート。 基板処理装置の基板受け渡し動作時におけるリフトピンの動作の一例を示すタイムチャート。 リフトピンに受け渡された際の基板の断面概念図の一例。 基板の撓みの一例を説明する図。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
＜基板処理装置＞
本実施形態に係る基板処理装置１について図１から図３を用いて説明する。図１は、基板処理装置１の概略断面図の一例である。基板処理装置１は、載置台に基板Ｇを載置して、基板Ｇに所望の処理（例えば、エッチング処理等）を施す装置である。また、載置台は、載置された基板Ｇの温度を調整（例えば、冷却）可能に構成されている。なお、水平な一方向をＸ方向とし、水平かつＸ方向と直交する方向をＹ方向とし、高さ方向をＺ方向として説明する。
また、基板処理装置１において処理が施される基板Ｇ、換言すれば、載置台に載置される基板Ｇは、平面視して矩形状であり、可撓性を有する基板である。基板Ｇは、例えば、可撓性を有する矩形状のガラス基板であってもよい。また、基板Ｇは、例えば、厚さが０．２ｍｍ乃至数ｍｍ程度の薄膜ガラス基板であってもよい。また、基板Ｇは、例えば、平面寸法が第６世代の１５００ｍｍ×１８００ｍｍ程度の寸法から、第１０．５世代の３０００ｍｍ×３４００ｍｍ程度の寸法までを少なくとも含むものであってもよい。
基板処理装置１は、基板Ｇを収容する処理容器としてのチャンバ２を備えている。チャンバ２は、例えば、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなり、基板Ｇの形状に対応して四角筒形状に形成されている。
チャンバ２内の底壁には、基板Ｇを載置する載置台としてのサセプタ４が設けられている。サセプタ４は、基板Ｇの形状に対応して四角板状または柱状に形成されている。サセプタ４は、金属等の導電性材料からなる基材４ａと、基材４ａの底部とチャンバ２の底面との間に設けられた絶縁部材４ｂと、を有している。基材４ａには、高周波電力を供給するための給電線２３が接続されている。給電線２３は、整合器２４を介して高周波電源２５が接続されている。高周波電源２５は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力をサセプタ４に印加する。整合器２４は、高周波電源２５の出力インピーダンスと負荷側の入力インピーダンスとを整合させる。これにより、サセプタ４は、下部電極として機能するように構成されている。
また、サセプタ４には、載置された基板Ｇを静電吸着により吸着する静電チャック４０が設けられている。静電チャック４０は、基材４ａの上部に設けられている。静電チャック４０は、誘電体４１と、誘電体４１の内部に設けられた内部電極４２と、を有している。内部電極４２には、電圧を印加するための給電線４３が接続されている。給電線４３は、スイッチ４４を介して電源４５が接続されている。電源４５は、内部電極４２に電圧を印加する。スイッチ４４は、電圧の印加をオン・オフさせる。
また、サセプタ４（静電チャック４０）の上面は、基板Ｇを載置する基板載置面４ｃとなる。なお、基板載置面４ｃには、基板Ｇの裏面の外周部と接する外縁部（図示せず）と、外縁部の内側に形成される堀込部（図示せず）と、を有する。また、堀込部には、Ｈｅガス等の伝熱ガスが供給可能に構成されている。静電チャック４０が基板Ｇを静電吸着することにより、基板Ｇの裏面の外周部と基板載置面４ｃの外縁部とが気密に吸着される。また、基板Ｇの裏面と基板載置面４ｃの堀込部との間に間隙として形成される空間にＨｅガスを供給することにより、サセプタ４に載置された基板Ｇを冷却（温度調整）することができるように構成されている。また、堀込部に複数の微小な凸部を設け、外縁部と凸部により基板Ｇを支持するようにしてもよい。
チャンバ２の上部または上壁には、チャンバ２内に処理ガスを供給するとともに上部電極として機能するシャワーヘッド１１が、サセプタ４と対向するように設けられている。シャワーヘッド１１は、内部に処理ガスを拡散させるガス拡散空間１２が形成されているとともに、下面またはサセプタ４との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔１３が形成されている。このシャワーヘッド１１は接地されており、サセプタ４とともに一対の平行平板電極を構成している。なお、本実施形態では平行平板電極によりプラズマを生成する基板処理装置に本開示を適用した場合について説明するが、誘導結合によりプラズマを生成する基板処理装置に本開示を適用してもよく、また、その他の方法によりプラズマを生成する基板処理装置に本開示を適用してもよいことは勿論である。
シャワーヘッド１１の上面にはガス導入口１４が設けられ、このガス導入口１４には、処理ガス供給管１５が接続されており、この処理ガス供給管１５には、バルブ１６およびマスフローコントローラ１７を介して、処理ガス供給源１８が接続されている。処理ガス供給源１８からは、例えば、エッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
チャンバ２の底壁には排気管１９が接続されており、この排気管１９には排気装置２０が接続されている。排気装置２０はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバ２内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。チャンバ２の側壁には、基板Ｇを搬入出するための搬入出口２１が形成されているとともに、この搬入出口２１を開閉するゲートバルブ２２が設けられており、搬入出口２１の開放時に、基板Ｇが、搬送部材としての搬送アーム５０（後述する図２参照）により下方から支持された状態で搬入出口２１及びゲートバルブ２２を介して隣接する図示しない搬送室との間で搬送されるように構成されている。
チャンバ２の底壁およびサセプタ４には、これらを貫通する挿通孔７が、サセプタ４の外周部位置および中央部位置（外周部位置よりも内側または中央寄り位置）にそれぞれ形成されている。挿通孔７にはそれぞれ、基板Ｇを下方から支持して昇降させるリフトピン８がサセプタ４の基板載置面４ｃに対して突没可能に挿入されている。リフトピン８はそれぞれ、突出時に基板Ｇの外周部および中央部に当接するように設けられており、図示しない位置決め用ブッシュによって径方向または幅方向に位置決めされて挿通孔７内に挿入されている。
リフトピン８は、下部がチャンバ２の外側に突出している。リフトピン８の下部には、フランジ２６が形成されており、フランジ２６には、リフトピン８を囲繞するように設けられた伸縮可能なベローズ２７の一端部（下端部）が接続され、このベローズ２７の他端部（上端部）は、チャンバ２の底壁に接続されている。またはこのベローズ２７の他端部（上端部）はサセプタ４の底壁に接続するようにしてもよい。これにより、ベローズ２７は、リフトピン８の昇降に追従して伸縮するとともに、挿通孔７とリフトピン８との隙間を密封している。
ここで、挿通孔７及びリフトピン８の配置について、図２を用いてさらに説明する。図２は、基板処理装置１の平面方向の概略断面図の一例である。なお、図２において、搬送アーム５０に保持された基板Ｇを載置領域４ｄの上方に配置した際における搬送アーム５０及び基板Ｇの位置を二点鎖線で示す。
図２に示すように、基板Ｇ及び基板Ｇが載置されるサセプタ４の基板載置面４ｃは、平面視して、短辺（Ｙ方向）と長辺（Ｘ方向）とを有する矩形状を有している。また、基板載置面４ｃは、基板Ｇに対応した載置領域４ｄ（図２において、破線で示す。）を有する。基板Ｇをサセプタ４に載置する際、基板Ｇは載置領域４ｄに載置される。なお、図２において、載置領域４ｄの中心線４ｅ（一方の長辺の中点と他方の長辺の中点とを結ぶ線）及び中心線４ｆ（一方の短辺の中点と他方の短辺の中点とを結ぶ線）を一点鎖線で示す。また、図２において、便宜上、載置領域４ｄを示す破線が基板Ｇを示す二点鎖線よりも内側に描かれているが、載置領域４ｄが基板Ｇの外周よりも内側に規定されることを意味するものではなく、載置領域４ｄは基板Ｇと同一の形状であり同一の面積を持つことが望ましい。また、載置領域４ｄは基板Ｇを内包する形状および面積を有する領域であってもよい。
サセプタ４は、挿通孔７として挿通孔７ａ～７ｄを有する。挿通孔７ａ～７ｃは、載置領域４ｄの外周部に設けられている。挿通孔７ｄは、載置領域４ｄの外周部に囲われる載置領域４ｄの面中央部に設けられている。挿通孔７ａ～７ｄには、リフトピン８としてリフトピン８ａ～８ｄが配置される。
矩形状の載置領域４ｄの角部には、挿通孔７ａが設けられている。図２に示す例において、挿通孔７ａは、中心線４ｅ及び中心線４ｆを対象軸として、載置領域４ｄ内に４つ設けられている。各挿通孔７ａには、それぞれリフトピン８ａが配置されている。以下、４つのリフトピン８ａを第１グループＧｒ．１とも称する。
矩形状の載置領域４ｄの短辺中央部（中心線４ｆを対象軸とする左右（Ｙ方向）２つの角部の間）には、挿通孔７ｂが設けられている。図２に示す例において、一方の短辺中央部には、中心線４ｆを対象軸として、２つの挿通孔７ｂが設けられている。同様に、他方の短辺中央部には、中心線４ｆを対象軸として、２つの挿通孔７ｂが設けられている。載置領域４ｄ内には、４つの挿通孔７ｂが設けられている。各挿通孔７ｂには、それぞれリフトピン８ｂが配置されている。以下、４つのリフトピン８ｂを第２グループＧｒ．２とも称する。
矩形状の載置領域４ｄの長辺中央部（中心線４ｅを対象軸とする前後（Ｘ方向）２つの角部の間）には、挿通孔７ｃが設けられている。図２に示す例において、一方の長辺中央部には、中心線４ｅ上に挿通孔７ｃが設けられている。同様に、他方の長辺中央部には、中心線４ｅ上に挿通孔７ｃが設けられている。載置領域４ｄ内には、２つの挿通孔７ｃが設けられている。各挿通孔７ｃには、それぞれリフトピン８ｃが配置されている。以下、２つのリフトピン８ｃを第３グループＧｒ．３とも称する。
矩形状の載置領域４ｄの中央付近の面中央部には、挿通孔７ｄが設けられている。図２に示す例において、挿通孔７ｄは、中心線４ｅ上に設けられ、かつ、中心線４ｆを対象軸として２つ設けられている。各挿通孔７ｄには、それぞれリフトピン８ｄが配置されている。以下、２つのリフトピン８ｄを第４グループＧｒ．４とも称する。
図３は、リフトピン８ａ～８ｄを駆動させる駆動機構の構成を示すブロック図の一例である。
リフトピン８ａ～８ｄはそれぞれ駆動部９ａ～９ｄに接続される。リフトピン８ａ～８ｄはこの駆動部９ａ～９ｄの駆動によって昇降することによりサセプタ４の基板載置面４ｃに対して突出および没入するように構成されている。駆動部９ａ～９ｄはそれぞれ、例えばステッピングモータを用いて構成される。なお、リフトピン８ａ～８ｄは、図３に示すように、個別に駆動することができるように構成されているものとして説明したが、これに限られるものではなく、グループ（第１グループＧｒ．１～第４グループＧｒ．４）ごとに駆動することができるように構成されていてもよい。この構成によれば、駆動部（ステッピングモータ）の数を削減することができる。
駆動部９ａ～９ｄの駆動は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたコントローラ３１によって別個に制御される構成となっており、これにより、リフトピン８ａ～８ｄはそれぞれ互いに独立して昇降可能に構成されている。コントローラ３１には、工程管理者が駆動部９ａ～９ｄの駆動を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、駆動部９ａ～９ｄの駆動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザインタフェース３２と、駆動部９ａ～９ｄの駆動をコントローラ３１の制御にて実現するための制御プログラムや駆動条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部３３とが接続されている。そして、必要に応じて、ユーザインタフェース３２からの指示等にて任意のレシピを記憶部３３から呼び出してコントローラ３１に実行させることで、コントローラ３１の制御下で駆動部９ａ～９ｄの駆動および停止が行われる。前記レシピは、例えば、ＣＤ－ＲＯＭ、ハードディスク、フラッシュメモリなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。
コントローラ３１、ユーザインタフェース３２および記憶部３３は、駆動部９ａ～９ｄによるリフトピン８ａ～８ｄの昇降を制御する制御部を構成し、サセプタ４、リフトピン８ａ～８ｄ、駆動部９ａ～９ｄおよび制御部は基板載置機構を構成する。
次に、基板処理装置１における基板Ｇをサセプタ４に受け渡す基板受け渡し方法（載置方法）について、図４及び図５を用いて説明する。
図４は、基板処理装置１の基板受け渡し動作の一例を説明するフローチャートである。図５は、基板処理装置１の基板受け渡し動作時におけるリフトピン８の動作の一例を示すタイムチャートである。
ステップＳ１０１において、搬送アーム５０に保持された基板Ｇをリフトピン８ａ～８ｄに受け渡す。具体的には、コントローラ３１は、ゲートバルブ２２を開放させる。次に、コントローラ３１は、搬送アーム５０を制御して、基板Ｇを保持した搬送アーム５０を搬入出口２１からチャンバ２内に挿入し、基板Ｇをサセプタ４の上方まで搬送させる。次に、コントローラ３１は、駆動部９ａ～９ｄを制御して、リフトピン８ａ～８ｄを搬送アーム５０よりも高く突出させる。これにより、基板Ｇは、搬送アーム５０からリフトピン８ａ～８ｄに受け渡される。なお、図２に示すように、リフトピン８ａ～８ｄは、搬送アーム５０と接触しないように配置されている。次に、コントローラ３１は、搬送アーム５０を制御して、搬送アーム５０を搬入出口２１から退避させる。次に、コントローラ３１は、ゲートバルブ２２を閉じる。
ここで、基板Ｇを支持するリフトピン８ａ～８ｄの高さは、図５に示すように、「第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃの高さ＜第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄの高さ＜第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂの高さ＜第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａの高さ」となるようにオフセットされている。
なお、リフトピン８ａ～８ｄは、搬送アーム５０よりも下側で、リフトピン８ａ～８ｄ間のオフセット関係を先に形成した後に、リフトピン８ａ～８ｄを一括して上昇させてもよい。これにより、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａ、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂ、第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄ、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃの順番で基板Ｇに接触する。
また、リフトピン８ａ～８ｄは、同時に上昇していき、それぞれ所定の高さで停止することにより、リフトピン８ａ～８ｄ間のオフセット関係を形成して、搬送アーム５０からリフトピン８ａ～８ｄに基板Ｇを受け渡してもよい。これにより、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａ、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂ、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃ、第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄが同時に基板Ｇに接触し、さらに上昇する。そして、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃ、第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄ、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂ、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａの順番で停止する。
ここで、リフトピン８ａ～８ｄに受け渡された際の基板Ｇの形状について、図６を用いて説明する。図６は、リフトピン８ａ～８ｄに受け渡された際の基板Ｇの断面概念図の一例である。図６（Ａ）は基板Ｇを短辺側から見た図であり、図６（Ｂ）は基板Ｇを長辺側から見た図である。なお、図６においては、基板Ｇの撓みを誇張して図示している。
図６（Ａ）の断面概念図２０１は、基板ＧのＡ－Ａ断面（図２参照）模式図である。Ａ－Ａ断面において、基板Ｇは、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃで支持される基板Ｇの長辺中央部が、第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄで支持される基板Ｇの面中央部よりも低くなるように支持されている。換言すれば、基板Ｇの一方の長辺の長辺中央部と基板Ｇの他方の長辺の長辺中央部とを結ぶ線上において、面中央部が長辺中央部よりも高くなる形状で、基板Ｇはリフトピン８に支持されている。
図６（Ａ）の断面概念図２０２は、基板ＧのＢ－Ｂ断面（図２参照）模式図である。Ｂ－Ｂ断面において、基板Ｇは、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂで支持される基板Ｇの短辺中央部が、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａで支持される基板Ｇの角部よりも低くなるように支持されている。換言すれば、基板Ｇの外周側の短辺において、短辺中央部から角部に向かって高くなる形状で、基板Ｇはリフトピン８に支持されている。
図６（Ｂ）の断面概念図２０３は、基板ＧのＣ－Ｃ断面（図２参照）模式図である。Ｃ－Ｃ断面において、基板Ｇは、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃで支持される基板Ｇの長辺中央部が、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａで支持される基板Ｇの角部よりも低くなるように支持されている。換言すれば、基板Ｇの外周側の長辺において、長辺中央部から角部に向かって高くなる形状で、基板Ｇはリフトピン８に支持されている。
図６（Ｂ）の断面概念図２０４は、基板ＧのＤ－Ｄ断面（図２参照）模式図である。Ｄ－Ｄ断面において、基板Ｇは、第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄで支持される基板Ｇの面中央部が、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂで支持される基板Ｇの短辺中央部よりも低くなるように支持されている。換言すれば、基板Ｇの一方の短辺の短辺中央部と基板Ｇの他方の短辺の短辺中央部とを結ぶ線上において、面中央部から短辺中央部に向かって高くなる形状で、基板Ｇはリフトピン８に支持されている。
図４に戻り、ステップＳ１０２において、コントローラ３１は、駆動部９ａ～９ｄを制御して、リフトピン８ａ～８ｄを下降させる。ここでは、図６に示すように、コントローラ３１は、リフトピン８ａ～８ｄの高さのオフセットを維持したまま、リフトピン８ａ～８ｄを下降させる。そして、リフトピン８ａ～８ｄの高さのオフセット量の違いにより、ステップＳ１０３において、第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃが挿通孔７ｃに収納される。これにより、基板Ｇの長辺中央部が最初にサセプタ４の基板載置面４ｃに載置される。
ステップＳ１０４において、コントローラ３１は、駆動部９ｄを制御して、リフトピン８ｄを下降させる。この間、リフトピン８ａ及びリフトピン８ｂは、ステップＳ１０３時の高さで停止している。なお、リフトピン８ｃは挿通孔７ｃに収納されており、ステップＳ１０３時の高さで停止している。そして、ステップＳ１０５において、第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄが挿通孔７ｄに収納される。これにより、基板Ｇの面中央部が２番目にサセプタ４の基板載置面４ｃに載置される。
ステップＳ１０６において、コントローラ３１は、駆動部９ａ，９ｂを制御して、リフトピン８ａ，８ｂを下降させる。ここでは、図６に示すように、コントローラ３１は、リフトピン８ａ，８ｂの高さのオフセットを維持したまま、リフトピン８ａ，８ｂを下降させる。なお、リフトピン８ｃ，８ｄは挿通孔７ｃ，７ｄにそれぞれ収納されており、ステップＳ１０５時の高さで停止している。そして、リフトピン８ａ，８ｂの高さのオフセット量の違いにより、ステップＳ１０７において、第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂが挿通孔７ｂに収納される。これにより、基板Ｇの短辺中央部が３番目にサセプタ４の基板載置面４ｃに載置される。
ステップＳ１０８において、コントローラ３１は、駆動部９ａを制御して、リフトピン８ａを下降させる。なお、リフトピン８ｂ～８ｄは挿通孔７ｂ～７ｄにそれぞれ収納されており、ステップＳ１０７時の高さで停止している。そして、ステップＳ１０９において、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａが挿通孔７ａに収納される。これにより、基板Ｇの角部が最後にサセプタ４の基板載置面４ｃに載置される。
図７は、基板Ｇの撓みの一例を説明する図である。図７において、上段には、基板Ｇを中心線４ｅ及び中心線４ｆで分割した４分の１の領域における基板Ｇの撓みを、等高線と、等高線の間の濃淡で示す。ここでは、左下が、基板Ｇの中央（Ｃｅｎｔｅｒ）となる。即ち、右上が基板Ｇの角部に対応し、左上が基板Ｇの短辺中央部に対応し、右下が基板Ｇの長辺中央部に対応し、左下が基板Ｇの面中央部に対応する。また、基板Ｇの撓みは、リフトピン８ａの高さを基準（０）として、下方向に撓むほど濃く（ドットが密に）、上方向に撓むほど淡く（ドットが疎に）なるものとして図示している。また、図７において、下段には、Ａ－Ａ断面において各状態における基板Ｇの状態を模式的に示す。
また、図７（Ａ）は、基板Ｇがリフトピン８に受け渡された状態（ステップＳ１０１参照）を示す。図７（Ｂ）は、基板Ｇの長辺中央部が基板載置面４ｃに載置された状態（ステップＳ１０３参照）を示す。図７（Ｃ）は、基板Ｇの面中央部が基板載置面４ｃに載置された状態（ステップＳ１０５参照）を示す。
ステップＳ１０１において、「第３グループＧｒ．３のリフトピン８ｃの高さ＜第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄの高さ＜第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂの高さ＜第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａの高さ」となるようにオフセットされて基板Ｇが支持されている。これにより、図７（Ａ）に示すように、「基板Ｇの長辺中央部の高さ＜基板Ｇの面中央部の高さ＜基板Ｇの短辺中央部の高さ＜基板Ｇの角部の高さ」となるように撓んだ状態で基板Ｇは保持される。
ステップＳ１０３において、基板Ｇの長辺中央部３０１を先に載置させる。この状態においては、図７（Ｂ）に示すように、基板Ｇの面中央部が浮き上がっている。
ステップＳ１０４において、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａ及び第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂを停止させたまま、第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄを下降させる。これにより、図７（Ｃ）に示すように、基板Ｇの面中央部３０２の浮き上がりを解消して、基板Ｇの面中央部３０２を載置させることができる。これにより、基板Ｇの長辺中央を通る中心線４ｅ（図２参照）に沿って、基板Ｇをサセプタ４に載置させることができる。
以降、基板Ｇの短辺中央部、基板Ｇの角部の順番でサセプタ４に載置させることにより、基板Ｇが凸状に変形して載置されることを防止することができる。
以上、本実施形態に係る基板載置機構を有する基板処理装置１によれば、基板Ｇをサセプタ４に載置する際、凸状に変形するおそれのある基板Ｇの長辺中央部を先にサセプタ４に載置させることにより、基板Ｇの長辺中央部における凸状の変形を抑制することができる。また、基板Ｇの角部よりも先に基板Ｇの短辺中央部を設置させることにより、基板Ｇの短辺中央部における凸状の変形を抑制することができる。これにより、基板Ｇの裏面の外周部とサセプタ４の基板載置面４ｃの外縁部とが、気密に吸着される。これにより、基板Ｇの裏面と基板載置面４ｃの堀込部との間にＨｅガスを供給した際、Ｈｅガスの漏れの発生を防止することができる。
また、基板Ｇの面中央部をサセプタ４に載置させる際、第１グループＧｒ．１のリフトピン８ａ及び第２グループＧｒ．２のリフトピン８ｂを停止させたまま、第４グループＧｒ．４のリフトピン８ｄを下降させる。これにより、基板Ｇの面中央部における凸状の変形を抑制して、基板Ｇをサセプタ４に載置させることができる。これにより、基板Ｇの裏面と基板載置面４ｃの堀込部との間の空間の容積が増大することを防止することができる。
以上、基板処理装置１について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
Ｇ 基板
１ 基板処理装置
２ チャンバ
４ サセプタ（載置台）
４ａ 基材
４ｂ 絶縁部材
４ｃ 基板載置面（載置面）
４ｄ 載置領域
４ｅ，４ｆ 中心線
７、７ａ～７ｄ 挿通孔
８ リフトピン
８ａ リフトピン（第１のリフトピン）
８ｂ リフトピン（第２のリフトピン）
８ｃ リフトピン（第３のリフトピン）
８ｄ リフトピン（第４のリフトピン）
９ａ～９ｄ 駆動部
３１ コントローラ（制御部）
４０ 静電チャック

Claims (5)

  1. 可撓性を有する矩形状の基板を載置する載置面を有する載置台に、前記基板を載置する基板載置方法であって、
    前記載置面は、前記基板に対応した載置領域を有し、
    前記載置台は、
    前記載置領域の角部において突没可能に設けられた第１のリフトピンと、
    前記載置領域の短辺中央部において突没可能に設けられた第２のリフトピンと、
    前記載置領域の長辺中央部において突没可能に設けられた第３のリフトピンと、
    前記載置領域の面中央部において突没可能に設けられた第４のリフトピンと、を備え、
    少なくとも、前記第３のリフトピンよりも前記第４のリフトピンが高く、前記第４のリフトピンよりも前記第２のリフトピンが高く、前記第２のリフトピンよりも前記第１のリフトピンが高くなる状態で、前記第１乃至第４のリフトピンにより前記基板を支持する工程と、
    前記基板を支持する工程の後、前記第１乃至第４のリフトピンを前記載置台に収納して前記基板を前記載置領域に載置する工程と、を有し、
    前記基板を前記載置領域に載置する工程は、
    少なくとも、最初に前記基板の長辺中央部が前記載置面に載置され、次に前記基板の面中央部が前記載置面に載置され、次に前記基板の短辺中央部が前記載置面に載置される、
    基板載置方法。
  2. 前記基板を前記載置領域に載置する工程は、
    前記基板の短辺中央部が前記載置面に載置された後に、前記基板の角部が前記載置面に載置される、
    請求項１に記載の基板載置方法。
  3. 前記基板を前記載置領域に載置する工程は、
    前記基板の長辺中央部が前記載置面に載置された後、前記基板の面中央部を前記載置面に載置させる際、前記第４のリフトピンを降下させ、前記第１のリフトピン及び前記第２のリフトピンを停止させる、
    請求項１または請求項２に記載の基板載置方法。
  4. 前記第１のリフトピン、前記第２のリフトピン、前記第３のリフトピン及び前記第４のリフトピンは、互いに独立して駆動する、
    請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板載置方法。
  5. 可撓性を有する矩形状の基板を載置する載置面及び前記載置面から突没可能に設けられたリフトピンを有する載置台と、
    前記リフトピンを駆動する駆動部と、
    前記駆動部を制御する制御部と、を備え、
    前記載置面は、前記基板に対応した載置領域を有し、
    前記リフトピンは、前記載置領域の角部において突没可能に設けられた第１のリフトピンと、前記載置領域の短辺中央部において突没可能に設けられた第２のリフトピンと、前記載置領域の長辺中央部において突没可能に設けられた第３のリフトピンと、前記載置領域の面中央部において突没可能に設けられた第４のリフトピンと、を有し、
    前記制御部は、前記駆動部を制御して、
    少なくとも、前記第３のリフトピンよりも前記第４のリフトピンが高く、前記第４のリフトピンよりも前記第２のリフトピンが高く、前記第２のリフトピンよりも前記第１のリフトピンが高くなる状態で、前記第１乃至第４のリフトピンにより前記基板を支持する工程と、
    前記基板を支持する工程の後、前記第１乃至第４のリフトピンを前記載置台に収納して前記基板を前記載置領域に載置する工程と、を実行し、
    前記基板を前記載置領域に載置する工程は、
    少なくとも、最初に前記基板の長辺中央部が前記載置面に載置され、次に前記基板の面中央部が前記載置面に載置され、次に前記基板の短辺中央部が前記載置面に載置される、
    基板載置機構。
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