JP2023117038A - 基板支持方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板支持方法及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023117038A JP2023117038A JP2022019507A JP2022019507A JP2023117038A JP 2023117038 A JP2023117038 A JP 2023117038A JP 2022019507 A JP2022019507 A JP 2022019507A JP 2022019507 A JP2022019507 A JP 2022019507A JP 2023117038 A JP2023117038 A JP 2023117038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- lift
- lift pin
- molding position
- lift pins
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 196
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 66
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 14
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 26
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 101000574352 Mus musculus Protein phosphatase 1 regulatory subunit 17 Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】可撓性を有する基板をリフトピンで支持する際、所望の形状で基板を支持する基板支持方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】載置台の載置面に載置された可撓性を有する矩形状の基板を前記載置面から離脱させ支持する基板支持方法であって、前記載置台は、前記載置面から突没可能な複数のリフトピンを備え、成型位置までの駆動量の大きな前記リフトピンから先に前記成型位置で停止するように、前記リフトピンを前記成型位置まで上昇させ前記基板の形状を成型する工程と、前記リフトピンを目標位置まで上昇させる工程と、を有する、基板支持方法。【選択図】図5
Description
本開示は、基板支持方法及び基板処理装置に関する。
特許文献1には、可撓性を有する被処理基板を載置する載置台と、前記載置台の載置面に対して突没自在に設けられ、被処理基板を支持して前記載置台の上方の基板の受け渡しを行う受け渡し位置と前記載置台上の載置位置との間で昇降させる複数の昇降ピンと、前記昇降ピンを駆動させる駆動機構とを具備する基板載置機構であって、前記複数の昇降ピンは、被処理基板の周縁部を支持する第1の昇降ピンと、被処理基板の中央部を支持する第2の昇降ピンとを有し、前記駆動機構は、被処理基板を昇降させる際に、前記第1の昇降ピンを前記第2の昇降ピンよりも高く突出させて、被処理基板が下に凸状に撓んだ状態で安定的に支持されるようにすることを特徴とする基板載置機構が開示されている。
ところで、載置台に基板を載置した際に反りや曲がり(Bending)が発生することがある。この場合、リフトピンを上昇させて基板を持ち上げ、基板を所望の形状に成型して支持した後、リフトピンを下降させて基板を載置台に置き直すことが行われる。
一の側面では、本開示は、可撓性を有する基板をリフトピンで支持する際、所望の形状で基板を支持する基板支持方法及び基板処理装置を提供する。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、載置台の載置面に載置された可撓性を有する矩形状の基板を前記載置面から離脱させ支持する基板支持方法であって、前記載置台は、前記載置面から突没可能な複数のリフトピンを備え、成型位置までの駆動量の大きな前記リフトピンから先に前記成型位置で停止するように、前記リフトピンを前記成型位置まで上昇させ前記基板の形状を成型する工程と、前記リフトピンを目標位置まで上昇させる工程と、を有する、基板支持方法が提供される。
一の側面によれば、可撓性を有する基板をリフトピンで支持する際、所望の形状で基板を支持する基板支持方法及び基板処理装置を提供することができる。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
<基板処理装置>
本実施形態に係る基板処理装置1について図1から図3を用いて説明する。図1は、基板処理装置1の概略断面図の一例である。基板処理装置1は、載置台に基板Gを載置して、基板Gに所望の処理(例えば、エッチング処理等)を施す装置である。また、載置台は、載置された基板Gの温度を調整(例えば、冷却)可能に構成されている。なお、水平な一方向をX方向とし、水平かつX方向と直交する方向をY方向とし、高さ方向をZ方向として説明する。
本実施形態に係る基板処理装置1について図1から図3を用いて説明する。図1は、基板処理装置1の概略断面図の一例である。基板処理装置1は、載置台に基板Gを載置して、基板Gに所望の処理(例えば、エッチング処理等)を施す装置である。また、載置台は、載置された基板Gの温度を調整(例えば、冷却)可能に構成されている。なお、水平な一方向をX方向とし、水平かつX方向と直交する方向をY方向とし、高さ方向をZ方向として説明する。
また、基板処理装置1において処理が施される基板G、換言すれば、載置台に載置される基板Gは、平面視して矩形状であり、可撓性を有する基板である。基板Gは、例えば、可撓性を有する矩形状のガラス基板であってもよい。また、基板Gは、例えば、厚さが0.2mm乃至数mm程度の薄膜ガラス基板であってもよい。また、基板Gは、例えば、平面寸法が第6世代の1500mm×1800mm程度の寸法から、第10.5世代の3000mm×3400mm程度の寸法までを少なくとも含むものであってもよい。また、基板Gは、例えば、フラットパネルディスプレイの製造に用いられるガラス基板である。
基板処理装置1は、基板Gを収容する処理容器としてのチャンバ2を備えている。チャンバ2は、例えば、表面がアルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウムからなり、基板Gの形状に対応して四角筒形状に形成されている。
チャンバ2内の底壁には、基板Gを載置する載置台としてのサセプタ4が設けられている。サセプタ4は、基板Gの形状に対応して四角板状または柱状に形成されている。サセプタ4は、金属等の導電性材料からなる基材4aと、基材4aの底部とチャンバ2の底面との間に設けられた絶縁部材4bと、を有している。基材4aには、高周波電力を供給するための給電線23が接続されている。給電線23は、整合器24を介して高周波電源25が接続されている。高周波電源25は、例えば、13.56MHzの高周波電力をサセプタ4に印加する。整合器24は、高周波電源25の出力インピーダンスと負荷側の入力インピーダンスとを整合させる。これにより、サセプタ4は、下部電極として機能するように構成されている。
また、サセプタ4には、載置された基板Gを静電吸着により吸着する静電チャック40が設けられている。静電チャック40は、基材4aの上部に設けられている。静電チャック40は、誘電体41と、誘電体41の内部に設けられた内部電極42と、を有している。内部電極42には、電圧を印加するための給電線43が接続されている。給電線43は、スイッチ44を介して電源45が接続されている。電源45は、内部電極42に電圧を印加する。スイッチ44は、電圧の印加をオン・オフさせる。
また、サセプタ4(静電チャック40)の上面は、基板Gを載置する基板載置面4cとなる。なお、基板載置面4cには、基板Gの裏面の外周部と接する外縁部(図示せず)と、外縁部の内側に形成される堀込部(図示せず)と、を有する。また、堀込部には、Heガス等の伝熱ガスが供給可能に構成されている。静電チャック40が基板Gを静電吸着することにより、基板Gの裏面の外周部と基板載置面4cの外縁部とが気密に吸着される。また、基板Gの裏面と基板載置面4cの堀込部との間に間隙として形成される空間にHeガスを供給することにより、サセプタ4に載置された基板Gを冷却(温度調整)することができるように構成されている。また、堀込部に複数の微小な凸部を設け、外縁部と凸部により基板Gを支持するようにしてもよい。
チャンバ2の上部または上壁には、チャンバ2内に処理ガスを供給するとともに上部電極として機能するシャワーヘッド11が、サセプタ4と対向するように設けられている。シャワーヘッド11は、内部に処理ガスを拡散させるガス拡散空間12が形成されているとともに、下面またはサセプタ4との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔13が形成されている。このシャワーヘッド11は接地されており、サセプタ4とともに一対の平行平板電極を構成している。なお、本実施形態では平行平板電極によりプラズマを生成する基板処理装置に本開示を適用した場合について説明するが、誘導結合によりプラズマを生成する基板処理装置に本開示を適用してもよく、また、その他の方法によりプラズマを生成する基板処理装置に本開示を適用してもよいことは勿論である。
シャワーヘッド11の上面にはガス導入口14が設けられ、このガス導入口14には、処理ガス供給管15が接続されており、この処理ガス供給管15には、バルブ16およびマスフローコントローラ17を介して、処理ガス供給源18が接続されている。処理ガス供給源18からは、例えば、エッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、O2ガス、Arガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
チャンバ2の底壁には排気管19が接続されており、この排気管19には排気装置20が接続されている。排気装置20はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバ2内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。チャンバ2の側壁には、基板Gを搬入出するための搬入出口21が形成されているとともに、この搬入出口21を開閉するゲートバルブ22が設けられており、搬入出口21の開放時に、基板Gが、搬送部材としての搬送アーム50(後述する図2参照)により下方から支持された状態で搬入出口21及びゲートバルブ22を介して隣接する図示しない搬送室との間で搬送されるように構成されている。
チャンバ2の底壁およびサセプタ4には、これらを貫通する挿通孔7が、サセプタ4の外周部位置および中央部位置(外周部位置よりも内側または中央寄り位置)にそれぞれ形成されている。挿通孔7にはそれぞれ、基板Gを下方から支持して昇降させるリフトピン8がサセプタ4の基板載置面4cに対して突没可能に挿入されている。リフトピン8はそれぞれ、突出時に基板Gの外周部および中央部に当接するように設けられており、図示しない位置決め用ブッシュによって径方向または幅方向に位置決めされて挿通孔7内に挿入されている。
リフトピン8は、下部がチャンバ2の外側に突出している。リフトピン8の下部には、フランジ26が形成されており、フランジ26には、リフトピン8を囲繞するように設けられた伸縮可能なベローズ27の一端部(下端部)が接続され、このベローズ27の他端部(上端部)は、チャンバ2の底壁に接続されている。またはこのベローズ27の他端部(上端部)はサセプタ4の底壁に接続するようにしてもよい。これにより、ベローズ27は、リフトピン8の昇降に追従して伸縮するとともに、挿通孔7とリフトピン8との隙間を密封している。
ここで、挿通孔7及びリフトピン8の配置について、図2を用いてさらに説明する。図2は、基板処理装置1の平面方向の概略断面図の一例である。なお、図2において、搬送アーム50に保持された基板Gを載置領域4dの上方に配置した際における搬送アーム50及び基板Gの位置を二点鎖線で示す。
図2に示すように、基板G及び基板Gが載置されるサセプタ4の基板載置面4cは、平面視して、短辺(Y方向)と長辺(X方向)とを有する矩形状を有している。また、基板載置面4cは、基板Gに対応した載置領域4d(図2において、破線で示す。)を有する。基板Gをサセプタ4に載置する際、基板Gは載置領域4dに載置される。なお、図2において、載置領域4dの中心線4e(一方の長辺の中点と他方の長辺の中点とを結ぶ線)及び中心線4f(一方の短辺の中点と他方の短辺の中点とを結ぶ線)を一点鎖線で示す。また、図2において、便宜上、載置領域4dを示す破線が基板Gを示す二点鎖線よりも内側に描かれているが、載置領域4dが基板Gの外周よりも内側に規定されることを意味するものではなく、載置領域4dは基板Gと同一の形状であり同一の面積を持つことが望ましい。また、載置領域4dは基板Gを内包する形状および面積を有する領域であってもよい。
サセプタ4は、挿通孔7として挿通孔7a~7dを有する。挿通孔7a~7cは、載置領域4dの外周部に設けられている。挿通孔7dは、載置領域4dの外周部に囲われる載置領域4dの面中央部に設けられている。挿通孔7a~7dには、リフトピン8としてリフトピン8a~8dが配置される。
矩形状の載置領域4dの角部には、挿通孔7aが設けられている。図2に示す例において、挿通孔7aは、中心線4e及び中心線4fを対象軸として、載置領域4d内に4つ設けられている。各挿通孔7aには、それぞれリフトピン8aが配置されている。以下、4つのリフトピン8aを第1グループGr.1とも称する。
矩形状の載置領域4dの短辺中央部(中心線4fを対象軸とする左右(Y方向)2つの角部の間)には、挿通孔7bが設けられている。図2に示す例において、一方の短辺中央部には、中心線4fを対象軸として、2つの挿通孔7bが設けられている。同様に、他方の短辺中央部には、中心線4fを対象軸として、2つの挿通孔7bが設けられている。載置領域4d内には、4つの挿通孔7bが設けられている。各挿通孔7bには、それぞれリフトピン8bが配置されている。以下、4つのリフトピン8bを第2グループGr.2とも称する。
矩形状の載置領域4dの長辺中央部(中心線4eを対象軸とする前後(X方向)2つの角部の間)には、挿通孔7cが設けられている。図2に示す例において、一方の長辺中央部には、中心線4e上に挿通孔7cが設けられている。同様に、他方の長辺中央部には、中心線4e上に挿通孔7cが設けられている。載置領域4d内には、2つの挿通孔7cが設けられている。各挿通孔7cには、それぞれリフトピン8cが配置されている。以下、2つのリフトピン8cを第3グループGr.3とも称する。
矩形状の載置領域4dの中央付近の面中央部には、挿通孔7dが設けられている。図2に示す例において、挿通孔7dは、中心線4e上に設けられ、かつ、中心線4fを対象軸として2つ設けられている。各挿通孔7dには、それぞれリフトピン8dが配置されている。以下、2つのリフトピン8dを第4グループGr.4とも称する。
図3は、リフトピン8a~8dを駆動させる駆動機構の構成を示すブロック図の一例である。
リフトピン8a~8dはそれぞれ駆動部9a~9dに接続される。リフトピン8a~8dはこの駆動部9a~9dの駆動によって昇降することによりサセプタ4の基板載置面4cに対して突出および没入するように構成されている。駆動部9a~9dはそれぞれ、例えばステッピングモータを用いて構成される。なお、リフトピン8a~8dは、図3に示すように、個別に駆動することができるように構成されているものとして説明したが、これに限られるものではなく、グループ(第1グループGr.1~第4グループGr.4)ごとに駆動することができるように構成されていてもよい。この構成によれば、駆動部(ステッピングモータ)の数を削減することができる。
駆動部9a~9dの駆動は、マイクロプロセッサ(コンピュータ)を備えたコントローラ31によって別個に制御される構成となっており、これにより、リフトピン8a~8dはそれぞれ互いに独立して昇降可能に構成されている。コントローラ31には、工程管理者が駆動部9a~9dの駆動を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、駆動部9a~9dの駆動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザインタフェース32と、駆動部9a~9dの駆動をコントローラ31の制御にて実現するための制御プログラムや駆動条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部33とが接続されている。そして、必要に応じて、ユーザインタフェース32からの指示等にて任意のレシピを記憶部33から呼び出してコントローラ31に実行させることで、コントローラ31の制御下で駆動部9a~9dの駆動および停止が行われる。前記レシピは、例えば、CD-ROM、ハードディスク、フラッシュメモリなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。
コントローラ31、ユーザインタフェース32および記憶部33は、駆動部9a~9dによるリフトピン8a~8dの昇降を制御する制御部を構成し、サセプタ4、リフトピン8a~8d、駆動部9a~9dおよび制御部は基板載置機構を構成する。
次に、基板処理装置1における基板Gの再設置動作について、図4から図6を用いて説明する。
図4は、本実施形態に係る基板処理装置1の基板Gの再設置動作の一例を説明するフローチャートである。図5は、本実施形態に係る基板処理装置1の基板Gの再設置動作時におけるリフトピン8の動作の一例を示すタイムチャートである。図6は、本実施形態に係る基板処理装置1の基板Gの再設置動作の各状態におけるリフトピン8の配置、基板Gの形状を説明する断面模式図の一例である。なお、図6においては、基板Gの撓みを誇張して図示している。
ここで、基板Gの再設置動作は、リフトピン8a~8dを上昇させて基板Gを持ち上げ、基板Gを所望の形状で支持した後、リフトピン8a~8dを下降させて基板Gをサセプタ4に置き直す動作である。基板Gを所望の形状で支持する際におけるリフトピン8a~8dの高さ(目標位置)は、図5のステップS110におけるリフトピン高さに示すように、「第1グループGr.1のリフトピン8aの高さ>第2グループGr.2のリフトピン8bの高さ>第3グループGr.3のリフトピン8cの高さ>第4グループGr.4のリフトピン8dの高さ」となるようにオフセットされている。このように、基板Gを所望の形状で支持する際、第1グループGr.1のリフトピン8aは、最も高い位置に配置される、換言すれば、第1グループGr.1のリフトピン8aのオフセット量をLoffset_1を0として説明する。また、基板Gを所望の形状で支持する際、第1グループGr.1のリフトピン8aに対する第2グループGr.2のリフトピン8aのオフセット量をLoffset_2とし、第1グループGr.1のリフトピン8aに対する第3グループGr.3のリフトピン8cのオフセット量をLoffset_3とし、第1グループGr.1のリフトピン8aに対する第4グループGr.4のリフトピン8dのオフセット量をLoffset_4として説明する。
ステップS101において、コントローラ31は、サセプタ4に載置した基板Gに曲がり(Bending)が発生しているか否かを判定する。なお、基板Gに曲がりが発生しているか否かの判定は、例えば、基板Gとサセプタ4との間に供給される伝熱ガスの流量等に基づいて判定してもよい。また、基板Gに曲がりが発生しているか否かの判定は、これに限られるものではない。基板Gに曲がりが発生していない場合(S101・NO)、基板Gの再設置動作の処理を終了する。基板Gに曲がりが発生している場合(S101・YES)、コントローラ31の処理は、ステップS102に進む。
ステップS102において、コントローラ31は、静電チャック40を解除する。
ステップS103において、コントローラ31は、第1グループGr.1のリフトピン8aを所定の成型位置まで駆動を開始する。ここで、第1グループGr.1のリフトピン8aにおける所定の成型位置は、目標位置において最も低い位置に配置されるピン(第4グループGr.4のリフトピン8d)に対する第1グループGr.1のリフトピン8aの相対的な高さ、即ちLoffset_4となる。
ステップS104において、コントローラ31は、第1グループGr.1のリフトピン8aを所定の成型位置で停止させる。図6(a)は、ステップS104が終了した時点におけるA-A断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状201及びB-B断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状202を示す。図6(b)は、ステップS104が終了した時点におけるC-C断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状203及びD-D断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状204を示す。
ステップS105において、コントローラ31は、第2グループGr.2のリフトピン8bを所定の成型位置まで駆動を開始する。ここで、第2グループGr.2のリフトピン8bにおける所定の成型位置は、目標位置において最も低い位置に配置されるピン(第4グループGr.4のリフトピン8d)に対する第2グループGr.2のリフトピン8bの相対的な高さ、即ち「Loffset_4-Loffset_2」となる。
ステップS106において、コントローラ31は、第2グループGr.2のリフトピン8bを所定の成型位置で停止させる。図6(c)は、ステップS106が終了した時点におけるA-A断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状201及びB-B断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状202を示す。図6(d)は、ステップS106が終了した時点におけるC-C断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状203及びD-D断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状204を示す。
ステップS107において、コントローラ31は、第3グループGr.3のリフトピン8cを所定の成型位置まで駆動を開始する。ここで、第3グループGr.3のリフトピン8cにおける所定の成型位置は、目標位置において最も低い位置に配置されるピン(第4グループGr.4のリフトピン8d)に対する第3グループGr.3のリフトピン8cの相対的な高さ、即ち「Loffset_4-Loffset_3」となる。
ステップS108において、コントローラ31は、第3グループGr.3のリフトピン8cを所定の成型位置で停止させる。図6(e)は、ステップS108が終了した時点におけるA-A断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状201及びB-B断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状202を示す。図6(f)は、ステップS108が終了した時点におけるC-C断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状203及びD-D断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状204を示す。
また、ステップS103からステップS108において、第4グループGr.4のリフトピン8dは、サセプタ4の基板載置面4cから突出しない。
以上のステップS103~S108に示す成型工程よって、リフトピン8a~8dは、オフセット量(Loffset_2、Loffset_3、Loffset_4)を適用した形状となっている。また、ステップS103~S108に示す成型工程において、成型位置までの駆動量が大きなリフトピン8から順次駆動を開始して、成型位置までの駆動量が大きなリフトピン8から順次駆動を停止する。この成型工程により、リフトピン8a~8dに支持される基板Gは、所望の形状に成型される。なお、成型された基板Gは、面中央部付近で、サセプタ4の基板載置面4cに接している。
ステップS109において、コントローラ31は、第1グループGr.1のリフトピン8aから第4グループGr.4のリフトピン8dの全てのリフトピン8を所定の目標位置まで駆動を開始する。全てのリフトピン8が同時に上昇することにより、基板Gは、成型工程で成型された形状を維持したまま、リフトピン8によって上昇する。
ステップS110において、コントローラ31は、第1グループGr.1のリフトピン8aから第4グループGr.4のリフトピン8dの全てのリフトピン8を所定の目標位置で停止させる。図6(g)は、ステップS110が終了した時点におけるA-A断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状201及びB-B断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状202を示す。図6(h)は、ステップS110が終了した時点におけるC-C断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状203及びD-D断面(図2参照)における基板Gの形状を模式的に示す断面模式形状204を示す。
以上のステップS109~S110に示す上昇工程よって、ステップS103~S108に示す成型工程によって成型した基板Gの形状を目標位置までそのまま持ち上げる。
ステップS111において、コントローラ31は、リフトピン8を下降させ、基板Gをサセプタ4に載置する。
ステップS112において、コントローラ31は、静電チャック40を制御して、基板Gをサセプタ4に静電吸着させる。
ステップS113において、コントローラ31は、サセプタ4に載置した基板Gの曲がり(Bending)が解消しているか否かを判定する。Bendingが解消していない場合(S113・No)、コントローラ31の処理は、ステップS102に戻り、再設置動作(S102~S112)を繰り返す。Bendingが解消している場合(S113・Yes)、基板Gの再設置動作の処理を終了する。
なお、第1グループGr.1のリフトピン8aを成型位置で停止(S104参照)させた後に、第2グループGr.2のリフトピン8bの上昇を開始(S105参照)し、第2グループGr.2のリフトピン8bを成型位置で停止(S106参照)させた後に、第3グループGr.3のリフトピン8cの上昇を開始(S105参照)するものとして説明したが、これに限られるものではない。
例えば、第1グループGr.1のリフトピン8aが成型位置で停止する前に、第2グループGr.2のリフトピン8bの上昇を開始させ、第1グループGr.1のリフトピン8aが成型位置で停止した後に、第2グループGr.2のリフトピン8bが成型位置で停止するように制御してもよい。また、第2グループGr.2のリフトピン8bが成型位置で停止する前に、第3グループGr.3のリフトピン8cの上昇を開始させ、第2グループGr.2のリフトピン8bが成型位置で停止した後に、第3グループGr.3のリフトピン8cが成型位置で停止するように制御してもよい。
次に、参考例に係る基板処理装置の基板の再設置動作時におけるリフトピンの動作について、図7を用いて説明する。図7は、参考例に係る基板処理装置の基板の再設置動作時におけるリフトピンの動作の一例を示すタイムチャートである。
参考例に係る基板処理装置において、コントローラ31は、第1グループGr.1のリフトピン8aから第4グループGr.4のリフトピン8dの全てのリフトピン8を所定の成型位置まで駆動を開始する。
即ち、第1グループGr.1のリフトピン8aから第3グループGr.3のリフトピン8cを駆動開始する。第3グループGr.3のリフトピン8cが成型位置まで達すると、第1グループGr.1のリフトピン8a及び第2グループGr.2のリフトピン8bは駆動を継続し、第3グループGr.3のリフトピン8cは駆動を停止する。第2グループGr.2のリフトピン8bが成型位置まで達すると、第1グループGr.1のリフトピン8aは駆動を継続し、第2グループGr.2のリフトピン8bは駆動を停止する。即ち、成型位置までの駆動量の小さなリフトピン8から順次駆動を停止する。第1グループGr.1のリフトピン8aが成型位置まで達すると、上昇工程に移行する。上昇工程では、第1グループGr.1のリフトピン8aから第4グループGr.4のリフトピン8dの全てのリフトピンを所定の目標位置まで駆動を開始する。
図8は、参考例及び本実施形態において、リフトピン8で持ち上げられた基板Gの状態を示す断面模式図の一例である。なお、図8は、リフトピン8と基板Gの形状との関係を模式的に示すものであり、実際のリフトピン8の配置と対応するものではない。
図8(a)から図8(c)は、参考例に係る基板処理装置における基板Gの持ち上げ動作を示す。参考例においては、成型位置までの駆動量の小さなリフトピン8から順次駆動を停止する。図8(a)は、第3グループGr.3のリフトピン8cが成型位置で停止した状態の一例を示す。図8(b)は、第2グループGr.2のリフトピン8bが成型位置で停止した状態の一例を示す。図8(c)は、第1グループGr.1のリフトピン8aが成型位置で停止した状態の一例を示す。
参考例に示す持ち上げ動作において、第2グループGr.2のリフトピン8b、第3グループGr.3のリフトピン8c及び第4グループGr.4のリフトピン8dが停止した状態(図8(b)参照)から、成型位置までの駆動量の大きな第1グループGr.1のリフトピン8aが更に上昇することにより、図8(c)に示すように、基板Gが持ち上げられ、駆動を停止しているリフトピン8b,8c,8dから基板Gが離れる。このため、基板Gの実形状が、解析した形状(図8(c)において破線で示す)とならないおそれがある。また、リフトピン8で支持された基板Gの形状が意図した形状となっていないことに起因して、基板Gをサセプタ4に再設置する際、再度基板Gの曲がり(Bending)が発生するおそれがある。
図8(d)から図8(f)は、本実施形態に係る基板処理装置1における基板Gの持ち上げ動作を示す。本実施形態においては、成型位置までの駆動量の大きなリフトピン8から順次駆動を停止する。図8(d)は、第1グループGr.1のリフトピン8aが成型位置まで上昇中の状態の一例を示す。図8(e)は、第2グループGr.2のリフトピン8bが成型位置まで上昇中の状態の一例を示す。図8(f)は、第3グループGr.3のリフトピン8cが成型位置で停止した状態の一例を示す。
本実施形態に示す持ち上げ動作において、成型位置までの駆動量の大きなリフトピン8から順次駆動を停止することにより、リフトピン8から基板Gが離れることを防止することができる。これにより、基板Gの実形状は、解析した形状と一致させることができる。また、基板Gをサセプタ4に再設置する際、再度基板Gの曲がり(Bending)が発生することを抑制することができる。また、基板Gの再設置のリトライ回数を削減することができ、基板処理装置1の生産性を向上することができる。
以上、基板処理装置1について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
G 基板
1 基板処理装置
2 チャンバ
4 サセプタ(載置台)
4a 基材
4b 絶縁部材
4c 基板載置面(載置面)
4d 載置領域
4e,4f 中心線
7、7a~7d 挿通孔
8 リフトピン
8a リフトピン(第1リフトピン)
8b リフトピン(第2リフトピン)
8c リフトピン(第3リフトピン)
8d リフトピン(第4リフトピン)
9a~9d 駆動部
31 コントローラ(制御部)
40 静電チャック
1 基板処理装置
2 チャンバ
4 サセプタ(載置台)
4a 基材
4b 絶縁部材
4c 基板載置面(載置面)
4d 載置領域
4e,4f 中心線
7、7a~7d 挿通孔
8 リフトピン
8a リフトピン(第1リフトピン)
8b リフトピン(第2リフトピン)
8c リフトピン(第3リフトピン)
8d リフトピン(第4リフトピン)
9a~9d 駆動部
31 コントローラ(制御部)
40 静電チャック
Claims (7)
- 載置台の載置面に載置された可撓性を有する矩形状の基板を前記載置面から離脱させ支持する基板支持方法であって、
前記載置台は、前記載置面から突没可能な複数のリフトピンを備え、
成型位置までの駆動量の大きな前記リフトピンから先に前記成型位置で停止するように、前記リフトピンを前記成型位置まで上昇させ前記基板の形状を成型する工程と、
前記リフトピンを目標位置まで上昇させる工程と、を有する、
基板支持方法。 - 前記リフトピンは、
前記載置面に設けられ前記基板を載置する矩形状の載置領域の角部に設けられた第1リフトピンと、
前記載置領域の短辺中央部に設けられた第2リフトピンと、
前記載置領域の長辺中央部に設けられた第3リフトピンと、
前記載置領域の面中央部に設けられた第4リフトピンと、を有し、
前記基板を成型する工程は、
前記第1リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させる工程と、
前記第1リフトピンを前記成型位置で停止させる工程と、
前記第2リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させる工程と、
前記第1リフトピンが停止した後に、前記第2リフトピンを前記成型位置で停止させる工程と、
前記第3リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させる工程と、
前記第2リフトピンが停止した後に、前記第3リフトピンを前記成型位置で停止させる工程と、を有する、
請求項1に記載の基板支持方法。 - 前記第2リフトピンを前記成型位置まで上昇させる工程は、前記第1リフトピンが停止した後に、前記第2リフトピンの駆動を開始し、
前記第3リフトピンを前記成型位置まで上昇させる工程は、前記第2リフトピンが停止した後に、前記第3リフトピンの駆動を開始する、
請求項2に記載の基板支持方法。 - 前記基板を成型する工程において、
前記第4リフトピンは、前記載置面から突出しない、
請求項2または請求項3に記載の基板支持方法。 - 前記基板は、フラットパネルディスプレイの製造に用いられるガラス基板である、
請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の基板支持方法。 - 可撓性を有する矩形状の基板を載置面に載置する載置台と、
前記載置面から突没可能な複数のリフトピンと、
前記リフトピンの昇降を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
成型位置までの駆動量の大きな前記リフトピンから先に前記成型位置で停止するように、前記リフトピンを前記成型位置まで上昇させ前記基板の形状を成型し、
前記リフトピンを目標位置まで上昇させるように構成される、
基板処理装置。 - 前記リフトピンは、
前記載置面に設けられ前記基板を載置する矩形状の載置領域の角部に設けられた第1リフトピンと、
前記載置領域の短辺中央部に設けられた第2リフトピンと、
前記載置領域の長辺中央部に設けられた第3リフトピンと、
前記載置領域の面中央部に設けられた第4リフトピンと、を有し、
前記制御部は、前記基板の形状を成型する際、
前記第1リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させ、
前記第1リフトピンを前記成型位置で停止させ、
前記第2リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させ、
前記第1リフトピンが停止した後に、前記第2リフトピンを前記成型位置で停止させ、
前記第3リフトピンの駆動を開始して前記成型位置まで上昇させ、
前記第2リフトピンが停止した後に、前記第3リフトピンを前記成型位置で停止させるように構成される、
請求項6に記載の基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022019507A JP2023117038A (ja) | 2022-02-10 | 2022-02-10 | 基板支持方法及び基板処理装置 |
CN202310050447.9A CN116581083A (zh) | 2022-02-10 | 2023-02-01 | 基板支承方法和基板处理装置 |
KR1020230013621A KR20230120993A (ko) | 2022-02-10 | 2023-02-01 | 기판 지지 방법 및 기판 처리 장치 |
TW112103809A TW202347590A (zh) | 2022-02-10 | 2023-02-03 | 基板支撐方法及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022019507A JP2023117038A (ja) | 2022-02-10 | 2022-02-10 | 基板支持方法及び基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023117038A true JP2023117038A (ja) | 2023-08-23 |
Family
ID=87541860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022019507A Pending JP2023117038A (ja) | 2022-02-10 | 2022-02-10 | 基板支持方法及び基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023117038A (ja) |
KR (1) | KR20230120993A (ja) |
CN (1) | CN116581083A (ja) |
TW (1) | TW202347590A (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4795899B2 (ja) | 2006-08-31 | 2011-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置機構および基板受け渡し方法 |
-
2022
- 2022-02-10 JP JP2022019507A patent/JP2023117038A/ja active Pending
-
2023
- 2023-02-01 CN CN202310050447.9A patent/CN116581083A/zh active Pending
- 2023-02-01 KR KR1020230013621A patent/KR20230120993A/ko unknown
- 2023-02-03 TW TW112103809A patent/TW202347590A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230120993A (ko) | 2023-08-17 |
CN116581083A (zh) | 2023-08-11 |
TW202347590A (zh) | 2023-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6650841B2 (ja) | 基板昇降機構、基板載置台および基板処理装置 | |
KR100993441B1 (ko) | 기판 탑재 기구, 기판 주고받음 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 | |
KR100636487B1 (ko) | 기판 지지 장치 및 기판 디처킹 방법 | |
KR102434559B1 (ko) | 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 | |
TWI659490B (zh) | Substrate mounting device and substrate processing device | |
JP4850811B2 (ja) | 載置台、処理装置および処理システム | |
JP5907681B2 (ja) | 基板受け渡し方法 | |
JP7438018B2 (ja) | 基板載置方法及び基板載置機構 | |
JP2023117038A (ja) | 基板支持方法及び基板処理装置 | |
KR20070011904A (ko) | 리프트 핀 어셈블리 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP2023165539A (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置の製造方法 | |
JP4416892B2 (ja) | マスク及び真空処理装置 | |
KR101256485B1 (ko) | 기판처리장치의 공정챔버 | |
JP6899697B2 (ja) | ゲートバルブ装置及び基板処理システム | |
JP7437985B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |