CN113644021A - 基板载置方法和基板载置机构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供抑制基板变形的基板载置方法和基板载置机构。其具有：设于载置区域的角部的第1升降销、设于载置区域的短边中央部的第2升降销、设于载置区域的长边中央部的第3升降销、以及设于载置区域的表面中央部的第4升降销，该基板载置方法具有如下工序：至少在第4升降销比第3升降销高，第2升降销比第4升降销高的状态下，利用第1升降销～第4升降销支承基板；以及在支承基板的工序后，将第1升降销～第4升降销收纳于载置台而将基板载置于载置区域，在将基板载置于载置区域的工序中，至少，首先将基板的长边中央部载置于载置面，接着将基板的表面中央部载置于载置面，接着将基板的短边中央部载置于载置面。

Description

基板载置方法和基板载置机构
技术领域
本公开涉及基板载置方法和基板载置机构。
背景技术
专利文献1中公开了一种基板交接方法，在该基板交接方法中将基板向载置台交接，该载置台设置于对具有挠性的所述基板进行等离子体处理的处理腔室内，具有利用静电吸附来吸附所述基板的静电卡盘，其中，所述载置台具有：基板载置面，其载置所述基板；第1升降销，其能够相对于该基板载置面突出没入，支承所述基板的周缘部；以及第2升降销，其能够相对于所述基板载置面突出没入，支承所述基板的中央部，该基板交接方法包含：基板载置工序，使所述基板处于所述基板载置面的上方，并使由所述第1升降销和位置较所述第1升降销低的第2升降销支承的所述基板下降，将所述基板从该基板的中央部起载置于所述基板载置面；利用所述静电卡盘吸附载置于所述基板载置面的所述基板，并对所述基板进行等离子体处理的工序；基板脱离工序，在所述等离子体处理结束后，解除所述静电卡盘的吸附，并使所述第1升降销和所述第2升降销设为相同高度来支承所述基板，从而使所述基板从所述基板载置面脱离。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-33847号公报
发明内容
发明要解决的问题
在一个方面，本公开提供基板载置方法和基板载置机构，其抑制将具有挠性的基板载置于载置台时的基板的变形。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，根据一技术方案，提供一种基板载置方法，其是将基板载置于具有载置面的载置台的基板载置方法，该载置面用于载置具有挠性的矩形形状的基板，其中，所述载置面具有与所述基板对应的载置区域，所述载置台具有：第1升降销，其以能够突出没入的方式设在所述载置区域的角部；第2升降销，其以能够突出没入的方式设在所述载置区域的短边中央部；第3升降销，其以能够突出没入的方式设在所述载置区域的长边中央部；以及第4升降销，其以能够突出没入的方式设在所述载置区域的表面中央部，该基板载置方法具有如下工序：至少在所述第4升降销比所述第3升降销高，所述第2升降销比所述第4升降销高的状态下，利用所述第1升降销～第4升降销支承所述基板的工序；以及在支承所述基板的工序后，将所述第1升降销～第4升降销收纳于所述载置台而将所述基板载置于所述基板载置区域的工序，在将所述基板载置于所述载置区域的工序中，至少，首先将所述基板的长边中央部载置于所述载置面，接着将所述基板的表面中央部载置于所述载置面，接着将所述基板的短边中央部载置于所述载置面。
发明的效果
利用这一技术方案，能够提供基板载置方法和基板载置机构，其抑制将具有挠性的基板载置于载置台时的基板的变形。
附图说明
图1是基板处理装置的概略剖视图的一例。
图2是基板处理装置的平面方向上的概略剖视图的一例。
图3是表示驱动升降销的驱动机构的构成的框图的一例。
图4是用于说明基板处理装置的基板交接动作的一例的流程图。
图5是表示基板处理装置的基板交接动作时的升降销的动作的一例的时序图。
图6(A)、图6(B)是被交接至升降销时的基板的截面示意图的一例。
图7(A)、图7(B)、图7(C)是用于说明基板的挠性的一例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本公开的形态进行说明。在各附图中，存在对相同的结构标注相同的附图标记而省略重复的说明的情况。
＜基板处理装置>
使用图1～图3对本实施方式的基板处理装置1进行说明。图1是基板处理装置1的概略剖视图的一例。基板处理装置1是将基板G载置于载置台而对基板G施加所期望的处理(例如，蚀刻处理等)的装置。另外，载置台构成为能够调整(例如，冷却)所载置的基板G的温度。此外，将水平的一个方向作为X方向，将水平且与X方向正交的方向作为Y方向，将高度方向作为Z方向来进行说明。
另外，在基板处理装置1被施加处理的基板G、换言之、载置于载置台的基板G在俯视观察时为矩形形状，是具有挠性的基板。基板G也可以是例如具有挠性的矩形形状的玻璃基板。另外，基板G也可以是例如厚度为0.2mm至数mm左右的薄膜玻璃基板。另外，基板G也可以是例如平面尺寸至少包含从第6代的1500mm×1800mm左右的尺寸到第10.5代的3000mm×3400mm左右的尺寸的基板。
基板处理装置1具有作为收纳基板G的处理容器的腔室2。腔室2例如由表面被铝阳极化处理(阳极氧化处理)了的铝构成，与基板G的形状相对应地形成为四棱筒形状。
在腔室2内的底壁设有作为载置基板G的载置台的基座4。基座4与基板G形状相对应地形成为四边板状或柱状。基座4具有：基材4a，其由金属等导电性材料形成；绝缘构件4b，其设于基材4a的底部与腔室2的底面之间。在基材4a连接有用于供给高频电力的馈电线23。馈电线23经由匹配器24连接于高频电源25。高频电源25例如向基座4施加13.56MHz的高频电力。匹配器24使高频电源25的输出阻抗和负载侧的输入阻抗匹配。由此，基座4构成为作为下部电极发挥功能。
另外，基座4设有利用静电吸附来吸附所载置的基板G的静电卡盘40。静电卡盘40设于基材4a的上部。静电卡盘40具有电介质41和设于电介质41的内部的内部电极42。在内部电极42连接有用于施加电压的馈电线43。馈电线43经由开关44连接电源45。电源45向内部电极42施加电压。开关44使电压的施加接通/断开。
另外，基座4(静电卡盘40)的上表面成为载置基板G的基板载置面4c。此外，在基板载置面4c具有与基板G的背面的外周部相接触的外缘部(未图示)和形成于外缘部的内侧的掘入部(未图示)。另外，在掘入部，构成为能够供给He气体等传热气体。通过使静电卡盘40静电吸附基板G，基板G的背面的外周部与基板载置面4c的外缘部被气密地吸附。另外，通过向在基板G的背面与基板载置面4c的掘入部之间形成为间隙的空间供给He气体，构成为能够对载置于基座4的基板G进行冷却(温度调整)。另外，也可以在掘入部设有多个微小的凸部，并利用外缘部和凸部来支承基板G。
在腔室2的上部或上壁以与基座4相对的方式设有喷头11，该喷头11向腔室2内供给处理气体并且作为上部电极发挥功能。喷头11在内部形成有使处理气体扩散的气体扩散空间12，并且在下表面即与基座4相对的面形成有喷出处理气体的多个喷出孔13。该喷头11接地，与基座4一起构成一对平行平板电极。此外，在本实施方式中，对利用平行平板电极生成等离子体的基板处理装置适用了本公开的情况进行了说明，但毋庸置疑，也可以对利用电感耦合生成等离子体的基板处理装置适用本公开，或者，还可以对利用其他方法生成等离子体的基板处理装置适用本公开。
在喷头11的上表面设有气体导入口14，在该气体导入口14连接有处理气体供给管15，在该处理气体供給管15经由阀16以及质量流量控制器17连接有处理气体供给源18。自处理气体供给源18供给例如用于蚀刻的处理气体。作为处理气体，能够使用卤素气体、O2气体、Ar气体等通常在本领域中使用的气体。
在腔室2的底壁连接有排气管19，在该排气管19连接有排气装置20。排气装置20具有涡轮分子泵等真空泵，构成为能够由此将腔室2内抽真空至预定的减压环境。在腔室2的侧壁形成有用于送入送出基板G的送入送出口21，并且设有使该送入送出口21开闭的闸阀22，构成为在开放送入送出口21时，基板G在由作为输送构件的输送臂50(参照后述的图2)从下方支承的状态下，借助送入送出口21以及闸阀22在与相邻的未图示的输送室之间被输送。
在腔室2的底壁以及基座4，贯通底壁以及基座的通孔7分别形成于基座4的外周部位置以及中央部位置(比外周部位置靠内侧或者靠中央的位置)。在通孔7分别插入有从下方支承基板G并使基板G升降的升降销8，该升降销8能够相对于基座4的基板载置面4c突出没入。升降销8分别设为在突出时抵接于基板G的外周部以及中央部，利用未图示的定位用衬套在径向上和宽度方向上定位并插入于通孔7内。
升降销8的下部向腔室2的外侧突出。升降销8的下部形成有凸缘26，在凸缘26连接有以围绕升降销8的方式设置的能够伸缩的波纹管27的一端部(下端部)，该波纹管27的另一端部(上端部)连接于腔室2的底壁。另外，也可以使该波纹管27的另一端部(上端部)连接于基座4的底壁。由此，波纹管27追随升降销8的升降而伸缩，并且使通孔7和升降销8之间的间隙密封。
在此，使用图2对通孔7以及升降销8的配置进行进一步说明。图2是基板处理装置1的平面方向上的概略剖视图的一例。此外，在图2中，用双点划线表示将保持于输送臂50的基板G配置于载置区域4d的上方时的输送臂50以及基板G的位置。
如图2所示，基板G以及用于载置基板G的基座4的基板载置面4c在俯视观察时呈具有短边(Y方向)和长边(X方向)的矩形形状。另外，基板载置面4c具有与基板G对应的载置区域4d(在图2中用虚线表示)。在将基板G载置于基座4时，基板G载置于载置区域4d。此外，在图2中，用点划线表示载置区域4d的中心线4e(连结一个长边的中点与另一个长边的中点的线)以及中心线4f(连结一个短边的中点与另一个短边的中点的线)。另外，在图2中，为了方便，将表示载置区域4d的虚线画得比表示基板G的双点划线靠内侧，但并不意味着载置区域4d被规定在比基板G的外周靠内侧的位置，而是期望载置区域4d具有与基板G相同的形状且相同的面积。另外，载置区域4d也可以是具有将基板G包括在内的形状以及面积的区域。
基座4具有作为通孔7的通孔7a～7d。通孔7a～7c设于载置区域4d的外周部。通孔7d设于载置区域4d的被外周部所包围的表面中央部。在通孔7a～7d配置有升降销8a～8d来作为升降销8。
在矩形形状的载置区域4d的角部设有通孔7a。在图2所示的例子中，通孔7a以中心线4e和中心线4f为对称轴而在载置区域4d内设有4个。在各通孔7a分别配置有升降销8a。以下将4个升降销8a也称为第1组Gr.1。
在矩形形状的载置区域4d的短边中央部(以中心线4f为对称轴的左右(Y方向)2个角部之间)设有通孔7b。在图2所示的例子中，在一个短边中央部以中心线4f为对称轴地设有2个通孔7b。同样的，在另一个短边中央部以中心线4f为对称轴地设有2个通孔7b。在载置区域4d内设有4个通孔7b。在各通孔7b分别配置有升降销8b。以下将4个升降销8b也称为第2组Gr.2。
在矩形形状的载置区域4d的长边中央部(以中心线4e为对称轴的前后(X方向)2个角部之间)设有通孔7c。在图2所示的例子中，在一个长边中央部，于中心线4e上设有通孔7c。同样地，在另一个长边中央部处，于中心线4e上设有通孔7c。在载置区域4d内设有2个通孔7c。在各通孔7c分别配置有升降销8c。以下，将2个升降销8c也称为第3组Gr.3。
在矩形形状的载置区域4d的中央附近的表面中央部设有通孔7d。在图2所示的例子中，通孔7d设于中心线4e上，并且以中心线4f为对称轴地设有2个。在各通孔7d分别配置有升降销8d。以下，将2个升降销8d也称为第4组Gr.4。
图3是表示驱动升降销8a～8d的驱动机构的构成的框图的一例。
升降销8a～8d分别连接于驱动部9a～9d。升降销8a～8d构成为，利用该驱动部9a～9d的驱动来进行升降，从而相对于基座4的基板载置面4c突出没入。驱动部9a～9d分别使用例如步进马达来构成。此外，如图3所示，升降销8a～8d对构成为能够分别驱动的情况进行了说明，但不限于此，也可以构成为能够以组(第1组Gr.1～第4组Gr.4)为单位进行驱动。利用这样的结构，能够减少驱动部(步进马达)的数量。
驱动部9a～9d的驱动构成为由具有微型处理器(计算机)的控制器31独立控制，由此，升降销8a～8d构成为各自能够相互独立地升降。在控制器31连接有：用户接口32，其包括工序管理者为了管理驱动部9a～9d的驱动而进行命令的输入操作等的键盘、将驱动部9a～9d的驱动状况可视化地表示的显示装置等；存储部33，其存储有记录了用于以控制器31的控制实现驱动部9a～9d的驱动的控制程序、驱动条件数据等的制程。而且，根据需要而在来自用户接口32的指示等下将任意的制程从存储部33调用并使控制器31执行，由此在控制器31的控制下进行驱动部9a～9d的驱动及停止。所述制程例如能够利用存储于CD-ROM、硬盘、闪存等的计算机能够读取的存储介质的状态下的制程，或者也能够从其他的装置、例如借助专用线路随时传送来利用。
控制器31、用户接口32以及存储部33构成用于控制由驱动部9a～9d进行的升降销8a～8d的升降的控制部，基座4、升降销8a～8d、驱动部9a～9d以及控制部构成基板载置机构。
接下来，使用图4及图5对基板处理装置1的将基板G向基座4交接的基板交接方法(载置方法)进行说明。
图4是用于说明基板处理装置1的基板交接动作的一例的流程图。图5是表示基板处理装置1的基板交接动作时的升降销8的动作的一例的时序图。
步骤S101中，保持于输送臂50的基板G被向升降销8a～8d交接。具体而言，控制器31使闸阀22开放。接下来，控制器31控制输送臂50，将保持有基板G的输送臂50从送入送出口21向腔室2内插入，将基板G输送至基座4的上方。接下来，控制器31控制驱动部9a～9d，使升降销8a～8d突出得比输送臂50高。由此，基板G被自输送臂50向升降销8a～8d交接。此外，如图2所示，升降销8a～8d配置为不与输送臂50接触。接下来，控制器31控制输送臂50，使输送臂50自送入送出口21退避。接着，控制器31关闭闸阀22。
在此，如图5所示，对于支承基板G的升降销8a～8d的高度，以如下方式偏移：“第3组Gr.3的升降销8c的高度＜第4组Gr.4的升降销8d的高度＜第2组Gr.2的升降销8b的高度＜第1组Gr.1的升降销8a的高度”。
此外，升降销8a～8d也可以在比输送臂50靠下侧的位置先形成升降销8a～8d间的偏移关系后，使升降销8a～8d一起上升。由此，以第1组Gr.1的升降销8a、第2组Gr.2的升降销8b、第4组Gr.4的升降销8d、第3组Gr.3的升降销8c的顺序与基板G接触。
另外，升降销8a～8d也可以同时上升并分别在预定的高度停止，由此形成升降销8a～8d间的偏移关系，将基板G从输送臂50向升降销8a～8d交接。由此，第1组Gr.1的升降销8a、第2组Gr.2的升降销8b、第3组Gr.3的升降销8c、第4组Gr.4的升降销8d同时与基板G接触，进而上升。然后，以第3组Gr.3的升降销8c、第4组Gr.4的升降销8d、第2组Gr.2的升降销8b、第1组Gr.1的升降销8a的顺序停止。
在此，使用图6(A)、图6(B)对交接至升降销8a～8d时的基板G的形状进行说明。图6(A)、图6(B)是交接至升降销8a～8d时的基板G的截面示意图的一例。图6(A)是从短边侧观察基板G而得到的图，图6(B)是从长边侧观察基板G而得到的图。其中，在图6(A)、图6(B)中将基板G的弯曲夸张地图示。
图6(A)的截面示意图201是基板G的A-A截面(参照图2)示意图。在A-A截面，基板G被支承为由第3组Gr.3的升降销8c支承的基板G的长边中央部比由第4组Gr.4的升降销8d支承的基板G的表面中央部低。换言之，在连结基板G的一个长边的长边中央部和基板G的另一个长边的长边中央部的线上，基板G以表面中央部比长边中央部高的形状被支承于升降销8。
图6(A)的截面示意图202是基板G的B-B截面(参照图2)示意图。在B-B截面，基板G被支承为由第2组Gr.2的升降销8b支承的基板G的短边中央部比由第1组Gr.1的升降销8a支承的基板G的角部低。换言之，在基板G的外周侧的短边上，基板G以自短边中央部朝向角部去而变高的形状被支承于升降销8。
图6(B)的截面示意图203是基板G的C-C截面(参照图2)示意图。在C-C截面，基板G被支承为由第3组Gr.3的升降销8c支承的基板G的长边中央部比由第1组Gr.1的升降销8a支承的基板G的角部低。换言之，在基板G的外周侧的长边上，基板G以自长边中央部朝向角部去而变高的形状被支承于升降销8。
图6(B)的截面示意图204是基板G的D-D截面(参照图2)示意图。在D-D截面，基板G被支承为由第4组Gr.4的升降销8d支承的基板G的表面中央部比由第2组Gr.2的升降销8b支承的基板G的短边中央部低。换言之，在连结基板G的一个短边的短边中央部和基板G的另一个短边的短边中央部的线上，基板G以自表面中央部朝向短边中央部去而变高的形状被支承于升降销8。
返回图4，在步骤S102中，控制器31控制驱动部9a～9d，使升降销8a～8d下降。在此，如图6(A)、图6(B)所示，控制器31以维持升降销8a～8d的高度的偏移不变的状态使升降销8a～8d下降。而且，利用升降销8a～8d的高度的偏移量的不同，在步骤S103中，第3组Gr.3的升降销8c被收纳于通孔7c。由此，基板G的长边中央部首先被载置于基座4的基板载置面4c。
在步骤S104中，控制器31控制驱动部9d，使升降销8d下降。在这期间，升降销8a以及升降销8b停止于步骤S103时的高度。此外，升降销8c被收纳于通孔7c并停止于步骤S103时的高度。而且，在步骤S105中，第4组Gr.4的升降销8d被收纳于通孔7d。由此，基板G的表面中央部第二个被载置于基座4的基板载置面4c。
在步骤S106中，控制器31控制驱动部9a、9b，使升降销8a、8b下降。在此，如图6(A)、图6(B)所示，控制器31以维持升降销8a、8b的高度的偏移不变的状态使升降销8a、8b下降。此外，升降销8c、8d分别被收纳于通孔7c、7d并停止于步骤S105时的高度。而且，利用升降销8a、8b的高度的偏移量的不同，在步骤S107中，第2组Gr.2的升降销8b被收纳于通孔7b。由此，基板G的短边中央部第三个被载置于基座4的基板载置面4c。
在步骤S108中，控制器31控制驱动部9a，使升降销8a下降。此外，升降销8b～8d分别被收纳于通孔7b～7d并停止于步骤S107时的高度。而且，在步骤S109中，第1组Gr.1的升降销8a被收纳于通孔7a。由此，基板G的角部最后被载置于基座4的基板载置面4c。
图7(A)、图7(B)、图7(C)是用于说明基板G的弯曲的一例的图。在图7(A)、图7(B)、图7(C)中，于上部由等高线和等高线之间的深浅来表示将基板G由中心线4e以及中心线4f分割成的4分之1的区域中的基板G的弯曲。在此，左下为基板G的中央(Center)。即，右上对应基板G的角部，左上对应基板G的短边中央部，右下对应基板G的长边中央部，左下对应基板G的表面中央部。另外，基板G的弯曲图示为以升降销8a的高度为基准(0)，越向下方弯曲而越深(点密)，越向上方弯曲而越浅(点疏)。另外，在图7(A)、图7(B)、图7(C)中，于下部示意性地表示A-A截面处各状态下的基板G的状态。
另外，图7(A)表示基板G被交接至升降销8的状态(参照步骤S101)。图7(B)表示基板G的长边中央部被载置于基板载置面4c的状态(参照步骤S103)。图7(C)表示基板G的表面中央部被载置于基板载置面4c的状态(参照步骤S105)。
在步骤S101中，以如下方式偏移来支承基板G：“第3组Gr.3的升降销8c的高度＜第4组Gr.4的升降销8d的高度＜第2组Gr.2的升降销8b的高度＜第1组Gr.1的升降销8a的高度”。由此，如图7(A)所示，基板G被保持为以如下方式弯曲的状态：“基板G的长边中央部的高度＜基板G的表面中央部的高度＜基板G的短边中央部的高度＜基板G的角部的高度”。
在步骤S103中，先载置基板G的长边中央部301。在该状态下，如图7(B)所示，基板G的表面中央部浮起。
在步骤S104中，保持第1组Gr.1的升降销8a以及第2组Gr.2的升降销8b停止的状态不变，使第4组Gr.4的升降销8d下降。由此，如图7(C)所示，能够消除基板G的表面中央部302的浮起，而载置基板G的表面中央部302。由此，能够沿着经过基板G的长边中央的中心线4e(参照图2)将基板G载置于基座4。
之后，通过以基板G的短边中央部、基板G的角部的顺序载置于基座4，能够防止基板G以变形为凸状的状态被载置。
以上，利用具有本实施方式的基板载置机构的基板处理装置1，将基板G载置于基座4时，通过先将可能变形为凸状的基板G的长边中央部载置于基座4，能够抑制基板G的长边中央部处的凸状的变形。另外，通过相比于基板G的角部先设置基板G的短边中央部，能够抑制基板G的短边中央部处的凸状的变形。由此，基板G的背面的外周部和基座4的基板载置面4c的外缘部气密地吸附。由此，在向基板G的背面和基板载置面4c的掘入部之间供给He气体时，能够防止发生He气体的泄漏。
另外，在将基板G的表面中央部载置于基座4时，保持第1组Gr.1的升降销8a以及第2组Gr.2的升降销8b停止的状态不变，使第4组Gr.4的升降销8d下降。由此，能够抑制基板G的表面中央部处的凸状的变形，而将基板G载置于基座4。由此，能够防止基板G的背面和基板载置面4c的掘入部之间的空间的容积增大。
以上，对基板处理装置1进行了说明，但本公开不限于上述实施方式等，而是能够在记载于权利要求书的本公开的主旨的范围内进行各种变形、改良。

Claims (5)

1.一种基板载置方法，其是将基板载置于具有载置面的载置台的基板载置方法，该载置面用于载置具有挠性的矩形形状的所述基板，其中，
所述载置面具有与所述基板对应的载置区域，
所述载置台具有：
第1升降销，其以能够突出没入的方式设在所述载置区域的角部；
第2升降销，其以能够突出没入的方式设在所述载置区域的短边中央部；
第3升降销，其以能够突出没入的方式设在所述载置区域的长边中央部；以及
第4升降销，其以能够突出没入的方式设在所述载置区域的表面中央部，
该基板载置方法具有如下工序：
至少在所述第4升降销比所述第3升降销高，所述第2升降销比所述第4升降销高的状态下，利用所述第1升降销～第4升降销支承所述基板的工序；以及
在支承所述基板的工序后，将所述第1升降销～第4升降销收纳于所述载置台而将所述基板载置于所述基板载置区域的工序，
在将所述基板载置于所述载置区域的工序中，
至少，首先将所述基板的长边中央部载置于所述载置面，接着将所述基板的表面中央部载置于所述载置面，接着将所述基板的短边中央部载置于所述载置面。
2.根据权利要求1所述的基板载置方法，其中，
在支承所述基板的工序中，
在所述第1升降销比所述第2升降销高的状态下支承所述基板，
在将所述基板载置于所述载置区域的工序中，
在将所述基板的短边中央部载置于所述载置面后，将所述基板的角部载置于所述载置面。
3.根据权利要求1或2所述的基板载置方法，其中，
在将所述基板载置于所述载置区域的工序中，
在将所述基板的长边中央部载置于所述载置面后，将所述基板的表面中央部载置于所述载置面时，使所述第4升降销下降，并使所述第1升降销以及第2升降销停止。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板载置方法，其中，
所述第1升降销、所述第2升降销、所述第3升降销以及所述第4升降销互相独立地驱动。
5.一种基板载置机构，其中，
该基板载置机构具有：
载置台，其具有用于载置具有挠性的矩形形状的基板的载置面和以能够相对于所述载置面突出没入的方式设置的升降销；
驱动部，其用于驱动所述升降销；以及
控制部，其控制所述驱动部，
所述载置面具有与所述基板对应的载置区域，
所述升降销具有：以能够突出没入的方式设在所述载置区域的角部的第1升降销、以能够突出没入的方式设在所述载置区域的短边中央部的第2升降销、以能够突出没入的方式设为在所述载置区域的长边中央部的第3升降销、以及以能够突出没入的方式设在所述载置区域的表面中央部的第4升降销，
所述控制部控制所述驱动部来执行如下工序：
至少在所述第4升降销比所述第3升降销高，所述第2升降销比所述第4升降销高的状态下，利用所述第1升降销～第4升降销支承所述基板的工序；以及
在支承所述基板的工序后，将所述第1升降销～第4升降销收纳于所述载置台而将所述基板载置于所述基板载置区域的工序，
在将所述基板载置于所述载置区域的工序中，
至少，首先将所述基板的长边中央部载置于所述载置面，接着将所述基板的表面中央部载置于所述载置面，接着将所述基板的短边中央部载置于所述载置面。
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